JP2752423B2 - 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 93
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、III−Ｖ族化合物半導体への拡散、特に
可視光半導体レーザ材料となるAlGaInPへのZnの拡散方
法に関するものである。
可視光半導体レーザ材料となるAlGaInPへのZnの拡散方
法に関するものである。
AlGaInPを用いて作製した半導体レーザは、その発振
波長がIII−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの
なかでは最も短く、その動作波長は0.63μｍでヘリウム
・ネオンレーザの代わりに用いることができるものとし
て注目されている。半導体レーザの作製においては、Zn
等を半導体層中に拡散して、該Znが拡散された領域の屈
折率や導電型を変える等の製造テクニックがある。
波長がIII−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの
なかでは最も短く、その動作波長は0.63μｍでヘリウム
・ネオンレーザの代わりに用いることができるものとし
て注目されている。半導体レーザの作製においては、Zn
等を半導体層中に拡散して、該Znが拡散された領域の屈
折率や導電型を変える等の製造テクニックがある。
第４図は従来の拡散方法によるAlGaInPへのZnの拡散
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
図において、１はGaAs基板、２はAl0.25Ga0.25In0.5
Ｐ層、４はSi3N4拡散マスク、５はZnOとSiO2の混合膜で
ありZnOとSiO2の比率は重量比で9:1、膜厚は1500Åであ
る。６はSiO2の保護膜であり膜厚は1000Åである。７は
Zn拡散部である。なおAl0.25Ga0.25In0.5Ｐ層２は有機
金属気相成長法（MOCVD法）または分子線エピタキシー
法（MBE法）等で形成され、Si3N4拡散マスク４はCVD法
で形成され、ZnO:SiO2混合膜５およびSiO2保護膜６はス
パッタ法で形成される。
Ｐ層、４はSi3N4拡散マスク、５はZnOとSiO2の混合膜で
ありZnOとSiO2の比率は重量比で9:1、膜厚は1500Åであ
る。６はSiO2の保護膜であり膜厚は1000Åである。７は
Zn拡散部である。なおAl0.25Ga0.25In0.5Ｐ層２は有機
金属気相成長法（MOCVD法）または分子線エピタキシー
法（MBE法）等で形成され、Si3N4拡散マスク４はCVD法
で形成され、ZnO:SiO2混合膜５およびSiO2保護膜６はス
パッタ法で形成される。
次に従来の拡散の方法について説明する。
前述のごとくAl0.25Ga0.25In0.5Ｐ層２上にSi3N4拡散
マスク4,ZnO:SiO2混合膜5,SiO2保護膜６を形成した試料
を拡散炉内に入れ、窒素または水素雰囲気中で570℃で
１時間アニールすると、ZnO:SiO2混合膜５中のZnがAl
0.25Ga0.25In0.5Ｐ層２中へ約1.3μｍ拡散する。拡散深
さを精密に制御するためには温度と時間を精密に制御す
る必要がある。また拡散部の濃度を精密に制御するため
にも温度と時間を精密に制御する必要がある。
マスク4,ZnO:SiO2混合膜5,SiO2保護膜６を形成した試料
を拡散炉内に入れ、窒素または水素雰囲気中で570℃で
１時間アニールすると、ZnO:SiO2混合膜５中のZnがAl
0.25Ga0.25In0.5Ｐ層２中へ約1.3μｍ拡散する。拡散深
さを精密に制御するためには温度と時間を精密に制御す
る必要がある。また拡散部の濃度を精密に制御するため
にも温度と時間を精密に制御する必要がある。
従来の拡散方法は以上のように行なわれ、上記のよう
に時間と温度を精密に制御しなければ拡散深さおよび濃
度を精密に制御することができないという問題点があっ
た。実際に拡散を行なう場合には、ウエハ面内のAlGaIn
P層の厚みの分布，組成分布,AlGaInP層厚のウエハ間の
バラツキを考慮せねばならず、ウエハ全体にわたって常
に設定深さの位置に拡散フロントを形成することは困難
であった。また、温度を低めに設定して拡散速度を落と
すと、拡散時間の制御は行ない易くなるが、拡散部のZn
濃度が低くなり、デバイスの特性に悪影響を及ぼすとい
う問題点があった。
に時間と温度を精密に制御しなければ拡散深さおよび濃
度を精密に制御することができないという問題点があっ
た。実際に拡散を行なう場合には、ウエハ面内のAlGaIn
P層の厚みの分布，組成分布,AlGaInP層厚のウエハ間の
バラツキを考慮せねばならず、ウエハ全体にわたって常
に設定深さの位置に拡散フロントを形成することは困難
であった。また、温度を低めに設定して拡散速度を落と
すと、拡散時間の制御は行ない易くなるが、拡散部のZn
濃度が低くなり、デバイスの特性に悪影響を及ぼすとい
う問題点があった。
さらに拡散マスクとしてSi3N4等が一般に用いられる
が、このSi3N4はスパッタで形成され、デバイスを構成
する半導体層の結晶成長とは異なる装置で形成しなけれ
ばならないため工程が煩雑になるという問題点があっ
た。
が、このSi3N4はスパッタで形成され、デバイスを構成
する半導体層の結晶成長とは異なる装置で形成しなけれ
ばならないため工程が煩雑になるという問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、AlGaInPにZnを拡散する際、その拡散深
さをウエハ全体にわたって精密に制御できる、またデバ
イスの製造工程を簡単にできる化合物半導体へのZn拡散
方法を得ることを目的とする。
されたもので、AlGaInPにZnを拡散する際、その拡散深
さをウエハ全体にわたって精密に制御できる、またデバ
イスの製造工程を簡単にできる化合物半導体へのZn拡散
方法を得ることを目的とする。
この発明に係る化合物半導体へのZn拡散方法は、AlGa
InPにZnを拡散する際、AlGaInP層中の拡散の設定深さ位
置に、AlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散ストッパ層と
して形成しておいてZnの拡散を行なう、あるいはAlXGa
1-XAs（０ｘ１）層を拡散マスクとしてZnの拡散を
行なうようにしたものである。
InPにZnを拡散する際、AlGaInP層中の拡散の設定深さ位
置に、AlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散ストッパ層と
して形成しておいてZnの拡散を行なう、あるいはAlXGa
1-XAs（０ｘ１）層を拡散マスクとしてZnの拡散を
行なうようにしたものである。
この発明においては、AlGaInPと比してZnの拡散速度
が極めて遅いAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散ストッ
パ層あるいは拡散マスクとして用いてZn拡散を行なうよ
うにしたから、ウエハ全体にわたってZnの拡散深さを一
定に制御でき、また素子を形成する各層と同一の成長装
置で連続的に成長した上記AlXGa1-XAs（０ｘ１）層
による拡散マスクを用いてZnの拡散ができる。
が極めて遅いAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散ストッ
パ層あるいは拡散マスクとして用いてZn拡散を行なうよ
うにしたから、ウエハ全体にわたってZnの拡散深さを一
定に制御でき、また素子を形成する各層と同一の成長装
置で連続的に成長した上記AlXGa1-XAs（０ｘ１）層
による拡散マスクを用いてZnの拡散ができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による化合物半導体へ
のZn拡散方法を示す図であり、図において、第４図と同
一符号は同一又は相当部分であり、３はAlGaAs拡散スト
ッパ層である。
のZn拡散方法を示す図であり、図において、第４図と同
一符号は同一又は相当部分であり、３はAlGaAs拡散スト
ッパ層である。
第５図はAlGaInP中およびGaAs中でのZnの拡散速度を
示す図である。
示す図である。
従来例と同様の方法でAl0.25Ga0.25In0.5Ｐ中へZnを
拡散すると、570℃,1時間で約1.3μｍ拡散する。一方、
同一の条件でGaAs中へZnを拡散させると約0.4μｍしか
拡散しない。また、630℃,1時間の拡散でAl0.25Ga0.25I
n0.5Ｐ中へは約９μｍ拡散するが、GaAs中へは約１μｍ
しか拡散しない。
拡散すると、570℃,1時間で約1.3μｍ拡散する。一方、
同一の条件でGaAs中へZnを拡散させると約0.4μｍしか
拡散しない。また、630℃,1時間の拡散でAl0.25Ga0.25I
n0.5Ｐ中へは約９μｍ拡散するが、GaAs中へは約１μｍ
しか拡散しない。
拡散深さを1.3μｍに設定した場合について説明す
る。
る。
この時、第１図において拡散ストッパ層３は、Al0.25
Ga0.25In0.5Ｐ層２の表面から深さ1.3μｍの位置に形成
しておく。拡散ストッパ層の膜厚は0.1μｍ程度であ
る。570℃で１時間拡散させると約1.3μｍ拡散するが、
温度の微妙な変化,AlGaInP層厚の変化，組成の変化等の
要因によって拡散深さはバラつき、その拡散フロントは
拡散ストッパ層２に達している部分もあり、達していな
い部分もある。そこで、拡散時間をやや長め、たとえば
70〜80分にすると、ウエハ全面にわたって、あるいは各
ウエハすべてにわたって拡散フロントは拡散ストッパ層
２に達する。一方、拡散ストッパ層２中でのZnの拡散速
度は遅いので、実質的に拡散深さは拡散ストッパ層２の
位置となり、ウエハ全面にわたって再現性良く拡散深さ
を制御できる。
Ga0.25In0.5Ｐ層２の表面から深さ1.3μｍの位置に形成
しておく。拡散ストッパ層の膜厚は0.1μｍ程度であ
る。570℃で１時間拡散させると約1.3μｍ拡散するが、
温度の微妙な変化,AlGaInP層厚の変化，組成の変化等の
要因によって拡散深さはバラつき、その拡散フロントは
拡散ストッパ層２に達している部分もあり、達していな
い部分もある。そこで、拡散時間をやや長め、たとえば
70〜80分にすると、ウエハ全面にわたって、あるいは各
ウエハすべてにわたって拡散フロントは拡散ストッパ層
２に達する。一方、拡散ストッパ層２中でのZnの拡散速
度は遅いので、実質的に拡散深さは拡散ストッパ層２の
位置となり、ウエハ全面にわたって再現性良く拡散深さ
を制御できる。
このように本実施例ではZnの拡散速度がAlGaInPより
も極めて遅いAlGaAs層を拡散深さ設定位置に設けた状態
でAlGaInP中にZnを拡散させるようにしたから、拡散時
間をやや長めにすることでウエハ全面にわたってZn拡散
フロントを再現性良く制御できる。
も極めて遅いAlGaAs層を拡散深さ設定位置に設けた状態
でAlGaInP中にZnを拡散させるようにしたから、拡散時
間をやや長めにすることでウエハ全面にわたってZn拡散
フロントを再現性良く制御できる。
次にAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散マスクとして
用いた本発明の第２の実施例について説明する。
用いた本発明の第２の実施例について説明する。
第２図はレーザダイオードの作製に応用した本発明の
第２の実施例を示す図であり、図において、21はｎ−Ga
As基板、13はGaAs拡散マスク層、５はZnO:SiO2混合膜、
６はSiO2、７はZn拡散部、８はｎ−Al0.25Ga0.25In0.5
Ｐクラッド層、９はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ活性層、10はｎ−
Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、11はｐ−Al0.25Ga
0.25In0.5Ｐ電流ブロック層、12はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキ
ャップ層である。
第２の実施例を示す図であり、図において、21はｎ−Ga
As基板、13はGaAs拡散マスク層、５はZnO:SiO2混合膜、
６はSiO2、７はZn拡散部、８はｎ−Al0.25Ga0.25In0.5
Ｐクラッド層、９はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ活性層、10はｎ−
Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、11はｐ−Al0.25Ga
0.25In0.5Ｐ電流ブロック層、12はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキ
ャップ層である。
次に製造工程について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すようにGaAs基板21上にクラ
ッド層8,活性層9,クラッド層10,電流ブロック層11,キャ
ップ層12,およびGaAs拡散マスク層13を順次結晶成長さ
せる。次に、GaAs拡散マスク層13の一部をエッチングに
よって第２図（ｂ）に示すように除去する。次に第２図
（ｃ）に示すようにZnO:SiO2混合膜５およびSiO2膜６を
スパッタによって形成する。そしてウエハを拡散炉の中
に入れてZnO:SiO2混合膜５よりZnを、第３図（ｄ）に示
すようにその拡散フロントが活性層９に達するまでウエ
ハ中に拡散させる。このレーザダイオードでは活性層９
中のZn拡散部と拡散されていない部分とで屈折率差がつ
き、レーザの横モードが制御される。
ッド層8,活性層9,クラッド層10,電流ブロック層11,キャ
ップ層12,およびGaAs拡散マスク層13を順次結晶成長さ
せる。次に、GaAs拡散マスク層13の一部をエッチングに
よって第２図（ｂ）に示すように除去する。次に第２図
（ｃ）に示すようにZnO:SiO2混合膜５およびSiO2膜６を
スパッタによって形成する。そしてウエハを拡散炉の中
に入れてZnO:SiO2混合膜５よりZnを、第３図（ｄ）に示
すようにその拡散フロントが活性層９に達するまでウエ
ハ中に拡散させる。このレーザダイオードでは活性層９
中のZn拡散部と拡散されていない部分とで屈折率差がつ
き、レーザの横モードが制御される。
従来、拡散マスクとしては前述もしたようにSi3N4膜
等が用いられており、GaAs基板21上にクラッド層8,活性
層9,クラッド層10,電流ブロック層11,およびキャップ層
12を結晶成長させた後にウエハを別の装置に移してマス
クとなるSi3N4膜を形成していた。これに対し本実施例
では拡散マスクとしてZnの拡散速度がAlGaInPより極め
て遅いGaAs層を拡散マスクとして用いるようにしたか
ら、クラッド層８からキャップ層12までを結晶成長した
後、同一の装置内で連続的にGaAsマスク層を結晶成長す
ることができ、これにより製造工程を減らすことができ
る。
等が用いられており、GaAs基板21上にクラッド層8,活性
層9,クラッド層10,電流ブロック層11,およびキャップ層
12を結晶成長させた後にウエハを別の装置に移してマス
クとなるSi3N4膜を形成していた。これに対し本実施例
では拡散マスクとしてZnの拡散速度がAlGaInPより極め
