JPH04212411A - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル成長方法Info
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- JPH04212411A JPH04212411A JP5526791A JP5526791A JPH04212411A JP H04212411 A JPH04212411 A JP H04212411A JP 5526791 A JP5526791 A JP 5526791A JP 5526791 A JP5526791 A JP 5526791A JP H04212411 A JPH04212411 A JP H04212411A
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Links
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】化合物半導体結晶の薄膜を分子線
を用いて望む部位に選択的に成長させる選択エピタキシ
ャル成長方法に関する。
を用いて望む部位に選択的に成長させる選択エピタキシ
ャル成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】面内にヘテロ接合を有する化合物半導体
層の成長方法は量子箱、量子細線構造等の量子効果を利
用する構造を実現する上で重要である。特に前記構造の
形成をその工程の間大気に触れさせず成長時の清浄な雰
囲気のままで行うことが良好なヘテロ界面を得る上で不
可欠である。
層の成長方法は量子箱、量子細線構造等の量子効果を利
用する構造を実現する上で重要である。特に前記構造の
形成をその工程の間大気に触れさせず成長時の清浄な雰
囲気のままで行うことが良好なヘテロ界面を得る上で不
可欠である。
【０００３】従来、電子線露光等のリソグラフィーでは
工程の間に界面が汚染される問題があった。このため光
ビームを用いて成長時にその場で選択成長を行う試みが
第４９回応用物理学会学術講演会（同予稿集分冊１、４
ａ−Ｗ−１，ｐ．１９９）に報告されている。この従来
例ではＩＩＩ族材料にはトリエチルガリウム（略称ＴＥ
Ｇ、分子線（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ｇａ）、Ｖ族材料には
アルシン（分子式ＡｓＨ３ ）を用い、これらのガスを
高真空中で成長温度に加熱保持された砒化ガリウム基板
に交互照射し、アルゴンレーザー光を照射して局所的に
エピタキシャル成長させている。この従来例ではレーザ
ー光の照射された領域に砒化ガリウムからなる幅０．１
ｍｍの線状パターンが形成されている。
工程の間に界面が汚染される問題があった。このため光
ビームを用いて成長時にその場で選択成長を行う試みが
第４９回応用物理学会学術講演会（同予稿集分冊１、４
ａ−Ｗ−１，ｐ．１９９）に報告されている。この従来
例ではＩＩＩ族材料にはトリエチルガリウム（略称ＴＥ
Ｇ、分子線（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ｇａ）、Ｖ族材料には
アルシン（分子式ＡｓＨ３ ）を用い、これらのガスを
高真空中で成長温度に加熱保持された砒化ガリウム基板
に交互照射し、アルゴンレーザー光を照射して局所的に
エピタキシャル成長させている。この従来例ではレーザ
ー光の照射された領域に砒化ガリウムからなる幅０．１
ｍｍの線状パターンが形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、局所的
に形成可能な領域はレーザ光のスポットサイズで制限さ
れるため１μｍ以下にすることが困難であった。また、
同様の理由により１μｍ程度の最小寸法であっても０．
１μｍ以下の高い形成精度が必要な半導体層への応用が
困難であった。そのため、量子サイズ効果が顕著になる
