JPH05175609A - ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法

Info

Publication number
JPH05175609A
JPH05175609A JP3338804A JP33880491A JPH05175609A JP H05175609 A JPH05175609 A JP H05175609A JP 3338804 A JP3338804 A JP 3338804A JP 33880491 A JP33880491 A JP 33880491A JP H05175609 A JPH05175609 A JP H05175609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
algainp
type gaas
type
gainp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3338804A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2708992B2 (ja
Inventor
Yasuo Suga
康夫 菅
Kousei Takahashi
向星 高橋
Masahiro Hosoda
昌宏 細田
Atsuisa Tsunoda
篤勇 角田
Kentaro Tani
健太郎 谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3338804A priority Critical patent/JP2708992B2/ja
Priority to US07/993,058 priority patent/US5310697A/en
Priority to DE69213691T priority patent/DE69213691T2/de
Priority to EP92311591A priority patent/EP0549278B1/en
Publication of JPH05175609A publication Critical patent/JPH05175609A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2708992B2 publication Critical patent/JP2708992B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/017—Clean surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/974—Substrate surface preparation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング時に形成される酸化膜層を除去
し、清浄な結晶面を露出させて再成長を行い、高品質な
結晶の再成長を行って、装置の信頼性を向上する。 【構成】 AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチン
グし、表面に露出したAlGaInP層上に５００℃以下の低
温でプラズマ４０が照射され、導波路作製のためのエッ
チング表面に形成された酸化膜層が除去され、清浄な結
晶面２６が露出される。この清浄な結晶面２６に再成長
を行うことにより高品質な結晶の再成長が行われ、界面
の品質は向上し、レーザ装置の信頼性が向上される。更
に、AlGaInP系半導体多層膜をメサ状に加工する工程を
包含する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はAlGaInP系半導体発光装
置の製造方法に関し、より詳しくは高品質な結晶の再成
長を行って界面の品質を向上し、レーザ装置の信頼性を
向上することを可能にした製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型・高出力・定価格という利点
を有する半導体レーザ装置の実用化により、従来レーザ
光源の使用が困難であった一般産業機械や民生機械への
レーザの応用が進んでいる。中でも光ディスク装置や光
通信等の分野における進歩はめざましいものがある。今
後、半導体レーザ装置はさらに多くの分野に応用されて
いくものと考えられる。
【０００３】AlGaInP結晶を用いた半導体発光装置は、
従来のAlGaAs結晶を用いた半導体レーザ装置より１００
nm以上短波長側に発光波長帯を有する。例えば、半動体
レーザ装置の場合、光ディスク等の記録密度向上や、He
-Neレーザの代替となりうる特性をもつことから、実用
化に向けて研究が進められている。
【０００４】図２は、従来のAlGaInP系半導体発光装置
の製造方法を示す。実用的な半導体レーザ装置を製作す
るためには、活性層で発光した光の横方向閉じ込め構
造、すなわち光導波路の形成技術が必要である。
【０００５】この半導体レーザ装置は、図２（ａ）に示
すようにｎ型GaAs基板１上に、ｎ型GaAsバッファ層２、
ｎ型AlGaInPクラッド層３、GaInP活性層４、第２ｐ型Al
GaInPクラッド層５、GaInPエッチングストップ層６、第
１ｐ型AlGaInPクラッド層７、ｐ型GaInP中間層８、ｐ型
GaAsコンタクト層９が順に積層されている。
【０００６】これらの各層は、分子線結晶成長法で順次
成長させて形成される。続いて、図２（ｂ）に示すよう
に表面側のｐ型GaAsコンタクト層９の上に、ＳｉＯ2膜
１０をスパッタリングによって形成し、フォトレジスト
によってストライプ状にＳｉＯ2膜１０をパターニング
する。
【０００７】次に、図２（ｃ）に示すように上記をマス
クとしてストライプ状に表面側の３層である第１ｐ型Al
GaInPクラッド層７、ｐ型GaInP中間層８、ｐ型GaAsコン
タクト層９をエッチングし、GaInPエッチングストップ
層６の表面を露出させる。続いて、図２（ｄ）に示すよ
うにｎ型GaAs電流狭窄層１１を分子線結晶成長法で成長
させる。
【０００８】最後に、図２（ｅ）に示すようにメサ上部
のｎ型GaAs電流狭窄層１１をＳｉＯ2膜１０とともに除
去し、表面側及び裏面側に電極を形成して、AlGaInP系
屈折率導波型レーザ装置が作製される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
AlGaInP系半導体発光装置の製造方法では、大気中での
エッチングにおいて露出した結晶面上に酸化膜が形成さ
れ、その上に良好な結晶を再成長させる。このために
は、結晶成長装置内でウエハを高温に曝して酸化膜を除