て遅いGaAs層を拡散マスクとして用いるようにしたか
ら、クラッド層８からキャップ層12までを結晶成長した
後、同一の装置内で連続的にGaAsマスク層を結晶成長す
ることができ、これにより製造工程を減らすことができ
る。
次にAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を拡散ストッパ及び
拡散マスクの両方に用いた本発明の第３の実施例につい
て説明する。
拡散マスクの両方に用いた本発明の第３の実施例につい
て説明する。
第３図は横モード制御と電流狭窄を行なうレーザダイ
オードの作製に応用した本発明の第３の実施例を示す図
であり、図において、31はｐ−GaAs基板、38はｐ−Al
0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、39はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ
活性層、40a,40bはｎ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド
層、42はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層、41はGaInP/AlGa
InP超格子より構成される光ガイド層である。また23aは
ｎ−AlGaAs拡散ストッパ層、23bはGaAs拡散マスク層で
ある。その他第１図と同一符号は同一又は相当部分であ
る。
オードの作製に応用した本発明の第３の実施例を示す図
であり、図において、31はｐ−GaAs基板、38はｐ−Al
0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、39はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ
活性層、40a,40bはｎ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド
層、42はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層、41はGaInP/AlGa
InP超格子より構成される光ガイド層である。また23aは
ｎ−AlGaAs拡散ストッパ層、23bはGaAs拡散マスク層で
ある。その他第１図と同一符号は同一又は相当部分であ
る。
ｎ−AlGaInPクラッド層40aの厚みは0.25μｍ程度であ
る。
る。
本実施例においては、第３図（ａ）に示すようにｐ−
GaAs基板上にｐ−AlGaInPクラッド層38からGaAs拡散マ
スク層23bまでを連続的に成長した後、GaAs拡散マスク
層23bを第３図（ｂ）に示すようにストライプ状に残す
ようにその一部をエッチング除去する。次に第３図
（ｃ）に示すようにZnO:SiO2混合膜５およびSiO2膜６を
スパッタによって形成する。そしてウエハを拡散炉の中
に入れて第３図（ｄ）に示すようにZnO−SiO2混合膜５
よりZnを拡散させる。
GaAs基板上にｐ−AlGaInPクラッド層38からGaAs拡散マ
スク層23bまでを連続的に成長した後、GaAs拡散マスク
層23bを第３図（ｂ）に示すようにストライプ状に残す
ようにその一部をエッチング除去する。次に第３図
（ｃ）に示すようにZnO:SiO2混合膜５およびSiO2膜６を
スパッタによって形成する。そしてウエハを拡散炉の中
に入れて第３図（ｄ）に示すようにZnO−SiO2混合膜５
よりZnを拡散させる。
次に本実施例により作製されるレーザダイオードの動
作について説明する。
作について説明する。
光ガイド層41のZnが拡散されている部分は超格子が無
秩序化されて、屈折率がZnが拡散されていない部分より
も低くなっている。ｎ−AlGaInPクラッド層40aの層厚は
0.25μｍと薄いので、活性層39で発生した光の一部は光
ガイド層41までしみ出す。そのために横方向に実効的な
屈折率分布が生じ光導波機構が生じるので、活性層39で
発生した光は上下のクラッド層による層厚方向の閉じ込
めのみならず、横方向にも閉じ込められ、これにより横
モード制御が可能となる。また、Znを拡散した部分はｐ
型になるので、Zn拡散部7,n−AlGaInPクラッド層40aお
よびｎ−GaInP活性層39,p−AlGaInPクラッド層38からな
る領域はpnp構造となり電流は流れない。すなわち、電
流を中央部に集中させるための電流狭窄構造を構成す
る。
秩序化されて、屈折率がZnが拡散されていない部分より
も低くなっている。ｎ−AlGaInPクラッド層40aの層厚は
0.25μｍと薄いので、活性層39で発生した光の一部は光
ガイド層41までしみ出す。そのために横方向に実効的な
屈折率分布が生じ光導波機構が生じるので、活性層39で
発生した光は上下のクラッド層による層厚方向の閉じ込
めのみならず、横方向にも閉じ込められ、これにより横
モード制御が可能となる。また、Znを拡散した部分はｐ
型になるので、Zn拡散部7,n−AlGaInPクラッド層40aお
よびｎ−GaInP活性層39,p−AlGaInPクラッド層38からな
る領域はpnp構造となり電流は流れない。すなわち、電
流を中央部に集中させるための電流狭窄構造を構成す
る。
このレーザ構造を作製するうえでは、拡散ストッパ層
23aが重要な役割をはたす。すなわち、拡散が浅すぎる
と超格子よりなる光ガイド層41が無秩序化しないので横
方向の屈折率分布がつかないし、拡散が深すぎてｐ−Al
GaInPクラッド層38まで達してしまうと、電流は拡散部
からｐ−AlGaInPクラッド層38を通って流れてしまい、
レーザは発光しなくなる。従って、拡散深さの制御は重
要となり、拡散ストッパ層23aの効果は極めて大きいも
のである。
23aが重要な役割をはたす。すなわち、拡散が浅すぎる
と超格子よりなる光ガイド層41が無秩序化しないので横
方向の屈折率分布がつかないし、拡散が深すぎてｐ−Al
GaInPクラッド層38まで達してしまうと、電流は拡散部
からｐ−AlGaInPクラッド層38を通って流れてしまい、
レーザは発光しなくなる。従って、拡散深さの制御は重
要となり、拡散ストッパ層23aの効果は極めて大きいも
のである。
なお、上記実施例ではAl0.25Ga0.25In0.5ＰにZnを拡
散する場合について述べたが、他の組成のAlGaInPにZn
を拡散する場合においても同等の効果が期待できるもの
である。
散する場合について述べたが、他の組成のAlGaInPにZn
を拡散する場合においても同等の効果が期待できるもの
である。
以上のように、この発明によればAlGaInPと比してZn
の拡散速度が極めて遅いAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を
拡散ストッパ層あるいは拡散マスクとして用いてZn拡散
を行なうようにしたから、ウエハ全体にわたってZnの拡
散深さを精密に一定に制御でき、また素子を形成する各
層と同一の成長装置で連続的に成長した上記AlXGa1-XAs
（０ｘ１）層による拡散マスクを用いてZnの拡散が
でき、製造工程を簡単にできる効果がある。
の拡散速度が極めて遅いAlXGa1-XAs（０ｘ１）層を
拡散ストッパ層あるいは拡散マスクとして用いてZn拡散
を行なうようにしたから、ウエハ全体にわたってZnの拡
散深さを精密に一定に制御でき、また素子を形成する各
層と同一の成長装置で連続的に成長した上記AlXGa1-XAs
（０ｘ１）層による拡散マスクを用いてZnの拡散が
でき、製造工程を簡単にできる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による化合物半導体へ
のZn拡散方法を示す図、第２図は本発明の第２の実施例
による拡散方法をレーザダイオードの作製に利用した場
合を示す工程図、第３図は本発明の第３の実施例による
拡散方法をレーザダイオードの作製に利用した場合を示
す工程図、第４図は従来の化合物半導体へのZn拡散方法
を示す図、第５図はAlGaInP中およびGaAs中でのZnの拡
散速度を示す図である。 １はGaAs基板、２はAlGaInP層、３はAlGaAs拡散ストッ
パ層、４はSi3N4拡散マスク、５はZnO:SiO2混合膜、６
はSiO2保護膜、７はZn拡散部、８はｎ−Al0.25Ga0.25In
0.5Ｐクラッド層、９はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ活性層、10は
ｎ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、11はｐ−Al0.25G
a0.25In0.5Ｐ電流ブロック層、12はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキ
ャップ層、13はGaAs拡散マスク層、21はｎ−GaAs基板、
23aはｎ−AlGaAs拡散ストッパ層、23bはGaAs拡散マスク
層、31はｐ−GaAs基板、38はｐ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐ
クラッド層、39はGa0.5In0.5Ｐ活性層、40a,40bはｎ−A
l0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、41はGaInP/AlGaInP超
格子光ガイド層、42はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
のZn拡散方法を示す図、第２図は本発明の第２の実施例
による拡散方法をレーザダイオードの作製に利用した場
合を示す工程図、第３図は本発明の第３の実施例による
拡散方法をレーザダイオードの作製に利用した場合を示
す工程図、第４図は従来の化合物半導体へのZn拡散方法
を示す図、第５図はAlGaInP中およびGaAs中でのZnの拡
散速度を示す図である。 １はGaAs基板、２はAlGaInP層、３はAlGaAs拡散ストッ
パ層、４はSi3N4拡散マスク、５はZnO:SiO2混合膜、６
はSiO2保護膜、７はZn拡散部、８はｎ−Al0.25Ga0.25In
0.5Ｐクラッド層、９はｎ−Ga0.5In0.5Ｐ活性層、10は
ｎ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、11はｐ−Al0.25G
a0.25In0.5Ｐ電流ブロック層、12はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキ
ャップ層、13はGaAs拡散マスク層、21はｎ−GaAs基板、
23aはｎ−AlGaAs拡散ストッパ層、23bはGaAs拡散マスク
層、31はｐ−GaAs基板、38はｐ−Al0.25Ga0.25In0.5Ｐ
クラッド層、39はGa0.5In0.5Ｐ活性層、40a,40bはｎ−A
l0.25Ga0.25In0.5Ｐクラッド層、41はGaInP/AlGaInP超
格子光ガイド層、42はｎ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】III−Ｖ族化合物半導体AlGaInP上にZnを含
有する層を設け、該Znを含有する層から上記AlGaInP中
へZnを拡散する方法において、 AlXGa1-XAs（０Ｘ１）層を拡散ストッパ層あるいは
拡散マスクとして用いることを特徴とする化合物半導体
へのZn拡散方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083279A JP2752423B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 |
| US07/461,069 US5023199A (en) | 1989-03-31 | 1990-01-04 | Method of diffusing Zn into compound semiconductor |
| DE4010133A DE4010133A1 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-29 | Halbleiterbauteil mit zn-diffusionsschicht und verfahren zu dessen herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083279A JP2752423B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260629A JPH02260629A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2752423B2 true JP2752423B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=13797926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083279A Expired - Lifetime JP2752423B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023199A (ja) |
| JP (1) | JP2752423B2 (ja) |
| DE (1) | DE4010133A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566661B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1996-12-25 | 三菱電機株式会社 | 不純物拡散方法 |
| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
| JP2656397B2 (ja) * | 1991-04-09 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
| US5212705A (en) * | 1992-02-18 | 1993-05-18 | Eastman Kodak Company | AlAS Zn-stop diffusion layer in AlGaAs laser diodes |
| JPH05234927A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの固相拡散による拡散領域の形成方法 |
| FR2701162A1 (fr) * | 1993-02-04 | 1994-08-05 | Alcatel Nv | Procédé de dopage localisé pour composant semi-conducteur notamment pour laser à ruban enterré. |
| JPH07162086A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JP3510305B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2004-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ |
| FR2718576B1 (fr) * | 1994-04-06 | 1996-04-26 | Alcatel Nv | Procédé de décalage de longueur d'onde dans une structure semiconductrice à puits quantique. |
| US5888890A (en) * | 1994-08-12 | 1999-03-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing field effect transistor |
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| US6057562A (en) * | 1997-04-18 | 2000-05-02 | Epistar Corp. | High efficiency light emitting diode with distributed Bragg reflector |
| JP3719705B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2005-11-24 | ユーディナデバイス株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| DE10261675B4 (de) * | 2002-12-31 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Kontaktschicht |
| DE102004026231B4 (de) * | 2004-05-28 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| DE102007062050B4 (de) * | 2007-09-28 | 2019-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers |
| JP2010199520A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| DE102019126506A1 (de) * | 2019-10-01 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688388A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| US4479222A (en) * | 1982-04-27 | 1984-10-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Diffusion barrier for long wavelength laser diodes |
| US4792958A (en) * | 1986-02-28 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
| US4857971A (en) * | 1987-03-23 | 1989-08-15 | Xerox Corporation | (IV)x (III-V)1-x alloys formed in situ in III-V heterostructures |
| JPH0646669B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1994-06-15 | 日本電気株式会社 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
| DE68909632T2 (de) * | 1988-02-09 | 1994-03-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleiterlaser-Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren. |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083279A patent/JP2752423B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-04 US US07/461,069 patent/US5023199A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-29 DE DE4010133A patent/DE4010133A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02260629A (ja) | 1990-10-23 |
| DE4010133C2 (ja) | 1993-07-08 |
| DE4010133A1 (de) | 1990-10-04 |
| US5023199A (en) | 1991-06-11 |
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