１０ｎｍ以下の微小局所領域への選択成長や光導波路等
への応用が難しかった。
に形成可能な領域はレーザ光のスポットサイズで制限さ
れるため１μｍ以下にすることが困難であった。また、
同様の理由により１μｍ程度の最小寸法であっても０．
１μｍ以下の高い形成精度が必要な半導体層への応用が
困難であった。そのため、量子サイズ効果が顕著になる
１０ｎｍ以下の微小局所領域への選択成長や光導波路等
への応用が難しかった。
【０００５】本発明は以上述べた様な従来の事情に鑑み
てなされたもので、１０ｎｍ以下の微小局所領域や０．
１μｍ以下の精度を有する選択成長層の形成ができる原
子層エピタキシャル成長方法を提供することにある。
てなされたもので、１０ｎｍ以下の微小局所領域や０．
１μｍ以下の精度を有する選択成長層の形成ができる原
子層エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体をエピタキシャル成長させる方法であって
、半導体基板上にアルミニウム、ガリウム、インジウム
のうち一元素以上を構成元素に含む化合物半導体層を形
成する第１の工程と、前記半導体層表面に弗素を照射し
て弗化物層を形成する第２の工程と、前記弗化物層に電
子線を所望のパターンに照射する第３の工程と、前記弗
化物層を選択成長マスクとして選択エピタキシャル成長
させる第４の工程を備えることを特徴とする。
化合物半導体をエピタキシャル成長させる方法であって
、半導体基板上にアルミニウム、ガリウム、インジウム
のうち一元素以上を構成元素に含む化合物半導体層を形
成する第１の工程と、前記半導体層表面に弗素を照射し
て弗化物層を形成する第２の工程と、前記弗化物層に電
子線を所望のパターンに照射する第３の工程と、前記弗
化物層を選択成長マスクとして選択エピタキシャル成長
させる第４の工程を備えることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によるエピタキシャル成長方法では、成
長層の面内方向にヘテロ接合を形成するために、選択エ
ピタキシャル成長を利用し、その選択エピタキシャル成
長用のマスクとなる層にアルミニウム、ガリウム、イン
ジウムのうち一元素以上をＩＩＩ族元素として含むＩＩ
Ｉ族弗化物層を用いている。このＩＩＩ族弗化物層の構
成元素のうち、ＩＩＩ族元素は本発明の第１の工程で形
成する化合物半導体層の構成元素であり、弗素は第２の
工程で前記半導体層の表面に照射することによって導入
される。このＩＩＩ族弗化物層は電子線の照射によって
弗素原子を脱離する性質を有する。従って、第３の工程
において電子線を照射した部位のみ弗素原子が除去され
エピタキシャル成長に対して活性な表面となる。その結
果、電子線を照射した部位にのみ第４の工程の選択エピ
タキシャル成長においてエピタキシャル成長することが
できる。
長層の面内方向にヘテロ接合を形成するために、選択エ
ピタキシャル成長を利用し、その選択エピタキシャル成
長用のマスクとなる層にアルミニウム、ガリウム、イン
ジウムのうち一元素以上をＩＩＩ族元素として含むＩＩ
Ｉ族弗化物層を用いている。このＩＩＩ族弗化物層の構
成元素のうち、ＩＩＩ族元素は本発明の第１の工程で形
成する化合物半導体層の構成元素であり、弗素は第２の
工程で前記半導体層の表面に照射することによって導入
される。このＩＩＩ族弗化物層は電子線の照射によって
弗素原子を脱離する性質を有する。従って、第３の工程
において電子線を照射した部位のみ弗素原子が除去され
エピタキシャル成長に対して活性な表面となる。その結
果、電子線を照射した部位にのみ第４の工程の選択エピ
タキシャル成長においてエピタキシャル成長することが
できる。
【０００８】また、第３及び第４の工程を繰り返せば同
一面内に異なる組成の化合物半導体層を形成することが
できる。更に、第１から第４の工程に続いて全面に電子
線を照射した後異なる組成の半導体層をエピタキシャル
