JP2711475B2 - 選択エピタキシャル成長法 - Google Patents
選択エピタキシャル成長法Info
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- layer
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、GaAs（砒化ガリウム）等のIII−Ｖ族化合
物半導体領域上への選択的エピタキシャル成長法に関す
る。
物半導体領域上への選択的エピタキシャル成長法に関す
る。
従来技術と発明が解決しようとする課題 化合物半導体領域上にマスクを用いて半導体エピタキ
シャル層を選択的に成長させる場合、従来はマスクとし
てシリコン酸化物やシリコン窒化物が用いられている。
これらのマスク材料層の形成は、化合物半導体領域への
悪影響（主として表面領域から構成元素が離脱して表面
領域が変質すること）を最小限するために、プラズマCV
Dや光CVDといった低温成長技術を利用する。また、エピ
タキシャル成長させる箇所に開口を形成するために、フ
ォトレジストを用いるフォトリソグラフィ工程（フォト
レジスト膜の形成・露光・現像、マスク材料層のエッチ
ング、フォトレジスト膜の除去）を行う。高精細度のパ
ターンニングを行うには、マスク材料はできるだけ薄く
形成するとともに、高精度フォトリソグラフィ工程を採
用する必要がある。
シャル層を選択的に成長させる場合、従来はマスクとし
てシリコン酸化物やシリコン窒化物が用いられている。
これらのマスク材料層の形成は、化合物半導体領域への
悪影響（主として表面領域から構成元素が離脱して表面
領域が変質すること）を最小限するために、プラズマCV
Dや光CVDといった低温成長技術を利用する。また、エピ
タキシャル成長させる箇所に開口を形成するために、フ
ォトレジストを用いるフォトリソグラフィ工程（フォト
レジスト膜の形成・露光・現像、マスク材料層のエッチ
ング、フォトレジスト膜の除去）を行う。高精細度のパ
ターンニングを行うには、マスク材料はできるだけ薄く
形成するとともに、高精度フォトリソグラフィ工程を採
用する必要がある。
エピタキシャル成長後にマスク材料層を除去する必要
がある場合は、化合物半導体領域（基板）及び半導体エ
ピタキシャル層に悪影響を与えないようにマスク材料層
を選択的にエッチング除去する必要がある。フォトリソ
グラフィ工程における開口形成のためのマスク材料層の
エッチングについても同様である。
がある場合は、化合物半導体領域（基板）及び半導体エ
ピタキシャル層に悪影響を与えないようにマスク材料層
を選択的にエッチング除去する必要がある。フォトリソ
グラフィ工程における開口形成のためのマスク材料層の
エッチングについても同様である。
選択エピタキシャル成長法の応用分野の１つとして量
子細線構造の作成があり、近年、新機能素子を実現すべ
く精力的に研究が進められている。この場合、エピタキ
シャル成長の厚みは原子層数を制御するレベルの極めて
薄いものとなるとともに、エピタキシャル成長の平面パ
ターンも極微細パターンとなる。しかも、加工損傷の少
ない極微細構造を実現しなければならない。また、１回
目の選択エピタキシャル成長で結晶成長させなかった領
域に２回目の選択エピタキシャル成長で１回目とは異な
る結晶を成長させるといった工程となる場合が多い。こ
のため、マスクを用いた選択エピタキシャル成長を採用
する場合は、２回目の選択エピタキシャル成長のために
１回目の選択エピタキシャル成長のマスクを除去する工
程が必要となる。
子細線構造の作成があり、近年、新機能素子を実現すべ
く精力的に研究が進められている。この場合、エピタキ
シャル成長の厚みは原子層数を制御するレベルの極めて
薄いものとなるとともに、エピタキシャル成長の平面パ
ターンも極微細パターンとなる。しかも、加工損傷の少
ない極微細構造を実現しなければならない。また、１回
目の選択エピタキシャル成長で結晶成長させなかった領
域に２回目の選択エピタキシャル成長で１回目とは異な
る結晶を成長させるといった工程となる場合が多い。こ
のため、マスクを用いた選択エピタキシャル成長を採用
する場合は、２回目の選択エピタキシャル成長のために
１回目の選択エピタキシャル成長のマスクを除去する工
程が必要となる。
ところで、量子細線構造の作成に上記従来のマスクを
用いた選択エピタキシャル成長を採用するのは現状では
