JPH05238880A - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JPH05238880A JPH05238880A JP4373292A JP4373292A JPH05238880A JP H05238880 A JPH05238880 A JP H05238880A JP 4373292 A JP4373292 A JP 4373292A JP 4373292 A JP4373292 A JP 4373292A JP H05238880 A JPH05238880 A JP H05238880A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- growth
- gas
- chamber
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクレスで基板上の所定領域のみにゲルマ
ニウムないしゲルマニウム混晶領域を形成しうるＳｉ基
板上へのＧｅ系半導体の選択エピタキシャル成長方法に
関し、従来開発されてきたＭＢＥおよびＣＶＤ法の長所
を取込みながら、マスクレスでＳｉ下地結晶上の所定領
域にのみ高品位のＧｅ層ないしＳｉ1-x Ｇｅx 混晶層を
選択的にエピタキシャル成長させることのできる技術を
提供することを目的とする。 【構成】 水素化シリコンを含むガスを成長室内に導入
して基板上にＳｉ層をエピタキシャル成長させる第１の
工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室内から強
制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を照
射する第２の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムまた
はゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室内に導入
して上記エネルギ線照射領域のみにＧｅ層を選択的にエ
ピタキシャル成長させる第３の工程と、次いで、ゲルマ
ニウムを含むガスを成長室内から排出する第４の工程と
を含む。
ニウムないしゲルマニウム混晶領域を形成しうるＳｉ基
板上へのＧｅ系半導体の選択エピタキシャル成長方法に
関し、従来開発されてきたＭＢＥおよびＣＶＤ法の長所
を取込みながら、マスクレスでＳｉ下地結晶上の所定領
域にのみ高品位のＧｅ層ないしＳｉ1-x Ｇｅx 混晶層を
選択的にエピタキシャル成長させることのできる技術を
提供することを目的とする。 【構成】 水素化シリコンを含むガスを成長室内に導入
して基板上にＳｉ層をエピタキシャル成長させる第１の
工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室内から強
制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を照
射する第２の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムまた
はゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室内に導入
して上記エネルギ線照射領域のみにＧｅ層を選択的にエ
ピタキシャル成長させる第３の工程と、次いで、ゲルマ
ニウムを含むガスを成長室内から排出する第４の工程と
を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ基板上へのＧｅ系
半導体のエピタキシャル成長方法に関し、特にマスクレ
スで基板上の所定領域のみにゲルマニウムないしゲルマ
ニウム混晶領域を形成しうるＳｉ基板上へのＧｅ系半導
体の選択エピタキシャル成長方法に関する。
半導体のエピタキシャル成長方法に関し、特にマスクレ
スで基板上の所定領域のみにゲルマニウムないしゲルマ
ニウム混晶領域を形成しうるＳｉ基板上へのＧｅ系半導
体の選択エピタキシャル成長方法に関する。
【０００２】結晶成長法の急速な進展によって格子定数
不整合が大きくて従来困難視されていたヘテロエピタキ
シャル成長が近年歪ヘテロ接合として可能となった。そ
の代表的な応用例がＳｉ基板上へのヘテロエピタキシャ
ル成長である。
不整合が大きくて従来困難視されていたヘテロエピタキ
シャル成長が近年歪ヘテロ接合として可能となった。そ
の代表的な応用例がＳｉ基板上へのヘテロエピタキシャ
ル成長である。
【０００３】従来、Ｓｉ系素子では実現できなかった光
ＩＣや、２次元電子ガスを利用したＨＥＭＴを含むＳｉ
ＬＳＩがヘテロエピタキシャル成長によりＳｉ基板上に
高密度に集積できるとして期待されている。
ＩＣや、２次元電子ガスを利用したＨＥＭＴを含むＳｉ
ＬＳＩがヘテロエピタキシャル成長によりＳｉ基板上に
高密度に集積できるとして期待されている。
【０００４】なかでもＳｉ1-x Ｇｅx 混晶のヘテロエピ
タキシャル成長は、Ｓｉを基盤としたバンドギャップエ
ンジニアリングを実現する可能性ある材料として注目さ
れ、選択ドープＳｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉヘテロ接合でＨＥ
ＭＴやＨＢＴが試作されている。
タキシャル成長は、Ｓｉを基盤としたバンドギャップエ
ンジニアリングを実現する可能性ある材料として注目さ
れ、選択ドープＳｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉヘテロ接合でＨＥ
ＭＴやＨＢＴが試作されている。
【０００５】また、Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉ歪超格子を利
用したナローギャップ型長波長帯フォトダイオードも検
討されている。さらに、Ｇｅ／Ｓｉ歪超格子は直接遷移
型再結合をすることが報告されており、発光素子への応
用も注目されている。
用したナローギャップ型長波長帯フォトダイオードも検
討されている。さらに、Ｇｅ／Ｓｉ歪超格子は直接遷移
型再結合をすることが報告されており、発光素子への応
用も注目されている。
【０００６】これらＳｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉヘテロ接合を