成長させることによって選択成長した半導体層を埋めこ
み面内にヘテロ接合を形成できる。
一面内に異なる組成の化合物半導体層を形成することが
できる。更に、第１から第４の工程に続いて全面に電子
線を照射した後異なる組成の半導体層をエピタキシャル
成長させることによって選択成長した半導体層を埋めこ
み面内にヘテロ接合を形成できる。
【０００９】この選択的に形成された成長層の面内方向
の寸法精度は電子線の照射精度できまるため、容易に１
０ｎｍ以下の微小サイズの成長層もしくは０．１μｍ以
下の精度を有するパターンが形成できる。
の寸法精度は電子線の照射精度できまるため、容易に１
０ｎｍ以下の微小サイズの成長層もしくは０．１μｍ以
下の精度を有するパターンが形成できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を説明するた
めのエピタキシャル成長室の模式図である。本実施例で
は成長室１０は砒化ガリウム基板１３を成長温度まで加
熱、保持する基板ホルダ１２、Ｖ族分子線源１４、電子
ビーム源１５、ＩＩＩ族分子線源１６、及び弗素分子線
源１７が接続され、真空ポンプ１１で高真空に排気され
る。Ｖ族分子線源１４は内部にアルシンガス（分子式Ａ
ｓＨ３）を熱分解させるためのヒーターを備えており、
アルシンガスはこのヒーターにより９５０℃に加熱、熱
分解されＡｓ２ 分子となる。また、電子ビーム源１５
は内部に電子銃、加速電極、集束レンズ、及び偏向電極
を備え、必要とする空間分解能以下に電子ビームを集束
し描画する。
めのエピタキシャル成長室の模式図である。本実施例で
は成長室１０は砒化ガリウム基板１３を成長温度まで加
熱、保持する基板ホルダ１２、Ｖ族分子線源１４、電子
ビーム源１５、ＩＩＩ族分子線源１６、及び弗素分子線
源１７が接続され、真空ポンプ１１で高真空に排気され
る。Ｖ族分子線源１４は内部にアルシンガス（分子式Ａ
ｓＨ３）を熱分解させるためのヒーターを備えており、
アルシンガスはこのヒーターにより９５０℃に加熱、熱
分解されＡｓ２ 分子となる。また、電子ビーム源１５
は内部に電子銃、加速電極、集束レンズ、及び偏向電極
を備え、必要とする空間分解能以下に電子ビームを集束
し描画する。
【００１２】成長には、ＩＩＩ族材料としてトリエチル
アルミニウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ａｌ略称
ＴＥＡ）、トリエチルガリウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５
）３ Ｇａ略称ＴＥＧ）、Ｖ族材料としてアルシン、
さらに選択成長層の形成用材料として弗素ガスを用い、
これらのガスと電子線を高真空中で成長温度に加熱保持
された砒化ガリウム基板１３に以下の工程で照射してヘ
テロエピタキシャル層を成長させた。
アルミニウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ａｌ略称
ＴＥＡ）、トリエチルガリウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５
）３ Ｇａ略称ＴＥＧ）、Ｖ族材料としてアルシン、
さらに選択成長層の形成用材料として弗素ガスを用い、
これらのガスと電子線を高真空中で成長温度に加熱保持
された砒化ガリウム基板１３に以下の工程で照射してヘ
テロエピタキシャル層を成長させた。
【００１３】まず、基板の清浄化の工程として、化学エ
ッチングと脱ガス処理によって表面を清浄化した砒化ガ
リウム基板１３を基板ホルダ１２に取り付け、真空ポン
プ１１で高真空に排気する。続いて、砒化ガリウム基板
１３の加熱を開始し、基板温度が４００℃を越えた時点
でアルシンガスをＶ族分子線源１４に導入してＡｓビー
ムを照射し基板表面の酸化層除去を行う。基板温度が成
長温度４５０℃に達したのち、ＴＥＧガスをＩＩＩ族分
子線源１６から導入して厚さ約１００ｎｍのバッファ層
を成長した。
