JPH03254169A - 多重量子細線の形成方法 - Google Patents
多重量子細線の形成方法Info
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- JPH03254169A JPH03254169A JP5138990A JP5138990A JPH03254169A JP H03254169 A JPH03254169 A JP H03254169A JP 5138990 A JP5138990 A JP 5138990A JP 5138990 A JP5138990 A JP 5138990A JP H03254169 A JPH03254169 A JP H03254169A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「産業上の利用分野」
本発明は光通信や光情報処理等に用いる超格子へテロ構
造デバイスに関するもので、特に多重量子細線の形成方
法に関するものである。 「従来技術」 近年、光システムの高度化にともない、光デバイスの高
性能化に対する要求が高まっている。このようなデバイ
スを実現する手段として例えば雑誌「アプライド・フィ
ジクス・レター１第３９巻、１９８１年、１７０−１８
１ページに見られる量子井戸レーザのような量子効果を
用いたデバイスが提案されている。また、量子効果は量
子井戸構造よりも量子細線構造とした方が効率よく引き
出すことができることが知られている。このような量子
細線を形成する方法として現在までに以下のものが提案
されている。
造デバイスに関するもので、特に多重量子細線の形成方
法に関するものである。 「従来技術」 近年、光システムの高度化にともない、光デバイスの高
性能化に対する要求が高まっている。このようなデバイ
スを実現する手段として例えば雑誌「アプライド・フィ
ジクス・レター１第３９巻、１９８１年、１７０−１８
１ページに見られる量子井戸レーザのような量子効果を
用いたデバイスが提案されている。また、量子効果は量
子井戸構造よりも量子細線構造とした方が効率よく引き
出すことができることが知られている。このような量子
細線を形成する方法として現在までに以下のものが提案
されている。
【方法ｌ】第２図（ａ）に示すように、通常の基板１１
の表面に微細なレジストパターン１２を形成する。次い
で、第２図（ｂ）に示すようにエツチングによりこの基
板１１に細線を形成する。そして、第２図（ｃ）に示す
ように、エツチングを行った部分に井戸層１３と障壁層
１４を交互に成長させ、量子細線構造を形成する。
の表面に微細なレジストパターン１２を形成する。次い
で、第２図（ｂ）に示すようにエツチングによりこの基
板１１に細線を形成する。そして、第２図（ｃ）に示す
ように、エツチングを行った部分に井戸層１３と障壁層
１４を交互に成長させ、量子細線構造を形成する。
【方法２】第３図（ａ）に示すように、予め量子井戸構
造が形成された基板１１ａの表面に微細なレンストパタ
ーンＩ２を形成する。次いで、第３図（ｂ）に示すよう
に、エツチングによりこの基板１１ａに細線を形成する
。そして、第３図（ｃ）に示すように、エツチングによ
って残った部分が量子細線となるようにその周囲を障壁
層Ｉ４によって埋め込む。
造が形成された基板１１ａの表面に微細なレンストパタ
ーンＩ２を形成する。次いで、第３図（ｂ）に示すよう
に、エツチングによりこの基板１１ａに細線を形成する
。そして、第３図（ｃ）に示すように、エツチングによ
って残った部分が量子細線となるようにその周囲を障壁
層Ｉ４によって埋め込む。
【方法３】第４図（ａ）に示すように、通常の基板１１
の表面に集束イオンビームＳを用いてマスクレスの微細
加工（エツチング）を施す。次いで、第４図（ｂ）に示
すようζこ、エツチングされた部分に井戸層１３と障壁
層１４を交互に形成し、量子細線構造を形成する。
の表面に集束イオンビームＳを用いてマスクレスの微細
加工（エツチング）を施す。次いで、第４図（ｂ）に示
すようζこ、エツチングされた部分に井戸層１３と障壁
層１４を交互に形成し、量子細線構造を形成する。