去する必要がある。
【００１０】しかし、表面に露出しているAlGaInP結晶
は、５００℃程度の比較的低温でＰあるいはＩｎが結晶
面から抜け出す。そして、再成長したGaAs層との境界面
で格子不整合を起こすなど再成長界面の品質は劣化し、
半導体レーザ素子の信頼性の低下を招くという問題があ
る。
【００１１】本発明は、このような従来技術の欠点を解
決するためになされたものであり、その目的は、再成長
前に真空中でのプラズマクリーニングを５００℃以下の
低温で行い、エッチング時に形成される酸化膜層を除去
し、清浄な結晶面を露出させて再成長を行うことによ
り、高品質な結晶の再成長を行い、AlGaInP系屈折率導
波型レーザ装置の信頼性を向上させることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明AlGaInP系半導体
発光装置の製造方法は、AlGaInP系半導体多層膜を大気
中でエッチングするエッチング工程と、表面に露出した
AlGaInP層上に５００℃以下の低温でプラズマを照射し
酸化膜を除去して再び結晶層を成長させる再結晶工程
と、を包含するものであり、そのことにより上記目的が
達成される。
【００１３】好ましくは、前記再結晶工程は、AlGaInP
系半導体多層膜をメサ状に加工するメサ加工工程をさら
に包含する。
【００１４】
【作用】本発明のAlGaInP系半導体発光装置の製造方法
では、AlGaInP系半導体多層膜が大気中でエッチングさ
れ、表面に露出したAlGaInP層上に５００℃以下の低温
でプラズマが照射される。それゆえ、エッチング時に形
成される酸化膜層が除去され、清浄な結晶面が露出され
る。この清浄な結晶面に結晶の再成長を行うことによ
り、高品質な結晶の再成長が行われる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１（ａ）〜（ｅ）は、本発明AlGaInP系半導体発光装置
の製造方法の一実施例を示す。
【００１６】このAlGaInP系半導体発光装置の製造方法
は、まず図１（ａ）に示すように、ｎ型GaAs基板２１上
にｎ型GaAsバッファ層２２、ｎ型AlGaInPクラッド層２
３（厚さ１．０μm）、GaInP活性層２４（厚さ８０n
m）、第２ｐ型AlGaInPクラッド層２５（厚さ０．２μ
m）、GaInPエッチングストップ層２６（厚さ８nm）、第
１ｐ型AlGaInPクラッド層２７（厚さ０．５μm）、ｐ型
GaInP中間層２８（厚さ５０nm）、ｐ型GaAsコンタクト
層２９、が順に積層される。これらの各層は、分子線結
晶成長法によって順次成長させて形成される。
【００１７】次いで、図１（ｂ）に示すように、表面側
のｐ型GaAsコンタクト層２９の上に、ＳｉＯ2膜３０を
スパッタリングによって形成し、フォトレジストによっ
てストライプ状にＳｉＯ2膜３０をパターニングする。
そして、上記をマスクとしてストライプ状に表面側の３
層である第１ｐ型AlGaInPクラッド層２７、ｐ型GaInP中
間層２８、ｐ型GaAsコンタクト層２９をＳＢＷ系及び熱
硫酸エッチング液でエッチングし、GaInPエッチングス
トップ層２６の表面を露出させる。
【００１８】続いて、図１（ｃ）に示すように、真空装
置内でウエハを４５０℃に加熱した状態で、水素プラズ
マ４０をウエハ表面に照射する。この際、Ｐが結晶内か
ら抜け出るのを防止する目的でＡｓ分子線も同時に照射
し、装置の室内は約５×１０-7Ｔorr程度のＡｓ雰囲気
とする。ウエハ表面のクリーニング状態は、常時高エネ
ルギー反射電子線回析像によって観察する。約１時間で
回析像は完全なストリーク状態になり、酸化膜が除去さ
れて清浄なGaInPエッチングストップ層２６の表面が露
出されたことを確認する。
【００１９】そして、図１（ｄ）に示すように、ｎ型Ga
As電流狭窄層３１を分子線結晶成長法で成長させる。最
後に、図１（ｅ）に示すようにメサ上部のｎ型GaAs電流
狭窄層３１をＳｉＯ2膜３０とともに除去し、表面側にA
u-Zn電極、裏面側にAu-Ge-Ni電極を形成して、AlGaInP
系屈折率導波型半導体レーザ装置が作製される。
【００２０】本発明の製造方法により実際に作製された
試料を電子顕微鏡で観察した結果、再成長層及び再成長
界面は極めて良好であることを確認した。また、作製さ
れたレーザ装置では、通常の高温で加熱した後に、再成
長を行ったレーザ装置と比べ、素子の信頼性に大きな改
善が見られた。
【００２１】上記実施例では、レーザの発光領域をGaIn
Pとして説明したが、上記以外のAlGaInP系結晶を用いた
種々の構造の発光領域に対して本発明が適用できること
はもちろんである。また、発光領域として、量子井戸構
造や分離閉じ込めヘテロ構造を用いた場合も同様であ
る。
【００２２】さらに、上記実施例では、エッチング後表
面に露出する場合について説明したが、AlGaInP層がエ
ッチング後表面に露出する場合においても、本発明と同
様の効果を期待できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明AlGaInP系半導体発光装置の製造
方法によれば、AlGaInP系半導体多層膜は大気中でエッ
チングされ、表面に露出したAlGaInP層上に５００℃以
下の低温でプラズマが照射される。このため、導波路作
製のためのエッチング表面に形成された酸化膜層が除去
され、清浄な結晶面が露出される。この清浄な結晶面に
再成長を行うことにより高品質な結晶の再成長が行わ
れ、界面の品質は向上し、レーザ装置の信頼性が向上す
る。
【００２４】また、請求項２に記載のように、AlGaInP
系半導体多層膜をメサ状に加工する工程を追加したもの
では、再成長界面の品質を向上し、信頼性のある屈折率
導波構造を含有する半導体発光装置を作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明AlGaInP系半導体発光装置の製造方法の
一例を示す断面図。
【図２】従来のAlGaInP系半導体発光装置の製造方法の
一例を示す断面図。
【符号の説明】
２１ ｎ型GaAs基板 ２２ ｎ型GaAsバッファ層 ２３ ｎ型AlGaInPクラッド層 ２４ GaInP活性層 ２５ 第２ｐ型AlGaInPクラッド層 ２６ GaInPエッチングストップ層 ２７ 第１ｐ型AlGaInPクラッド層 ２８ ｐ型GaInP中間層 ２９ ｐ型GaAsコンタクト層 ３０ ＳｉＯ2膜 ３１ ｎ型GaAs電流狭さく層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角田 篤勇 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 谷 健太郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッ
    チングするエッチング工程と、 表面に露出したAlGaInP層上に５００℃以下の低温でプ
    ラズマを照射し酸化膜を除去して再び結晶層を成長させ
    る再結晶工程と、 を包含するAlGaInP系半導体発光装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記再結晶工程は、AlGaInP系半導体多
    層膜をメサ状に加工するメサ加工工程をさらに包含する
    請求項１に記載のAlGaInP系半導体発光装置の製造方
    法。
JP3338804A 1991-12-20 1991-12-20 ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2708992B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3338804A JP2708992B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法
US07/993,058 US5310697A (en) 1991-12-20 1992-12-18 Method for fabricating an AlGaInP semiconductor light emitting device including the step of removing an oxide film by irradiation with plasma beams and an As or P molecular beam
DE69213691T DE69213691T2 (de) 1991-12-20 1992-12-18 Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung, die AlGaInP enthält
EP92311591A EP0549278B1 (en) 1991-12-20 1992-12-18 A method for fabricating an AlGaInP semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3338804A JP2708992B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05175609A true JPH05175609A (ja) 1993-07-13
JP2708992B2 JP2708992B2 (ja) 1998-02-04

Family

ID=18321631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3338804A Expired - Fee Related JP2708992B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5310697A (ja)
EP (1) EP0549278B1 (ja)
JP (1) JP2708992B2 (ja)
DE (1) DE69213691T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042023B2 (en) 2002-07-23 2006-05-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510277A (en) * 1994-06-29 1996-04-23 At&T Corp. Surface treatment for silicon substrates
KR100303279B1 (ko) * 1994-08-27 2001-12-01 윤종용 반도체레이저다이오드와그제조방법
US5821548A (en) * 1996-12-20 1998-10-13 Technical Visions, Inc. Beam source for production of radicals and metastables
US6316793B1 (en) * 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
JP4040192B2 (ja) * 1998-11-26 2008-01-30 ソニー株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2001094212A (ja) 1999-09-24 2001-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP3982985B2 (ja) * 1999-10-28 2007-09-26 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US20030104171A1 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 Maclachlan Julia Method of using short wavelength UV light to selectively remove a coating from a substrate and article produced thereby
US7112830B2 (en) 2002-11-25 2006-09-26 Apa Enterprises, Inc. Super lattice modification of overlying transistor
US11677042B2 (en) 2019-03-29 2023-06-13 Meta Platforms Technologies, Llc Regrowth of epitaxial layer for surface recombination velocity reduction in light emitting diodes
US11424289B2 (en) 2019-11-14 2022-08-23 Meta Platforms Technologies, Llc In situ selective etching and selective regrowth of epitaxial layer for surface recombination velocity reduction in light emitting diodes
WO2023152023A1 (en) * 2022-02-10 2023-08-17 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3969164A (en) * 1974-09-16 1976-07-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Native oxide technique for preparing clean substrate surfaces
JPS56156760A (en) * 1980-05-06 1981-12-03 Shunpei Yamazaki Method and apparatus for forming coat
US4361461A (en) * 1981-03-13 1982-11-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Hydrogen etching of semiconductors and oxides
US4371968A (en) * 1981-07-01 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic injection laser arrays formed by crystal regrowth techniques
JPS59123226A (ja) * 1982-12-28 1984-07-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
US4833100A (en) * 1985-12-12 1989-05-23 Kozo Iizuka, Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method for producing a silicon thin film by MBE using silicon beam precleaning
DE69120865T2 (de) * 1990-05-09 1997-01-23 Sharp Kk Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP2616139B2 (ja) * 1990-05-22 1997-06-04 日本電気株式会社 半導体結晶表面クリーニング方法
US5212701A (en) * 1992-03-25 1993-05-18 At&T Bell Laboratories Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042023B2 (en) 2002-07-23 2006-05-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE69213691D1 (de) 1996-10-17
JP2708992B2 (ja) 1998-02-04
EP0549278B1 (en) 1996-09-11
DE69213691T2 (de) 1997-02-20
US5310697A (en) 1994-05-10
EP0549278A1 (en) 1993-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5757835A (en) Semiconductor laser device
JP2708992B2 (ja) ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法
US5737351A (en) Semiconductor laser including ridge structure extending between window regions
JP2914430B2 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JPS62200786A (ja) 半導体レ−ザ装置及びその製造方法
JP2944312B2 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP2000216495A (ja) 半導体光素子の製造方法
JP3472739B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
JP2916037B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2949927B2 (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JPH10209562A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP2001223438A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JPH0629618A (ja) マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法
JP2003309328A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
KR100261243B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
JPH11126945A (ja) 歪み半導体結晶の製造方法、これを用いた半導体レーザの製造方法
JPH11195837A (ja) 半導体レーザの製造方法
JPH057050A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP3307600B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JPH0828326B2 (ja) 化合物半導体層の製造方法
JPH0537070A (ja) 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
JPH06132611A (ja) 半導体装置の製造方法と半導体レーザ装置
JPH0521907A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JPH06151881A (ja) 量子効果デバイスの製造方法
JPH10308550A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19971002

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees