JPH05283812A - 量子細線の製造方法 - Google Patents
量子細線の製造方法Info
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- JPH05283812A JPH05283812A JP7781092A JP7781092A JPH05283812A JP H05283812 A JPH05283812 A JP H05283812A JP 7781092 A JP7781092 A JP 7781092A JP 7781092 A JP7781092 A JP 7781092A JP H05283812 A JPH05283812 A JP H05283812A
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- Japan
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- layer
- well
- etching
- quantum
- epitaxial layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視光半導体レーザ等に使用されるＡｌＧａ
ＩｎＰ系の結晶において、ＧａＡｓ基板上にこの系から
なる量子細線をエッチングにより作製する。 【構成】 ＧａＡｓ（００１）基板１０上に、（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層１２と、これよりも大きなエネルギーギ
ャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ（０＜
ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなる上下のバリア層１
１，１３と、さらにその上にＧａz Ｉｎ1-zＰ（ｚ〜
０．５）エピ層１４を形成した単一または多重量子井戸
構造を備え、初めにエピ層１４の上にレジスト層１５を
形成し、これを露光現象除去処理してマスクを作り、次
にエピ層１４を＜０１１＞方向にストライプ状にエッチ
ング除去した後、残ったエピ層１４マスクとして硫酸ま
たは硫酸と水からなるエッチング液によってウェル層１
２およびバリア層１１，１３をストライプ状に除去す
る。
ＩｎＰ系の結晶において、ＧａＡｓ基板上にこの系から
なる量子細線をエッチングにより作製する。 【構成】 ＧａＡｓ（００１）基板１０上に、（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層１２と、これよりも大きなエネルギーギ
ャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ（０＜
ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなる上下のバリア層１
１，１３と、さらにその上にＧａz Ｉｎ1-zＰ（ｚ〜
０．５）エピ層１４を形成した単一または多重量子井戸
構造を備え、初めにエピ層１４の上にレジスト層１５を
形成し、これを露光現象除去処理してマスクを作り、次
にエピ層１４を＜０１１＞方向にストライプ状にエッチ
ング除去した後、残ったエピ層１４マスクとして硫酸ま
たは硫酸と水からなるエッチング液によってウェル層１
２およびバリア層１１，１３をストライプ状に除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量子細線の製造方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、分子線成長法（ＭＢＥ）や有機金
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）などの結晶成長技術の発展
により、原子レベルでの膜厚制御と急峻なヘテロ界面を
実現することが可能となり、量子井戸を用いた半導体素
子などの開発が行なわれるようになった。
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）などの結晶成長技術の発展
により、原子レベルでの膜厚制御と急峻なヘテロ界面を
実現することが可能となり、量子井戸を用いた半導体素
子などの開発が行なわれるようになった。
【０００３】しかしながら、より一層の量子効果を得る
ためには、量子井戸に比べさらにキャリアの自由度を低
下させた量子細線を用いた半導体デバイスを実現する必
要がある。このような量子細線の作製方法としては種々
の方法が提案されているが、そのうちの一つに量子井戸
をエッチングによって加工する方法がある。以下図２を
参照してその一例について説明する。
ためには、量子井戸に比べさらにキャリアの自由度を低
下させた量子細線を用いた半導体デバイスを実現する必
要がある。このような量子細線の作製方法としては種々
の方法が提案されているが、そのうちの一つに量子井戸
をエッチングによって加工する方法がある。以下図２を
参照してその一例について説明する。
【０００４】図２（ａ）に示すように、まず初めに半導
体（００１）基板２０上にＭＢＥやＭＯＶＰＥ等によ
り、半導体（００１）基板２０に近い側から下部バリア
層２１、ウェル層２２、上部バリア層２３から構成され
る単一量子井戸を作製し、さらにその上にストライプ状
の微細パターンを持つマスク２４を形成する。その後、
図２（ｂ）に示すように、エッチングによってマスクさ
れた以外の量子井戸をストライプ状にエッチング除去し
て、量子細線を作製する。
体（００１）基板２０上にＭＢＥやＭＯＶＰＥ等によ
り、半導体（００１）基板２０に近い側から下部バリア
層２１、ウェル層２２、上部バリア層２３から構成され
る単一量子井戸を作製し、さらにその上にストライプ状
の微細パターンを持つマスク２４を形成する。その後、
図２（ｂ）に示すように、エッチングによってマスクさ
れた以外の量子井戸をストライプ状にエッチング除去し
て、量子細線を作製する。
【０００５】このような方法は、現在の技術では１００
ｎｍ以下のストライプを安定にかつ均一に露光すること
が困難なので、実際的には、半導体基板２０の＜０１１
＞方向にストライプの長さ方向をとり、図２（ｂ）のよ
うにエッチングした際のストライプ断面を逆メサ形に形
成して、マスクから下方向に向かうにしたがってストラ
イプ幅を狭くすることにより量子細線を作製している。
ストライプ状に加工されたウェル層２２の幅が、量子効
果をもたらすのに充分狭ければ（およそ１００ｎｍ以下
程度）、キャリアはストライプの長さ方向にしか自由度
を持てないことになり、量子細線が形成されたことにな
る。
ｎｍ以下のストライプを安定にかつ均一に露光すること
が困難なので、実際的には、半導体基板２０の＜０１１
＞方向にストライプの長さ方向をとり、図２（ｂ）のよ
うにエッチングした際のストライプ断面を逆メサ形に形
成して、マスクから下方向に向かうにしたがってストラ
イプ幅を狭くすることにより量子細線を作製している。
ストライプ状に加工されたウェル層２２の幅が、量子効
果をもたらすのに充分狭ければ（およそ１００ｎｍ以下
程度）、キャリアはストライプの長さ方向にしか自由度
を持てないことになり、量子細線が形成されたことにな
る。
【０００６】上記説明では、量子井戸が単一量子井戸の
場合について述べたが、全く同様の方法で多重量子井戸
をエッチングによって量子細線化することが可能であ
る。
場合について述べたが、全く同様の方法で多重量子井戸
をエッチングによって量子細線化することが可能であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】 このように、従来の
エッチングによる量子細線の作製方法においては、スト
ライプ状の微細なパターンを持つマスクを均一に形成
し、さらに量子井戸を損傷なしに均一にエッチングしな
ければならないため、微細パターンの形成法やエッチン
グに適したマスクとエッチング液の検討が盛んに行なわ
れている。
エッチングによる量子細線の作製方法においては、スト
ライプ状の微細なパターンを持つマスクを均一に形成
し、さらに量子井戸を損傷なしに均一にエッチングしな
ければならないため、微細パターンの形成法やエッチン
グに適したマスクとエッチング液の検討が盛んに行なわ
れている。
【０００８】しかしながら、エッチングによる量子細線
の作製においては、ウェル層やブロック層とマスクとの
エッチング時における選択性を利用しているため、エッ
チングされる量子井戸の組成ごとに最適なエッチング液
およびマスクに用いる物質を決定しなければならない。
その際、マスクのエッチング速度が量子井戸を構成して
いる物質のエッチング速度に対してきわめて遅くない
と、エッチング中にマスクがエッチングにより変形する
場合があり、均一な量子細線を形成することは難しい。
言い替えれば、このような条件を満足する適切なエッチ
ング液およびマスクが得られない場合には、エッチング
を用いる方法による量子細線の作製は困難となる。
の作製においては、ウェル層やブロック層とマスクとの
エッチング時における選択性を利用しているため、エッ
チングされる量子井戸の組成ごとに最適なエッチング液
およびマスクに用いる物質を決定しなければならない。
その際、マスクのエッチング速度が量子井戸を構成して
いる物質のエッチング速度に対してきわめて遅くない
と、エッチング中にマスクがエッチングにより変形する
場合があり、均一な量子細線を形成することは難しい。
言い替えれば、このような条件を満足する適切なエッチ
ング液およびマスクが得られない場合には、エッチング
を用いる方法による量子細線の作製は困難となる。
【０００９】現在、ＧａＡｓ基板上に成長した（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５。以
下ＡｌＧａＩｎＰと略す。）系からなる半導体レーザ
は、発振波長が６５０ｎｍ以下の可視光半導体レーザと
して開発が行なわれているが、この半導体レーザに量子
細線を導入しようとした場合、ＡｌＧａＩｎＰ系量子井
戸に対して量子細線を作製するのに適当なマスクおよび
エッチングを選択しなければならず、この系におけるエ
ッチングを用いた量子井戸はまだ知られていない。
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５。以
下ＡｌＧａＩｎＰと略す。）系からなる半導体レーザ
は、発振波長が６５０ｎｍ以下の可視光半導体レーザと
して開発が行なわれているが、この半導体レーザに量子
細線を導入しようとした場合、ＡｌＧａＩｎＰ系量子井
戸に対して量子細線を作製するのに適当なマスクおよび
エッチングを選択しなければならず、この系におけるエ
ッチングを用いた量子井戸はまだ知られていない。
【００１０】本発明は、このような従来の問題を解決
し、ＡｌＧａＩｎＰ系からなる量子井戸について、エッ
チングによって量子細線に加工することが可能な量子細
線の作製方法を提供することを目的とするものである。
し、ＡｌＧａＩｎＰ系からなる量子井戸について、エッ
チングによって量子細線に加工することが可能な量子細
線の作製方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ＧａＡｓ（００１）基板上に、（Ａｌ x
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギ
ーギャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1- y'Ｐ（０
＜ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなるバリア層とで構成
され（ｙ，ｙ’はＧａＡｓに１％の範囲内で格子整合す
る値。）、さらにその上にＧａz Ｉｎ1- z Ｐ（ｚ〜０．
５）エピタキシャル層（以下単にＧａＩｎＰエピタキシ
ャル層と略す。）を形成した量子井戸構造を備え、この
ＧａＩｎＰエピタキシャル層を＜０１１＞方向にストラ
イプ状にエッチング除去し、残ったＧａＩｎＰエピタキ
シャル層をマスクとして硫酸または硫酸と水からなるエ
ッチング液によってウェル層およびバリア層をストライ
プ状に除去して量子細線を作製するようにしたものであ
る。
に、本発明は、ＧａＡｓ（００１）基板上に、（Ａｌ x
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギ
ーギャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1- y'Ｐ（０
＜ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなるバリア層とで構成
され（ｙ，ｙ’はＧａＡｓに１％の範囲内で格子整合す
る値。）、さらにその上にＧａz Ｉｎ1- z Ｐ（ｚ〜０．
５）エピタキシャル層（以下単にＧａＩｎＰエピタキシ
ャル層と略す。）を形成した量子井戸構造を備え、この
ＧａＩｎＰエピタキシャル層を＜０１１＞方向にストラ
イプ状にエッチング除去し、残ったＧａＩｎＰエピタキ
シャル層をマスクとして硫酸または硫酸と水からなるエ
ッチング液によってウェル層およびバリア層をストライ
プ状に除去して量子細線を作製するようにしたものであ
る。
【００１２】
【作用】本発明は、上記構成によって、ＧａＡｓ（００
１）基板上に形成した下部バリア層、ウェル層、上部バ
リア層、およびＧａＩｎＰエピタキシャル層において、
ＧａＩｎＰエピタキシャル層を＜０１１＞方向にストラ
イプ状に加工した後、このＧａＩｎＰエピタキシャル層
をマスクとして、硫酸：水系のエッチング液によってエ
ッチングを行なうことにより、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩ
ｎＰのエッチング速度差を利用し、下部バリア層、ウェ
ル層、および上部バリア層を逆メサ形にエッチングする
ことが可能になり、その結果、量子井戸部分におけるス
トライプ幅は、初めに形成したＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層のストライプ幅よりも狭くなり、量子細線を作製す
ることができる。
１）基板上に形成した下部バリア層、ウェル層、上部バ
リア層、およびＧａＩｎＰエピタキシャル層において、
ＧａＩｎＰエピタキシャル層を＜０１１＞方向にストラ
イプ状に加工した後、このＧａＩｎＰエピタキシャル層
をマスクとして、硫酸：水系のエッチング液によってエ
ッチングを行なうことにより、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩ
ｎＰのエッチング速度差を利用し、下部バリア層、ウェ
ル層、および上部バリア層を逆メサ形にエッチングする
ことが可能になり、その結果、量子井戸部分におけるス
トライプ幅は、初めに形成したＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層のストライプ幅よりも狭くなり、量子細線を作製す
ることができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本実施例の量子細線の作製方
法の工程を示したものである。 図１において、１０は
ＧａＡｓ（００１）基板、１１は下部バリア層、１２は
ウェル層、１３は上部バリア層、１４はＧａＩｎＰエピ
タキシャル層、１５はレジスト層である。本実施例で
は、ＧａＡｓ基板１０は（００１）面を用い、ウェル層
１２を（Ａｌ0.1 Ｇａ 0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、下部バリ
ア層１１および上部バリア層１３を（Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、ＧａＩｎＰエピタキシャル層
１４をＧａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐとしている。また各層の膜厚
は、下部バリア層１１および上部バリア層１３が１μ
ｍ，ウェル層１２が５０ｎｍ，ＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層１４の膜厚が１００ｎｍとしている。
しながら説明する。図１は本実施例の量子細線の作製方
法の工程を示したものである。 図１において、１０は
ＧａＡｓ（００１）基板、１１は下部バリア層、１２は
ウェル層、１３は上部バリア層、１４はＧａＩｎＰエピ
タキシャル層、１５はレジスト層である。本実施例で
は、ＧａＡｓ基板１０は（００１）面を用い、ウェル層
１２を（Ａｌ0.1 Ｇａ 0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、下部バリ
ア層１１および上部バリア層１３を（Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、ＧａＩｎＰエピタキシャル層
１４をＧａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐとしている。また各層の膜厚
は、下部バリア層１１および上部バリア層１３が１μ
ｍ，ウェル層１２が５０ｎｍ，ＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層１４の膜厚が１００ｎｍとしている。
【００１４】以上のような構成の量子細線について、以
下その作製方法を説明する。本実施例では、初めにＭＢ
ＥやＭＯＶＰＥを用いて図１（ａ）のように、ＧａＡｓ
（００１）基板１０上に下部バリア層１１、ウェル層１
２、および上部バリア層１３から成る単一量子井戸を作
製し、その上にＧａＩｎＰエピタキシャル層１４を成長
する。このように成長した単一量子井戸の上に、図１
（ｂ）のようにレジスト層１５を塗布し、電子ビーム露
光等を用いて量子細線用のストライプを露光する。この
ときのストライプの方向は＜０１１＞とし、ストライプ
幅は１００ｎｍとする。この露光したレジスト層１５に
対し現像および除去処理を行なうと、図１（ｃ）のよう
にレジスト層１５のストライプによるマスクができる。
下その作製方法を説明する。本実施例では、初めにＭＢ
ＥやＭＯＶＰＥを用いて図１（ａ）のように、ＧａＡｓ
（００１）基板１０上に下部バリア層１１、ウェル層１
２、および上部バリア層１３から成る単一量子井戸を作
製し、その上にＧａＩｎＰエピタキシャル層１４を成長
する。このように成長した単一量子井戸の上に、図１
（ｂ）のようにレジスト層１５を塗布し、電子ビーム露
光等を用いて量子細線用のストライプを露光する。この
ときのストライプの方向は＜０１１＞とし、ストライプ
幅は１００ｎｍとする。この露光したレジスト層１５に
対し現像および除去処理を行なうと、図１（ｃ）のよう
にレジスト層１５のストライプによるマスクができる。
【００１５】ところで、硫酸：過酸化水素水：水＝３：
１：１のエッチング液（以下３：１：１エッチング液と
呼ぶ。）によるエッチング速度は、室温においてはＧａ
ＩｎＰで１２ｎｍ／ｍｉｎの速度を有する。そこで、こ
のエッチング液を用いることにより、ストライプ状に加
工されたレジスト層１５をマスクとして、３：１：１エ
ッチング液によって、図１（ｄ）のようにＧａＩｎＰエ
ピタキシャル層１４をストライプ状に除去する。３：
１：１エッチング液は、ＡｌＧａＩｎＰに対してもエッ
チングするが、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐの
ときで７０ｎｍ／ｍｉｎとＧａＩｎＰに比べて極端に速
くはないため、エッチング時間を制御することで、図１
（ｄ）のように、上部バリア層１３をエッチングするこ
となしにＧａＩｎＰエピタキシャル層１４をエッチング
することができる。このようにＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層１４をストライプ状にエッチングした後、レジスト
層１５の除去を行なう。
１：１のエッチング液（以下３：１：１エッチング液と
呼ぶ。）によるエッチング速度は、室温においてはＧａ
ＩｎＰで１２ｎｍ／ｍｉｎの速度を有する。そこで、こ
のエッチング液を用いることにより、ストライプ状に加
工されたレジスト層１５をマスクとして、３：１：１エ
ッチング液によって、図１（ｄ）のようにＧａＩｎＰエ
ピタキシャル層１４をストライプ状に除去する。３：
１：１エッチング液は、ＡｌＧａＩｎＰに対してもエッ
チングするが、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐの
ときで７０ｎｍ／ｍｉｎとＧａＩｎＰに比べて極端に速
くはないため、エッチング時間を制御することで、図１
（ｄ）のように、上部バリア層１３をエッチングするこ
となしにＧａＩｎＰエピタキシャル層１４をエッチング
することができる。このようにＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層１４をストライプ状にエッチングした後、レジスト
層１５の除去を行なう。
【００１６】次にＧａＩｎＰエピタキシャル層１４をマ
スクとして、硫酸または硫酸と水からなるエッチング液
を用いて上部バリア層１３、ウェル層１２、下部バリア
層１１のエッチングを行なう。例えば室温で濃硫酸を用
いると、ＧａＩｎＰはほとんどエッチングされないのに
対し、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでは４００
ｎｍ／ｍｉｎ以上でエッチングされ、このためＧａＩｎ
Ｐエピタキシャル層１４は良好なマスクとして用いるこ
とができる。
スクとして、硫酸または硫酸と水からなるエッチング液
を用いて上部バリア層１３、ウェル層１２、下部バリア
層１１のエッチングを行なう。例えば室温で濃硫酸を用
いると、ＧａＩｎＰはほとんどエッチングされないのに
対し、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでは４００
ｎｍ／ｍｉｎ以上でエッチングされ、このためＧａＩｎ
Ｐエピタキシャル層１４は良好なマスクとして用いるこ
とができる。
【００１７】このようにして、上部バリア層１１、ウェ
ル層１２および下部バリア層１３をストライプ状にエッ
チングすると、図１（ｅ）に示すようにストライプの形
状が逆メサ形に形成されるため、ウェル層１２付近での
ストライプ幅は、ＧａＩｎＰエピタキシャル層１４にお
けるストライプ幅１００ｎｍよりも狭くなり、ストライ
プ幅の方向に対してもキャリアの自由度を抑制されて、
量子細線が形成されたことになる。
ル層１２および下部バリア層１３をストライプ状にエッ
チングすると、図１（ｅ）に示すようにストライプの形
状が逆メサ形に形成されるため、ウェル層１２付近での
ストライプ幅は、ＧａＩｎＰエピタキシャル層１４にお
けるストライプ幅１００ｎｍよりも狭くなり、ストライ
プ幅の方向に対してもキャリアの自由度を抑制されて、
量子細線が形成されたことになる。
【００１８】なお本実施例では、量子井戸が単一量子井
戸の場合について述べたが、多重量子井戸についても同
様の手順によって量子細線の作製を行なうことができ
る。
戸の場合について述べたが、多重量子井戸についても同
様の手順によって量子細線の作製を行なうことができ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、ＧａＡｓ（００１）基板上
に、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶からなる量子井戸とＧａＩｎ
Ｐエピタキシャル層を成長し、ＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層をマスクとし硫酸系エッチング液を用いて量子井戸
を加工して、＜０１１＞方向にストライプ状の形状を有
した量子細線を形成するものであり、硫酸系エッチング
液においては、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰのエッチン
グ速度差が１００倍以上異なるため、本発明を用いるこ
とにより、エッチング中にマスク層の形状が変ることな
しに量子井戸のエッチングを良好に行なうことができ、
均一で安定な量子細線を作製することができる。
に、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶からなる量子井戸とＧａＩｎ
Ｐエピタキシャル層を成長し、ＧａＩｎＰエピタキシャ
ル層をマスクとし硫酸系エッチング液を用いて量子井戸
を加工して、＜０１１＞方向にストライプ状の形状を有
した量子細線を形成するものであり、硫酸系エッチング
液においては、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰのエッチン
グ速度差が１００倍以上異なるため、本発明を用いるこ
とにより、エッチング中にマスク層の形状が変ることな
しに量子井戸のエッチングを良好に行なうことができ、
均一で安定な量子細線を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における量子細線作製方法の
工程を示す模式図
工程を示す模式図
【図２】エッチングを用いた量子細線の作製方法の工程
を示す模式図
を示す模式図
１０ ＧａＡｓ（００１）基板 １１ 下部バリア層 １２ ウェル層 １３ 上部バリア層 １４ ＧａＩｎＰエピタキシャル層 １５ レジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中 島 眞 人 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ（００１）基板上に、（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギ
ーギャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ（０
＜ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなるバリア層とで構成
され、さらにその上にＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（ｚ〜０．５）
エピタキシャル層を形成した単一量子井戸構造を備え、
初めにＧａz Ｉｎ1-z Ｐエピタキシャル層を＜０１１＞
方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったＧ
ａz Ｉｎ1-z Ｐエピタキシャル層をマスクとして硫酸ま
たは硫酸と水からなるエッチング液によって前記ウェル
層およびバリア層をストライプ状に除去することを含む
量子細線の製造方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ（００１）基板上に、（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，ｙ〜０．５）か
らなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギ
ーギャップを持つ（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ（０
＜ｘ’≦１，ｙ’〜０．５）からなるバリア層とを有
し、さらにその上にＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（ｚ〜０．５）エ
ピタキシャル層を有する多重量子井戸構造を備え、初め
にＧａz Ｉｎ1-z Ｐエピタキシャル層を＜０１１＞方向
にストライプ状にエッチング除去した後、残ったＧａz
Ｉｎ1-z Ｐエピタキシャル層をマスクとして硫酸または
硫酸と水からなるエッチング液によって前記ウェル層お
よびバリア層をストライプ状に除去することを含む量子
細線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781092A JPH05283812A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 量子細線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781092A JPH05283812A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 量子細線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283812A true JPH05283812A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13644383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7781092A Pending JPH05283812A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 量子細線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09153657A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7781092A patent/JPH05283812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09153657A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
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