困難である。すなわち、量子細線構造に必要となる極微
細のマスクパターン（例えば200Å幅のマスク）を実現
するのが困難である。また、マスク材料層の形成・除去
及びマスク材料層への開口の形成の過程で、半導体結晶
に加工損傷を与え易いという問題もある。このように、
マスクを使用する方法で極微細パターンのエピタキシャ
ル成長を行うには、マスク材料の選定と、その微少領域
限定性に問題があった。
用いた選択エピタキシャル成長を採用するのは現状では
困難である。すなわち、量子細線構造に必要となる極微
細のマスクパターン（例えば200Å幅のマスク）を実現
するのが困難である。また、マスク材料層の形成・除去
及びマスク材料層への開口の形成の過程で、半導体結晶
に加工損傷を与え易いという問題もある。このように、
マスクを使用する方法で極微細パターンのエピタキシャ
ル成長を行うには、マスク材料の選定と、その微少領域
限定性に問題があった。
極微細パターンのエピタキシャル成長を行う方法とし
て、局所的に光照射などによって励起エネルギーを与え
ることにより局所的に化学反応を限定する方法が知られ
ている。しかし、エピタキシャル成長を行っている間、
持続的に、かつ位置の狂いが生じないように励起を行う
必要があり、これが非常に難しい問題である。
て、局所的に光照射などによって励起エネルギーを与え
ることにより局所的に化学反応を限定する方法が知られ
ている。しかし、エピタキシャル成長を行っている間、
持続的に、かつ位置の狂いが生じないように励起を行う
必要があり、これが非常に難しい問題である。
そこで本発明の目的は、半導体結晶に加工損傷を与え
ることが少なく、かつ極微細パターンの結晶成長が可能
な選択エピタキシャル成長法を実現することにある。
ることが少なく、かつ極微細パターンの結晶成長が可能
な選択エピタキシャル成長法を実現することにある。
課題を解決するための手段 本発明による選択エピタキシャル成長法は、III−Ｖ
族化合物半導体からなる半導体領域の表面に半導体領域
の構成元素に結合されたＳ（硫黄）原子からなるＳの薄
層を形成し、Ｓの薄層の所定部分に電磁波または粒子線
を照射して、所定部分からＳ原子を離脱させることによ
りＳの薄層に開口を形成し、開口を有するＳの薄層をエ
ピタキシャル成長のマスクとして、開口に露出する半導
体領域上に半導体エピタキシャル層を形成する。
族化合物半導体からなる半導体領域の表面に半導体領域
の構成元素に結合されたＳ（硫黄）原子からなるＳの薄
層を形成し、Ｓの薄層の所定部分に電磁波または粒子線
を照射して、所定部分からＳ原子を離脱させることによ
りＳの薄層に開口を形成し、開口を有するＳの薄層をエ
ピタキシャル成長のマスクとして、開口に露出する半導
体領域上に半導体エピタキシャル層を形成する。
作用 Ｓの薄層は、エピタキシャル成長可能な温度領域でも
安定である。エピタキシャル成長を行うと、Ｓの薄層は
マスクとして機能し、選択エピタキシャル成長が行われ
る。すなわち、エピタキシャル成長に関与する分子は、
Ｓの薄層で被覆されている部分には化学吸着せず、開口
の部分のみに選択的に化学吸着する。したがって、開口
の部分のみでエピタキシャル結晶成長が進行する。
安定である。エピタキシャル成長を行うと、Ｓの薄層は
マスクとして機能し、選択エピタキシャル成長が行われ
る。すなわち、エピタキシャル成長に関与する分子は、
Ｓの薄層で被覆されている部分には化学吸着せず、開口
の部分のみに選択的に化学吸着する。したがって、開口
の部分のみでエピタキシャル結晶成長が進行する。
Ｓの薄層は、フォトレジストのように電磁波（光、Ｘ
線など）及び粒子線（電子線、イオン線など）に対して
感応する性質を有するので、従来のフォトレジストとマ
スク材料層の両方を兼ね備えたようなものである。しか
も、Ｓの薄層は、半導体領域の構成元素に結合されたＳ
原子から成るものであるから、極限的に薄い膜になる。
したがって、Ｓの薄層への開口は、開口を形成したい部
分への電磁波または粒子線の照射によって、極めて高精
細度パターンに形成できる。しかもこのとき、半導体結
晶に与える損傷は少なく、かつ工程数の面でも簡素化さ
れる。Ｓの薄層の形成・除去も、半導体結晶に与える損
傷の少ない方法で容易かつ簡単に行うことができる。
線など）及び粒子線（電子線、イオン線など）に対して
感応する性質を有するので、従来のフォトレジストとマ
スク材料層の両方を兼ね備えたようなものである。しか
も、Ｓの薄層は、半導体領域の構成元素に結合されたＳ
原子から成るものであるから、極限的に薄い膜になる。
したがって、Ｓの薄層への開口は、開口を形成したい部
分への電磁波または粒子線の照射によって、極めて高精
細度パターンに形成できる。しかもこのとき、半導体結
晶に与える損傷は少なく、かつ工程数の面でも簡素化さ
れる。Ｓの薄層の形成・除去も、半導体結晶に与える損
傷の少ない方法で容易かつ簡単に行うことができる。
実施例 １ 本発明による選択エピタキシャル成長法の実施例を第
１図（Ａ）〜（Ｅ）に基づいて説明する。
１図（Ａ）〜（Ｅ）に基づいて説明する。
まず、第１図（Ａ）に示すように、（001）面のGaAs
からなる半導体領域２を有する半導体基板１を用意す
る。半導体基板１をH2SO4（硫酸）−H2O2（過酸化水
素）−H2O（水）から成る混合溶液で軽くエッチングし
て清浄化した上で、50％HF（弗酸）溶液で処理する。こ
れにより、半導体領域２の表面は、Ga（ガリウム）がHF
溶液中に溶け出し、半導体領域２をAs（砒素）酸化物層
（下層）及びAs層（上層）が被覆した状態となる。次に
真空中で480℃30分間の熱処理を行う。これにより、半
導体領域２の表面は、As酸化物及びAs層が除去されてGa
面となる。
からなる半導体領域２を有する半導体基板１を用意す
る。半導体基板１をH2SO4（硫酸）−H2O2（過酸化水
素）−H2O（水）から成る混合溶液で軽くエッチングし
て清浄化した上で、50％HF（弗酸）溶液で処理する。こ
れにより、半導体領域２の表面は、Ga（ガリウム）がHF
溶液中に溶け出し、半導体領域２をAs（砒素）酸化物層
（下層）及びAs層（上層）が被覆した状態となる。次に
真空中で480℃30分間の熱処理を行う。これにより、半
導体領域２の表面は、As酸化物及びAs層が除去されてGa
面となる。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、半導体領域２の表
面にＳ（硫黄）を極めて薄く真空蒸着する。さらに真空
中で480℃30分間の熱処理を行う。この結果、真空蒸着
されたＳの多くは離散して、半導体領域２の表面にＳの
薄層３が形成される。Ｓの薄層３は、半導体領域２の表
面の構成元素（この場合はGa）に結合（化学吸着）され
たＳ原子から成るもので、単原子層ないし２原子層レベ
ルの極限的な薄さの薄層である。Ｓの薄層３は、あまり
高温の熱処理を行うと半導体領域２から離散してしまう
が、500℃以下の熱処理に対しては安定である。
面にＳ（硫黄）を極めて薄く真空蒸着する。さらに真空
中で480℃30分間の熱処理を行う。この結果、真空蒸着
されたＳの多くは離散して、半導体領域２の表面にＳの
薄層３が形成される。Ｓの薄層３は、半導体領域２の表
面の構成元素（この場合はGa）に結合（化学吸着）され
たＳ原子から成るもので、単原子層ないし２原子層レベ
ルの極限的な薄さの薄層である。Ｓの薄層３は、あまり
高温の熱処理を行うと半導体領域２から離散してしまう
が、500℃以下の熱処理に対しては安定である。
続いて、所定パターンを描くように電子ビームをＳの
薄層３に照射する。電子ビームが照射された部分では、
Ｓ原子が離脱して、第１図（Ｃ）に示すように、開口４
を有するＳの薄層3aが形成される。電子ビームが開口４
の部分のみに照射されるように走査する直接描画法を用
いているので、Ｓの薄層が極限的に薄いためにパターン
エッジが鋭く描画されることも手伝って、極めて高精細
度にパターニングできる。
薄層３に照射する。電子ビームが照射された部分では、
Ｓ原子が離脱して、第１図（Ｃ）に示すように、開口４
を有するＳの薄層3aが形成される。電子ビームが開口４
の部分のみに照射されるように走査する直接描画法を用
いているので、Ｓの薄層が極限的に薄いためにパターン
エッジが鋭く描画されることも手伝って、極めて高精細
度にパターニングできる。
その後、第１図（Ｄ）に示すように、GaAsの気相エピ
タキシャル成長を行う。ここでは、Ｓの薄層3aの解離を
防止するとともに、良好な成長界面を形成するために、
低温成長が可能な公知のマイグレーシヨン・エンハンス
ト・エピタキシ法（MEE法）を採用した。すなわち、半
導体基板１を真空中で480℃に維持して、Asを含む分子
とGaを含む分子を交互に半導体基板１上に供給し、例え
ば８分子層のGaAsエピタキシャル層５を成長させる。エ
ピタキシャル層５はＳの薄層3a上には形成されず、選択
エピタキシャル成長となる。
タキシャル成長を行う。ここでは、Ｓの薄層3aの解離を
防止するとともに、良好な成長界面を形成するために、
低温成長が可能な公知のマイグレーシヨン・エンハンス
ト・エピタキシ法（MEE法）を採用した。すなわち、半
導体基板１を真空中で480℃に維持して、Asを含む分子
とGaを含む分子を交互に半導体基板１上に供給し、例え
ば８分子層のGaAsエピタキシャル層５を成長させる。エ
ピタキシャル層５はＳの薄層3a上には形成されず、選択
エピタキシャル成長となる。
最後に、第１図（Ｅ）に示すように、半導体基板１を
真空中で480℃に維持して紫外線を半導体基板１の表面
全体に照射すると、Ｓ原子が半導体領域２から離脱して
Ｓの薄層3aが除去される。
真空中で480℃に維持して紫外線を半導体基板１の表面
全体に照射すると、Ｓ原子が半導体領域２から離脱して
Ｓの薄層3aが除去される。
なお、量子細線デバイスを作成する場合であれば、Ｓ
の薄層3aで被覆されていた半導体領域２の表面に、例え
ばAlAs（砒化アルミニウム）を成長させることになる。
この場合には、第１図（Ｂ）〜（Ｄ）の工程に準じて、
Ｓの薄層の形成、開口の形成、AlAsの選択エピタキシャ
ル成長を繰り返す。Ｓの薄層は表面安定化膜としても良
好なものであるから、最終的にＳの薄層が残存してもよ
い。
の薄層3aで被覆されていた半導体領域２の表面に、例え
ばAlAs（砒化アルミニウム）を成長させることになる。
この場合には、第１図（Ｂ）〜（Ｄ）の工程に準じて、
Ｓの薄層の形成、開口の形成、AlAsの選択エピタキシャ
ル成長を繰り返す。Ｓの薄層は表面安定化膜としても良
好なものであるから、最終的にＳの薄層が残存してもよ
い。
実施例 ２ 第１図（Ｂ）におけるＳの薄層３の形成を硫化物溶液
処理により行った例であり、他は実施例１と全く同じで
ある。したがって、図示と符号は実施例１と共通する。
処理により行った例であり、他は実施例１と全く同じで
ある。したがって、図示と符号は実施例１と共通する。
まず、Ga面を露出させる処理までを行った第１図
（Ａ）の半導体基板１を用意する。
（Ａ）の半導体基板１を用意する。
次に、半導体基板１を室温に保持した濃度１規定の硫
化アルミニウム溶液に浸漬する。浸漬時間は数秒以上で
あればよい。硫化アンモニウムは、化学式：（NH4）2S
で表わされる標準化合物に対してＳを過剰に含むもの
で、化学式：（NH4）2Sx（ｘ＞１）で表わされるもので
ある。半導体基板１を硫化アンモニウム溶液から取出し
て、GaAs領域２の表面にN2ガスを吹き付け、付着してい
る溶液をほとんど除去する。この結果、GaAs領域２の表
面には、約100Åの厚さを有しかつＳを主成分とするア
モルファス状の被膜が形成される。続いて、半導体基板
１を真空中に約30分間放置すると、この被膜はほとんど
消失し、第１図（Ｂ）に示すように、単原子層ないし２
原子層レベルのＳの薄膜３が形成される。なお、硫化ア
ンモニウム溶液に浸漬した後に、この溶液を純水で急激
に薄めると、真空放置を行わなくてもＳの薄層３が形成
される。硫化アンモニウム溶液浸漬の代りにＳを含んだ
アルカリ性溶液やＳを含んだ有機溶媒への浸漬でもＳの
薄層３を形成することができる。
化アルミニウム溶液に浸漬する。浸漬時間は数秒以上で
あればよい。硫化アンモニウムは、化学式：（NH4）2S
で表わされる標準化合物に対してＳを過剰に含むもの
で、化学式：（NH4）2Sx（ｘ＞１）で表わされるもので
ある。半導体基板１を硫化アンモニウム溶液から取出し
て、GaAs領域２の表面にN2ガスを吹き付け、付着してい
る溶液をほとんど除去する。この結果、GaAs領域２の表
面には、約100Åの厚さを有しかつＳを主成分とするア
モルファス状の被膜が形成される。続いて、半導体基板
１を真空中に約30分間放置すると、この被膜はほとんど
消失し、第１図（Ｂ）に示すように、単原子層ないし２
原子層レベルのＳの薄膜３が形成される。なお、硫化ア
ンモニウム溶液に浸漬した後に、この溶液を純水で急激
に薄めると、真空放置を行わなくてもＳの薄層３が形成
される。硫化アンモニウム溶液浸漬の代りにＳを含んだ
アルカリ性溶液やＳを含んだ有機溶媒への浸漬でもＳの
薄層３を形成することができる。
Ｓの薄層３への開口４の形成及びその後の工程は、第
１図（Ｂ）〜（Ｅ）に基づいて実施例１で説明した方法
と同一であるので、その説明を省略する。
１図（Ｂ）〜（Ｅ）に基づいて実施例１で説明した方法
と同一であるので、その説明を省略する。
変 形 例 本発明は前記実施例に限られることなくその趣旨の範
囲で種々の変形応用が可能である。
囲で種々の変形応用が可能である。
例えば、半導体領域２を構成する半導体材料は、GaAs
に限らず、他のIII−Ｖ族化合物半導体でもよい。ただ
し、GaとＳの結合力が強いので、GaAs、GaAlAs（砒化ガ
リウム・アルミニウム）、GaAsP（砒化燐化ガリウ
ム）、GaP（燐化ガリウム）等のGaを１主成分とするIII
−Ｖ族化合物半導体の場合に、本発明は特に有効であ
る。エピタキシャル層５を構成する半導体材料も、GaAs
に限らず、半導体領域２の上にＳの薄層３の解離を起こ
さない温度でエピタキシャル成長可能な半導体であれば
何でもよい。通常、エピタキシャル層５を構成する半導
体材料もIII−Ｖ族化合物半導体の中から選択される。
Ｓの薄層３の形成は、真空蒸着に代表される物理的被着
法を選んでもよいし、Ｓを含む溶液に接触させる処理に
代表される化学的被着法を選んでもよい。半導体領域２
がGaを１主成分とするIII−Ｖ族化合物半導体である場
合、GaとＳの結合が安定しているので、Ｓの薄層３の形
成に先立って半導体領域２の表面にGa原子が多く露出す
るような処理（実施例１、２のHF処理とその後の真空熱
処理）を行うとＳの薄層３の高温安定性が良好になる。
しかし、熱処理の温度に注意してこの温度を低目に設定
すれば、この処理は省略できる。開口４の形成において
は、紫外線レーザによる干渉露光法等の露光マスクを用
いない直接描画法を利用してもよいし、露光マスクを用
いた描画法でもよい。ただし、超高精細度パターンを描
画するには、現状では電子ビーム照射による直接描画法
を選択することになる。Ｓの薄層3aの除去は、紫外線照
射と熱処理を併用するのが簡便であるが、他の電磁波ま
たは粒子線の照射を利用してもよいし、状況によっては
熱処理のみによってＳ原子を離脱させる方法としてもよ
い。エピタキシャル成長法は、比較的低温成長が可能な
方法、例えばMBE法（分子線エピタキシャル成長法；前
述のMEE法はMBE法の１種）やMOCVD法（有機金属熱分解
法）を適宜採用することになる。
に限らず、他のIII−Ｖ族化合物半導体でもよい。ただ
し、GaとＳの結合力が強いので、GaAs、GaAlAs（砒化ガ
リウム・アルミニウム）、GaAsP（砒化燐化ガリウ
ム）、GaP（燐化ガリウム）等のGaを１主成分とするIII
−Ｖ族化合物半導体の場合に、本発明は特に有効であ
る。エピタキシャル層５を構成する半導体材料も、GaAs
に限らず、半導体領域２の上にＳの薄層３の解離を起こ
さない温度でエピタキシャル成長可能な半導体であれば
何でもよい。通常、エピタキシャル層５を構成する半導
体材料もIII−Ｖ族化合物半導体の中から選択される。
Ｓの薄層３の形成は、真空蒸着に代表される物理的被着
法を選んでもよいし、Ｓを含む溶液に接触させる処理に
代表される化学的被着法を選んでもよい。半導体領域２
がGaを１主成分とするIII−Ｖ族化合物半導体である場
合、GaとＳの結合が安定しているので、Ｓの薄層３の形
成に先立って半導体領域２の表面にGa原子が多く露出す
るような処理（実施例１、２のHF処理とその後の真空熱
処理）を行うとＳの薄層３の高温安定性が良好になる。
しかし、熱処理の温度に注意してこの温度を低目に設定
すれば、この処理は省略できる。開口４の形成において
は、紫外線レーザによる干渉露光法等の露光マスクを用
いない直接描画法を利用してもよいし、露光マスクを用
いた描画法でもよい。ただし、超高精細度パターンを描
画するには、現状では電子ビーム照射による直接描画法
を選択することになる。Ｓの薄層3aの除去は、紫外線照
射と熱処理を併用するのが簡便であるが、他の電磁波ま
たは粒子線の照射を利用してもよいし、状況によっては
熱処理のみによってＳ原子を離脱させる方法としてもよ
い。エピタキシャル成長法は、比較的低温成長が可能な
方法、例えばMBE法（分子線エピタキシャル成長法；前
述のMEE法はMBE法の１種）やMOCVD法（有機金属熱分解
法）を適宜採用することになる。
発明の効果 以上のように、本発明は、マスクを用いる選択エピタ
キシャル成長法の新しい１方法を提供するものであり、
特に、超高精細度パターンの選択エピタキシャル成長が
可能である。したがって、量子細線デバイス等の極微細
構造を有する化合物半導体素子の作成に適用して好適で
ある。
キシャル成長法の新しい１方法を提供するものであり、
特に、超高精細度パターンの選択エピタキシャル成長が
可能である。したがって、量子細線デバイス等の極微細
構造を有する化合物半導体素子の作成に適用して好適で
ある。
第１図は本発明による選択エピタキシャル成長法の実施
例を示す工程図であり、（Ａ）は半導体基板の断面図、
（Ｂ）はＳを真空蒸着した状態を示す断面図、（Ｃ）は
電子ビームによりＳの薄層に所定パターンを描いた状態
を示す断面図、（Ｄ）はGaAsの気相エピタキシャル成長
を行った状態を示す断面図、（Ｅ）はＳの薄層を除去し
た状態を示す断面図である。 １……半導体基板、２……半導体領域、３、3a……Ｓの
薄層、４……開口、５……エピタキシャル層、
例を示す工程図であり、（Ａ）は半導体基板の断面図、
（Ｂ）はＳを真空蒸着した状態を示す断面図、（Ｃ）は
電子ビームによりＳの薄層に所定パターンを描いた状態
を示す断面図、（Ｄ）はGaAsの気相エピタキシャル成長
を行った状態を示す断面図、（Ｅ）はＳの薄層を除去し
た状態を示す断面図である。 １……半導体基板、２……半導体領域、３、3a……Ｓの
薄層、４……開口、５……エピタキシャル層、
Claims (1)
- 【請求項１】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体領
域の表面に該半導体領域の構成元素に結合されたＳ（硫
黄）原子からなるＳの薄層を形成し、 該Ｓの薄層の所定部分に電磁波または粒子線を照射し
て、前記所定部分から前記Ｓ原子を離脱させることによ
り前記Ｓの薄層に開口を形成し、 前記開口を有する前記Ｓの薄層をエピタキシャル成長の
マスクとして、前記開口に露出する前記半導体領域上に
半導体エピタキシャル層を形成することを特徴とする選
択エピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31451889A JP2711475B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 選択エピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31451889A JP2711475B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 選択エピタキシャル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177016A JPH03177016A (ja) | 1991-08-01 |
| JP2711475B2 true JP2711475B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18054250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31451889A Expired - Fee Related JP2711475B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 選択エピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711475B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729824A (ja) * | 1993-07-07 | 1995-01-31 | Nec Corp | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
| JPH0832047A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体微細構造の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31451889A patent/JP2711475B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH03177016A (ja) | 1991-08-01 |
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