DE4210854A1 - Verfahren zum herstellen einer laserdiode fuer sichtbares licht - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer laserdiode fuer sichtbares licht

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht vom Steg-Wel­ lenleitertyp (ridge waveguide type) mit einer doppelten Hetero­ übergangsstruktur, wobei die Verschlechterung der doppelten He­ teroübergangsstruktur durch ein Austreten von Phosphor aus den Seitenwänden des Stegs beim Einformen des Stegs vermindert wird.
Die Fig. 3 zeigt eine Perspektivansicht einer Laserdiode für sichtbares Licht vom Steg-Wellenleitertyp mit einer doppelten Heteroübergangsstruktur nach dem Stand der Technik. In Fig. 3 bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein n-typ GaAs-Substrat. Eine n-typ AlGaInP untere Plattierungsschicht 2 ist auf dem Substrat aufgebracht. Eine p-typ AlGaInP Lichtleiterschicht 4 ist auf einer aktiven Schicht 3 aufgebracht. Eine p-typ GaInP Ätz-Stop­ schicht 5 ist auf der Lichtleiterschicht 4 aufgebracht. Eine p- typ AlGaInP obere Plattierungsschicht ist auf der Ätz-Stop­ schicht 5 vorgesehen. Eine p-typ GaAs-Deckschicht 7 ist auf der oberen Plattierungsschicht 6 vorgesehen. Die obere Plattierungs­ schicht 6 und die Deckschicht 7 sind durch selektives Ätzen mit Hilfe der Ätz-Stopschicht 5 gebildet, was zu einem streifenför­ migen Steg 10 führt, der sich zwischen Resonatorfacetten 13 und 14 erstreckt.
Eine n-typ GaAs-Stromblockierschicht 8 ist auf der Ätz-Stop­ schicht 5 vorgesehen und schließt den Steg 10 ein. Eine n-Sei­ tenelektrode 11 ist auf der hinteren Außenfläche des Substrats 1 vorgesehen, und eine p-Seitenelektrode 12 ist auf der Kontakt­ schicht 9 vorgesehen.
Ein Verfahren zum Herstellen der Laserdiode für sichtbares Licht nach Fig. 3 wird in den Fig. 4(a) bis 4(g) dargestellt. In diesen Figuren zeigen dieselben Bezugszeichen wie die aus Fig. 3 dieselben Teile, und das Bezugszeichen 20 bezeichnet eine Si­ lizium-Nitridschicht (nachfolgend als SiNx-Schicht bezeichnet). Arsin (nachfolgend als AsH3 bezeichnet) 21 und Trimethylgallium (nachfolgend als TMG bezeichnet) 22 werden als As-Quelle bzw. Ga-Quelle benutzt.
Wie in Fig. 4(a) gezeigt, sind eine p-typ AlGaInP untere Plat­ tierungsschicht 2, eine GaInP aktive Schicht 3, eine p-typ AlGaInP Lichtleiterschicht 4, eine p-Typ GaInP Ätz-Stopschicht 5, eine p-Typ AlGaInP obere Plattierungsschicht 6 und eine p-Typ GaAs-Deckschicht 7 nacheinander auf einem n-Typ GaAs-Substrat 1 aufgewachsen (erstes Kristall-Wachstum). Danach wird, wie in Fig. 4(b) gezeigt, ein SiNx-Film 20 auf der Deckschicht 7 aufge­ bracht und, wie in Fig. 4(c) gezeigt, wird er streifenförmig durch Photolithographie und Ätzung gemustert. Dann wird, wie in Fig. 4(d) gezeigt, mit Hilfe des gemusterten SiNx-Films 20 als Maske, die p-Typ AlGaInP obere Plattierungsschicht 6 und die p- Typ GaAs-Deckschicht 7 besonders durch selektives Ätzen geätzt, mit Hilfe der Ätz-Stopschicht 5, was zu einem Steg 10 führt. Dann wird mit Hilfe SiNx-Films 20 auf dem Steg 10 als Maske für selektives Wachstum eine n-Typ GaAs-Stromblockierschicht 8 se­ lektiv auf der Ätz-Stopschicht 5 aufgewachsen, zum Einschließen des Stegs 10. Hier wird AsH3 als As-Quelle benutzt, und TMG wird als Ga-Quelle benutzt. Wenn TMG als Ga-Quelle benutzt wird, wie in Fig. 4(e) gezeigt, wird die n-Typ GaAs-Schicht nicht auf den Seitenwänden des Stegs 10 mit AlGaInP Serienmaterial aufgewach­ sen, sondern flach auf der GaInP Ätz-Stopschicht 5 aufgewachsen, was zu der n-Typ GaAs-Stromblockierschicht 8 führt, die in Fig. 4(f) gezeigt ist (zweites Kristall-Wachstum). Dann wird, wie in Fig. 4(g) gezeigt, der SiNx-Film 20 entfernt, und eine p-Typ GaAs-Kontaktschicht 9 auf der Stromblockierschicht 8 und dem Steg 10 aufgewachsen (drittes Kristall-Wachstum). Danach werden p-Seitenelektrode 14 und eine n-Seitenelektrode 11 auf der Kon­ taktschicht 9 bzw. der hinteren Fläche des Substrats 1 gebildet, beide durch zum Beispiel Sputtern. Dann wird der Wafer in Chips aufgeteilt, was zu der Laserdiode für sichtbares Licht nach Fig. 3 führt.
Entsprechend dem Verfahren nach dem Stand der Technik zum Her­ stellen einer Laserdiode für sichtbares Licht, da TMG als Ga- Quelle während des zweiten Kristall-Wachstums zum Wachsen der n-Typ GaAs-Stromblockierschicht benutzt wird, wird die GaAs- Schicht nicht auf den Seitenwänden des Stegs mit AlGaInP-Serien­ material aufgewachsen. Daher werden während des zweiten epita­ xialen Wachstums die Seitenwände des Stegs einer hohen Tempera­ tur unter AsH3-Atmosphäre für einen langen Zeitraum ausgesetzt, und Phosphor tritt aus den Seitenwänden des Stegs aus, wodurch die doppelte Heteroübergangsstruktur beschädigt wird, was zu einer Verschlechterung der Eigenschaften des Elements führt.
Wie in Fig. 5 gezeigt, wenn die GaAs-Stromblockierschicht 5 mit Hilfe von Triethylgallium (nachfolgend als TEG bezeichnet) als Ga-Quelle gebildet wird, wird die GaAs-Schicht 8′ auf den Sei­ tenwänden des Stegs 10 aufgewachsen, so daß die Seitenwände des Stegs vollständig mit der GaAs-Schicht bedeckt sind. Da aller­ dings das Wachstum der GaAs-Schicht 8′ vertikal von der Oberflä­ che der Ätz-Stopschicht und horizontal von den Seitenwänden des Stegs, wie in Fig. 5(a) gezeigt, fortschreitet, werden Hohlräu­ me 30 unvorteilhaft in der GaAs-Stromblockierschicht 8′ erzeugt, wie in Fig. 5(b) gezeigt, was unvorteilhafte Einflüsse auf die Stromsperreigenschaften ausübt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht zu schaffen, mit einer doppelten Heteroübergangsstruktur, das eine Ver­ schlechterung der doppelten Heteroübergangsstruktur durch das Aussetzen der Seitenwände des Stegs mit AlGaInP-Serienmaterial einer hohen Temperatur in einer AsH3-Atmosphäre, wobei ein Aus­ treten von Phosphor aus den Seitenwänden im Schritt des Aufwach­ sens einer n-Typ GaAs-Schicht beim Einschließen des Stegs auf­ tritt, vermeidet. Es soll eine Stromblockierschicht mit hoher Zuverlässig­ keit erzeugt werden.