ッチングと脱ガス処理によって表面を清浄化した砒化ガ
リウム基板１３を基板ホルダ１２に取り付け、真空ポン
プ１１で高真空に排気する。続いて、砒化ガリウム基板
１３の加熱を開始し、基板温度が４００℃を越えた時点
でアルシンガスをＶ族分子線源１４に導入してＡｓビー
ムを照射し基板表面の酸化層除去を行う。基板温度が成
長温度４５０℃に達したのち、ＴＥＧガスをＩＩＩ族分
子線源１６から導入して厚さ約１００ｎｍのバッファ層
を成長した。
【００１４】続いて基板温度を４５０℃に保ちヘテロエ
ピタキシャル層を以下の方法で成長させた。即ち、第１
の工程として、Ａｓビームを照射しつつＴＥＡ分子をＩ
ＩＩ族分子線源１６から照射して砒化ガリウム基板１３
の表面に砒化アルミニウム層を３００ｎｍの厚さにエピ
タキシャル成長させる。
ピタキシャル層を以下の方法で成長させた。即ち、第１
の工程として、Ａｓビームを照射しつつＴＥＡ分子をＩ
ＩＩ族分子線源１６から照射して砒化ガリウム基板１３
の表面に砒化アルミニウム層を３００ｎｍの厚さにエピ
タキシャル成長させる。
【００１５】続いて第２の工程としてＡｓビームを止め
弗素分子線源１７から弗素分子を照射する。この弗素分
子は砒化アルミニウム層の構成元素であるアルミニウム
と解離吸着し砒化アルミニウム層の表面にエピタキシャ
ル成長に対して不活性な弗化アルミニウム層（化学式Ａ
ｌＦ３ ）を形成する。
弗素分子線源１７から弗素分子を照射する。この弗素分
子は砒化アルミニウム層の構成元素であるアルミニウム
と解離吸着し砒化アルミニウム層の表面にエピタキシャ
ル成長に対して不活性な弗化アルミニウム層（化学式Ａ
ｌＦ３ ）を形成する。
【００１６】次に、第３の工程として電子ビーム源１５
から集束した電子線を砒化ガリウム基板１３上の弗化ア
ルミニウム層に照射し、幅５ｎｍの細線を走査、描画す
る。このとき、電子ビームが照射された領域で化学吸着
した弗素原子が脱離しエピタキシャル成長に対して活性
な表面となる。
から集束した電子線を砒化ガリウム基板１３上の弗化ア
ルミニウム層に照射し、幅５ｎｍの細線を走査、描画す
る。このとき、電子ビームが照射された領域で化学吸着
した弗素原子が脱離しエピタキシャル成長に対して活性
な表面となる。
【００１７】更に第４の工程として、Ａｓビームを照射
しつつＩＩＩ族分子線源１６からＴＥＧ分子を照射して
砒化ガリウム層を５ｎｍ成長させる。このとき第３の工
程で電子線が照射されてエピタキシャル成長に活性にな
っている部位にのみエピタキシャル成長が起こる。以上
の第１から第４の工程により電子線を照射した部分に厚
さ５ｎｍの砒化ガリウム層のパターンが形成される。
しつつＩＩＩ族分子線源１６からＴＥＧ分子を照射して
砒化ガリウム層を５ｎｍ成長させる。このとき第３の工
程で電子線が照射されてエピタキシャル成長に活性にな
っている部位にのみエピタキシャル成長が起こる。以上
の第１から第４の工程により電子線を照射した部分に厚
さ５ｎｍの砒化ガリウム層のパターンが形成される。
【００１８】最後にＴＥＡ分子とＡｓ分子をＩＩＩ族分
子線源１６とＶ族分子線源１４よりそれぞれ照射し厚さ
１００ｎｍの砒化アルミニウム層を全面に成長させて砒
化ガリウム細線を砒化アルミニウム層で埋め込み成長さ
せる。以上の工程の結果、幅５ｎｍ、厚さ５ｎｍの砒化
ガリウム細線を砒化アルミニウムで埋め込んだ量子細線
が形成される。
子線源１６とＶ族分子線源１４よりそれぞれ照射し厚さ
１００ｎｍの砒化アルミニウム層を全面に成長させて砒
化ガリウム細線を砒化アルミニウム層で埋め込み成長さ
せる。以上の工程の結果、幅５ｎｍ、厚さ５ｎｍの砒化
ガリウム細線を砒化アルミニウムで埋め込んだ量子細線
が形成される。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例を説明するた
めのエピタキシャル成長室の模式図である。本実施例で
は成長室１０は燐化インジウム（ＩｎＰ）基板２０を成
長温度まで加熱、保持する基板ホルダ１２、Ｖ族分子線
