JP2822737B2 - 固体表面の酸化方法とその装置 - Google Patents
固体表面の酸化方法とその装置Info
- Publication number
- JP2822737B2 JP2822737B2 JP35791591A JP35791591A JP2822737B2 JP 2822737 B2 JP2822737 B2 JP 2822737B2 JP 35791591 A JP35791591 A JP 35791591A JP 35791591 A JP35791591 A JP 35791591A JP 2822737 B2 JP2822737 B2 JP 2822737B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- sample
- plasma
- oxidizing
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体と半導体接合を
利用した半導体素子の形成や、酸化物をエッチングマス
クとした微細構造形成に用いる固体表面の酸化方法とそ
の装置に関するものである。
利用した半導体素子の形成や、酸化物をエッチングマス
クとした微細構造形成に用いる固体表面の酸化方法とそ
の装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】固体表面の酸化、特にシリコン（Ｓ
ｉ），ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）といった半導体、化合
物半導体表面上への酸化膜の形成は、例えば電界効果ト
ランジスタといった絶縁物と半導体との接合を利用した
素子の製造プロセス上重要である。
ｉ），ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）といった半導体、化合
物半導体表面上への酸化膜の形成は、例えば電界効果ト
ランジスタといった絶縁物と半導体との接合を利用した
素子の製造プロセス上重要である。
【０００３】こうした従来からの用途に加え、最近、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のナノメータレベルのドライエ
ッチング方法において、半導体表面上の酸化膜形成が注
目されている。その方法は、例えば、ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．），Ｖｏｌ．６７，Ｎｏ．７（１９９０）ｐｐ．４
２９７〜４３０３に掲載されているようなドライエッチ
ング方法である。
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のナノメータレベルのドライエ
ッチング方法において、半導体表面上の酸化膜形成が注
目されている。その方法は、例えば、ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．），Ｖｏｌ．６７，Ｎｏ．７（１９９０）ｐｐ．４
２９７〜４３０３に掲載されているようなドライエッチ
ング方法である。
【０００４】この方法では、次に述べる工程を真空中で
連続して行われる。まず、分子線結晶成長法により成長
したＧａＡｓ成長層の表面に、酸素ガス雰囲気中でハロ
ゲンランプによる光照射を行い、ＧａＡｓ酸化膜を形成
する。次に塩素ガス雰囲気中で電子ビームをＧａＡｓ酸
化膜に照射し、選択的にＧａＡｓ酸化膜を除去する。次
にパターン化されたＧａＡｓ酸化膜をエッチングマスク
として塩素ガスエッチングする。
連続して行われる。まず、分子線結晶成長法により成長
したＧａＡｓ成長層の表面に、酸素ガス雰囲気中でハロ
ゲンランプによる光照射を行い、ＧａＡｓ酸化膜を形成
する。次に塩素ガス雰囲気中で電子ビームをＧａＡｓ酸
化膜に照射し、選択的にＧａＡｓ酸化膜を除去する。次
にパターン化されたＧａＡｓ酸化膜をエッチングマスク
として塩素ガスエッチングする。
【０００５】以上により、電子ビームが照射された場所
のＧａＡｓが選択的にエッチングされる。ところが、以
上述べた酸素ガス雰囲気中での光照射によるＧａＡｓ酸
化膜の形成においては、塩素ガスエッチング耐性を有す
る酸化膜の形成に、１気圧の酸素ガス中で６０分という
長時間も光照射しなければならず、また、１気圧の酸素
を高真空まで排気する時間とを合わせると、この酸化膜
形成工程時間だけで、数時間を要してしまうという問題
点があった。
のＧａＡｓが選択的にエッチングされる。ところが、以
上述べた酸素ガス雰囲気中での光照射によるＧａＡｓ酸
化膜の形成においては、塩素ガスエッチング耐性を有す
る酸化膜の形成に、１気圧の酸素ガス中で６０分という
長時間も光照射しなければならず、また、１気圧の酸素
を高真空まで排気する時間とを合わせると、この酸化膜
形成工程時間だけで、数時間を要してしまうという問題
点があった。
【０００６】そこで上記のような、ＧａＡｓ酸化膜形成
において、形成時間を短縮する方法として、これまで
に、酸素プラズマを用いる方法が提案されている。この
プラズマ酸化方法の一例が、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．），Ｖｏｌ．Ａ９，Ｎ
ｏ．３（１９９１）ｐｐ．１０４０〜１０４４に記載さ
れている。図２を用いてこの従来例を説明する。
において、形成時間を短縮する方法として、これまで
に、酸素プラズマを用いる方法が提案されている。この