利用した各種素子をＳｉ基板上に２次元的あるいは３次
元的に高集積化する場合、微細な所定領域のみに高品位
の活性層を選択成長させる技術が要求される。
利用した各種素子をＳｉ基板上に２次元的あるいは３次
元的に高集積化する場合、微細な所定領域のみに高品位
の活性層を選択成長させる技術が要求される。
【０００７】
【従来の技術】Ｓｉ基板上にＳｉ1-x Ｇｅx 混晶層を高
集積度で成長させる技術として従来利用されたものに分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）および化学気相堆積
法（ＣＶＤ）がある。
集積度で成長させる技術として従来利用されたものに分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）および化学気相堆積
法（ＣＶＤ）がある。
【０００８】ＭＢＥは、成長層の膜厚および組成を原子
レベルで制御可能な方法であるが、基板上の所定領域だ
けにＳｉ1-x Ｇｅx 層を堆積させることは困難である。
また、非平衡状態で結晶成長を行なうため、結晶欠陥密
度が多い。
レベルで制御可能な方法であるが、基板上の所定領域だ
けにＳｉ1-x Ｇｅx 層を堆積させることは困難である。
また、非平衡状態で結晶成長を行なうため、結晶欠陥密
度が多い。
【０００９】一方、ＣＶＤは厚みや組成制御の点でＭＢ
Ｅより劣るが、Ｓｉ1-x Ｇｅx 成長層の結晶性および量
産性の点でＭＢＥより優れていることは広く知られてい
る。しかし、基板上の所定領域にだけＳｉ1-x Ｇｅx 層
を堆積させることはＭＢＥ同様極めて困難である。
Ｅより劣るが、Ｓｉ1-x Ｇｅx 成長層の結晶性および量
産性の点でＭＢＥより優れていることは広く知られてい
る。しかし、基板上の所定領域にだけＳｉ1-x Ｇｅx 層
を堆積させることはＭＢＥ同様極めて困難である。
【００１０】ＭＢＥやＣＶＤを用いて微小サイズのＳｉ
1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）活性層をＳｉ基板上に形成
し、この活性層を別の組成の結晶、たとえばＳｉで埋め
込むにはＳｉＯ2 等からなる選択成長用マスクを用い
て、まずＳｉ1-x Ｇｅx 活性層をマスク開口部に成長さ
せ、しかる後マスクを除去し、次にＳｉを成長させると
いう工程が必要であった。
1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）活性層をＳｉ基板上に形成
し、この活性層を別の組成の結晶、たとえばＳｉで埋め
込むにはＳｉＯ2 等からなる選択成長用マスクを用い
て、まずＳｉ1-x Ｇｅx 活性層をマスク開口部に成長さ
せ、しかる後マスクを除去し、次にＳｉを成長させると
いう工程が必要であった。
【００１１】しかし、この従来技術では工程数が多くな
り、コスト上昇を招く。加えて、開口部が０．１μｍ幅
以下の超微細幅の選択成長は、マスクパターンを切るこ
とが紫外線による最新技術を用いても困難であるため、
事実上不可能であり、量子細線や量子箱構造を持つ量子
効果素子形成の大きな制約となっている。
り、コスト上昇を招く。加えて、開口部が０．１μｍ幅
以下の超微細幅の選択成長は、マスクパターンを切るこ
とが紫外線による最新技術を用いても困難であるため、
事実上不可能であり、量子細線や量子箱構造を持つ量子
効果素子形成の大きな制約となっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉ基板上にＳｉＬＳ
ＩとワンチップでＳｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）を活性
層とする光、電子機能素子を高密度集積するにはＳｉ
1-x Ｇｅx 混晶を選択的にエピタキシャル成長する技術
が望まれている。
ＩとワンチップでＳｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）を活性
層とする光、電子機能素子を高密度集積するにはＳｉ
1-x Ｇｅx 混晶を選択的にエピタキシャル成長する技術
が望まれている。
【００１３】本発明の目的は、従来開発されてきたＭＢ
ＥおよびＣＶＤ法の長所を取込みながら、マスクレスで
Ｓｉ下地結晶上の所定領域にのみ高品位のＧｅ層ないし
Ｓｉ 1-x Ｇｅx 混晶層を選択的にエピタキシャル成長さ
せることのできる技術を提供することである。
ＥおよびＣＶＤ法の長所を取込みながら、マスクレスで
Ｓｉ下地結晶上の所定領域にのみ高品位のＧｅ層ないし
Ｓｉ 1-x Ｇｅx 混晶層を選択的にエピタキシャル成長さ
せることのできる技術を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のエピタキシャル
成長方法は、水素化シリコンを含むガスを成長室内に導
入して基板上にＳｉ層をエピタキシャル成長させる第１
の工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室内から
強制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を
照射する第２の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムま
たはゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室内に導
入して上記エネルギ線照射領域のみにＧｅ層を選択的に
エピタキシャル成長させる第３の工程と、次いで、ゲル
マニウムを含むガスを成長室内から排出する第４の工程
とを含む。
成長方法は、水素化シリコンを含むガスを成長室内に導
入して基板上にＳｉ層をエピタキシャル成長させる第１
の工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室内から
強制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を
照射する第２の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムま
たはゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室内に導
入して上記エネルギ線照射領域のみにＧｅ層を選択的に
エピタキシャル成長させる第３の工程と、次いで、ゲル
マニウムを含むガスを成長室内から排出する第４の工程
とを含む。
【００１５】
【作用】シリコンソースガスを導入して基板上にＳｉを
エピタキシャル成長する。この状態でゲルマニウムソー
スガスを導入しても、ゲルマニウム層は直ちには成長し
ない。基板表面にエネルギ線を照射すると、ゲルマニウ
ムソースガスの導入により速やかに結晶成長を行なえる
状態となる。このため、エネルギ線を照射した領域のみ
にＧｅを選択的に成長させることができる。
エピタキシャル成長する。この状態でゲルマニウムソー
スガスを導入しても、ゲルマニウム層は直ちには成長し
ない。基板表面にエネルギ線を照射すると、ゲルマニウ
ムソースガスの導入により速やかに結晶成長を行なえる
状態となる。このため、エネルギ線を照射した領域のみ
にＧｅを選択的に成長させることができる。
【００１６】Ｓｉのエピタキシャル層表面は水素で覆わ
れた状態と考えられる。ゲルマニウムソースガスはこの
水素と置換する能力が低く、直ちにゲルマニウム層をエ
ピタキシャル成長できないものと考えられる。エネルギ
線を照射すると、Ｓｉ層表面の水素が脱離し、ゲルマニ
ウムソースガスの導入により速やかにゲルマニウム層の
成長が行なえる状態になると考えられる。
れた状態と考えられる。ゲルマニウムソースガスはこの
水素と置換する能力が低く、直ちにゲルマニウム層をエ
ピタキシャル成長できないものと考えられる。エネルギ
線を照射すると、Ｓｉ層表面の水素が脱離し、ゲルマニ
ウムソースガスの導入により速やかにゲルマニウム層の
成長が行なえる状態になると考えられる。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明を実施するために用いた気密
性の高い減圧エピタキシャル成長装置の構成概略を示
す。
性の高い減圧エピタキシャル成長装置の構成概略を示
す。
【００１８】図において、ガス導入系２、ガス強制排気
系３、電子線、荷電粒子線または電磁波からなるエネル
ギ線の照射装置４がステンレス製成長室１に接続され、
基板保持装置６が成長室１内に設置されている。荷電粒
子線としてはα線や不活性ガスイオン等が可能であり、
電磁波としては１００〜２００ｎｍの紫外線が可能であ
ると考えられる。
系３、電子線、荷電粒子線または電磁波からなるエネル
ギ線の照射装置４がステンレス製成長室１に接続され、
基板保持装置６が成長室１内に設置されている。荷電粒
子線としてはα線や不活性ガスイオン等が可能であり、
電磁波としては１００〜２００ｎｍの紫外線が可能であ
ると考えられる。
【００１９】本発明の基本構成においては、基板保持装
置６に設置されたＳｉ基板５上にＳｉ層を成長し、その
上にＧｅ層を選択的にエピタキシャル成長させる場合、
ガス導入系２より水素化シリコンガスを成長室１内に導
入して基板上にＳｉをエピタキシャル成長させる第１の
工程と、強制排気して真空状態で基板上の所定領域のみ
にエネルギ線を照射する第２の工程と、ガス導入系２よ
り水素化ゲルマニウムガスまたはゲルマニウム有機化合
物蒸気を成長室１内に導入して、上記エネルギ線照射領
域のみにＧｅ層を選択的に成長させる第３の工程と、ガ
ス強制排気系３によゲルマニウムを含むガスを成長室１
内から排出する第４の工程とをこの順序で行なう。
置６に設置されたＳｉ基板５上にＳｉ層を成長し、その
上にＧｅ層を選択的にエピタキシャル成長させる場合、
ガス導入系２より水素化シリコンガスを成長室１内に導
入して基板上にＳｉをエピタキシャル成長させる第１の
工程と、強制排気して真空状態で基板上の所定領域のみ
にエネルギ線を照射する第２の工程と、ガス導入系２よ
り水素化ゲルマニウムガスまたはゲルマニウム有機化合
物蒸気を成長室１内に導入して、上記エネルギ線照射領
域のみにＧｅ層を選択的に成長させる第３の工程と、ガ
ス強制排気系３によゲルマニウムを含むガスを成長室１
内から排出する第４の工程とをこの順序で行なう。
【００２０】マスクレスでエネルギ線照射領域のみにＧ
ｅ層が選択成長する。この理由は明らかではないが、Ｓ
ｉ表面が水素で終端されている状態とＳｉ表面が露出さ
れている状態とで、供給されたゲルマニウムソースガス
分子がＳｉ表面の結晶分子と結合して結晶化するのに要
するエネルギに差があるためと考えられる。この様子を
実験結果で示したのが図２である。
ｅ層が選択成長する。この理由は明らかではないが、Ｓ
ｉ表面が水素で終端されている状態とＳｉ表面が露出さ
れている状態とで、供給されたゲルマニウムソースガス
分子がＳｉ表面の結晶分子と結合して結晶化するのに要
するエネルギに差があるためと考えられる。この様子を
実験結果で示したのが図２である。
【００２１】図２（Ａ）は、図１の成長室１内にＧｅＨ
4 とＳｉ2 Ｈ6 とを交互に導入してＧｅ／Ｓｉの交互層
をＳｉ基板５上にエピタキシャル成長させるときの成長
室内の各ガス分圧の変化を示す。ＧｅＨ4 とＳｉ2 Ｈ6
の各ガスは、一定時間流した後で、一旦排気する。この
ため、共に分圧がゼロの時間がある。
4 とＳｉ2 Ｈ6 とを交互に導入してＧｅ／Ｓｉの交互層
をＳｉ基板５上にエピタキシャル成長させるときの成長
室内の各ガス分圧の変化を示す。ＧｅＨ4 とＳｉ2 Ｈ6
の各ガスは、一定時間流した後で、一旦排気する。この
ため、共に分圧がゼロの時間がある。
【００２２】図２（Ｂ）はＳｉ基板５の温度を５００℃
に保ち、図２（Ａ）のガス供給プログラムに沿ってＳｉ
基板５上にＧｅ／Ｓｉの交互層をエピタキシャル成長さ
せた場合の成長層の周期をＸ線回折で調べ、ＧｅＨ4 供
給時間ｔ2 の関数として示したものである。この場合、
Ｓｉ2 Ｈ6 供給時間ｔ1 は一定（６０秒間）とし、ｔ 2
のみを変化させた。Ｓｉ2 Ｈ6 をソースガスとした５０
０℃の結晶成長は、ほぼ限界であり、ゆっくり進む。こ
の条件下では一周期中のＳｉエピタキシャル層厚みは８
Ａとなる。
に保ち、図２（Ａ）のガス供給プログラムに沿ってＳｉ
基板５上にＧｅ／Ｓｉの交互層をエピタキシャル成長さ
せた場合の成長層の周期をＸ線回折で調べ、ＧｅＨ4 供
給時間ｔ2 の関数として示したものである。この場合、
Ｓｉ2 Ｈ6 供給時間ｔ1 は一定（６０秒間）とし、ｔ 2
のみを変化させた。Ｓｉ2 Ｈ6 をソースガスとした５０
０℃の結晶成長は、ほぼ限界であり、ゆっくり進む。こ
の条件下では一周期中のＳｉエピタキシャル層厚みは８
Ａとなる。
【００２３】図２（Ｂ）は、ＧｅＨ4 の供給時間が一定
値（この条件下ではほぼｔ2 ＝１８秒）より短い場合
（以下、潜伏時間という）成長層の一周期幅が８Ａから
変化しない、すなわち実質上Ｇｅを含む層が成長しない
ことを示している。
値（この条件下ではほぼｔ2 ＝１８秒）より短い場合
（以下、潜伏時間という）成長層の一周期幅が８Ａから
変化しない、すなわち実質上Ｇｅを含む層が成長しない
ことを示している。
【００２４】一般に、シリコンのエピタキシャル成長は
Ｓｉ2 Ｈ6 の場合約５００℃以上で、Ｓｉ3 Ｈ8 の場合
約４５０〜４７０℃以上で可能となる。また、Ｇｅのエ
ピタキシャル成長はより低温、たとえばＧｅＨ4 の場
合、約３００℃以上で可能となる。しかし、Ｓｉ層成長
後にＧｅ層を成長しようとすると、５００℃でも一定時
間（潜伏時間）内はほとんど成長が行なわれない。
Ｓｉ2 Ｈ6 の場合約５００℃以上で、Ｓｉ3 Ｈ8 の場合
約４５０〜４７０℃以上で可能となる。また、Ｇｅのエ
ピタキシャル成長はより低温、たとえばＧｅＨ4 の場
合、約３００℃以上で可能となる。しかし、Ｓｉ層成長
後にＧｅ層を成長しようとすると、５００℃でも一定時
間（潜伏時間）内はほとんど成長が行なわれない。
【００２５】これは、水素で終端されたＳｉ結晶表面の
触媒作用が小さく、供給されたＧｅガス状分子が結晶表
面に吸着して結晶化するのに一定の時間を要することを
示していると考えられる。
触媒作用が小さく、供給されたＧｅガス状分子が結晶表
面に吸着して結晶化するのに一定の時間を要することを
示していると考えられる。
【００２６】しかるに、ＧｅＨ4 供給時間ｔ2 を潜伏時
間内に留めてもＧｅＨ4 ガス導入直前にＳｉ基板５表面
を電子線や荷電粒子線あるいは紫外線や軟Ｘ線等のエネ
ルギ線で照射すれば、照射部のみに選択的にＧｅがエピ
タキシャル成長することが確かめられた。
間内に留めてもＧｅＨ4 ガス導入直前にＳｉ基板５表面
を電子線や荷電粒子線あるいは紫外線や軟Ｘ線等のエネ
ルギ線で照射すれば、照射部のみに選択的にＧｅがエピ
タキシャル成長することが確かめられた。
【００２７】Ｓｉ層とＧｅ層を交互に成長すると、原理
的にはＳｉ／Ｇｅ超格子構造が形成される。周期を短く
すると実効的なＳｉ1-x Ｇｅx 混晶が得られる。また、
温度を高くすると相互拡散が生じ、実効的Ｓｉ1-x Ｇｅ
x 混晶が得られる。このような実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx 混
晶はＧｅ層を選択成長することにより基板上に選択的に
形成される。
的にはＳｉ／Ｇｅ超格子構造が形成される。周期を短く
すると実効的なＳｉ1-x Ｇｅx 混晶が得られる。また、
温度を高くすると相互拡散が生じ、実効的Ｓｉ1-x Ｇｅ
x 混晶が得られる。このような実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx 混
晶はＧｅ層を選択成長することにより基板上に選択的に
形成される。
【００２８】ただし、Ｇｅ層は１０Ａ以上の膜厚になる
と、２次元成長から島状成長に転ずるので、一周期にお
けるＧｅ膜厚は数原子層以内に留めることが好ましい。
前記第１の工程から第４の工程までを繰り返すことによ
って、Ｓｉ基板５上の所望領域のみにＳｉ1-x Ｇｅ
x （０＜ｘ＜１）の実効的混晶を所望の厚さに堆積する
ことができる。また、Ｓｉ層のみの成長と組み合わせる
ことにより実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉのヘテロ接合を
形成できる。
と、２次元成長から島状成長に転ずるので、一周期にお
けるＧｅ膜厚は数原子層以内に留めることが好ましい。
前記第１の工程から第４の工程までを繰り返すことによ
って、Ｓｉ基板５上の所望領域のみにＳｉ1-x Ｇｅ
x （０＜ｘ＜１）の実効的混晶を所望の厚さに堆積する
ことができる。また、Ｓｉ層のみの成長と組み合わせる
ことにより実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉのヘテロ接合を
形成できる。
【００２９】水素で終端されたＳｉ結晶表面に対してエ
ネルギ線照射を行なうことによって照射領域が脱水素化
され、表面接触作用が高められてＧｅガス分子の結晶化
が促進されるものと考えられる。
ネルギ線照射を行なうことによって照射領域が脱水素化
され、表面接触作用が高められてＧｅガス分子の結晶化
が促進されるものと考えられる。
【００３０】このように、エネルギ線の利用により、マ
スクレスでＳｉ基板上にＧｅ層が所望のパターンで堆積
できるようになった。このことは、Ｓｉ基板の所望領域
に量子細線や量子箱というＧｅ／Ｓｉ系量子超格子から
なる量子効果素子を形成しうることを示している。
スクレスでＳｉ基板上にＧｅ層が所望のパターンで堆積
できるようになった。このことは、Ｓｉ基板の所望領域
に量子細線や量子箱というＧｅ／Ｓｉ系量子超格子から
なる量子効果素子を形成しうることを示している。
【００３１】さらに、上述の実験では減圧エピタキシャ
ル成長を採用している。供給ガスは分子線を用いる必要
がないので大面積の基板、複数の基板に対応できる利点
を持っている。
ル成長を採用している。供給ガスは分子線を用いる必要
がないので大面積の基板、複数の基板に対応できる利点
を持っている。
【００３２】以下、本発明をより具体的な実施例に基づ
いて詳しく述べる。図１の装置を用いて、Ｓｉ基板５上
にストライプ状の実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx 混晶層を選択エ
ピタキシャル成長させ、この領域をＳｉで埋め込んだ。
成長装置は、たとえばステンレスで形成された成長室１
に、ガス導入系２、ガス排気系３、電子照射装置４、試
料室７が接続された構成を有する。
いて詳しく述べる。図１の装置を用いて、Ｓｉ基板５上
にストライプ状の実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx 混晶層を選択エ