源１４、電子ビーム源１５、ＩＩＩ族分子線源１６、及
び弗素分子線源１７が接続され、真空ポンプ１１で高真
空に排気される。Ｖ族分子線源１４は内部にホスフィン
ガス（分子式ＰＨ３ ）及びアルシンガスを熱分解させ
るためのヒーターを備えており、アルシンガスはこのヒ
ーターにより９５０℃に加熱、熱分解されＡｓ２ 分子
となる。また、電子ビーム源１５は内部に電子銃、加速
電極、集束レンズ、及び偏向電極を備え、必要とする空
間分解能以下に電子ビームを集束し描画する。
めのエピタキシャル成長室の模式図である。本実施例で
は成長室１０は燐化インジウム（ＩｎＰ）基板２０を成
長温度まで加熱、保持する基板ホルダ１２、Ｖ族分子線
源１４、電子ビーム源１５、ＩＩＩ族分子線源１６、及
び弗素分子線源１７が接続され、真空ポンプ１１で高真
空に排気される。Ｖ族分子線源１４は内部にホスフィン
ガス（分子式ＰＨ３ ）及びアルシンガスを熱分解させ
るためのヒーターを備えており、アルシンガスはこのヒ
ーターにより９５０℃に加熱、熱分解されＡｓ２ 分子
となる。また、電子ビーム源１５は内部に電子銃、加速
電極、集束レンズ、及び偏向電極を備え、必要とする空
間分解能以下に電子ビームを集束し描画する。
【００２０】成長には、ＩＩＩ族材料として、トリエチ
ルガリウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ｇａ略称Ｔ
ＥＧ）、トリエチルインジウム（分子式、（ＣＨ３ ）
３ Ｉｎ敬称ＴＭＩ）、Ｖ族材料としてホスフィン、ア
ルシン、さらに選択成長層の形成用材料として弗素ガス
を用い、これらのガスと電子線を高真空中で成長温度に
加熱保持された燐化インジウム基板２０に以下の工程で
照射してヘテロエピタキシャル層を成長させた。
ルガリウム（分子式、（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ｇａ略称Ｔ
ＥＧ）、トリエチルインジウム（分子式、（ＣＨ３ ）
３ Ｉｎ敬称ＴＭＩ）、Ｖ族材料としてホスフィン、ア
ルシン、さらに選択成長層の形成用材料として弗素ガス
を用い、これらのガスと電子線を高真空中で成長温度に
加熱保持された燐化インジウム基板２０に以下の工程で
照射してヘテロエピタキシャル層を成長させた。
【００２１】まず、基板の清浄化の工程として、化学エ
ッチングと脱ガス処理によって表面を清浄化した燐化イ
ンジウム基板２０を基板ホルダ１２に取り付け、真空ポ
ンプ１１で高真空に排気する。続いて、燐化インジウム
基板２０の加熱を開始し、基板温度が３００℃を越えた
時点でホスフィンガスをＶ族分子線源１４に導入してＰ
２ ビームを照射し基板表面の酸化層除去を行う。基板
温度が成長温度４５０℃に達したのち、ＴＭＩガスをＩ
ＩＩ族分子線源１６から導入して厚さ約１００ｎｍの燐
化インジウムバッファ層を成長した。
ッチングと脱ガス処理によって表面を清浄化した燐化イ
ンジウム基板２０を基板ホルダ１２に取り付け、真空ポ
ンプ１１で高真空に排気する。続いて、燐化インジウム
基板２０の加熱を開始し、基板温度が３００℃を越えた
時点でホスフィンガスをＶ族分子線源１４に導入してＰ
２ ビームを照射し基板表面の酸化層除去を行う。基板
温度が成長温度４５０℃に達したのち、ＴＭＩガスをＩ
ＩＩ族分子線源１６から導入して厚さ約１００ｎｍの燐
化インジウムバッファ層を成長した。
【００２２】続いて基板温度を４５０℃に保ちヘテロエ
ピタキシャル層を以下の方法で成長させた。即ち、第１
の工程として、Ｐ２ ビームを照射しつつＴＭＩ分子を
ＩＩＩ族分子線源１６から照射して燐化インジウム基板
２０の表面に燐化インジウム層を３００ｎｍの厚さにエ
ピタキシャル成長させる。
ピタキシャル層を以下の方法で成長させた。即ち、第１
の工程として、Ｐ２ ビームを照射しつつＴＭＩ分子を
ＩＩＩ族分子線源１６から照射して燐化インジウム基板
２０の表面に燐化インジウム層を３００ｎｍの厚さにエ
ピタキシャル成長させる。
【００２３】続いて第２の工程として弗素分子線源１７
から弗素分子を照射する。この弗素分子は燐化インジウ
ム層の構成元素であるインジウムと解離吸着し燐化イン
ジウム層の表面にエピタキシャル成長に対して不活性な
弗化インジウム層（化学式ＩｎＦ３ ）を形成する。
から弗素分子を照射する。この弗素分子は燐化インジウ
ム層の構成元素であるインジウムと解離吸着し燐化イン
ジウム層の表面にエピタキシャル成長に対して不活性な
弗化インジウム層（化学式ＩｎＦ３ ）を形成する。
【００２４】次に、第３の工程として電子ビーム源１５
から集束した電子線を燐化インジウム基板２０上の弗化
インジウム層に照射し、幅５ｎｍの細線を走査、描画す
る。このとき、電子ビームが照射された領域で化学吸着
した弗素原子が脱離しエピタキシャル成長に対して活性
な表面となる。
から集束した電子線を燐化インジウム基板２０上の弗化
インジウム層に照射し、幅５ｎｍの細線を走査、描画す
る。このとき、電子ビームが照射された領域で化学吸着
した弗素原子が脱離しエピタキシャル成長に対して活性
な表面となる。
【００２５】更に第４の工程として、Ａｓビームを照射
しつつＩＩＩ族分子線源１６からＴＭＩ及びＴＥＧ分子
を同時に照射して砒化インジウムガリウム層（分子式Ｉ
ｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ）を５ｎｍ成長させる。こ
のとき第３の工程で電子線が照射されてエピタキシャル
成長に活性になっている部位にのみエピタキシャル成長
が起こる。以上の第１から第４の工程により電子線を照
射した部分に厚さ５ｎｍの砒化ガリウム層のパターンが
形成される。
しつつＩＩＩ族分子線源１６からＴＭＩ及びＴＥＧ分子
を同時に照射して砒化インジウムガリウム層（分子式Ｉ
ｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ）を５ｎｍ成長させる。こ
のとき第３の工程で電子線が照射されてエピタキシャル
成長に活性になっている部位にのみエピタキシャル成長
が起こる。以上の第１から第４の工程により電子線を照
射した部分に厚さ５ｎｍの砒化ガリウム層のパターンが
形成される。
【００２６】最後に、電子ビーム源１５から燐化インジ
ウム基板２０の全面に電子線を照射して表面をエピタキ
シャル成長に対して活性な表面に変えた後、ＴＭＩ分子
とＰ２ 分子をＩＩＩ族分子線源１６とＶ族分子線源１
４よりそれぞれ照射し厚さ１００ｎｍの燐化インジウム
層を全面に成長させて砒化インジウムガリウム細線を燐
化インジウム層で埋め込み成長させる。以上の工程の結
果、幅５ｎｍ、厚さ５ｎｍの砒化インジウムガリウウ細
線を燐化インジウムで埋め込んだ量子細線が形成される
。
ウム基板２０の全面に電子線を照射して表面をエピタキ
シャル成長に対して活性な表面に変えた後、ＴＭＩ分子
とＰ２ 分子をＩＩＩ族分子線源１６とＶ族分子線源１
４よりそれぞれ照射し厚さ１００ｎｍの燐化インジウム
層を全面に成長させて砒化インジウムガリウム細線を燐
化インジウム層で埋め込み成長させる。以上の工程の結
果、幅５ｎｍ、厚さ５ｎｍの砒化インジウムガリウウ細
線を燐化インジウムで埋め込んだ量子細線が形成される
。
【００２７】上記実施例では選択成長マスクとして、弗
化アルミニウム、及び弗化インジウムを用いたが、弗化
ガリウム、または、弗化アルミニウム、弗化インジウム
、及び、弗化ガリウムの混晶物であってもよい。
化アルミニウム、及び弗化インジウムを用いたが、弗化
ガリウム、または、弗化アルミニウム、弗化インジウム
、及び、弗化ガリウムの混晶物であってもよい。
【００２８】上記実施例では材料化合物としてトリエチ
ルガリウム及びトリエチルアルミニウムを用いたが、選
択成長性を有するトリメチルガリウム等の他の有機基を
もつ有機金属化合物を用いてもよい。
ルガリウム及びトリエチルアルミニウムを用いたが、選
択成長性を有するトリメチルガリウム等の他の有機基を