プラズマ酸化方法の一例が、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．），Ｖｏｌ．Ａ９，Ｎ
ｏ．３（１９９１）ｐｐ．１０４０〜１０４４に記載さ
れている。図２を用いてこの従来例を説明する。
【０００７】この方法は、マイクロ波による電子サイク
ロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ
−ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；ＥＣＲ）型酸素プラズマ源（以
下、ＥＣＲ酸素プラズマ源とする）２１の内部に形成さ
れた酸素プラズマ２２中に含まれている酸素分子２３，
原子状酸素２４，酸素イオン２５，電子２６、及び光子
２７を、ＥＣＲ酸素プラズマ源の開口部２８から遺漏せ
しめてＧａＡｓ試料２９表面上に照射し、主に原子状酸
素２４の働きによりＧａＡｓ試料２９表面上に酸化膜を
形成するものである。
ロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ
−ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；ＥＣＲ）型酸素プラズマ源（以
下、ＥＣＲ酸素プラズマ源とする）２１の内部に形成さ
れた酸素プラズマ２２中に含まれている酸素分子２３，
原子状酸素２４，酸素イオン２５，電子２６、及び光子
２７を、ＥＣＲ酸素プラズマ源の開口部２８から遺漏せ
しめてＧａＡｓ試料２９表面上に照射し、主に原子状酸
素２４の働きによりＧａＡｓ試料２９表面上に酸化膜を
形成するものである。
【０００８】この方法によると、Ｇａ原子，Ａｓ原子と
の高反応性を有する原子状酸素を用いているため、試料
の温度が室温であっても効率良く酸化膜を形成すること
ができる。
の高反応性を有する原子状酸素を用いているため、試料
の温度が室温であっても効率良く酸化膜を形成すること
ができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
プラズマ酸化法を、前記ドライエッチング方法等の実際
の素子作成における酸化膜形成に利用する場合に、酸素
プラズマ中に含まれる酸素分子，原状酸素は中性であ
り、熱運動拡散により、試料に到達するため、試料に損
傷を与えないが、酸素イオンは、数十Ｖのプラズマポテ
ンシャルにより試料方向に加速されて試料に照射される
ため、試料に損傷を与えるという問題点があった。
プラズマ酸化法を、前記ドライエッチング方法等の実際
の素子作成における酸化膜形成に利用する場合に、酸素
プラズマ中に含まれる酸素分子，原状酸素は中性であ
り、熱運動拡散により、試料に到達するため、試料に損
傷を与えないが、酸素イオンは、数十Ｖのプラズマポテ
ンシャルにより試料方向に加速されて試料に照射される
ため、試料に損傷を与えるという問題点があった。
【００１０】また、光子もいわゆる複写損傷を試料に与
える。これらの損傷は、特にナノメータレベルの微細構
造を有する素子の形成時には、その素子特性を著しく劣
化させる原因となる。
える。これらの損傷は、特にナノメータレベルの微細構
造を有する素子の形成時には、その素子特性を著しく劣
化させる原因となる。
【００１１】本発明の目的は、上記のような損傷を誘起
しない、新規な酸素プラズマを用いた固体表面の酸化方
法と装置を提供することにある。
しない、新規な酸素プラズマを用いた固体表面の酸化方
法と装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による固体表面の酸化方法においては、酸素
プラズマを用いて固体試料表面を酸化する固体表面の酸
化方法であって、固体試料に向けて直進する酸素イオ
ン，電子及び光子などの加速粒子の飛来を阻止し、原子
状酸素，酸素分子を熱運動拡散により固体試料表面に到
達させるものである。
め、本発明による固体表面の酸化方法においては、酸素
プラズマを用いて固体試料表面を酸化する固体表面の酸
化方法であって、固体試料に向けて直進する酸素イオ
ン，電子及び光子などの加速粒子の飛来を阻止し、原子
状酸素，酸素分子を熱運動拡散により固体試料表面に到
達させるものである。
【００１３】また、固体表面の酸化装置においては、シ
ャッター板を有し、酸素プラズマを用いて固体表面を酸
化させる固体表面の酸化装置であって、シャッター板
は、酸素プラズマにより生成された酸素イオン，電子，
光子などの加速イオンの直進から固体試料の表面を隔離
するものである。
ャッター板を有し、酸素プラズマを用いて固体表面を酸
化させる固体表面の酸化装置であって、シャッター板
は、酸素プラズマにより生成された酸素イオン，電子，
光子などの加速イオンの直進から固体試料の表面を隔離
するものである。
【００１４】
【作用】本発明においては、酸素プラズマにより生成さ
れた酸素イオン，原子状酸素，酸素分子，電子，光子
は、このプラズマ生成領域の外部に配置された試料に向
けて放出される。この時、数十ボルトのプラズマポテン
シャルにより加速された酸素イオン，電子及び光子は、
方向性を有し、試料方向に飛来するが、酸素プラズマと
試料との間に配置されたシャッター板に隔離され、試料
への進行が阻止され、試料に到達することができない。
従って、試料に損傷が導入されない。一方、原子状酸素
及び酸素分子は、熱運動拡散により試料表面に到達す
る。これにより効率良く酸化反応が進行する。
れた酸素イオン，原子状酸素，酸素分子，電子，光子
は、このプラズマ生成領域の外部に配置された試料に向
