JPH0410683A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0410683A JPH0410683A JP11411990A JP11411990A JPH0410683A JP H0410683 A JPH0410683 A JP H0410683A JP 11411990 A JP11411990 A JP 11411990A JP 11411990 A JP11411990 A JP 11411990A JP H0410683 A JPH0410683 A JP H0410683A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報機器、光通信などに使用される半導体
レーザ装置の製造方法に関するものである。
レーザ装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
赤外から可視の範囲で発光するＧａＡｌＡｓ系の半導体
レーザ装置は、現在、光デイスク装置などの分野におい
て広く使用されており、その半導体レーザ装置の作製プ
ロセス工程を改善し、低価格化を図ることは、非常に重
要となっている。
レーザ装置は、現在、光デイスク装置などの分野におい
て広く使用されており、その半導体レーザ装置の作製プ
ロセス工程を改善し、低価格化を図ることは、非常に重
要となっている。
第５図に半導体レーザ装置の断面構造図を示し、その従
来の製造方法を説明する。
来の製造方法を説明する。
第５図の半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ層３に形成
されたストライプ部８に電流が流れ、その下のＧ ａ
Ａ Ｉｔ Ａ ｓ活性層５で、レーザ発振が生じる内部
ストライプ型の半導体レーザ装置である。
されたストライプ部８に電流が流れ、その下のＧ ａ
Ａ Ｉｔ Ａ ｓ活性層５で、レーザ発振が生じる内部
ストライプ型の半導体レーザ装置である。
従来の製造方法では、まずｎ−ＧａＡｓ基板７上に、ｎ
−ＧａＡＨＡ８層６、ＧａＡｌ！Ａｓ活性層５、ｐ−Ｇ
ａＡＡ’Ａｓ層４およびｎ−ＧａＡｓ層３までを順に有
機金属気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により結晶成長し
、その後ｎ−ＧａＡ３層３のエツチングによりストライ
プ部８を形成し、最後にｎ−ＧａＡｓ層３上およびスト
ライプ部８のｐ−ＧａＡ、Ａ’Ａ８層４上に２回目のＭ
Ｏ−ＣＶＤ法によりｐ−ＧａＡｌＡ３層２およびｐ−Ｇ
ａＡｓ層１を順に結晶成長し、半導体レーザ装置を形成
している。
−ＧａＡＨＡ８層６、ＧａＡｌ！Ａｓ活性層５、ｐ−Ｇ
ａＡＡ’Ａｓ層４およびｎ−ＧａＡｓ層３までを順に有
機金属気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により結晶成長し
、その後ｎ−ＧａＡ３層３のエツチングによりストライ
プ部８を形成し、最後にｎ−ＧａＡｓ層３上およびスト
ライプ部８のｐ−ＧａＡ、Ａ’Ａ８層４上に２回目のＭ
Ｏ−ＣＶＤ法によりｐ−ＧａＡｌＡ３層２およびｐ−Ｇ
ａＡｓ層１を順に結晶成長し、半導体レーザ装置を形成
している。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の製造方法では、ＭＯ−ＣＶＤ法による結
晶成長前の基板の表面酸化が問題となることが多かった
。特に２回目のＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長時、前工
程のエツチング時にＡＡ’ＡＳ混晶比の大きいＩ）−Ｇ
ａ Ａｊ！’Ａｓ層４が空気中に露出し表面酸化が発生
することが原因で、この部分への結晶成長を良好に行う
ことが困難となり、半導体レーザの電流−電圧特性など
が悪くなるという問題があった。
晶成長前の基板の表面酸化が問題となることが多かった
。特に２回目のＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長時、前工
程のエツチング時にＡＡ’ＡＳ混晶比の大きいＩ）−Ｇ
ａ Ａｊ！’Ａｓ層４が空気中に露出し表面酸化が発生
することが原因で、この部分への結晶成長を良好に行う
ことが困難となり、半導体レーザの電流−電圧特性など
が悪くなるという問題があった。
本発明は上記問題を解決するものであり、基板の表面酸
化膜を除去し、半導体レーザの特性を改善する半導体レ
ーザ装置の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
化膜を除去し、半導体レーザの特性を改善する半導体レ
ーザ装置の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため本発明のレーザ装置の製造方法
は、ＧａＡ３あるいはＧ、ＡｌｌＡｓ基板上に結晶成長
を行う前に、前記基板を硫化アンモニウムあるいはポリ
硫化アンモニウムにより表面処理を行うことを特徴とす
るものである。
は、ＧａＡ３あるいはＧ、ＡｌｌＡｓ基板上に結晶成長
を行う前に、前記基板を硫化アンモニウムあるいはポリ
硫化アンモニウムにより表面処理を行うことを特徴とす
るものである。
作用
上記製造方法により、結晶成長以前に、ＧａＡ３あるい
はＧ ａ Ａ １２ Ａ ｓ基板上の表面酸化膜は、硫
化アンモニウムあるいはポリ硫化アンモニウムにより除
去され、硫黄が基板表面上に付着し、新たな表面酸化が
抑制される。
はＧ ａ Ａ １２ Ａ ｓ基板上の表面酸化膜は、硫
化アンモニウムあるいはポリ硫化アンモニウムにより除
去され、硫黄が基板表面上に付着し、新たな表面酸化が
抑制される。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は従来例で説明した第５図の半導
体レーザ装置の本発明による製造方法を順に示す断面構
造図であり、製造方法をこの断面構造図に従って順に説
明する。
体レーザ装置の本発明による製造方法を順に示す断面構
造図であり、製造方法をこの断面構造図に従って順に説
明する。
まず、ｎ−ＧａＡ３基板７上に、ｎ
Ｇ ａ Ａ ＩＩ Ａ ｓ層６、Ｇ ａ Ａ ＩＡ ｓ
活性層５、ｐＧ ａ Ａ Ａ’ Ａ ｓ層４およびｎ−
ＧａＡｓ層３を順にＭＯ−ＣＶＤ法により結晶成長し、
その後ｎＧａＡｓ層３のエツチングによりストライプ部
８を形成する（第１図（ａ））。
活性層５、ｐＧ ａ Ａ Ａ’ Ａ ｓ層４およびｎ−
ＧａＡｓ層３を順にＭＯ−ＣＶＤ法により結晶成長し、
その後ｎＧａＡｓ層３のエツチングによりストライプ部
８を形成する（第１図（ａ））。
次に、上記結晶成長が行われ、ストライプ部８が形成さ
れた基板をポリ硫化アンモニウムに浸し、ポリ硫化アン
モニウムにより、ｎ−ＧａＡｓ層３およびｐ Ｇａ Ａ
ＩＡ３層４の表面上にエツチング時空気に露出される
ことにより形成された表面酸化膜を除去し、硫黄層９を
表面に付着する（第１図（ｂ））。この硫黄層９により
新たな表面酸化が抑制される。
れた基板をポリ硫化アンモニウムに浸し、ポリ硫化アン
モニウムにより、ｎ−ＧａＡｓ層３およびｐ Ｇａ Ａ
ＩＡ３層４の表面上にエツチング時空気に露出される
ことにより形成された表面酸化膜を除去し、硫黄層９を
表面に付着する（第１図（ｂ））。この硫黄層９により
新たな表面酸化が抑制される。
最後に、ｎ−ＧａＡ３層３上層上上ストライプ部８のｐ
Ｇ ａ Ａ １！ Ａ ８層４上に２回目のＭＯＣ
ＶＤ法によりｐ Ｇ ａ Ａ ＩＩ Ａ ３層２およ
びｐＧａＡｓ層１を順に結晶成長し、半導体レーザ装置
を形成する（第１図（Ｃ））。なお、表面に付着してい
た硫黄層９は、結晶成長直前に、基板温度が数百度以上
に上昇した時点で高真空中に飛散するため、結晶成長に
悪影響を及ぼすことはない。
Ｇ ａ Ａ １！ Ａ ８層４上に２回目のＭＯＣ
ＶＤ法によりｐ Ｇ ａ Ａ ＩＩ Ａ ３層２およ
びｐＧａＡｓ層１を順に結晶成長し、半導体レーザ装置
を形成する（第１図（Ｃ））。なお、表面に付着してい
た硫黄層９は、結晶成長直前に、基板温度が数百度以上
に上昇した時点で高真空中に飛散するため、結晶成長に
悪影響を及ぼすことはない。
第２図に、上記プロセスにより形成された半導体レーザ
装置の電流−光出力特性を示す。第３図に示す上記プロ
セスを用いていない従来の製造方法による半導体レーザ
装置の電流−光出力特性と比較して、２回目ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法による結晶成長が良好に行われているために、温度
特性が優れているのがわかる。
装置の電流−光出力特性を示す。第３図に示す上記プロ
セスを用いていない従来の製造方法による半導体レーザ
装置の電流−光出力特性と比較して、２回目ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法による結晶成長が良好に行われているために、温度
特性が優れているのがわかる。
第４図に、上記プロセスにより形成された半導体レーザ
装置と、従来の製造方法による半導体レーザ装置の電流
−電圧特性を示す。２回目のＭＯＣＶＤ法による結晶成
長の界面における酸化物による欠陥密度が低減されてい
るために、電流−電圧特性も向上していることがわかる
。
装置と、従来の製造方法による半導体レーザ装置の電流
−電圧特性を示す。２回目のＭＯＣＶＤ法による結晶成
長の界面における酸化物による欠陥密度が低減されてい
るために、電流−電圧特性も向上していることがわかる
。
このように、結晶成長前に、表面酸化膜を除去し、新た
な表面酸化を抑制することにより、半導体レーザ装置を
形成している結晶の結晶成長を良好に行うことができ、
かつ結晶成長界面の酸化による欠陥密度を低減でき、よ
って得られる半導体レーザの電流−光出力特性、電流−
電圧特性を改善することができる。
な表面酸化を抑制することにより、半導体レーザ装置を
形成している結晶の結晶成長を良好に行うことができ、
かつ結晶成長界面の酸化による欠陥密度を低減でき、よ
って得られる半導体レーザの電流−光出力特性、電流−
電圧特性を改善することができる。
なお、本実施例では、ポリ硫化アンモニウムを用いたが
、硫化アンモニウムでも特に問題ない。
、硫化アンモニウムでも特に問題ない。
また、本実施例における内部ストライプ型の構造に限ら
ず、表面に結晶成長を行う全ての半導体レーザ装置の作
製プロセスに適用できるものである。
ず、表面に結晶成長を行う全ての半導体レーザ装置の作
製プロセスに適用できるものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、結晶成長前に基板表面上
の表面酸化膜を硫化アンモニウムあるいはポリ硫化アン
モニウムにより除去し、新たな表面酸化を抑制すること
ができ、よって結晶成長を良好に行うことができ、かつ
結晶成長界面の酸化による欠陥密度を低減でき、半導体
レーザの電流−光出力特性、電流−電圧特性を改善する
ことができる。
の表面酸化膜を硫化アンモニウムあるいはポリ硫化アン
モニウムにより除去し、新たな表面酸化を抑制すること
ができ、よって結晶成長を良好に行うことができ、かつ
結晶成長界面の酸化による欠陥密度を低減でき、半導体
レーザの電流−光出力特性、電流−電圧特性を改善する
ことができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の半導体レーザ装置の製
造方法を順に示す半導体レーザ装置の断面構造図、第２
図は本発明の製造方法による半導体レーザ装置の電流−
光出力特性図、第３図は従来の製造方法による半導体レ
ーザ装置の電流−光出力特性図、第４図は本発明の製造
方法による半導体レーザ装置および従来の製造方法によ
る半導体レーザ装置の電流−電圧特性図、第５図は内部
ストライプ部の半導体レーザ装置の断面構造図である。 １・・・ｐＧ、ＩＡ３層、２−ｐ−ＧａＡｌＡｓ層、３
・・・ｎ−ＧａＡ３層、４．−ｐ−Ｇａ Ａ ＩＡＳ層
、５−ＧａＡＩＡＳ活性層、６−ｎ−Ｇａ１／Ａｓ層、
７・・・ｎ−ＧａＡ３基板、８・・・ストライプ部、９
・・・硫黄層。
造方法を順に示す半導体レーザ装置の断面構造図、第２
図は本発明の製造方法による半導体レーザ装置の電流−
光出力特性図、第３図は従来の製造方法による半導体レ
ーザ装置の電流−光出力特性図、第４図は本発明の製造
方法による半導体レーザ装置および従来の製造方法によ
る半導体レーザ装置の電流−電圧特性図、第５図は内部
ストライプ部の半導体レーザ装置の断面構造図である。 １・・・ｐＧ、ＩＡ３層、２−ｐ−ＧａＡｌＡｓ層、３
・・・ｎ−ＧａＡ３層、４．−ｐ−Ｇａ Ａ ＩＡＳ層
、５−ＧａＡＩＡＳ活性層、６−ｎ−Ｇａ１／Ａｓ層、
７・・・ｎ−ＧａＡ３基板、８・・・ストライプ部、９
・・・硫黄層。
Claims (1)
- １、ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓ基板上に結晶成長を
行う前に、前記基板を硫化アンモニウムあるいはポリ硫
化アンモニウムにより表面処理を行うことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11411990A JPH0410683A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11411990A JPH0410683A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410683A true JPH0410683A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14629615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11411990A Pending JPH0410683A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358316B1 (en) | 1992-09-10 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor device, method for producing semiconductor laser device, and method for producing quantum wire structure |
| CN113078553A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-07-06 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 | 一种铝量子阱激光器及其制备方法 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11411990A patent/JPH0410683A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358316B1 (en) | 1992-09-10 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor device, method for producing semiconductor laser device, and method for producing quantum wire structure |
| CN113078553A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-07-06 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 | 一种铝量子阱激光器及其制备方法 |
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