もつ有機金属化合物を用いてもよい。
【００２９】上記実施例では同一の成長室で第１から第
４の工程を含む全ての工程を行ったが、例えば第１と第
４の工程をＭＯＶＰＥ装置で行い、第２の工程を専用の
装置で行い、また、第３の工程を電子線露光装置で行う
、などの方法でもよく、本発明は同一の成長室を用いる
ことに限定されない。
４の工程を含む全ての工程を行ったが、例えば第１と第
４の工程をＭＯＶＰＥ装置で行い、第２の工程を専用の
装置で行い、また、第３の工程を電子線露光装置で行う
、などの方法でもよく、本発明は同一の成長室を用いる
ことに限定されない。
【００３０】
【発明の効果】本発明によるエピタキシャル成長方法で
は、面内方向に電子線の集束径程度、層厚方向に１原子
層の大きさを有する微小局領域にヘテロ構造を有するヘ
テロエピタキシャル層の形成ができる。
は、面内方向に電子線の集束径程度、層厚方向に１原子
層の大きさを有する微小局領域にヘテロ構造を有するヘ
テロエピタキシャル層の形成ができる。
【図１】本発明のエピタキシャル成長方法の第１の実施
例を説明するためのエピタキシャル装置の成長室の模式
図である。
例を説明するためのエピタキシャル装置の成長室の模式
図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するためのエピタ
キシャル装置の成長室の模式図である。
キシャル装置の成長室の模式図である。
１０ 成長室
１１ 真空ポンプ
１２ 基板ホルダ
１３ 砒化ガリウム基板
１４ Ｖ族分子線源
１５ 電子ビーム源
１６ ＩＩＩ族分子線源
１７ 弗素分子線源
２０ 燐化インジウム基板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上にアルミニウム、ガリウ
ム、インジウムのうち一元素以上を構成元素に含む化合
物半導体層を形成する第１の工程と、前記半導体層表面
に弗素を照射して弗化物層を形成する第２の工程と、前
記弗化物層に電子線を所望のパターンに照射する第３の
工程と、前記弗化物層を選択成長マスクとして選択エピ
タキシャル成長させる第４の工程を備えることを特徴と
するエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5526791A JPH04212411A (ja) | 1990-06-19 | 1991-03-20 | エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010590 | 1990-06-19 | ||
| JP2-160105 | 1990-06-19 | ||
| JP5526791A JPH04212411A (ja) | 1990-06-19 | 1991-03-20 | エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212411A true JPH04212411A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=26396165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5526791A Pending JPH04212411A (ja) | 1990-06-19 | 1991-03-20 | エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212411A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP5526791A patent/JPH04212411A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
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