けて放出される。この時、数十ボルトのプラズマポテン
シャルにより加速された酸素イオン，電子及び光子は、
方向性を有し、試料方向に飛来するが、酸素プラズマと
試料との間に配置されたシャッター板に隔離され、試料
への進行が阻止され、試料に到達することができない。
従って、試料に損傷が導入されない。一方、原子状酸素
及び酸素分子は、熱運動拡散により試料表面に到達す
る。これにより効率良く酸化反応が進行する。
【００１５】
【実施例】次に、図１を用いて本発明の実施例を説明す
る。本実施例では、本発明によるプラズマ酸化方法とそ
の装置を、ＧａＡｓの微細パターン形成に適用する例を
述べる。
る。本実施例では、本発明によるプラズマ酸化方法とそ
の装置を、ＧａＡｓの微細パターン形成に適用する例を
述べる。
【００１６】図１において、本発明装置は、プラズマ室
１２と、試料室１５とクライオポンプ１０とを有し、試
料室１５内にシャッター板１１３を装備したものであ
る。プラズマ室１２内には、酸素ガス１１及びマイクロ
波１４の導入口をそれぞれ有し、外周には、磁場コイル
１３が設置されている。
１２と、試料室１５とクライオポンプ１０とを有し、試
料室１５内にシャッター板１１３を装備したものであ
る。プラズマ室１２内には、酸素ガス１１及びマイクロ
波１４の導入口をそれぞれ有し、外周には、磁場コイル
１３が設置されている。
【００１７】試料室１５には、試料１１２が設置されて
いる。試料室１５と、プラズマ室１２との間には、イオ
ン引きだし電極１６が設けられ、電極の多数の孔１７を
通して連通しており、試料１１２は、その直下に設置す
るものである。シャッター板１１３は、試料１１２の上
方に設置され、プラズマ室１２に形成された酸素プラズ
マと試料１１２との間を隔離するものであり、試料１１
２よりも充分に大きな面積を有している。
いる。試料室１５と、プラズマ室１２との間には、イオ
ン引きだし電極１６が設けられ、電極の多数の孔１７を
通して連通しており、試料１１２は、その直下に設置す
るものである。シャッター板１１３は、試料１１２の上
方に設置され、プラズマ室１２に形成された酸素プラズ
マと試料１１２との間を隔離するものであり、試料１１
２よりも充分に大きな面積を有している。
【００１８】クライオポンプ１０は、試料室１５を真空
脱気するものである。試料室１５内は、クライオポンプ
１０により予め、３×１０-8Ｔｏｒｒまで真空排気され
ている。
脱気するものである。試料室１５内は、クライオポンプ
１０により予め、３×１０-8Ｔｏｒｒまで真空排気され
ている。
【００１９】まず、装置内に５×１０-5Ｔｏｒｒの酸素
ガス１１を導入した後、プラズマ室１２に、磁場コイル
１３により８７５ガウスの磁場を印加し、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波１４を導入する。マイクロ波１４の導入
によりこのプラズマ室１２内には、ＥＣＲ酸素プラズマ
が形成される。この時、プラズマ室１２と試料室１５と
の間に設けられたイオン引きだし電極１６には、酸素プ
ラズマを安定に形成するため３２Ｖの電圧を印加する。
ガス１１を導入した後、プラズマ室１２に、磁場コイル
１３により８７５ガウスの磁場を印加し、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波１４を導入する。マイクロ波１４の導入
によりこのプラズマ室１２内には、ＥＣＲ酸素プラズマ
が形成される。この時、プラズマ室１２と試料室１５と
の間に設けられたイオン引きだし電極１６には、酸素プ
ラズマを安定に形成するため３２Ｖの電圧を印加する。
【００２０】この状態では、イオン引きだし電極１６に
設けられた多数の孔１７を介してプラズマ室１２から試
料室１５へと、酸素分子１８，原子状酸素１９，酸素イ
オン１１０，光子１１１が放出される。このうち、酸素
イオン１１０は、イオン引きだし電極１６に印加された
３２Ｖの電圧により加速され、試料１１２表面へと直進
する。また、光子も試料表面へと直進する。
設けられた多数の孔１７を介してプラズマ室１２から試
料室１５へと、酸素分子１８，原子状酸素１９，酸素イ
オン１１０，光子１１１が放出される。このうち、酸素
イオン１１０は、イオン引きだし電極１６に印加された
３２Ｖの電圧により加速され、試料１１２表面へと直進
する。また、光子も試料表面へと直進する。
【００２１】しかしこの時、試料よりも充分大きなシャ
ッター板１１３により、これらの、直進性を有する酸素
イオン及び光子は、試料表面に到達することができな
い。従って、試料に損傷が導入されることはない。
ッター板１１３により、これらの、直進性を有する酸素
イオン及び光子は、試料表面に到達することができな
い。従って、試料に損傷が導入されることはない。
【００２２】一方、酸素分子１８及び原子状酸素１９
は、他の原子，分子との衝突による熱運動拡散により、
試料表面上に到達することができるため、酸化が進行す
る。この条件下では、Ｇａ原子，Ａｓ原子との高い反応
性を有する原子状酸素を用いているため、室温でも、２
分間で、数十オングストロームの厚さの酸化膜を無損傷
で形成することができる。
は、他の原子，分子との衝突による熱運動拡散により、
試料表面上に到達することができるため、酸化が進行す
る。この条件下では、Ｇａ原子，Ａｓ原子との高い反応
性を有する原子状酸素を用いているため、室温でも、２
分間で、数十オングストロームの厚さの酸化膜を無損傷
で形成することができる。
【００２３】次に、この酸素膜表面に加速電圧３ｋｅＶ
の電子ビームを部分的に照射し、微細パターンを描画す
る。次に、この試料を１００℃に加熱し、５×１０-5Ｔ
ｏｒｒの塩素ガス雰囲気中で３０分間ガスエッチングを
行う。
の電子ビームを部分的に照射し、微細パターンを描画す
る。次に、この試料を１００℃に加熱し、５×１０-5Ｔ
ｏｒｒの塩素ガス雰囲気中で３０分間ガスエッチングを
行う。
【００２４】この結果、電子ビームを照射したＧａＡｓ
酸化膜表面だけがガスエッチングされ、さらにその部分
のＧａＡｓ結晶も深さ６０ｎｍが引き続きガスエッチン
グされる。一方、電子ビームが照射されなかったＧａＡ
ｓ酸化膜には、塩素ガスによるガスエッチングは起きな
い。以上の工程により、ＧａＡｓ結晶に損傷を与えず
に、微細パターンを形成することができる。
酸化膜表面だけがガスエッチングされ、さらにその部分
のＧａＡｓ結晶も深さ６０ｎｍが引き続きガスエッチン
グされる。一方、電子ビームが照射されなかったＧａＡ
ｓ酸化膜には、塩素ガスによるガスエッチングは起きな
い。以上の工程により、ＧａＡｓ結晶に損傷を与えず
に、微細パターンを形成することができる。
【００２５】なお、本実施例では試料の温度を室温とし
たが、さらに高温で行えば、より早く酸化膜を形成する
ことができる。また、シャッター板として、試料よりも
充分大きなものを用いたが、試料より小さなシャッター
板を用いても、これにより部分的に無損傷な酸化膜を形
成することができる。また、図１では試料表面は、シャ
ッター板を介して酸素プラズマ方向を向いているが、無
損傷で酸化膜を形成しようとする試料表面部分が酸素プ
ラズマを見込んでいなければ、どちらを向いていても良
い。
たが、さらに高温で行えば、より早く酸化膜を形成する
ことができる。また、シャッター板として、試料よりも
充分大きなものを用いたが、試料より小さなシャッター
板を用いても、これにより部分的に無損傷な酸化膜を形
成することができる。また、図１では試料表面は、シャ
ッター板を介して酸素プラズマ方向を向いているが、無
損傷で酸化膜を形成しようとする試料表面部分が酸素プ
ラズマを見込んでいなければ、どちらを向いていても良
い。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によるときには、酸
素プラズマからのイオン，光子による損傷を与えずに、
試料である固体の表面に酸化膜を形成することができ
る。また、高い反応性を有する原子状酸素を用いている
ため、試料の温度が室温程度であっても効率良く酸化膜
が形成できる。
素プラズマからのイオン，光子による損傷を与えずに、
試料である固体の表面に酸化膜を形成することができ
る。また、高い反応性を有する原子状酸素を用いている
ため、試料の温度が室温程度であっても効率良く酸化膜
が形成できる。
【００２７】また、低ガス圧でもプラズマ放電が可能な
ＥＣＲプラズマを用いているので、酸化膜形成後、直ち
に酸素ガスを高真空まで排気することができるため、速
やかに次の工程へと移行することができる。
ＥＣＲプラズマを用いているので、酸化膜形成後、直ち
に酸素ガスを高真空まで排気することができるため、速
やかに次の工程へと移行することができる。
【図１】本発明による実施例を説明する図である。
【図２】従来法を説明する図である。
１１ 酸素ガス １２ プラズマ室 １３ 磁場コイル １４ マイクロ波 １５ 試料室 １６ イオン引きだし電極 １７ 孔 １８ 酸素分子 １９ 原子状酸素 １１０ 酸素イオン １１１ 光子 １１２ 試料 １１３ シャッター板
Claims (2)
- 【請求項１】 酸素プラズマを用いて固体試料表面を酸
化する固体表面の酸化方法であって、 固体試料に向けて直進する酸素イオン，電子及び光子な
どの加速粒子の飛来を阻止し、原子状酸素，酸素分子を
熱運動拡散により固体試料表面に到達させることを特徴
とする固体表面の酸化方法。 - 【請求項２】 シャッター板を有し、酸素プラズマを用
いて固体表面を酸化させる固体表面の酸化装置であっ
て、 シャッター板は、酸素プラズマにより生成された酸素イ
オン，電子，光子などの加速イオンの直進から固体試料
の表面を隔離するものであることを特徴とする固体表面
の酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35791591A JP2822737B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 固体表面の酸化方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35791591A JP2822737B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 固体表面の酸化方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182953A JPH05182953A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2822737B2 true JP2822737B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=18456597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35791591A Expired - Fee Related JP2822737B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 固体表面の酸化方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822737B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5152715B2 (ja) * | 2007-09-22 | 2013-02-27 | 学校法人関西学院 | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP35791591A patent/JP2822737B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182953A (ja) | 1993-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5354698A (en) | Hydrogen reduction method for removing contaminants in a semiconductor ion implantation process | |
| US5145554A (en) | Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| US3536547A (en) | Plasma deposition of oxide coatings on silicon and electron bombardment of portions thereof to be etched selectively | |
| JP2822737B2 (ja) | 固体表面の酸化方法とその装置 | |
| US4902647A (en) | Surface modification using low energy ground state ion beams | |
| JP2004015049A (ja) | シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置 | |
| JP2500443B2 (ja) | 化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| US5133830A (en) | Method of pretreatment and anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| US5236537A (en) | Plasma etching apparatus | |
| JP2694625B2 (ja) | 化合物半導体基体のエッチング方法および製造方法 | |
| JPH05109670A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| US5194119A (en) | Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| Kohmoto et al. | In situ electron beam patterning for GaAs using electron‐cyclotron‐resonance plasma‐formed oxide mask and Cl2 gas etching | |
| JP2826972B2 (ja) | 化合物半導体の極微細パターン形成方法 | |
| JP2858095B2 (ja) | 化合物半導体の微細埋込構造の形成方法 | |
| Akita et al. | Pattern etching and selective growth of GaAs by in-situ electron-beam lithography using an oxidized thin layer | |
| JP3665400B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2883918B2 (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| Watanabe et al. | Electron‐beam‐assisted dry etching for GaAs using electron cyclotron resonance plasma electron source | |
| JP2681118B2 (ja) | 半導体の微細パターン形成方法 | |
| JPH02288333A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| Sugimoto et al. | GaAs pattern etching with little damage by a combination of Ga+ focused‐ion‐beam irradiation and subsequent Cl2 gas etching | |
| JP2985321B2 (ja) | マスクパタ−ン形成方法 | |
| JPH03131024A (ja) | 半導体のエッチング方法 | |
| JP2890946B2 (ja) | その場形成マスクを用いた加工法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |