JP2704931B2 - 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 - Google Patents
選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、選択成長用マスクの形
成方法に関し、特に真空一貫プロセスで利用可能な選択
成長用マスクの形成方法に関する。
成方法に関し、特に真空一貫プロセスで利用可能な選択
成長用マスクの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空一貫プロセスで、ＧａＡｓ等
の化合物半導体の選択エピタキシャル成長を可能にする
ために、ＧａＮ膜や、ＧａＡｓ酸化膜を選択成長用マス
ク材として用いる方法が知られている。
の化合物半導体の選択エピタキシャル成長を可能にする
ために、ＧａＮ膜や、ＧａＡｓ酸化膜を選択成長用マス
ク材として用いる方法が知られている。
【０００３】ＧａＮ膜を用いて選択成長を行う方法は、
ＧａＡｓ（１００）基板を加熱しながら、その表面にク
ラッキングしたアンモニアガスを照射して、極めて膜厚
の薄いＧａＮ膜を形成する。このＧａＮ膜は、電子ビー
ムを照射すると脱離するので、所定の領域に電子ビーム
を走査させてパターニングを行う。この後、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡ
ｓを成長させると、マスク（ＧａＮ膜）の開口部にのみ
ＧａＡｓが成長するというものである。
ＧａＡｓ（１００）基板を加熱しながら、その表面にク
ラッキングしたアンモニアガスを照射して、極めて膜厚
の薄いＧａＮ膜を形成する。このＧａＮ膜は、電子ビー
ムを照射すると脱離するので、所定の領域に電子ビーム
を走査させてパターニングを行う。この後、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡ
ｓを成長させると、マスク（ＧａＮ膜）の開口部にのみ
ＧａＡｓが成長するというものである。
【０００４】また、ＧａＡｓ酸化膜を用いる方法は、Ｇ
ａＡｓ（１００）基板表面に酸素を照射しながら、光を
照射して、非常に薄い酸化膜（膜厚１．５ｎｍ程度）を
形成し、この酸化膜を電子ビームと塩素ガスとを用いて
パターニングする。この後、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡｓを成長させる
と、マスク（ＧａＡｓ酸化膜）の開口部にのみＧａＡｓ
が成長するというものである。
ａＡｓ（１００）基板表面に酸素を照射しながら、光を
照射して、非常に薄い酸化膜（膜厚１．５ｎｍ程度）を
形成し、この酸化膜を電子ビームと塩素ガスとを用いて
パターニングする。この後、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡｓを成長させる
と、マスク（ＧａＡｓ酸化膜）の開口部にのみＧａＡｓ
が成長するというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＮ膜を用いる方法
では、ＧａＮの結晶性が非常に重要で、結晶性が良くな
い場合は、結晶成長に使用される原料ガスに対する耐性
が弱く、選択成長を実現できないという問題点がある。
では、ＧａＮの結晶性が非常に重要で、結晶性が良くな
い場合は、結晶成長に使用される原料ガスに対する耐性
が弱く、選択成長を実現できないという問題点がある。
【０００６】また、ＧａＡｓ酸化膜を用いる方法では、
トリメチルガリウム（ＴＥＧ）に対する耐性がＧａＡｓ
酸化膜が基板温度４５０℃で失われる。即ち、原料ガス
の種類によっては、選択成長を行うことができないとい
う問題点がある。
トリメチルガリウム（ＴＥＧ）に対する耐性がＧａＡｓ
酸化膜が基板温度４５０℃で失われる。即ち、原料ガス
の種類によっては、選択成長を行うことができないとい
う問題点がある。
【０００７】本発明は、真空一貫プロセスに利用可能
で、結晶性の影響を受け難く、どの様な原料ガスに対し
ても必要な耐性を有する選択成長用マスクを形成する方
法を提供することを目的とする。
で、結晶性の影響を受け難く、どの様な原料ガスに対し
ても必要な耐性を有する選択成長用マスクを形成する方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板表面に窒素を含有する原料ガスを照射して前記半導
体基板表面に窒化膜を形成する工程と、前記半導体基板
を酸素及びオゾンの一方の雰囲気下に置き、前記窒化膜
の表面に光を照射して酸化膜を形成する工程と、前記酸
化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記酸化膜
の表面の所定領域に電子ビームを照射して前記酸化膜及
び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有することを
特徴とする選択成長用マスクの形成方法が得られる。な
お、酸化膜を形成する工程では、半導体基板に電圧を印
加して加熱することによって酸化膜を形成してもよい。
基板表面に窒素を含有する原料ガスを照射して前記半導
体基板表面に窒化膜を形成する工程と、前記半導体基板
を酸素及びオゾンの一方の雰囲気下に置き、前記窒化膜
の表面に光を照射して酸化膜を形成する工程と、前記酸
化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記酸化膜
の表面の所定領域に電子ビームを照射して前記酸化膜及
び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有することを
特徴とする選択成長用マスクの形成方法が得られる。な
お、酸化膜を形成する工程では、半導体基板に電圧を印
加して加熱することによって酸化膜を形成してもよい。
【０００９】また、本発明によれば、Ｇａを含む化合物
半導体基板の表面に形成されたＧａＮ膜と、該ＧａＮ膜
の表面に形成されたＧａＯ1-x Ｎx とを有する選択成長
用マスクを除去する方法において、ＧａＯ1-x Ｎx の表
面にＧａを堆積させる工程と、前記化合物半導体基板を
加熱する工程とを含むことを特徴とする選択成長用マス
クの除去方法が得られる。
半導体基板の表面に形成されたＧａＮ膜と、該ＧａＮ膜
の表面に形成されたＧａＯ1-x Ｎx とを有する選択成長
用マスクを除去する方法において、ＧａＯ1-x Ｎx の表
面にＧａを堆積させる工程と、前記化合物半導体基板を
加熱する工程とを含むことを特徴とする選択成長用マス
クの除去方法が得られる。
【００１０】
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。初めに、本実施例で使用される装置について図１を
参照して説明する。この装置は、成長室（チャンバー）
１０１、表面処理室（チャンバー）１０２、及びエッチ
ング室１０３を有している。そして、成長室１０１と表
面処理室１０２、及び表面処理室１０２とエッチング室
１０３とは、それぞれゲートバルブ１０４ａ及び１０４
ｂで接続されている。これら、成長室１０１、表面処理
室１０２、及びエッチング室１０３は、それぞれ独立し
て真空排気することが可能であり、予め所定の真空度に
まで真空排気されている。
る。初めに、本実施例で使用される装置について図１を
参照して説明する。この装置は、成長室（チャンバー）
１０１、表面処理室（チャンバー）１０２、及びエッチ
ング室１０３を有している。そして、成長室１０１と表
面処理室１０２、及び表面処理室１０２とエッチング室
１０３とは、それぞれゲートバルブ１０４ａ及び１０４
ｂで接続されている。これら、成長室１０１、表面処理
室１０２、及びエッチング室１０３は、それぞれ独立し
て真空排気することが可能であり、予め所定の真空度に
まで真空排気されている。
【００１１】成長室１０１の内部には、ヒーター１０５
を備えた基板ホルダー（図示せず）が設けられている。
また、成長室１０１を規定する側壁には、Ｇａセル１０
６、Ａｓセル１０７、ガスノズル１０８及び１０９、四
重極質量分析器１１０、及びＲＨＥＥＤ（高速電子線回
折）電子銃１１１が、基板ホルダーに向けて配設されて
いる。同じく成長室１０１の側壁には、ＲＨＥＥＤ電子
銃１１１に対向するようにＲＨＥＥＤスクリーン１１２
が設けられている。
を備えた基板ホルダー（図示せず）が設けられている。
また、成長室１０１を規定する側壁には、Ｇａセル１０
６、Ａｓセル１０７、ガスノズル１０８及び１０９、四
重極質量分析器１１０、及びＲＨＥＥＤ（高速電子線回
折）電子銃１１１が、基板ホルダーに向けて配設されて
いる。同じく成長室１０１の側壁には、ＲＨＥＥＤ電子
銃１１１に対向するようにＲＨＥＥＤスクリーン１１２
が設けられている。
【００１２】また、表面処理室１０２の側壁には、ハロ
ゲンランプ１１３、酸素導入ノズル１１４、及び四重極
質量分析器１１５が設けられ、エッチング室１０３の側
壁には、電子銃１１６及び塩素ガス導入ノズル１１７が
設けられている。
ゲンランプ１１３、酸素導入ノズル１１４、及び四重極
質量分析器１１５が設けられ、エッチング室１０３の側
壁には、電子銃１１６及び塩素ガス導入ノズル１１７が
設けられている。
【００１３】次に、図１及び図２を参照して本発明の一
実施例を説明する。まず、ＧａＡｓ（１００）基板２０
１を成長室１０１に導入する。ＧａＡｓ（１００）基板
２０１の表面には、自然酸化膜が形成されているので、
ヒーター１０５で基板温度を６１０〜６３０℃として、
自然酸化膜を除去する。こうして、図２（ａ）に示すよ
うに清浄な表面を有するＧａＡｓ（１００）基板２０１
が得られる。
実施例を説明する。まず、ＧａＡｓ（１００）基板２０
１を成長室１０１に導入する。ＧａＡｓ（１００）基板
２０１の表面には、自然酸化膜が形成されているので、
ヒーター１０５で基板温度を６１０〜６３０℃として、
自然酸化膜を除去する。こうして、図２（ａ）に示すよ
うに清浄な表面を有するＧａＡｓ（１００）基板２０１
が得られる。
【００１４】次に、基板温度を５５０℃にまで下げ、基
板２０１の表面に、ガスノズル１０８からトリエチルガ
リウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセルから１０７からＡｓ4 を
照射する。すると、基板２０１の表面には、図２（ｂ）
に示すようにＧａＡｓバッファ層２０２が形成される。
板２０１の表面に、ガスノズル１０８からトリエチルガ
リウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセルから１０７からＡｓ4 を
照射する。すると、基板２０１の表面には、図２（ｂ）
に示すようにＧａＡｓバッファ層２０２が形成される。
【００１５】この後、基板温度を６３０℃に上げ、Ｇａ
Ａｓバッファ層２０２の表面をＧａリッチな表面とす
る。そして、ガスノズル１０９からジメチルヒドラジン
を導入し、図２（ｃ）に示すようにＧａＡｓバッファ層
２０２の表面にＧａＮ膜２０３を形成する。ここで、Ｇ
ａＮ膜２０３の膜厚は１〜２ｎｍ程度とする。
Ａｓバッファ層２０２の表面をＧａリッチな表面とす
る。そして、ガスノズル１０９からジメチルヒドラジン
を導入し、図２（ｃ）に示すようにＧａＡｓバッファ層
２０２の表面にＧａＮ膜２０３を形成する。ここで、Ｇ
ａＮ膜２０３の膜厚は１〜２ｎｍ程度とする。
【００１６】ＧａＮ膜２０３を形成後、ゲートバルブ１
０４ａを通して、基板２０１を成長室１０１から表面処
理室１０２へ移す。そして、酸素導入ノズル１１４から
酸素を導入して、表面処理室１０２内を酸素圧１０Torr
とする。この状態で、ＧａＮ膜２０３の表面にハロゲン
ランプ１１３からの光を１５分間照射する。すると、Ｇ
ａＮ膜２０３の表面は酸化され、図２（ｄ）に示すよう
にＧａＯ1-x Ｎx ２０４が形成される。
０４ａを通して、基板２０１を成長室１０１から表面処
理室１０２へ移す。そして、酸素導入ノズル１１４から
酸素を導入して、表面処理室１０２内を酸素圧１０Torr
とする。この状態で、ＧａＮ膜２０３の表面にハロゲン
ランプ１１３からの光を１５分間照射する。すると、Ｇ
ａＮ膜２０３の表面は酸化され、図２（ｄ）に示すよう
にＧａＯ1-x Ｎx ２０４が形成される。
【００１７】次に、ゲートバルブ１０４ｂを通して、基
板２０１を表面処理室１０２からエッチング室１０３へ
移動させる。そして、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４に、塩素導
入ノズル１１７からの塩素ガスを照射すると共に、電子
銃１１６からの電子ビームを照射する。ＧａＯ1-x Ｎx
２０４及びＧａＮ膜２０３は、塩素ガスと電子ビームと
がともに照射された領域のみがエッチングされる。従っ
て、電子ビームを所定の走査パターンで走査させること
により、図２（ｅ）に示すように、ＧａＯ1-xＮx ２０
４及びＧａＮ２０３を選択的にエッチングしてパターン
２０５を形成することができる。
板２０１を表面処理室１０２からエッチング室１０３へ
移動させる。そして、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４に、塩素導
入ノズル１１７からの塩素ガスを照射すると共に、電子
銃１１６からの電子ビームを照射する。ＧａＯ1-x Ｎx
２０４及びＧａＮ膜２０３は、塩素ガスと電子ビームと
がともに照射された領域のみがエッチングされる。従っ
て、電子ビームを所定の走査パターンで走査させること
により、図２（ｅ）に示すように、ＧａＯ1-xＮx ２０
４及びＧａＮ２０３を選択的にエッチングしてパターン
２０５を形成することができる。
【００１８】パターン２０５を形成した後、再び基板２
０１を成長室１０１へ移動させる。そして、基板温度を
４５０℃として、ガスノズル１０８からトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセル１０７からＡｓ4 を照射し
て、ＧａＡｓ層を成長させる。このとき、ＧａＡｓは、
ＧａＡｓバッファ層２０２上のみ成長し、ＧａＯ1-xＮ
x ２０４上では成長しない。このため、成長させたＧａ
Ａｓ層は、図２（ｆ）に示すようにパターン２０５を形
成した部分にのみ成長し、ＧａＡｓ選択成長層２０６と
なる。
０１を成長室１０１へ移動させる。そして、基板温度を
４５０℃として、ガスノズル１０８からトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセル１０７からＡｓ4 を照射し
て、ＧａＡｓ層を成長させる。このとき、ＧａＡｓは、
ＧａＡｓバッファ層２０２上のみ成長し、ＧａＯ1-xＮ
x ２０４上では成長しない。このため、成長させたＧａ
Ａｓ層は、図２（ｆ）に示すようにパターン２０５を形
成した部分にのみ成長し、ＧａＡｓ選択成長層２０６と
なる。
【００１９】最後に、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４を除去す
る。除去の方法は次のとうりである。まず、Ｇａセル１
０６でメタルＧａを蒸発させ、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４の
表面に照射して数モノレーヤー（５〜１５ＭＬ）のＧａ
を堆積させる。その後、基板温度を５５０℃として、こ
の状態を３０分程度保持する。次に、Ａｓセル１０７か
らＡｓを照射してＡｓ圧を印加しつつ、基板温度を６５
０℃に上げて３０分以上保持する。するとＧａＯ1-x Ｎ
x ２０４は熱的に分解し蒸発する。こうして、ＧａＯ
1-x Ｎx ２０４は完全に除去することができる。なお、
Ｇａの照射によりＧａＡｓ選択成長層２０６上に堆積し
たＧａは、その後のＡｓ照射によりＧａＡｓになるの
で、ここでは問題にならない。
る。除去の方法は次のとうりである。まず、Ｇａセル１
０６でメタルＧａを蒸発させ、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４の
表面に照射して数モノレーヤー（５〜１５ＭＬ）のＧａ
を堆積させる。その後、基板温度を５５０℃として、こ
の状態を３０分程度保持する。次に、Ａｓセル１０７か
らＡｓを照射してＡｓ圧を印加しつつ、基板温度を６５
０℃に上げて３０分以上保持する。するとＧａＯ1-x Ｎ
x ２０４は熱的に分解し蒸発する。こうして、ＧａＯ
1-x Ｎx ２０４は完全に除去することができる。なお、
Ｇａの照射によりＧａＡｓ選択成長層２０６上に堆積し
たＧａは、その後のＡｓ照射によりＧａＡｓになるの
で、ここでは問題にならない。
【００２０】この様に本実施例では、トリメチルガリウ
ムによる選択成長が可能である。また、ＧａＮの結晶性
によらずに選択成長を行うことができる。
ムによる選択成長が可能である。また、ＧａＮの結晶性
によらずに選択成長を行うことができる。
【００２１】なお、上記実施例では、ジメチルヒドラジ
ンを用いてＧａＮ膜を形成したが、クラッキングしたア
ンモニアガスや、ラジカル化した窒素等、他の原料ガス
を用いてもよい。また、上記実施例では、ＧａＮ膜の表
面を酸化させるために酸素とハロゲンランプを用いた
が、酸素に代えてオゾンガスを用いてもよいし、光酸化
に代えて抵抗加熱により酸化させてもよい。さらに、上
記実施例では、ＧａＯ1- x Ｎx を除去する際にメタルの
Ｇａを用いたが、ＴＭＧや、ＴＥＧなどの有機金属ガス
を用いてもよい。さらにまた、上記実施例では、ＧａＡ
ｓ基板を用いたが、その他ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｓｉ等、他
の半導体基板に対しても適用することができる。
ンを用いてＧａＮ膜を形成したが、クラッキングしたア
ンモニアガスや、ラジカル化した窒素等、他の原料ガス
を用いてもよい。また、上記実施例では、ＧａＮ膜の表
面を酸化させるために酸素とハロゲンランプを用いた
が、酸素に代えてオゾンガスを用いてもよいし、光酸化
に代えて抵抗加熱により酸化させてもよい。さらに、上
記実施例では、ＧａＯ1- x Ｎx を除去する際にメタルの
Ｇａを用いたが、ＴＭＧや、ＴＥＧなどの有機金属ガス
を用いてもよい。さらにまた、上記実施例では、ＧａＡ
ｓ基板を用いたが、その他ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｓｉ等、他
の半導体基板に対しても適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体表面を窒化して
窒化膜を形成し、さらに窒化膜の表面を酸化して酸化膜
を形成して、これら酸化膜及び窒化膜を選択成長用マス
ク材としたことで、半導体原料ガスの種類によらず、ま
た、選択成長用マスク材の結晶性によらず、選択成長を
安定して行うことができる。
窒化膜を形成し、さらに窒化膜の表面を酸化して酸化膜
を形成して、これら酸化膜及び窒化膜を選択成長用マス
ク材としたことで、半導体原料ガスの種類によらず、ま
た、選択成長用マスク材の結晶性によらず、選択成長を
安定して行うことができる。
【００２３】また、本発明によれば、ＧａＯ1-x Ｎx 及
びＧａＮを選択成長用マスク材とした場合に、予めその
表面にＧａを堆積した後、加熱するようにしたことで、
マスク材を完全に除去することができる。
びＧａＮを選択成長用マスク材とした場合に、予めその
表面にＧａを堆積した後、加熱するようにしたことで、
マスク材を完全に除去することができる。
【００２４】さらに、本発明のマスク形成方法及びその
除去方法は、半導体基板を装置から取り出すこと無く実
施できるので真空一貫プロセスに利用することができ
る。
除去方法は、半導体基板を装置から取り出すこと無く実
施できるので真空一貫プロセスに利用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例において使用される装置の概略
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例の工程図である。
１０１ 成長室（チャンバー） １０２ 表面処理室（チャンバー） １０３ エッチング室１０３ １０４ａ，１０４ｂ ゲートバルブ １０５ ヒーター １０６ Ｇａセル １０７ Ａｓセル １０８ ガスノズル １０９ ガスノズル １１０ 四重極質量分析器 １１１ ＲＨＥＥＤ（高速電子線回折）電子銃 １１２ ＲＨＥＥＤスクリーン １１３ ハロゲンランプ １１４ 酸素導入ノズル １１５ 四重極質量分析器 １１６ 電子銃 １１７ 塩素ガス導入ノズル ２０１ ＧａＡｓ（１００）基板 ２０２ ＧａＡｓバッファ層 ２０３ ＧａＮ膜 ２０４ ＧａＯ1-x Ｎx ２０５ パターン ２０６ ＧａＡｓ選択成長層
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板表面に窒素を含有する原料ガ
スを照射して前記半導体基板表面に窒化膜を形成する工
程と、前記半導体基板を酸素及びオゾンの一方の雰囲気
下に置き、前記窒化膜の表面に光を照射して酸化膜を形
成する工程と、前記酸化膜の表面に塩素ガスを照射する
とともに、前記酸化膜の表面の所定領域に電子ビームを
照射して前記酸化膜及び前記窒化膜を選択的に除去する
工程とを有することを特徴とする選択成長用マスクの形
成方法。 - 【請求項２】 半導体基板の表面に窒素を含有する原料
ガスを照射して前記半導体基板の表面に窒化膜を形成す
る工程と、前記半導体基板を酸素及びオゾンの一方の雰
囲気下に置き、前記半導体基板に電圧を印加することに
より加熱して前記窒化膜の表面に酸化膜を形成する工程
と、前記酸化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、
前記酸化膜の表面の所定領域に電子ビームを照射して前
記酸化膜及び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有
することを特徴とする選択成長用マスクの形成方法。 - 【請求項３】 Ｇａを含む化合物半導体基板の表面に窒
素を含有する原料ガスを照射してＧａＮ膜を形成する工
程と、前記化合物半導体基板を酸素及びオゾンの一方の
雰囲気下に置き、前記ＧａＮ膜の表面に光を照射してＧ
ａＯ1-x Ｎx膜を形成する工程と、前記ＧａＯ1-x Ｎx
膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記ＧａＯ
1-x Ｎx 膜の表面の所定領域に電子ビームを照射して前
記ＧａＯ1-x Ｎx 及び前記ＧａＮ膜を選択的に除去する
工程とを有することを特徴とする選択成長用マスクの形
成方法。 - 【請求項４】 Ｇａを含む化合物半導体基板の表面に窒
素を含有する原料ガスを照射してＧａＮ膜を形成する工
程と、前記化合物半導体基板を酸素及びオゾンの一方の
雰囲気下に置き、前記化合物半導体基板に電圧を印加す
ることにより加熱してＧａＯ1-x Ｎx 膜を形成する工程
と、前記ＧａＯ1-x Ｎx 膜の表面に塩素ガスを照射する
とともに、前記ＧａＯ1-x Ｎx 膜の表面の所定領域に電
子ビームを照射して前記ＧａＯ1-x Ｎx 及び前記ＧａＮ
膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする
選択成長用マスクの形成方法。 - 【請求項５】 前記Ｇａを含む化合物半導体がＧａＡｓ
基板であることを特徴とする請求項３または４の選択成
長用マスクの形成方法。 - 【請求項６】 前記原料ガスが、ジメチルヒドラジン、
クラッキングしたアンモニアガス、及びラジカル化した
窒素のうちの一つであることを特徴とする請求項１、
２、３、４、または５の選択成長用マスクの形成方法。 - 【請求項７】 Ｇａを含む化合物半導体基板の表面に形
成されたＧａＮ膜と、該ＧａＮ膜の表面に形成されたＧ
ａＯ1-x Ｎx とを有する選択成長用マスクを除去する方
法において、ＧａＯ1-x Ｎx の表面にＧａを堆積させる
工程と、前記化合物半導体基板を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする選択成長用マスクの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019393A JP2704931B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019393A JP2704931B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142404A JPH07142404A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2704931B2 true JP2704931B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=17752962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29019393A Expired - Lifetime JP2704931B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704931B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19781541B4 (de) * | 1996-11-27 | 2006-10-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Vorrichtung aus einem III-V-Verbindungshalbleiter und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung |
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-
1993
- 1993-11-19 JP JP29019393A patent/JP2704931B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07142404A (ja) | 1995-06-02 |
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