JP2656397B2 - 可視光レーザダイオードの製造方法 - Google Patents
可視光レーザダイオードの製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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-
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は可視光レーザダイオー
ドの製造方法に関し、特にリッジ導波路型の半導体レー
ザのリッジ埋め込み工程時にリン抜け等に起因するダブ
ルヘテロ構造の劣化を防止できる可視光レーザダイオー
ドの製造方法に関するものである。
ドの製造方法に関し、特にリッジ導波路型の半導体レー
ザのリッジ埋め込み工程時にリン抜け等に起因するダブ
ルヘテロ構造の劣化を防止できる可視光レーザダイオー
ドの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3はAlGaInP系のダブルヘテロ
構造を有する従来のリッジ導波路型可視光レーザダイオ
ードを示す斜視図であり、図において、1はn型GaA
s基板である。n型AlGaInP下クラッド層2は基
板1上に配置され、GaInP活性層3は下クラッド層
2上に配置され、p型AlGaInP光ガイド層4は活
性層3上に配置され、p型GaInPエッチングストッ
パ層5は光ガイド層4上に配置され、p型AlGaIn
P上クラッド層6はエッチングストッパ層5上に配置さ
れ、p型GaAsキャップ層7は上クラッド層6上に配
置される。上クラッド層6及びキャップ層7はエッチン
グストッパ層を利用した選択エッチングによりエッチン
グ成形され、共振器端面13,14をつなぐストライプ
状のリッジ10が形成されている。n型GaAs電流ブ
ロック層8はこのリッジ部10を埋め込むようにエッチ
ングストッパ層5上に配置され、p型GaAsコンタク
ト層9は電流ブロック層8上及びリッジ部10上に配置
される。n側電極11及びp側電極12は基板1裏面及
びコンタクト層9上にそれぞれ設けられる。
構造を有する従来のリッジ導波路型可視光レーザダイオ
ードを示す斜視図であり、図において、1はn型GaA
s基板である。n型AlGaInP下クラッド層2は基
板1上に配置され、GaInP活性層3は下クラッド層
2上に配置され、p型AlGaInP光ガイド層4は活
性層3上に配置され、p型GaInPエッチングストッ
パ層5は光ガイド層4上に配置され、p型AlGaIn
P上クラッド層6はエッチングストッパ層5上に配置さ
れ、p型GaAsキャップ層7は上クラッド層6上に配
置される。上クラッド層6及びキャップ層7はエッチン
グストッパ層を利用した選択エッチングによりエッチン
グ成形され、共振器端面13,14をつなぐストライプ
状のリッジ10が形成されている。n型GaAs電流ブ
ロック層8はこのリッジ部10を埋め込むようにエッチ
ングストッパ層5上に配置され、p型GaAsコンタク
ト層9は電流ブロック層8上及びリッジ部10上に配置
される。n側電極11及びp側電極12は基板1裏面及
びコンタクト層9上にそれぞれ設けられる。
【0003】次にこの従来の可視光レーザダイオードの
製造工程について説明する。図4及び図5は図3の可視
光半導体レーザの製造フローを示す断面工程図であり、
これら図において、図3と同一符号は同一又は相当部分
であり、20はSiNx 膜、21はAsソースとして供
給されるアルシン(AsH3 )、22はGaソースとし
て供給されるトリメチルガリウム(TMG)である。
製造工程について説明する。図4及び図5は図3の可視
光半導体レーザの製造フローを示す断面工程図であり、
これら図において、図3と同一符号は同一又は相当部分
であり、20はSiNx 膜、21はAsソースとして供
給されるアルシン(AsH3 )、22はGaソースとし
て供給されるトリメチルガリウム(TMG)である。
【0004】まず、図4(a) に示すように、n型GaA
s基板1上に、n型AlGaInP下クラッド層2,G
aInP活性層3,p型AlGaInP光ガイド層4,
p型GaInPエッチングストッパ層5,p型AlGa
InP上クラッド層6,及びp型GaAsキャップ層7
を結晶成長する。この後キャップ層7上に図4(b) に示
すようにSiNX 膜20を蒸着し、これを写真製版とエ
ッチング技術を用いて図4(c) に示すようにストライプ
状にパターニングする。そして、パターニングされたS
iNx 膜20をマスクとして、図4(d) に示すようにエ
ッチングストッパ層5を利用した選択エッチングにより
p型AlGaInP上クラッド層6,及びp型GaAs
キャップ層7の一部をエッチング除去してリッジ10を
形成する。次に、リッジ10上のSiNX 膜20を選択
成長のマスクとして、n型GaAs電流ブロック層を選
択成長(SiNX 膜4上以外の領域上にn型GaAsは
成長する)して、リッジ10を埋め込む。この時、As
ソースとしてはAsH3 が、GaソースとしてはTMG
が用いられるが、GaソースとしてTMGを用いると図
5(a) に示すようにAlGaInP系の材料のリッジ1
0の側壁上にはn型GaAs層は成長せず、GaInP
エッチングストッパ層5平面上に平坦に成長していく。
こうして図5(b) に示すようにn型GaAs電流ブロッ
ク層8の成長が終了した後、SiNx 膜20は除去し、
3回目の結晶成長により図5(c) に示すように電流ブロ
ック層8上及びリッジ部10上にp型GaAsコンタク
ト層9を形成する。このような結晶成長工程の後、コン
タクト層9上及び基板1裏面に電極をスパッタ等により
形成し、さらに個々のチップに分割することにより図3
に示す可視光レーザダイオードが完成する。
s基板1上に、n型AlGaInP下クラッド層2,G
aInP活性層3,p型AlGaInP光ガイド層4,
p型GaInPエッチングストッパ層5,p型AlGa
InP上クラッド層6,及びp型GaAsキャップ層7
を結晶成長する。この後キャップ層7上に図4(b) に示
すようにSiNX 膜20を蒸着し、これを写真製版とエ
ッチング技術を用いて図4(c) に示すようにストライプ
状にパターニングする。そして、パターニングされたS
iNx 膜20をマスクとして、図4(d) に示すようにエ
ッチングストッパ層5を利用した選択エッチングにより
p型AlGaInP上クラッド層6,及びp型GaAs
キャップ層7の一部をエッチング除去してリッジ10を
形成する。次に、リッジ10上のSiNX 膜20を選択
成長のマスクとして、n型GaAs電流ブロック層を選
択成長(SiNX 膜4上以外の領域上にn型GaAsは
成長する)して、リッジ10を埋め込む。この時、As
ソースとしてはAsH3 が、GaソースとしてはTMG
が用いられるが、GaソースとしてTMGを用いると図
5(a) に示すようにAlGaInP系の材料のリッジ1
0の側壁上にはn型GaAs層は成長せず、GaInP
エッチングストッパ層5平面上に平坦に成長していく。
こうして図5(b) に示すようにn型GaAs電流ブロッ
ク層8の成長が終了した後、SiNx 膜20は除去し、
3回目の結晶成長により図5(c) に示すように電流ブロ
ック層8上及びリッジ部10上にp型GaAsコンタク
ト層9を形成する。このような結晶成長工程の後、コン
タクト層9上及び基板1裏面に電極をスパッタ等により
形成し、さらに個々のチップに分割することにより図3
に示す可視光レーザダイオードが完成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光レーザダ
イオードの製造方法は以上のように構成されており、2
回目の結晶成長によるn型GaAs電流ブロック層の形
成工程において、そのガリウムソースとしてTMGを用
いているため、GaAsがAlGaInP系の材料で構
成されるリッジの側壁上に成長せず、このため2回目エ
ピタキシャル成長工程時にリッジサイドがAsH3 圧中
で長時間高温にさらされるため、リン抜けが生じ、ダブ
ルヘテロ構造がダメージを受け素子特性が劣化するとい
う問題点があった。
イオードの製造方法は以上のように構成されており、2
回目の結晶成長によるn型GaAs電流ブロック層の形
成工程において、そのガリウムソースとしてTMGを用
いているため、GaAsがAlGaInP系の材料で構
成されるリッジの側壁上に成長せず、このため2回目エ
ピタキシャル成長工程時にリッジサイドがAsH3 圧中
で長時間高温にさらされるため、リン抜けが生じ、ダブ
ルヘテロ構造がダメージを受け素子特性が劣化するとい
う問題点があった。
【0006】ところで、GaAs埋め込み層を形成する
際、図6に示すようにガリウムソースとしてトリエチル
ガリウム(TEG)25を用いれば、リッジの両側壁上
にGaAs8′を成長させることができ、これにより、
リッジの両側壁をGaAsでカバーできるが、図6(a)
に示すようにエッチングストッパ層平面上とリッジ側壁
上の両方から成長が進行するため、図6(b) に示すよう
に埋め込み層8′内に空洞30が形成され、このため電
流ブロック特性に悪影響を与えるという問題がある。
際、図6に示すようにガリウムソースとしてトリエチル
ガリウム(TEG)25を用いれば、リッジの両側壁上
にGaAs8′を成長させることができ、これにより、
リッジの両側壁をGaAsでカバーできるが、図6(a)
に示すようにエッチングストッパ層平面上とリッジ側壁
上の両方から成長が進行するため、図6(b) に示すよう
に埋め込み層8′内に空洞30が形成され、このため電
流ブロック特性に悪影響を与えるという問題がある。
【0007】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、2回目エピタキシャル成長工
程時、すなわち、n型GaAsを選択成長する時、Al
GaInP系のリッジ側壁がAsH3 圧中で高温にさら
され、リッジ側壁よりリン抜け等が生じ、ダブルヘテロ
構造がダメージを受けることを防ぐことができ、かつ信
頼性の高い埋め込みブロック層を形成できる可視光レー
ザダイオードの製造方法を得ることを目的とする。
るためになされたもので、2回目エピタキシャル成長工
程時、すなわち、n型GaAsを選択成長する時、Al
GaInP系のリッジ側壁がAsH3 圧中で高温にさら
され、リッジ側壁よりリン抜け等が生じ、ダブルヘテロ
構造がダメージを受けることを防ぐことができ、かつ信
頼性の高い埋め込みブロック層を形成できる可視光レー
ザダイオードの製造方法を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る可視光レ
ーザダイオードの製造方法は、リッジサイドをGaAs
層により埋め込む2回目エピタキシャル成長工程を、ト
リエチルガリウム(TEG)をガリウムソースとして第
1層目のGaAs層を形成する工程と、該第1層目のG
aAs層上にトリメチルガリウム(TMG)をガリウム
ソースとして第2層目のGaAs層を形成する工程とを
含む2層結晶成長としたものである。
ーザダイオードの製造方法は、リッジサイドをGaAs
層により埋め込む2回目エピタキシャル成長工程を、ト
リエチルガリウム(TEG)をガリウムソースとして第
1層目のGaAs層を形成する工程と、該第1層目のG
aAs層上にトリメチルガリウム(TMG)をガリウム
ソースとして第2層目のGaAs層を形成する工程とを
含む2層結晶成長としたものである。
【0009】
【作用】この発明においては、GaAs電流ブロック層
を、トリエチルガリウム(TEG)をガリウムソースと
して第1層目のGaAs層を成長し、この後、該第1層
目のGaAs層上にトリメチルガリウム(TMG)をガ
リウムソースとして第2層目のGaAs層を成長して形
成するにようにしたから、1層目のGaAs層のGaソ
ースとしてTEGを用いることによって、リッジに両側
壁上にGaAsを成長させることができ、これにより、
リッジの両側壁をGaAsでカバーできるので、リッジ
の両側壁がAsH3 雰囲気中で長時間高温にさらされる
ことを防止してダブルヘテロ構造のダメージを低減でき
るとともに、2層目のGaAs層のGaソースとしてT
MGを用いることによって、全体をTEGを用いて埋め
込んだ場合に問題となる埋め込み層内の空洞の発生を防
止できる。
を、トリエチルガリウム(TEG)をガリウムソースと
して第1層目のGaAs層を成長し、この後、該第1層
目のGaAs層上にトリメチルガリウム(TMG)をガ
リウムソースとして第2層目のGaAs層を成長して形
成するにようにしたから、1層目のGaAs層のGaソ
ースとしてTEGを用いることによって、リッジに両側
壁上にGaAsを成長させることができ、これにより、
リッジの両側壁をGaAsでカバーできるので、リッジ
の両側壁がAsH3 雰囲気中で長時間高温にさらされる
ことを防止してダブルヘテロ構造のダメージを低減でき
るとともに、2層目のGaAs層のGaソースとしてT
MGを用いることによって、全体をTEGを用いて埋め
込んだ場合に問題となる埋め込み層内の空洞の発生を防
止できる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の一実施例による可視光レーザダイ
オードの製造方法により作製した可視光レーザダイオー
ドの構造を示す斜視図である。図において、1はn型G
aAs基板である。n型AlGaInP下クラッド層2
は基板1上に配置され、GaInP活性層3は下クラッ
ド層2上に配置され、p型AlGaInP光ガイド層4
は活性層3上に配置され、p型GaInPエッチングス
トッパ層5は光ガイド層4上に配置され、p型AlGa
InP上クラッド層6はエッチングストッパ層5上に配
置され、p型GaAsキャップ層7は上クラッド層6上
に配置される。上クラッド層6及びキャップ層7はエッ
チングストッパ層を利用した選択エッチングによりエッ
チング成形され、共振器端面13,14をつなぐストラ
イプ状のリッジ10が形成されている。n型GaAs電
流ブロック層8を構成する第1のGaAs層81はこの
リッジ部10を埋め込むようにエッチングストッパ層5
上およびリッジ10の側壁上に配置され、n型GaAs
電流ブロック層8を構成する第2のGaAs層82は第
1のGaAs層81上に配置される。p型GaAsコン
タクト層9は電流ブロック層8上及びリッジ部10上に
配置される。n側電極11及びp側電極12は基板1裏
面及びコンタクト層9上にそれぞれ設けられる。
する。図1は本発明の一実施例による可視光レーザダイ
オードの製造方法により作製した可視光レーザダイオー
ドの構造を示す斜視図である。図において、1はn型G
aAs基板である。n型AlGaInP下クラッド層2
は基板1上に配置され、GaInP活性層3は下クラッ
ド層2上に配置され、p型AlGaInP光ガイド層4
は活性層3上に配置され、p型GaInPエッチングス
トッパ層5は光ガイド層4上に配置され、p型AlGa
InP上クラッド層6はエッチングストッパ層5上に配
置され、p型GaAsキャップ層7は上クラッド層6上
に配置される。上クラッド層6及びキャップ層7はエッ
チングストッパ層を利用した選択エッチングによりエッ
チング成形され、共振器端面13,14をつなぐストラ
イプ状のリッジ10が形成されている。n型GaAs電
流ブロック層8を構成する第1のGaAs層81はこの
リッジ部10を埋め込むようにエッチングストッパ層5
上およびリッジ10の側壁上に配置され、n型GaAs
電流ブロック層8を構成する第2のGaAs層82は第
1のGaAs層81上に配置される。p型GaAsコン
タクト層9は電流ブロック層8上及びリッジ部10上に
配置される。n側電極11及びp側電極12は基板1裏
面及びコンタクト層9上にそれぞれ設けられる。
【0011】図2は本発明の一実施例による可視光レー
ザダイオードの製造方法を示す断面工程図であり、図に
おいて、図1と同一符号は同一又は相当部分であり、2
0はSiNx 膜、21はAsソースとして供給されるア
ルシン(AsH3 )、25は第1のGaAs層を成長す
る際のGaソースとして供給されるトリエチルガリウム
(TEG)、22は第2のGaAs層を成長する際のG
aソースとして供給されるトリメチルガリウム(TM
G)である。
ザダイオードの製造方法を示す断面工程図であり、図に
おいて、図1と同一符号は同一又は相当部分であり、2
0はSiNx 膜、21はAsソースとして供給されるア
ルシン(AsH3 )、25は第1のGaAs層を成長す
る際のGaソースとして供給されるトリエチルガリウム
(TEG)、22は第2のGaAs層を成長する際のG
aソースとして供給されるトリメチルガリウム(TM
G)である。
【0012】次に本実施例による製造工程について説明
する。第1回目エピタキシャル成長工程及びこれにつづ
くリッジ形成のためのエッチング工程は従来と全く同様
である。即ち、まず、n型GaAs基板1上に、層厚約
1.0ミクロンのp型AlGaInP下クラッド層2,
層厚約0.07ミクロンのGaInP活性層3,層厚が
0.3〜0.4ミクロンのp型AlGaInP光ガイド
層4,層厚50〜100オングストロームのp型GaI
nPエッチングストッパ層5,層厚約0.7ミクロンの
p型AlGaInP上クラッド層6,及び層厚0.3〜
0.4ミクロンのp型GaAsキャップ層7を結晶成長
する。結晶成長方法としては有機金属気相成長(MOC
VD)法を用いる。この後キャップ層7上にSiNX 膜
20を蒸着し、これを写真製版とエッチング技術を用い
てストライプ状にパターニングする。そして、パターニ
ングされたSiNx 膜20をマスクとして、エッチング
ストッパ層5を利用した選択エッチングによりp型Al
GaInP上クラッド層6,及びp型GaAsキャップ
層7の一部をエッチング除去してリッジ10を形成す
る。
する。第1回目エピタキシャル成長工程及びこれにつづ
くリッジ形成のためのエッチング工程は従来と全く同様
である。即ち、まず、n型GaAs基板1上に、層厚約
1.0ミクロンのp型AlGaInP下クラッド層2,
層厚約0.07ミクロンのGaInP活性層3,層厚が
0.3〜0.4ミクロンのp型AlGaInP光ガイド
層4,層厚50〜100オングストロームのp型GaI
nPエッチングストッパ層5,層厚約0.7ミクロンの
p型AlGaInP上クラッド層6,及び層厚0.3〜
0.4ミクロンのp型GaAsキャップ層7を結晶成長
する。結晶成長方法としては有機金属気相成長(MOC
VD)法を用いる。この後キャップ層7上にSiNX 膜
20を蒸着し、これを写真製版とエッチング技術を用い
てストライプ状にパターニングする。そして、パターニ
ングされたSiNx 膜20をマスクとして、エッチング
ストッパ層5を利用した選択エッチングによりp型Al
GaInP上クラッド層6,及びp型GaAsキャップ
層7の一部をエッチング除去してリッジ10を形成す
る。
【0013】次に、本実施例における2回目エピタキシ
ャル成長工程、即ち、リッジ10上のSiNX 膜20を
選択成長のマスクとして、n型GaAs電流ブロック層
80を選択成長(SiNX 膜4上以外の領域上にn型G
aAsは成長する)して、リッジ10を埋め込む工程に
ついて説明する。
ャル成長工程、即ち、リッジ10上のSiNX 膜20を
選択成長のマスクとして、n型GaAs電流ブロック層
80を選択成長(SiNX 膜4上以外の領域上にn型G
aAsは成長する)して、リッジ10を埋め込む工程に
ついて説明する。
【0014】本実施例では、このn型GaAsブロック
層80を2層のGaAs層からなるものとし、第1のn
型GaAs81はガリウムソースとしてTEGを用いて
成長し、第2のn型GaAs82はガリウムソースとし
てTMGを用いて成長している。結晶成長方法はいずれ
もMOCVD法である。
層80を2層のGaAs層からなるものとし、第1のn
型GaAs81はガリウムソースとしてTEGを用いて
成長し、第2のn型GaAs82はガリウムソースとし
てTMGを用いて成長している。結晶成長方法はいずれ
もMOCVD法である。
【0015】まず、SiNX 膜20を選択成長のマスク
として、AsソースとしてAsH3 20を、Gaソース
としてTEG25を用いて結晶成長を行うと、図2(a)
に示すように、AlGaInP等のリンを含む材料から
なるリッジ10の両側壁23上にもn型GaAsは成長
する。その結果、結晶成長の初期の段階で、リッジ側壁
23はn型GaAs層82でカバーされることとなり、
2回目のエピタキシャル成長工程において、リッジ側壁
23がAs雰囲気中で長時間高温にさらされることがな
く、リン系材料からなるリッジの側壁からリンが抜ける
ことを防止できる。
として、AsソースとしてAsH3 20を、Gaソース
としてTEG25を用いて結晶成長を行うと、図2(a)
に示すように、AlGaInP等のリンを含む材料から
なるリッジ10の両側壁23上にもn型GaAsは成長
する。その結果、結晶成長の初期の段階で、リッジ側壁
23はn型GaAs層82でカバーされることとなり、
2回目のエピタキシャル成長工程において、リッジ側壁
23がAs雰囲気中で長時間高温にさらされることがな
く、リン系材料からなるリッジの側壁からリンが抜ける
ことを防止できる。
【0016】ダブルヘテロ構造がダメージを受けない程
度の層厚、例えば0.5ミクロン程度の層厚のn型Ga
As層81でリッジ側壁23をカバーした後、Gaソー
スをTEG25からTMG22に切り替えて、引き続い
て第2のGaAs層82を成長する。Gaソースとして
TMG22を用いた場合は、従来例の図5で示したよう
に、n型GaAsは平面((100)面)上にのみ結晶
成長し、リッジ側壁上には成長しないため、図2(b) に
示すようにリッジ部10を平坦に埋め込むことができ、
図6に示すような埋め込み層中の空間30は生じない。
電流ブロック層80のトータルの層厚は1.0ミクロン
程度である。
度の層厚、例えば0.5ミクロン程度の層厚のn型Ga
As層81でリッジ側壁23をカバーした後、Gaソー
スをTEG25からTMG22に切り替えて、引き続い
て第2のGaAs層82を成長する。Gaソースとして
TMG22を用いた場合は、従来例の図5で示したよう
に、n型GaAsは平面((100)面)上にのみ結晶
成長し、リッジ側壁上には成長しないため、図2(b) に
示すようにリッジ部10を平坦に埋め込むことができ、
図6に示すような埋め込み層中の空間30は生じない。
電流ブロック層80のトータルの層厚は1.0ミクロン
程度である。
【0017】第2のGaAs層82の成長が終了した後
は、従来例と同様、SiNx 膜20を除去して、3回目
のエピタキシャル成長により、電流ブロック層80上及
びリッジ部10上に、層厚約3ミクロンのp型GaAs
コンタクト層を形成する。成長方法はMOCVD法であ
る。このような結晶成長工程の後、コンタクト層9上及
び基板1裏面に電極をスパッタ等により形成し、さらに
個々のチップに分割することにより図1に示す可視光レ
ーザダイオードが完成する。
は、従来例と同様、SiNx 膜20を除去して、3回目
のエピタキシャル成長により、電流ブロック層80上及
びリッジ部10上に、層厚約3ミクロンのp型GaAs
コンタクト層を形成する。成長方法はMOCVD法であ
る。このような結晶成長工程の後、コンタクト層9上及
び基板1裏面に電極をスパッタ等により形成し、さらに
個々のチップに分割することにより図1に示す可視光レ
ーザダイオードが完成する。
【0018】このように本実施例では、n型GaAs電
流ブロック層80を、TEGをGaソースとして第1層
目のGaAs層81を成長し、この後、該第1層目のG
aAs層81上にTMGをGaソースとして第2層目の
GaAs層82を成長して形成するにようにしたから、
リッジの両側壁がAsH3 雰囲気中で長時間高温にさら
されることを防止してダブルヘテロ構造のダメージを低
減できるとともに、埋め込み層内の空洞の発生を防止で
きる。
流ブロック層80を、TEGをGaソースとして第1層
目のGaAs層81を成長し、この後、該第1層目のG
aAs層81上にTMGをGaソースとして第2層目の
GaAs層82を成長して形成するにようにしたから、
リッジの両側壁がAsH3 雰囲気中で長時間高温にさら
されることを防止してダブルヘテロ構造のダメージを低
減できるとともに、埋め込み層内の空洞の発生を防止で
きる。
【0019】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、リッ
ジ導波路型の可視光レーザダイオードの製造方法におい
て、リッジサイドをGaAs層により埋め込む2回目エ
ピタキシャル成長工程を、トリエチルガリウム(TE
G)をガリウムソースとして第1層目のGaAs層を形
成する工程と、該第1層目のGaAs層上にトリメチル
ガリウム(TMG)をガリウムソースとして第2層目の
GaAs層を形成する工程とを含む2層結晶成長とした
から、1層目のGaAs層によりリッジの両側壁をGa
Asでカバーでき、リッジの両側壁がAsH3 雰囲気中
で長時間高温にさらされることを防止してダブルヘテロ
構造のダメージを低減できるとともに、2層目のGaA
s層のGaソースとしてTMGを用いることによって、
全体をTEGを用いて埋め込んだ場合に問題となる埋め
込み層内の空洞の発生を防止できる効果がある。
ジ導波路型の可視光レーザダイオードの製造方法におい
て、リッジサイドをGaAs層により埋め込む2回目エ
ピタキシャル成長工程を、トリエチルガリウム(TE
G)をガリウムソースとして第1層目のGaAs層を形
成する工程と、該第1層目のGaAs層上にトリメチル
ガリウム(TMG)をガリウムソースとして第2層目の
GaAs層を形成する工程とを含む2層結晶成長とした
から、1層目のGaAs層によりリッジの両側壁をGa
Asでカバーでき、リッジの両側壁がAsH3 雰囲気中
で長時間高温にさらされることを防止してダブルヘテロ
構造のダメージを低減できるとともに、2層目のGaA
s層のGaソースとしてTMGを用いることによって、
全体をTEGを用いて埋め込んだ場合に問題となる埋め
込み層内の空洞の発生を防止できる効果がある。
【図1】この発明の一実施例による可視光レーザダイオ
ードの製造方法により作製した可視光レーザダイオード
の構造を示す斜視図である。
ードの製造方法により作製した可視光レーザダイオード
の構造を示す斜視図である。
【図2】この発明の一実施例による可視光レーザダイオ
ードの製造方法を示す断面工程図である。
ードの製造方法を示す断面工程図である。
【図3】従来の可視光レーザダイオードの構造を示す斜
視図である。
視図である。
【図4】図3の可視光レーザダイオードの製造工程の一
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
【図5】図3の可視光レーザダイオードの製造工程の一
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
【図6】GaソースとしてTEGを用いてGaAs電流
ブロック層を成長した際の問題点を説明するための図で
ある。
ブロック層を成長した際の問題点を説明するための図で
ある。
1 n型GaAs基板 2 n型AlGaInP下クラッド層 3 GaInP活性層 4 p型AlGaInP光ガイド層 5 p型GaInPエッチングストッパ層 6 p型AlGaInP上クラッド層 7 p型GaInPキャップ層 80 n型GaAs電流ブロック層 81 第1のGaAs層 82 第2のGaAs層
Claims (1)
- 【請求項1】 GaAs基板上に結晶成長を行いAlG
aInP/GaInP/AlGaInPのダブルヘテロ
構造を形成したウエハに、誘電体膜をマスクとしてスト
ライプ状にリッジを形成した後、上記誘電体膜を選択成
長のマスクとして有機金属気相成長(MOCVD)法を
用いてGaAsの選択成長を行い、リッジサイドを埋め
込むGaAs電流ブロック層を形成した後、上記誘電体
膜を除去し、再度成長を行い上記電流ブロック層上およ
びリッジ上にGaAsコンタクト層を形成する可視光レ
ーザダイオードの製造方法において、上記GaAsブロ
ック層を選択成長する工程は、トリエチルガリウム(T
EG)をガリウムソースとして上記リッジサイドの平面
上及びリッジの側壁上に第1層目のGaAs層を形成す
る工程と、該第1層目のGaAs層の平面上にトリメチ
ルガリウム(TMG)をガリウムソースとして第2層目
のGaAs層を形成する工程とを含むことを特徴とする
可視光レーザダイオードの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3106783A JP2656397B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
US07/861,115 US5272109A (en) | 1991-04-09 | 1992-03-31 | Method for fabricating visible light laser diode |
DE4210854A DE4210854C2 (de) | 1991-04-09 | 1992-04-01 | Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht |
FR9204357A FR2675312B1 (fr) | 1991-04-09 | 1992-04-09 | Procede de fabrication d'une diode laser en gaas emettant de la lumiere visible. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3106783A JP2656397B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04311080A JPH04311080A (ja) | 1992-11-02 |
JP2656397B2 true JP2656397B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=14442501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3106783A Expired - Lifetime JP2656397B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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DE (1) | DE4210854C2 (ja) |
FR (1) | FR2675312B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH07111357A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
US5568501A (en) * | 1993-11-01 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
JP3195159B2 (ja) * | 1993-11-25 | 2001-08-06 | 株式会社東芝 | 光半導体素子 |
JP3553147B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2004-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体層の製造方法 |
JPH08222815A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
KR100363240B1 (ko) * | 1995-05-25 | 2003-02-05 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
JPH09116222A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ |
KR0178492B1 (ko) * | 1995-12-21 | 1999-04-15 | 양승택 | 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법 |
US5970080A (en) * | 1996-03-07 | 1999-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
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US6242293B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-06-05 | The Whitaker Corporation | Process for fabricating double recess pseudomorphic high electron mobility transistor structures |
US6060402A (en) * | 1998-07-23 | 2000-05-09 | The Whitaker Corporation | Process for selective recess etching of epitaxial field effect transistors with a novel etch-stop layer |
US6307221B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-10-23 | The Whitaker Corporation | InxGa1-xP etch stop layer for double recess pseudomorphic high electron mobility transistor structures |
KR100347544B1 (ko) | 1999-02-13 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 접합 제조 방법 |
KR100314276B1 (ko) | 1999-04-12 | 2001-11-15 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100353526B1 (ko) | 1999-06-18 | 2002-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100345681B1 (ko) | 1999-06-24 | 2002-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 삼중웰 형성방법 |
KR100332119B1 (ko) | 1999-06-28 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자 제조 방법 |
KR100332108B1 (ko) | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100332106B1 (ko) | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
KR100332107B1 (ko) | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
KR100301246B1 (ko) | 1999-06-30 | 2001-11-01 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20010061029A (ko) | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 엘리베이티드 소오스/드레인 구조의 모스 트랜지스터형성방법 |
KR100510996B1 (ko) | 1999-12-30 | 2005-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 선택적 에피텍셜 성장 공정의 최적화 방법 |
KR100327596B1 (ko) | 1999-12-31 | 2002-03-15 | 박종섭 | Seg 공정을 이용한 반도체소자의 콘택 플러그 제조방법 |
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JP5018433B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-09-05 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 |
JP5108687B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2012-12-26 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPH03208388A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法と不純物拡散方法 |
-
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- 1991-04-09 JP JP3106783A patent/JP2656397B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-31 US US07/861,115 patent/US5272109A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-01 DE DE4210854A patent/DE4210854C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-09 FR FR9204357A patent/FR2675312B1/fr not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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FR2675312A1 (fr) | 1992-10-16 |
US5272109A (en) | 1993-12-21 |
FR2675312B1 (fr) | 1993-12-10 |
JPH04311080A (ja) | 1992-11-02 |
DE4210854A1 (de) | 1992-10-15 |
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