【方法４】第５図（ａ）に示すように、予め形成した量
子井戸構造を持つ基板１１ａに集束イオンビームＳを用
いてマスクレスの微細加工（エツチング）を行う。次い
で、第５図（ｂ）に示すように、エツチングによって残
った部分か量子細線となるようにその周囲を障壁層１４
によって埋め込む。
子井戸構造を持つ基板１１ａに集束イオンビームＳを用
いてマスクレスの微細加工（エツチング）を行う。次い
で、第５図（ｂ）に示すように、エツチングによって残
った部分か量子細線となるようにその周囲を障壁層１４
によって埋め込む。
【方法５】第６図（ａ）に示すように、通常の基板１１
に対し、三角形断面かえられるように異方性選択エツチ
ングを行う。次いて、第６図（ｂ）１こ示すように、エ
ツチングされた部分に井戸層１３と障壁層１４を交互に
形成し、量子細線構造を形成する。
に対し、三角形断面かえられるように異方性選択エツチ
ングを行う。次いて、第６図（ｂ）１こ示すように、エ
ツチングされた部分に井戸層１３と障壁層１４を交互に
形成し、量子細線構造を形成する。
【方法６】第７図（ａ）に示すような予め形成した量子
井戸構造を有する基板１１ａに対し、第７図（ｂ）に示
す三角形断面が得られるように異方性選択エツチングを
行う。そして、三角形の頂点が量子細線となるようにそ
の周囲を埋め込む。
井戸構造を有する基板１１ａに対し、第７図（ｂ）に示
す三角形断面が得られるように異方性選択エツチングを
行う。そして、三角形の頂点が量子細線となるようにそ
の周囲を埋め込む。
【方法７】第８図Ｊこ示すように、結晶面から僅かにず
れた面を表面に持つ基板を用いてＩ原子層エピタキシャ
ル成長を行うことにより自動的に量子細線を形成する。 第８図において、２０はＧａＡｓ基板、２１，２１．・
・・および２２．２２．・・・は、各々、ＡｌＡｓおよ
びＧａＡｓによる１原子層である。 「発明が解決しようとする課題］ ところで、上述した従来の量子細線の形成方法は、各々
、以下説明する欠点があるため、必ずしも本来の量子細
線のもつ特性を生かしきったデバイスが得られないとい
う問題があった。
れた面を表面に持つ基板を用いてＩ原子層エピタキシャ
ル成長を行うことにより自動的に量子細線を形成する。 第８図において、２０はＧａＡｓ基板、２１，２１．・
・・および２２．２２．・・・は、各々、ＡｌＡｓおよ
びＧａＡｓによる１原子層である。 「発明が解決しようとする課題］ ところで、上述した従来の量子細線の形成方法は、各々
、以下説明する欠点があるため、必ずしも本来の量子細
線のもつ特性を生かしきったデバイスが得られないとい
う問題があった。
【方法ｌおよび方法２の欠点】量子細線の井戸層と障壁
層の周期は一般に数十Ｉのオーダーであり、通常のリソ
グラフ技術では、このような細線のパターンを得ること
ができない。そこで、電子線リソグラフを用いることが
考えられるが、仮に電子線リソグラフを用いた場合、レ
ジストの厚さが数十ｎ１１と極めて薄くなり、パターン
精度が低下し、さらにその後の加工等を含めると、パタ
ーン精度がさらに落ちてしまい、安定して細線を得るこ
とが困難である。また、電子線リソグラフを用いた場合
、結晶へダメージが残る。
層の周期は一般に数十Ｉのオーダーであり、通常のリソ
グラフ技術では、このような細線のパターンを得ること
ができない。そこで、電子線リソグラフを用いることが
考えられるが、仮に電子線リソグラフを用いた場合、レ
ジストの厚さが数十ｎ１１と極めて薄くなり、パターン
精度が低下し、さらにその後の加工等を含めると、パタ
ーン精度がさらに落ちてしまい、安定して細線を得るこ
とが困難である。また、電子線リソグラフを用いた場合
、結晶へダメージが残る。
【方法３および方法４の欠点】集束イオンビームを用い
てパターニングを行う場合には、イオンビームの加速電
圧を大きくしなければイオンビームを絞り込むことがで
きない。しかし、加速電圧を大きくすると基板に与える
ダメージが極めて大きくなる。
てパターニングを行う場合には、イオンビームの加速電
圧を大きくしなければイオンビームを絞り込むことがで
きない。しかし、加速電圧を大きくすると基板に与える
ダメージが極めて大きくなる。
【方法５および方法６の欠点】三角形断面か得られるよ
うな異方性エツチングを行う方法では、量子細線を多重
化する際に量子細線間の間隔が広かってしまい、光の閉
じ込めか弱くなってしまう。
うな異方性エツチングを行う方法では、量子細線を多重
化する際に量子細線間の間隔が広かってしまい、光の閉
じ込めか弱くなってしまう。
【方法７の欠点】結晶面から僅かにずれた面を持つ基板
を用いて縦方向に自動的に量子細線を形成する方法では
、基板の方向および結晶成長の制御に対する要求が厳し
く、実現が極めて難しい。 この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、
超微細加工が困難なマスク材を必要とけず、また、基板
にダメージを与える電子ビーム、イオンビームを用いる
ことなく実現することが可能な量子細線の形成方法を提
供することを目的とする。 「課題を解決するための手段」 第１の発明は、化合物半導体基板上に組成の異なる２種
類の薄膜層を交互に成長させ、前記成長した薄膜層の断
面が露出するように垂直エッチングを行った後、選択エ
ツチングにより１種類の薄膜の一部を除去し、前記該除
去された領域に井戸層と障壁層を交互に成長させて量子
細線を形成することを特徴としている。 また、第２の発明は、半導体基板上に多重量子井戸構造
を形成し、多重量子井戸構造の断面が露出するように垂
直エツチングを行った後、選択エツチングにより該多重
量子井戸構造の井戸層あるいは障壁層のいずれか一方を
除去し、該除去された領域に井戸層と障壁層を交互に成
長させて量子細線を形成することを特徴としている。 「作用」 上記第１および第２の発明によれば、上記選択エツチン
グによって得られた除去領域に井戸層および障壁層を交
互に形成するので、結晶に大きなダメージを与えること
なく、良好な形状精度で量子細線を形成することができ
る。 「実施例」 以下、第１図を参照し、この発明の一実施例による多重
量子細線の形成方法を説明する。 まず、ＩｎＰによる化合物半導体基板！上に有機金属気
相成長法を用いてＩｎＰバッファ層２を１μｍ成長させ
、その上に、第１化合物半導体層４として組成波長１．
３μｍのＩｎＧａＡｓＰを２０ｎｍと第２化合物半導体
層５としてＩｎＰ層を２０ｎｍとを交互に４層ずつ成長
させる。 そして、この上にＩｎＰクラッド層３を１μｍ成長させ
る。次いで、ホトリソグラフィを施した後、ＥＧＲ−Ｒ
Ｉ ＢＥ（電子サイクロトロン共鳴による反応性イオン
ビームエツチング）により、第１化合物半導体層４と第
２化合物半導体層５とからなる層の垂直エツチングを行
う（第１図（ａ）参照）。この結果、第■化合物半導体
４および第２化合物半導体５によるストライブパターン
を有する断面ＳＴが露出する。さらに、ダメージ層を取
り除くために０．３％の臭素を含むメチルアルコール溶
液で１秒間の処理を行う。 次に上記加工を終えた基板を硫酸過酸化水溶液（Ｈａｓ
Ｏ４： ＨｔＯｔ： ＨｔＯ＝ ３ ： ｌ：
Ｉ ）中に２秒間浸漬させ、第１化合物半導体層４のみ
を深さ８０ｎｍにわたりエツチングする （第１図（ｂ
）参照１゜そして、有機金属気相成長法を用い、障壁層
となる第３化合物半導体層７としてＩｎＰ層を２０ｎｍ
、井戸層となる第４化合物半導体層６としてＩｎＧａＡ
ｓを２０ ｎｍ、各々、交互に成長させて多重量子細線
を形成する〔第１図（Ｃ）参照）。 上記工程において化合物半導体層を成長させるのに用い
た有機金属気相成長法は、リソグラフを用いたパターン
幅制御やイオンビームを用いた溝形成制御よりも極めて
高い精度で膜厚を制御することが可能であり、量子細線
形成プロセスのような超精密加工に適している。また、
選択化学エツチングは、電子ビームやイオンビームと比
較して結晶に与えるダメージがきわめて小さく、光デバ
イスのような結晶のダメージを嫌うデバイスに対して有
−用である。 このようにして作製した量子細線構造を透過電子顕微鏡
で評価したところ、量子細線の細線幅は約２０ ｎｍ、
厚さは約２０ｎｍであり、ばらつきのほとんどない良好
な形状特性を示した。また、得られた結晶についてその
カソードルミネッセンスを測定したところ井戸層からの
発光が認められ、結晶に与えるダメージが少ないことが
分かった。 上記実施例では組成の異なる２つの薄膜層としてＩｎＰ
とＩｎＧａＡｓＰを用いたが、組成の異なる化合物半導
体で、選択化学エツチングが可能なものを用Ｌ）ること
により、同様な方法で量子細線構造を作製することがで
きる。例えば、以下に示すような作製方法が考えられる
。 ａ、 第１化合物半導体層４・・・・・・ＩｎＰ第２化
合物半導体層５・・・・・ＩｎＧａＡｓ第３化合物半導
体層７（障壁層） −−Ｉ ｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ 第４化合物半導体層６（井戸層） −−１ｎＧ ａＡ ｓまたはＴｎＧａＡｓＰこの場合、
第２化合物半導体層５を硫酸系エツチング液により選択
エツチングし、除去された領域に第３化合物半導体層７
および第４化合物半導体層６を交互に成長させる。 ｂ、第１化合物半導体層４・・・・・・ＩｎＰ第２化合
物半導体層５・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ第３化合物半
導体層７（障壁層） −−Ｉ ｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ 第４化合物半導体層６（井戸層） −−−−・・Ｉ ｎＧ ａＡ ｓまたはＩｎＧａＡｓＰ
この場合、第１化合物半導体層４を塩酸系エツチング液
により選択エツチングし、除去された領域に第３化合物
半導体層７および第４化合物半導体層６を交互に成長さ
せる。 また、上記実施例では、化合物半導体基板１にバッファ
層２を形成後、第１化合物半導体層４および第２化合物
半導体層５を交互に成長させる方法について説明したが
、半導体基板に量子井戸構造を形成し、その後、上記実
施例における垂直エツチング以降の工程を行うことによ
っても、上記実施例と同様、良好な多重量子細線を得る
ことができる。 なお、上記実施例では結晶成長方法として有機金属気相
成長法を用いたが、例えば分子線エピタキシー法等、結
晶成長速度が正確に制御できる他の成長方性を用いて同
様の量子細線を形成することかできる。 「発明の効果ヨ 以上説明したように、この発明によれば、パターン精度
を低下させるマスク材を用いることなく、また、結晶に
ダメージを与える集束イオンビームや電子ビームを用い
ることなく、作製精度のきわめて高い量子細線を形成す
ることができるという効果がある。
を用いて縦方向に自動的に量子細線を形成する方法では
、基板の方向および結晶成長の制御に対する要求が厳し
く、実現が極めて難しい。 この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、
超微細加工が困難なマスク材を必要とけず、また、基板
にダメージを与える電子ビーム、イオンビームを用いる
ことなく実現することが可能な量子細線の形成方法を提
供することを目的とする。 「課題を解決するための手段」 第１の発明は、化合物半導体基板上に組成の異なる２種
類の薄膜層を交互に成長させ、前記成長した薄膜層の断
面が露出するように垂直エッチングを行った後、選択エ
ツチングにより１種類の薄膜の一部を除去し、前記該除
去された領域に井戸層と障壁層を交互に成長させて量子
細線を形成することを特徴としている。 また、第２の発明は、半導体基板上に多重量子井戸構造
を形成し、多重量子井戸構造の断面が露出するように垂
直エツチングを行った後、選択エツチングにより該多重
量子井戸構造の井戸層あるいは障壁層のいずれか一方を
除去し、該除去された領域に井戸層と障壁層を交互に成
長させて量子細線を形成することを特徴としている。 「作用」 上記第１および第２の発明によれば、上記選択エツチン
グによって得られた除去領域に井戸層および障壁層を交
互に形成するので、結晶に大きなダメージを与えること
なく、良好な形状精度で量子細線を形成することができ
る。 「実施例」 以下、第１図を参照し、この発明の一実施例による多重
量子細線の形成方法を説明する。 まず、ＩｎＰによる化合物半導体基板！上に有機金属気
相成長法を用いてＩｎＰバッファ層２を１μｍ成長させ
、その上に、第１化合物半導体層４として組成波長１．
３μｍのＩｎＧａＡｓＰを２０ｎｍと第２化合物半導体
層５としてＩｎＰ層を２０ｎｍとを交互に４層ずつ成長
させる。 そして、この上にＩｎＰクラッド層３を１μｍ成長させ
る。次いで、ホトリソグラフィを施した後、ＥＧＲ−Ｒ
Ｉ ＢＥ（電子サイクロトロン共鳴による反応性イオン
ビームエツチング）により、第１化合物半導体層４と第
２化合物半導体層５とからなる層の垂直エツチングを行
う（第１図（ａ）参照）。この結果、第■化合物半導体
４および第２化合物半導体５によるストライブパターン
を有する断面ＳＴが露出する。さらに、ダメージ層を取
り除くために０．３％の臭素を含むメチルアルコール溶
液で１秒間の処理を行う。 次に上記加工を終えた基板を硫酸過酸化水溶液（Ｈａｓ
Ｏ４： ＨｔＯｔ： ＨｔＯ＝ ３ ： ｌ：
Ｉ ）中に２秒間浸漬させ、第１化合物半導体層４のみ
を深さ８０ｎｍにわたりエツチングする （第１図（ｂ
）参照１゜そして、有機金属気相成長法を用い、障壁層
となる第３化合物半導体層７としてＩｎＰ層を２０ｎｍ
、井戸層となる第４化合物半導体層６としてＩｎＧａＡ
ｓを２０ ｎｍ、各々、交互に成長させて多重量子細線
を形成する〔第１図（Ｃ）参照）。 上記工程において化合物半導体層を成長させるのに用い
た有機金属気相成長法は、リソグラフを用いたパターン
幅制御やイオンビームを用いた溝形成制御よりも極めて
高い精度で膜厚を制御することが可能であり、量子細線
形成プロセスのような超精密加工に適している。また、
選択化学エツチングは、電子ビームやイオンビームと比
較して結晶に与えるダメージがきわめて小さく、光デバ
イスのような結晶のダメージを嫌うデバイスに対して有
−用である。 このようにして作製した量子細線構造を透過電子顕微鏡
で評価したところ、量子細線の細線幅は約２０ ｎｍ、
厚さは約２０ｎｍであり、ばらつきのほとんどない良好
な形状特性を示した。また、得られた結晶についてその
カソードルミネッセンスを測定したところ井戸層からの
発光が認められ、結晶に与えるダメージが少ないことが
分かった。 上記実施例では組成の異なる２つの薄膜層としてＩｎＰ
とＩｎＧａＡｓＰを用いたが、組成の異なる化合物半導
体で、選択化学エツチングが可能なものを用Ｌ）ること
により、同様な方法で量子細線構造を作製することがで
きる。例えば、以下に示すような作製方法が考えられる
。 ａ、 第１化合物半導体層４・・・・・・ＩｎＰ第２化
合物半導体層５・・・・・ＩｎＧａＡｓ第３化合物半導
体層７（障壁層） −−Ｉ ｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ 第４化合物半導体層６（井戸層） −−１ｎＧ ａＡ ｓまたはＴｎＧａＡｓＰこの場合、
第２化合物半導体層５を硫酸系エツチング液により選択
エツチングし、除去された領域に第３化合物半導体層７
および第４化合物半導体層６を交互に成長させる。 ｂ、第１化合物半導体層４・・・・・・ＩｎＰ第２化合
物半導体層５・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ第３化合物半
導体層７（障壁層） −−Ｉ ｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ 第４化合物半導体層６（井戸層） −−−−・・Ｉ ｎＧ ａＡ ｓまたはＩｎＧａＡｓＰ
この場合、第１化合物半導体層４を塩酸系エツチング液
により選択エツチングし、除去された領域に第３化合物
半導体層７および第４化合物半導体層６を交互に成長さ
せる。 また、上記実施例では、化合物半導体基板１にバッファ
層２を形成後、第１化合物半導体層４および第２化合物
半導体層５を交互に成長させる方法について説明したが
、半導体基板に量子井戸構造を形成し、その後、上記実
施例における垂直エツチング以降の工程を行うことによ
っても、上記実施例と同様、良好な多重量子細線を得る
ことができる。 なお、上記実施例では結晶成長方法として有機金属気相
成長法を用いたが、例えば分子線エピタキシー法等、結
晶成長速度が正確に制御できる他の成長方性を用いて同
様の量子細線を形成することかできる。 「発明の効果ヨ 以上説明したように、この発明によれば、パターン精度
を低下させるマスク材を用いることなく、また、結晶に
ダメージを与える集束イオンビームや電子ビームを用い
ることなく、作製精度のきわめて高い量子細線を形成す
ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による多重量子細線の形成
方法を説明する図、 第２図〜第８図は従来の多重量子細線の形成方法を説明
する図である。 １・・・・・・化合物半導体基板、 ２・・・・・・バッファ層、 ４・・・・・・第１化合物半導体層、 ５・・・・・・第２化合物半導体層、 ６・・・・・・第４化合物半導体層（井戸層）、７・・
・・・・第３化合物半導体層（障壁層）。
方法を説明する図、 第２図〜第８図は従来の多重量子細線の形成方法を説明
する図である。 １・・・・・・化合物半導体基板、 ２・・・・・・バッファ層、 ４・・・・・・第１化合物半導体層、 ５・・・・・・第２化合物半導体層、 ６・・・・・・第４化合物半導体層（井戸層）、７・・
・・・・第３化合物半導体層（障壁層）。
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に組成の異なる２種類の薄膜
層を交互に成長させ、前記成長した薄膜層の断面が露出
するように垂直エッチングを行った後、選択エッチング
により１種類の薄膜の一部を除去し、前記該除去された
領域に井戸層と障壁層を交互に成長させて量子細線を形
成することを特徴とする多重量子細線の形成方法。 - （２）半導体基板上に多重量子井戸構造を形成し、多重
量子井戸構造の断面が露出するように垂直エッチングを
行った後、選択エッチングにより該多重量子井戸構造の
井戸層あるいは障壁層のいずれか一方を除去し、該除去
された領域に井戸層と障壁層を交互に成長させて量子細
線を形成することを特徴とする多重量子細線の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5138990A JPH03254169A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 多重量子細線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5138990A JPH03254169A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 多重量子細線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254169A true JPH03254169A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12885587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5138990A Pending JPH03254169A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 多重量子細線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537091A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Tokyo Inst Of Technol | 多次元量子井戸素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP5138990A patent/JPH03254169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537091A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Tokyo Inst Of Technol | 多次元量子井戸素子およびその製造方法 |
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