Die Aufgabe wird durch das Verfahren zum Herstellen einer Laser­ diode für sichtbares Licht nach den Patentansprüchen 1 und 6 gelöst.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht mit einem zweiten epitaxialen Wachstum zum Aufwachsen ei­ ner GaAs-Schicht zum Einschließen eines Stegs umfaßt einen Schritt zum Bilden einer ersten GaAs-Schicht mit Hilfe von TEG als Ga-Quelle sowie einem Schritt zum Bilden einer zweiten GaAs- Schicht auf der ersten GaAs-Schicht mit TMG als Ga-Quelle. Da TEG als Ga-Quelle im ersten GaAs-Wachstum benutzt wird, wird die erste GaAs-Schicht auf beiden Seitenwänden des Stegs aufgewach­ sen, zum Bedecken der Seitenwände, womit die Seitenwände nicht einer hohen Temperatur unter AsH3 Einfluß für einen langen Zeit­ raum ausgesetzt sind, so daß Schäden der doppelten Heteroüber­ gangsstruktur vermindert werden. Da die zweite GaAs-Schicht mit Hilfe von TMG als Ga-Quelle aufgewachsen wird, werden zusätzlich Hohlräume, die in der GaAs-Schicht bei der Benutzung von TEG als Ga-Quelle auftreten, nicht gebildet.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figu­ ren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1(a) und 1(b) Schnittansichten zum Verdeutlichen von wesentlichen Verfahrensschritten bei einem Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht entsprechend einer Ausführungsform;
Fig. 2 eine Perspektivansicht mit einem Aufbau einer Laserdiode für sichtbares Licht, die nach den Verfahrensschritten gemäß Fig. 1 hergestellt wurde;
Fig. 3 eine Perspektivansicht mit dem Aufbau einer Laserdiode für sichtbares Licht nach dem Stand der Technik;
Fig. 4(a) bis 4(g) Schnittansichten zum Verdeutlichen we­ sentlicher verfahrensschritte bei einem Verfahren zum Herstellen der Laserdiode für sichtbares Licht nach Fig. 3;
Fig. 5(a) und 5(b) Schnittansichten zum Verdeutlichen ei­ nes Problems, das auftritt, wenn eine GaAs-Stromblockierschicht mit Hilfe von TEG als Ga-Quelle gebildet wird.
Eine Ausführungsform wird nachfolgend im Detail unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
Die Fig. 2 zeigt eine Perspektivansicht mit dem Aufbau einer Laserdiode für sichtbares Licht, die durch ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht hergestellt wurde. In Fig. 2 bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein GaAs-Substrat 1 vom n-Typ. Eine n-Typ AlGaInP untere Plattie­ rungsschicht 2 ist auf dem Substrat 1 aufgebracht. Eine GaInP aktive Schicht 3 ist auf der unteren Plattierungsschicht 2 auf­ gebracht. Eine p-Typ AlGaInP Lichtleiterschicht 4 ist auf der aktiven Schicht 3 aufgebracht. Eine p-Typ GaInP Ätz-Stopschicht 5 ist auf der Lichtleiterschicht 4 aufgebracht. Eine p-Typ AlGaInP obere Plattierungsschicht 6 ist auf der Ätz-Stopschicht 5 aufgebracht. Eine p-Typ GaAs-Deckschicht 7 ist auf der oberen Plattierungsschicht 6 aufgebracht. Die obere Plattierungsschicht 6 und die Deckschicht 7 sind durch selektives Ätzen mit Hilfe der Ätz-Stopschicht 5 gebildet, was zu einem streifenförmigen Steg 10 führt, der sich zwischen Resonatorfacetten 13 und 14 erstreckt. Eine n-Typ Stromblockierschicht 80 umfaßt eine erste GaAs-Schicht 81 sowie eine zweite GaAs-Schicht 82. Die erste GaAs-Schicht 81 ist auf der Ätz-Stopschicht 5 und den Seitenwän­ den des Steges 10 vorgesehen, um den Steg 10 einzuschließen. Die zweite GaAs-Schicht 82 ist auf der ersten GaAs-Schicht 81 aufge­ bracht. Eine p-Typ GaAs-Kontaktschicht 9 ist auf der Stromblok­ kierschicht 8 und dem Steg 10 vorgesehen. Eine n-Seitenelektrode 11 ist auf der hinteren Fläche des Substrats 1 aufgebracht, und eine p-Seitenelektrode 12 ist auf der Kontaktschicht 9 aufge­ bracht.
Ein Verfahren zum Herstellen der Laserdiode für sichtbares Licht gemäß Fig. 2 ist in den Fig. 1(a) und 1(b) illustriert. In diesen Figuren werden dieselben Bezugszeichen wie aus Fig. 2 für identische Teile benutzt. Das Bezugszeichen 20 bezeichnet einen SiNx-Film. Hier wird AsH3 21 als As-Quelle benutzt, TEG 25 als Ga-Quelle beim Schritt des Aufwachsens bei einer ersten GaAs-Schicht benutzt, und TMG 22 wird als Ga-Quelle im Schritt des Aufwachsens einer zweiten GaAs-Schicht benutzt.
Zuerst wird eine p-Typ AlGaInP untere Plattierungsschicht 2 mit einer Dicke von etwa 1,0 Micron, eine GaInP aktive Schicht 3 mit einer Dicke von etwa 0,07 Micron, eine p-Typ AlGaInP Lichtlei­ terschicht 4 mit einer Dicke von 0,3 bis 0,4 Micron, eine p-Typ GaInP Ätz-Stopschicht 5 von 50 bis 100 Angström, eine p-Typ AlGaInP obere Plattierungsschicht 6 von etwa 0,7 Micron Dicke sowie eine p-Typ GaAs-Deckschicht 7 von 0,3 bis 0,4 Micron Dicke nacheinander auf einem n-Typ GaAs-Substrat 1 durch ein MOCVD- Verfahren (erstes epitaxiales Wachstum) aufgewachsen. Danach wird ein SiNx-Film 20 auf der Deckschicht 7 aufgebracht, und die­ ser wird dann in einer Streifenkonfiguration durch Photolitho­ graphie und Ätz-Techniken bemustert. Dann wird mit Hilfe des gemusterten SiNx-Films 20 als Maske die p-Typ AlGaInP obere Plat­ tierungsschicht 6 und die p-Typ GaAs-Deckschicht 7 teilweise weggeätzt, durch selektives Ätzen mit Hilfe der Ätz-Stopschicht 5, was zu einem Steg 10 führt.
Ein zweites epitaxiales Wachstum entsprechend der Ausführungs­ form, das heißt ein Verfahren zum Bilden einer n-Typ GaAs-Strom­ blockierschicht 80, selektiv auf der Ätz-Stopschicht 5 mit Hilfe des SiNx-Films 20 auf dem Steg 10 als Maske für selektives Wachs­ tum zum Einschließen des Stegs 10, wird nachfolgend im Detail beschrieben.
Bei dieser Ausführungsform umfaßt die n-Typ GaAs-Stromblockier­ schicht 80 die erste GaAs-Schicht 81 und die zweite GaAs-Schicht 82. Die erste n-Typ GaAs-Schicht 81 wird mit Hilfe von TEG als Ga-Quelle aufgewachsen und die zweite n-Typ GaAs-Schicht 82 wird mit Hilfe von TMG als Ga-Quelle aufgewachsen, beide durch MOCVD.
Wenn Kristall-Wachstum mit Hilfe des SiNx-Films 20 als Maske für selektives Wachstum und mit AsH3 21 als As-Quelle sowie TEG 25 als Ga-Quelle durchgeführt wird, dann wird die n-Typ GaAs- Schicht 81 nicht nur auf der Ätz-Stopschicht 25 aufgewachsen, sondern auch auf den beiden Seitenwänden 23 des Stegs 10, der ein Phosphor enthaltenes Material, wie AlGaInP umfaßt, wie in Fig. 1(a) gezeigt. Als Ergebnis werden in einer frühen Stufe des Kristall-Wachstums die Seitenwände 23 des Stegs 10 mit der n-Typ GaAs-Schicht 81 bedeckt. Daher werden während des zweiten epitaxialen Wachstums die Seitenwände des Stegs, die Phosphorma­ terial enthalten, nicht einer hohen Temperatur in einer As-Umge­ bung für eine lange Zeit ausgesetzt, und fast kein Phosphor tritt aus den Seitenwänden aus.
Die n-Typ GaAs-Schicht 81 wird bis zu einer Dicke aufgewachsen, die dick genug ist, um Schäden der doppelten Heteroübergangs­ struktur zu vermeiden, d. h. auf etwa 0,5 Micron, und danach wird die Ga-Quelle von TEG 25 auf TMG 22 geändert, um darauffolgend die zweite GaAs-Schicht 82 zu bilden. Wenn TMG 22 als Ga-Quelle benutzt wird, wird das n-Typ GaAs nicht auf den Seitenwänden des Stegs aufgewachsen, sondern wird nur auf der (100) Ebene aufge­ wachsen, wie in Fig. 5 gezeigt. Daher kann, wie in Fig. 1(b) gezeigt, der Steg 10 flach durch die GaAs-Schicht 82 einge­ schlossen werden, und die in Fig. 5 gezeigten Hohlräume 30 wer­ den nicht gebildet. Die Gesamtdicke der Stromblockierschicht 80 beträgt 1,0 Micron.
Nachdem das Wachstum der zweiten GaAs-Schicht 82 beendet ist, wird der SiNx-Film 20 entfernt, und eine p-Typ GaAs-Kontakt­ schicht 9 mit einer Dicke von etwa 3 Micron wird auf der Strom­ blockierschicht 80 und dem Steg 10 durch MOCVD gebildet (drittes epitaxiales Wachstum). Danach werden eine p-Seitenelektrode 12 und eine n-Seitenelektrode 11 auf der Kontaktschicht 9 bzw. der hinteren Fläche des Substrats 1 gebildet, beide durch zum Bei­ spiel Sputtern. Dann wird der Wafer in Chips eingeteilt, was zu der in Fig. 2 gezeigten Laserdiode für sichtbares Licht führt.
Wie oben beschrieben, wird durch das Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht ein zweites epitaxiales Wachstum zum Aufwachsen einer einen Steg einschließenden GaAs- Schicht bewirkt, das einen Schritt zum Bilden einer ersten GaAs- Schicht mit TEG als Ga-Quelle und einem Schritt zum Bilden einer zweiten GaAs-Schicht auf der ersten GaAs-Schicht mit TMG als Ga- Quelle einschließt. Daher werden beide Seitenwände des Stegs mit der ersten GaAs-Schicht bedeckt, und beide Seitenwände werden nicht einer hohen Temperatur in einer AsH3-Umgebung für einen langen Zeitraum ausgesetzt, so daß Schäden der doppelten Hetero­ übergangsstruktur vermindert werden. Da die zweite GaAs-Schicht unter Benutzung von TMG als Ga-Quelle aufgewachsen wird, werden Hohlräume, die bei der Benutzung von TEG als Ga-Quelle in der GaAs-Schicht auftreten, nicht erzeugt.

Claims (10)

1. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht mit den Schritten
  • - Aufwachsen einer doppelten Heteroübergangsstruktur (2, 3, 4) mit AlGaInP/GaInP/AlGaInP auf einem GaAs Substrat (1),
  • - Bilden eines streifenförmigen Stegs (10) auf der doppelten Heteroübergangsstruktur unter Benutzung eines dielektri­ schen Films (20) als Maske,
  • - selektives Aufwachsen von n-Typ GaAs durch ein MOCVD-Ver­ fahren unter Benutzung des dielektrischen Films (20) als Maske für selektives Wachstum, zum Bilden einer den Steg (10) einschließenden GaAs Stromblockierschicht (80),
  • - Entfernen des dielektrischen Films (20),
  • - Aufwachsen einer GaAs Kontaktschicht (9) auf der Strom­ blockierschicht (80) und dem Steg (10),
wobei der Schritt des selektiven Aufwachsens der GaAs Strom­ blockierschicht (80) einen ersten Schritt zum Bilden einer er­ sten GaAs Schicht (81) auf der Oberfläche der doppelten Hete­ roübergangsstruktur (2, 3, 4) auf beiden Seiten des Stegs (10) und auf den Seitenwänden des Stegs (10) umfaßt, wobei Tri­ ethylgallium (TEG) als Ga-Quelle benutzt wird, und einen zwei­ ten Schritt zum Bilden einer zweiten GaAs Schicht (82) auf der ersten GaAs Schicht (81) umfaßt, wobei Trimethylgallium (TMG) als Ga-Quelle benutzt wird.
2. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Arsin (AsH3) als As-Quelle im Schritt des selektiven Aufwach­ sens der GaAs Stromblockierschicht (80) benutzt wird.
3. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Film (20) ein SiNx Film ist.
4. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste GaAs Schicht (81) eine Dicke von etwa 0,5 Micron aufweist.
5. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeich­ net, daß der Steg (10) durch selektives Ätzen mit Hilfe einer Ätz-Stop­ schicht (5) gebildet ist.
6. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht mit den Schritten
  • - aufeinanderfolgendes Aufwachsen einer n-Typ AlGaInP unte­ ren Plattierungsschicht (2), einer GaInP aktiven Schicht (3), einer p-Typ AlGaInP ersten oberen Plattierungsschicht (4), einer p-Typ GaInP Ätz-Stopschicht (5), einer p-Typ AlGaInP zweiten oberen Plattierungsschicht (6) und einer p-Typ GaAs Deckschicht (7) auf einem n-Typ GaAs Substrat (1),
  • - Bilden eines dielektrischen Films (20), der streifenförmig in Resonatorlängenrichtung bemustert ist, auf der Deck­ schicht (7),
  • - Bilden eines streifenförmigen Stegs (10) aus der Deck­ schicht (7) und der oberen Plattierungsschicht (6) durch teilweises Entfernen dieser Schichten durch selektives Ät­ zen mit Hilfe der Ätz-Stopschicht (5), wobei der dielek­ trische Film (20) als Maske benutzt wird,
  • - selektives Aufwachsen einer ersten n-Typ GaAs-Schicht (81) auf der Oberfläche der Ätz-Stopschicht (5) und auf den Seitenwänden des Stegs (10) durch ein MOCVD-Verfahren, wo­ bei Triethylgallium (TEG) als Ga-Quelle und der dielektri­ sche Film (20) als Maske benutzt werden,
  • - selektives Aufwachsen einer zweiten n-Typ GaAs-Schicht (82) auf der ersten n-Typ GaAs Schicht (81) durch ein MOCVD-Verfahren, wobei Trimethylgallium (TMG) als Ga- Quelle und der dielektrische Film (20) als Maske benutzt werden, um den Steg einzuschließen,
  • - Entfernen des dielektrischen Films (20) und Aufwachsen ei­ ner p-Typ GaAs Kontaktschicht (9) auf dem Steg (10) und der zweiten n-Typ GaAs Schicht (82) und
  • - Bilden einer n-Seitenelektrode (11) auf der Unterfläche des Substrats (1) und einer p-Seitenelektrode (12) auf der Kontaktschicht (9).
7. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Arsin (AsH3) als As-Quelle im Schritt des selektiven Aufwach­ sens der ersten und zweiten n-Typ GaAs Schicht (81, 82) be­ nutzt wird.
8. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Film (20) ein SiNx Film ist.
9. Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode für sichtbares Licht nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste GaAs Schicht (81) eine Dicke von etwa 0,5 Micron aufweist.
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