ピタキシャル成長させ、この領域をＳｉで埋め込んだ。
成長装置は、たとえばステンレスで形成された成長室１
に、ガス導入系２、ガス排気系３、電子照射装置４、試
料室７が接続された構成を有する。
【００３３】ガス導入系２は、Ａｒ、Ｈｅ等のキャリア
ガスを供給するキャリアガスライン２１にゲルマニウム
ソースガス（ＧｅＨ4 ＋Ａｒ）を供給する第１ソースガ
スライン２２、シリコンソースガス（Ｓｉ2 Ｈ6 ＋Ａ
ｒ）を供給する第２ソースガスライン２３等が接続され
た構成を有する。
ガスを供給するキャリアガスライン２１にゲルマニウム
ソースガス（ＧｅＨ4 ＋Ａｒ）を供給する第１ソースガ
スライン２２、シリコンソースガス（Ｓｉ2 Ｈ6 ＋Ａ
ｒ）を供給する第２ソースガスライン２３等が接続され
た構成を有する。
【００３４】また、これらの第１ソースガスライン２
２、第２ソースガスライン２３は、それぞれ排気系に接
続されたベントライン２４にも接続されている。この構
成により、ソースガスは一定量を連続的に供給し、供給
先を成長室１とベントライン２４で振り分ける制御が行
なわれる。この振り分け制御を行なうため、ブロックバ
ルブ２５が用いられる。
２、第２ソースガスライン２３は、それぞれ排気系に接
続されたベントライン２４にも接続されている。この構
成により、ソースガスは一定量を連続的に供給し、供給
先を成長室１とベントライン２４で振り分ける制御が行
なわれる。この振り分け制御を行なうため、ブロックバ
ルブ２５が用いられる。
【００３５】また、図示しないが、成長に先立って表面
酸化膜を除去するための水素を供給する水素ガスライン
も設ける。用いた成長装置は気密性が高く、Ｈｅ洩れ検
知器によって装置全体の気密度が１０-8ａｔ・ｃｃ／ｓ
ｅｃ以下であることが確かめられた。不純物レベルが高
いとＳｉ層はアモルファス化し易い。このため、高品位
のＳｉエピタキシャル層を得るには高気密性が望まれ
る。
酸化膜を除去するための水素を供給する水素ガスライン
も設ける。用いた成長装置は気密性が高く、Ｈｅ洩れ検
知器によって装置全体の気密度が１０-8ａｔ・ｃｃ／ｓ
ｅｃ以下であることが確かめられた。不純物レベルが高
いとＳｉ層はアモルファス化し易い。このため、高品位
のＳｉエピタキシャル層を得るには高気密性が望まれ
る。
【００３６】また、ガス導入系２より成長室１内に導入
する各ガス、すなわちＳｉ2 Ｈ6 、ＧｅＨ4 およびＡｒ
（キャリアガス）は不純物測定の結果、残留酸素が５ｐ
ｐｂ以下、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 の各濃度合計が５０ｐ
ｐｂ以下と極めて高純度であった。
する各ガス、すなわちＳｉ2 Ｈ6 、ＧｅＨ4 およびＡｒ
（キャリアガス）は不純物測定の結果、残留酸素が５ｐ
ｐｂ以下、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 の各濃度合計が５０ｐ
ｐｂ以下と極めて高純度であった。
【００３７】ガス強制排気系３は、導入ガスの強制排気
に用いるロータリーポンプ系Ｒ（１Ｔｏｒｒ程度にまで
減圧）と電子線照射のための高真空化用大型ターボ分子
ポンプ系Ｍ（１０-6〜１０-9Ｔｏｒｒ程度まで排気）を
含む。
に用いるロータリーポンプ系Ｒ（１Ｔｏｒｒ程度にまで
減圧）と電子線照射のための高真空化用大型ターボ分子
ポンプ系Ｍ（１０-6〜１０-9Ｔｏｒｒ程度まで排気）を
含む。
【００３８】基板上方に設けられた電子線照射装置４
は、加速電圧４０ＫＶ、照射電流最大１０ｍＡの仕様で
ある。電子銃４１から発した電子線は静電レンズ（また
は電磁レンズ）４２によって収束され、偏向器４３によ
って照射領域のみを掃引するよう制御されている。
は、加速電圧４０ＫＶ、照射電流最大１０ｍＡの仕様で
ある。電子銃４１から発した電子線は静電レンズ（また
は電磁レンズ）４２によって収束され、偏向器４３によ
って照射領域のみを掃引するよう制御されている。
【００３９】Ｓｉ基板５は（００１）の面方位を有し、
成長装置内に挿入する前にＨ2 ＳＯ 4 −Ｈ2 Ｏ2 系混合
液を用いて表面処理を行なう。次いで試料室７から成長
室１内に挿入し、ヒータ６１を備えた基板保持装置６上
に載置する。エピタキシャル成長の直前に１０Ｔｏｒｒ
の低圧水素を成長室１に導入し、基板を９００℃に加熱
して約１０分間表面酸化膜の除去を行なう。
成長装置内に挿入する前にＨ2 ＳＯ 4 −Ｈ2 Ｏ2 系混合
液を用いて表面処理を行なう。次いで試料室７から成長
室１内に挿入し、ヒータ６１を備えた基板保持装置６上
に載置する。エピタキシャル成長の直前に１０Ｔｏｒｒ
の低圧水素を成長室１に導入し、基板を９００℃に加熱
して約１０分間表面酸化膜の除去を行なう。
【００４０】しかる後、自然冷却によって５００℃まで
降温し、Ｓｉ基板５をこの温度に保持してエピタキシャ
ル成長を行なう。図３は、本実施例のＳｉ1-x Ｇｅx ス
トライプ膜成長で用いられたガス供給プログラムであ
る。Ｓｉ2 Ｈ6 ガス分圧をＰＳｉ2 Ｈ6 で、ＧｅＨ4 ガ
ス分圧をＰＧｅＨ4 で、Ａｒガス分圧をＰＡｒで規格化
して示す。図中、アルゴン分圧ＰＡｒの曲線に重ねて矢
印で電子線の照射を例示する。
降温し、Ｓｉ基板５をこの温度に保持してエピタキシャ
ル成長を行なう。図３は、本実施例のＳｉ1-x Ｇｅx ス
トライプ膜成長で用いられたガス供給プログラムであ
る。Ｓｉ2 Ｈ6 ガス分圧をＰＳｉ2 Ｈ6 で、ＧｅＨ4 ガ
ス分圧をＰＧｅＨ4 で、Ａｒガス分圧をＰＡｒで規格化
して示す。図中、アルゴン分圧ＰＡｒの曲線に重ねて矢
印で電子線の照射を例示する。
【００４１】最初に６０秒間、Ａｒキャリアガスと共に
Ｓｉ2 Ｈ6 を成長室１に導入して、基板５上に厚さ約８
ＡのＳｉ層をエピタキシャル成長させる。次いで電子線
照射のために導入ガスを止め、成長室１内を１０-6Ｔｏ
ｒｒの真空度まで急速排気する。
Ｓｉ2 Ｈ6 を成長室１に導入して、基板５上に厚さ約８
ＡのＳｉ層をエピタキシャル成長させる。次いで電子線
照射のために導入ガスを止め、成長室１内を１０-6Ｔｏ
ｒｒの真空度まで急速排気する。
【００４２】次に、電子線照射装置４を制御して直径約
１００Ａに収束された電子線を数回、Ｓｉエピタキシャ
ル層上の所定領域で掃引する。所定領域は、たとえば一
定間隔をおいて配置された互いに平行な幅２５０Ａの２
本のストライプである。この間高真空度を維持する。
１００Ａに収束された電子線を数回、Ｓｉエピタキシャ
ル層上の所定領域で掃引する。所定領域は、たとえば一
定間隔をおいて配置された互いに平行な幅２５０Ａの２
本のストライプである。この間高真空度を維持する。
【００４３】次に２０秒間、Ａｒキャリアガスと共にＧ
ｅＨ4 を成長室１内に導入する。この結果、電子線を照
射した前記ストライプ領域にＧｅ層が成長する。次に、
ＧｅＨ4 ガスを排気し、約５秒後再びＳｉ2 Ｈ6 ガスを
導入し、次のＳｉ層を成長する。１周期はたとえば１２
０秒程度である。
ｅＨ4 を成長室１内に導入する。この結果、電子線を照
射した前記ストライプ領域にＧｅ層が成長する。次に、
ＧｅＨ4 ガスを排気し、約５秒後再びＳｉ2 Ｈ6 ガスを
導入し、次のＳｉ層を成長する。１周期はたとえば１２
０秒程度である。
【００４４】なお、Ｓｉ層は全面にエピタキシャル成長
し、Ｇｅ層は照射領域のみにエピタキシャル成長する。
電子線照射領域のＳｉ／Ｇｅ交互層は非照射領域のＳｉ
層より厚くなる。このように、Ｓｉ／Ｇｅ交互層成長を
必要回数繰り返し、所望の厚さのＳｉ／Ｇｅ交互層をエ
ピタキシャル成長する。
し、Ｇｅ層は照射領域のみにエピタキシャル成長する。
電子線照射領域のＳｉ／Ｇｅ交互層は非照射領域のＳｉ
層より厚くなる。このように、Ｓｉ／Ｇｅ交互層成長を
必要回数繰り返し、所望の厚さのＳｉ／Ｇｅ交互層をエ
ピタキシャル成長する。
【００４５】さらに、ロータリーポンプ系で成長室１内
の残留ガスを排除後、再びＡｒキャリアガスとＳｉ2 Ｈ
6 を流してＳｉカバー層を全面にエピタキシャル成長さ
せた。
の残留ガスを排除後、再びＡｒキャリアガスとＳｉ2 Ｈ
6 を流してＳｉカバー層を全面にエピタキシャル成長さ
せた。
【００４６】自然冷却後、取り出した試料をＳＥＭによ
って測定した。図４（Ａ）は成長層の構造を示す見取図
であり、図４（Ｂ）はＳＥＭ付属のＸ線アナライザによ
って成長面直上からストライプに直交する方向に走査し
ながら組成分析した結果を示す。
って測定した。図４（Ａ）は成長層の構造を示す見取図
であり、図４（Ｂ）はＳＥＭ付属のＸ線アナライザによ
って成長面直上からストライプに直交する方向に走査し
ながら組成分析した結果を示す。
【００４７】図４（Ａ）において、Ｓｉ／Ｇｅ交互層は
層厚が薄いことと相互拡散のため実効的にＳｉ1-x Ｇｅ
x 混晶のライン５２ａ、５２ｂとして観察された。Ｓｉ
／Ｇｅ交互層成長と同時に成長されたＳｉ領域５３はＳ
ｉ1-x Ｇｅx ライン５２ａ、５２ｂより薄い。これらの
全面上にＳｉカバー層５４が形成されている。このよう
にして、Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉヘテロ接合が選択的に形
成された。
層厚が薄いことと相互拡散のため実効的にＳｉ1-x Ｇｅ
x 混晶のライン５２ａ、５２ｂとして観察された。Ｓｉ
／Ｇｅ交互層成長と同時に成長されたＳｉ領域５３はＳ
ｉ1-x Ｇｅx ライン５２ａ、５２ｂより薄い。これらの
全面上にＳｉカバー層５４が形成されている。このよう
にして、Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉヘテロ接合が選択的に形
成された。
【００４８】図４（Ｂ）のデータでストライプ領域の組
成変化をみると、半値幅で測定して約２５０Ａの幅でＳ
ｉ1-x Ｇｅx 層がこの領域に形成され、この領域以外に
はＳｉ層が成長していることが判る。なお、成長が進む
につけ、Ｓｉ1-x Ｇｅx のストライプ領域の幅は拡がっ
ている。
成変化をみると、半値幅で測定して約２５０Ａの幅でＳ
ｉ1-x Ｇｅx 層がこの領域に形成され、この領域以外に
はＳｉ層が成長していることが判る。なお、成長が進む
につけ、Ｓｉ1-x Ｇｅx のストライプ領域の幅は拡がっ
ている。
【００４９】電子線照射によってＳｉ結晶表面にＧｅが
結晶化し易くなるのは光化学的効果よりも熱的効果によ
る水素の解離によるものと考えられる。照射部位の温度
が局所的に上昇して吸着水素が離脱してＳｉ表面の触媒
作用が促進するものと考えられる。
結晶化し易くなるのは光化学的効果よりも熱的効果によ
る水素の解離によるものと考えられる。照射部位の温度
が局所的に上昇して吸着水素が離脱してＳｉ表面の触媒
作用が促進するものと考えられる。
【００５０】なお、上記実施例のストライプ状選択成長
領域に超格子構造を形成するには、Ｓｉカバー層の上に
再び所定のストライプ領域に電子線照射を行ないつつ、
Ｓｉ 2 Ｈ6 とＧｅＨ4 ガスを交互に導入するプロセス
を、上記した条件にしたがって再度行い、次にＳｉ層を
成長し、同様の工程を必要回数繰り返せばよい。最上層
のＳｉ1-x Ｇｅx ストライプの上に厚いＳｉ層を堆積す
れば、超格子構造の埋め込みができる。これらの構成を
利用してＨＢＴやＨＥＭＴを製造することができること
は当業者に自明であろう。
領域に超格子構造を形成するには、Ｓｉカバー層の上に
再び所定のストライプ領域に電子線照射を行ないつつ、
Ｓｉ 2 Ｈ6 とＧｅＨ4 ガスを交互に導入するプロセス
を、上記した条件にしたがって再度行い、次にＳｉ層を
成長し、同様の工程を必要回数繰り返せばよい。最上層
のＳｉ1-x Ｇｅx ストライプの上に厚いＳｉ層を堆積す
れば、超格子構造の埋め込みができる。これらの構成を
利用してＨＢＴやＨＥＭＴを製造することができること
は当業者に自明であろう。
【００５１】以上の実施例では、Ｇｅ選択成長領域を掃
引する電子ビーム直径を１００Ａとしたが、集束レンズ
径をより精密化することによってより微細なヘテロ成長
領域が形成しうることは自明である。
引する電子ビーム直径を１００Ａとしたが、集束レンズ
径をより精密化することによってより微細なヘテロ成長
領域が形成しうることは自明である。
【００５２】さらに、電子線に代えて、α線やＡｒイオ
ン線等の荷電粒子線あるいは紫外線や軟Ｘ線等の電磁波
をエネルギ線として用いうることは機能的に明らかであ
る。特に、レーザは集束性に優れた高いエネルギ密度を
持つエネルギ線であって、電子線代替の有力な候補であ
る。
ン線等の荷電粒子線あるいは紫外線や軟Ｘ線等の電磁波
をエネルギ線として用いうることは機能的に明らかであ
る。特に、レーザは集束性に優れた高いエネルギ密度を
持つエネルギ線であって、電子線代替の有力な候補であ
る。
【００５３】また、上記実施例においては、水素化シリ
コンとしてＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いたが、他の化合物を用
いうることはいうまでもない。たとえば、Ｓｉ3 Ｈ8 を
用いればＳｉ2 Ｈ6 の場合よりも低温で（基板温度４０
０℃台で）Ｓｉ層の成長が可能となる。Ｇｅの成長可能
温度はさらに低いので、交互層の成長をより低温で行な
えるようになる。
コンとしてＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いたが、他の化合物を用
いうることはいうまでもない。たとえば、Ｓｉ3 Ｈ8 を
用いればＳｉ2 Ｈ6 の場合よりも低温で（基板温度４０
０℃台で）Ｓｉ層の成長が可能となる。Ｇｅの成長可能
温度はさらに低いので、交互層の成長をより低温で行な
えるようになる。
【００５４】成長温度を低くすれば、相互拡散の減少に
よりエネルギ線選択照射部分に形成される超格子界面の
平坦性が改善される。この結果、Ｓｉ／Ｇｅの原子層オ
ーダ超格子を実現できる可能性もある。また、上述のよ
うなＳｉ1-x Ｇｅx 型超格子を構成する場合、各ヘテロ
接合の間隔をより狭くすることも可能となる。
よりエネルギ線選択照射部分に形成される超格子界面の
平坦性が改善される。この結果、Ｓｉ／Ｇｅの原子層オ
ーダ超格子を実現できる可能性もある。また、上述のよ
うなＳｉ1-x Ｇｅx 型超格子を構成する場合、各ヘテロ
接合の間隔をより狭くすることも可能となる。
【００５５】また、厚み方向にも一旦Ｓｉ層でカバーし
た後、選択成長位置を変えて堆積することができるた
め、２次元的、３次元的に多様な形態でヘテロ接合素子
を配置することが可能である。しかも、これらＧｅ系半
導体の成長が同一成長装置内で連続して行ないうるた
め、高品位の結晶が得られ、またコストも低くて済む。
た後、選択成長位置を変えて堆積することができるた
め、２次元的、３次元的に多様な形態でヘテロ接合素子
を配置することが可能である。しかも、これらＧｅ系半
導体の成長が同一成長装置内で連続して行ないうるた
め、高品位の結晶が得られ、またコストも低くて済む。
【００５６】さらに、選択成長領域を決めるエネルギ線
が十分集束されるならば、極めて微小な領域（原理的に
は１０Ａ幅）にＧｅ系ヘテロ接合素子を形成することが
でき、量子細線や量子箱等の量子効果素子を作ることが
できる。これら量子効果素子は同一サイズ、同一パター
ンの超格子構造を形成後、Ｓｉ系半導体で埋め込む構造
とすることが好ましい。
が十分集束されるならば、極めて微小な領域（原理的に
は１０Ａ幅）にＧｅ系ヘテロ接合素子を形成することが
でき、量子細線や量子箱等の量子効果素子を作ることが
できる。これら量子効果素子は同一サイズ、同一パター
ンの超格子構造を形成後、Ｓｉ系半導体で埋め込む構造
とすることが好ましい。
【００５７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクレスでＳｉ層上にＧｅ層を制御性よく選択的に成
長することができる。
マスクレスでＳｉ層上にＧｅ層を制御性よく選択的に成
長することができる。
【００５９】実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ＜１）混晶
をマスクレスで選択的に成長することができる。
をマスクレスで選択的に成長することができる。
【図１】本発明の実施例で用いた結晶成長装置の構成を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】図１の装置によるＳｉ基板へのＧｅ／Ｓｉ交互
層成長時のデータを示す。図２（Ａ）は成長室内に導入
される原料ガス分圧の時間変化を示すグラフ、図２
（Ｂ）は図２（Ａ）のｔ1 （Ｓｉ2 Ｈ6 供給時間）を一
定（６０秒間）とし、ｔ2 （ＧｅＨ4 供給時間）をパラ
メータとしたとき得られる周期幅を測定したデータのグ
ラフである。
層成長時のデータを示す。図２（Ａ）は成長室内に導入
される原料ガス分圧の時間変化を示すグラフ、図２
（Ｂ）は図２（Ａ）のｔ1 （Ｓｉ2 Ｈ6 供給時間）を一
定（６０秒間）とし、ｔ2 （ＧｅＨ4 供給時間）をパラ
メータとしたとき得られる周期幅を測定したデータのグ
ラフである。
【図３】本実施例の一実施例であるＳｉ基板上へのＳｉ
1-x Ｇｅx 半導体混晶の選択エピタキシャル成長におけ
る供給ガスの導入プログラムを示すグラフである。
1-x Ｇｅx 半導体混晶の選択エピタキシャル成長におけ
る供給ガスの導入プログラムを示すグラフである。
【図４】図３のプログラムにしたがってＳｉ基板上にエ
ピタキシャル成長した結晶の構造を示す。図４（Ａ）は
成長層の見取図、図４（Ｂ）は走査型Ｘ線アナライザー
によるＳｉおよびＧｅの組成変化を示すグラフである。
ピタキシャル成長した結晶の構造を示す。図４（Ａ）は
成長層の見取図、図４（Ｂ）は走査型Ｘ線アナライザー
によるＳｉおよびＧｅの組成変化を示すグラフである。
１ 成長室 ２ ガス導入系 ３ ガス強制排気系 ４ エネルギ線（電子線）照射装置 ５ Ｓｉ基板 ６ 基板保持装置 ２１ キャリアガスライン ２２ 第１ソースガスライン ２３ 第２ソースガスライン ２４ ベントライン ２５ ブロックバルブ ４１ 電子銃 ４２ 静電レンズ ４３ 偏向器 Ｒ ロータリーポンプ系 Ｍ ターボ分子ポンプ系 ５２ Ｓｉ1-x Ｇｅx ライン ５３ Ｓｉ領域 ５４ Ｓｉカバー層
Claims (3)
- 【請求項１】 水素化シリコンを含むガスを成長室
（１）内に導入して基板上にＳｉ層をエピタキシャル成
長させる第１の工程と、 次いで、シリコンを含むガスを成長室（１）内から強制
排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を照射
する第２の工程と、 次いで、水素化ゲルマニウムまたはゲルマニウム有機化
合物を含むガスを成長室（１）内に導入して上記エネル
ギ線照射領域のみにＧｅ層を選択的にエピタキシャル成
長させる第３の工程と、 次いで、ゲルマニウムを含むガスを成長室（１）内から
排出する第４の工程とを含むことを特徴とするエピタキ
シャル成長方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のエピタキシャル成長方法
であって、第１の工程から第４の工程までを連続的に複
数回繰り返すことにより、前記エネルギ線照射領域のみ
に実効的Ｓｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ＜１）混晶を形成する
ことを特徴とするエピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のエピタキシャル成長方法
であって、さらに水素化シリコンを含むガスを成長室内
に導入し、実効的Ｓｉ層をエピタキシャル成長する工程
を含み、Ｓｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ＜１）／Ｓｉからなる
超格子構造を形成することを特徴とするエピタキシャル
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4373292A JPH05238880A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4373292A JPH05238880A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238880A true JPH05238880A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=12671959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4373292A Withdrawn JPH05238880A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05238880A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001097267A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluating method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| JP2003502845A (ja) * | 1999-06-11 | 2003-01-21 | エレクトロン ビジョン コーポレーション | 化学気相成長前に電子線処理を用いて薄膜を処理する方法 |
| JP2006114613A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Canon Anelva Corp | 選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置および方法 |
| JP2012089861A (ja) * | 2004-06-10 | 2012-05-10 | Applied Materials Inc | Ｕｖ線を用いたシリコン含有膜の低温エピタキシャル成長 |
| JP2013527596A (ja) * | 2010-03-24 | 2013-06-27 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 原子層堆積による量子閉じ込め構造の照射誘起核形成 |
| US11232586B2 (en) * | 2016-10-31 | 2022-01-25 | Nec Corporation | Line-of-sight estimation device, line-of-sight estimation method, and program recording medium |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4373292A patent/JPH05238880A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502845A (ja) * | 1999-06-11 | 2003-01-21 | エレクトロン ビジョン コーポレーション | 化学気相成長前に電子線処理を用いて薄膜を処理する方法 |
| WO2001097267A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluating method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| US6720587B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluation method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| JP2012089861A (ja) * | 2004-06-10 | 2012-05-10 | Applied Materials Inc | Ｕｖ線を用いたシリコン含有膜の低温エピタキシャル成長 |
| JP2006114613A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Canon Anelva Corp | 選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置および方法 |
| JP2013527596A (ja) * | 2010-03-24 | 2013-06-27 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 原子層堆積による量子閉じ込め構造の照射誘起核形成 |
| US11232586B2 (en) * | 2016-10-31 | 2022-01-25 | Nec Corporation | Line-of-sight estimation device, line-of-sight estimation method, and program recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |