JPH0590641A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0590641A JPH0590641A JP27470291A JP27470291A JPH0590641A JP H0590641 A JPH0590641 A JP H0590641A JP 27470291 A JP27470291 A JP 27470291A JP 27470291 A JP27470291 A JP 27470291A JP H0590641 A JPH0590641 A JP H0590641A
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- algaas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流狭窄構造を有する発光素子において電流
阻止層に電流通路領域を形成するための不純物拡散工程
で、拡散深さの制御を容易にする。 【構成】 ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にｎ−ＡｌＧａＡｓ
下部クラッド層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ上部クラッド層５、ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロ
ック層６、ｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ層７を順次成長さ
せる。この後、Ｚｎ拡散工程によりキャップ層７から上
部クラッド層５までＺｎを拡散させ、ｐ−Ｚｎ拡散領域
（電流通路領域）８を形成する。ここで、ＩｎＧａＰと
ＡｌＧａＡｓでは拡散スピードが４〜１２倍異なるた
め、電流ブロック層６から上部クラッド層５へ拡散が進
むと、拡散スピードが１／４〜１／１２に低下するの
で、拡散深さを容易に制御できる。
阻止層に電流通路領域を形成するための不純物拡散工程
で、拡散深さの制御を容易にする。 【構成】 ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にｎ−ＡｌＧａＡｓ
下部クラッド層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ上部クラッド層５、ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロ
ック層６、ｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ層７を順次成長さ
せる。この後、Ｚｎ拡散工程によりキャップ層７から上
部クラッド層５までＺｎを拡散させ、ｐ−Ｚｎ拡散領域
（電流通路領域）８を形成する。ここで、ＩｎＧａＰと
ＡｌＧａＡｓでは拡散スピードが４〜１２倍異なるた
め、電流ブロック層６から上部クラッド層５へ拡散が進
むと、拡散スピードが１／４〜１／１２に低下するの
で、拡散深さを容易に制御できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関す
る。具体的にいうと、本発明は、ＡｌＧａＡｓ系の発光
ダイオードや半導体レーザ素子等の半導体発光素子に関
する。
る。具体的にいうと、本発明は、ＡｌＧａＡｓ系の発光
ダイオードや半導体レーザ素子等の半導体発光素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】本願の出願人は、既に電流狭窄構造の半
導体発光素子に関し、特許願平成３年第１８９２１４号
として特許出願している。
導体発光素子に関し、特許願平成３年第１８９２１４号
として特許出願している。
【０００３】図４は上記先願特許出願において開示され
ている上面出射型のＡｌＧａＡｓ系発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）を示す平面図及び断面図である。
ている上面出射型のＡｌＧａＡｓ系発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）を示す平面図及び断面図である。
【０００４】この半導体発光素子５１は、ｎ−ＧａＡｓ
基板５２の上にｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５３、
ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層５４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部ク
ラッド層５５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ拡散ストップ層５６、
ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５７、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層５８を順次成長させてｐｎｐｎ構造を形成
した後、Ｚｎ拡散工程によりｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ
層５８の上央部から所望の発光径でｐ−ＡｌＧａＡｓ拡
散ストップ層５６までＺｎを拡散させ、ｐ−Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）５９を形成している。さらに、キャ
ップ層５８の上面にｐ側電極６０を設け、ｎ−ＧａＡｓ
基板５２の下面にｎ側電極６１を設けている。
基板５２の上にｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５３、
ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層５４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部ク
ラッド層５５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ拡散ストップ層５６、
ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５７、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層５８を順次成長させてｐｎｐｎ構造を形成
した後、Ｚｎ拡散工程によりｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ
層５８の上央部から所望の発光径でｐ−ＡｌＧａＡｓ拡
散ストップ層５６までＺｎを拡散させ、ｐ−Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）５９を形成している。さらに、キャ
ップ層５８の上面にｐ側電極６０を設け、ｎ−ＧａＡｓ
基板５２の下面にｎ側電極６１を設けている。
【０００５】しかして、電流ブロック層５７と拡散スト
ップ層５６とによって逆バイアスのｐｎ接合電流阻止層
が形成されており、ｐ−Ｚｎ拡散領域５９によって電流
ブロック層５７の一部をｐ型に反転させてあり、ｐ−Ｚ
ｎ拡散領域５９にのみ電流の流れる電流狭窄構造が実現
されている。
ップ層５６とによって逆バイアスのｐｎ接合電流阻止層
が形成されており、ｐ−Ｚｎ拡散領域５９によって電流
ブロック層５７の一部をｐ型に反転させてあり、ｐ−Ｚ
ｎ拡散領域５９にのみ電流の流れる電流狭窄構造が実現
されている。
【０００６】この半導体発光素子５１においては、ｐ−
Ｚｎ拡散領域５９が確実に電流ブロック層５７を抜け、
かつ、ｐ−Ｚｎ拡散領域５９が活性層５４に達すること
のないよう、拡散ストップ層５６と上部クラッド層５５
との拡散スピードの差を利用してＺｎの拡散スピードを
制御している。すなわち、Ａｌ組成比ｘのＡｌxＧａ1 -x
Ａｓは、図５に示すように、Ａｌ組成比ｘが増加するほ
どＺｎの拡散スピード（正確にいうと、拡散深さＸｊと
拡散時間ｔの平方根との比であって、拡散係数Ｄの平方
根に比例する。）が大きくなる。そこで、電流ブロック
層５７のＡｌ組成比ｘを比較的大きくし、上部クラッド
層５５のＡｌ組成比ｘを電流ブロック層５７のＡｌ組成
比ｘよりも小さくし、拡散ストップ層５６のＡｌ組成比
ｘを上部クラッド層５５のＡｌ組成比ｘよりも一層小さ
くすることによって、電流ブロック層５７と拡散ストッ
プ層５６との拡散スピードの比を電流ブロック層５７と
上部クラッド層５５との拡散スピードの比よりも大きく
し、拡散処理を容易にしている。すなわち、Ｚｎは電流
ブロック層５７を速やかに拡散し、拡散ストップ層５６
に達すると急激に拡散スピードが低下するので、Ｚｎが
活性層５４に達するのを防止できる。
Ｚｎ拡散領域５９が確実に電流ブロック層５７を抜け、
かつ、ｐ−Ｚｎ拡散領域５９が活性層５４に達すること
のないよう、拡散ストップ層５６と上部クラッド層５５
との拡散スピードの差を利用してＺｎの拡散スピードを
制御している。すなわち、Ａｌ組成比ｘのＡｌxＧａ1 -x
Ａｓは、図５に示すように、Ａｌ組成比ｘが増加するほ
どＺｎの拡散スピード（正確にいうと、拡散深さＸｊと
拡散時間ｔの平方根との比であって、拡散係数Ｄの平方
根に比例する。）が大きくなる。そこで、電流ブロック
層５７のＡｌ組成比ｘを比較的大きくし、上部クラッド
層５５のＡｌ組成比ｘを電流ブロック層５７のＡｌ組成
比ｘよりも小さくし、拡散ストップ層５６のＡｌ組成比
ｘを上部クラッド層５５のＡｌ組成比ｘよりも一層小さ
くすることによって、電流ブロック層５７と拡散ストッ
プ層５６との拡散スピードの比を電流ブロック層５７と
上部クラッド層５５との拡散スピードの比よりも大きく
し、拡散処理を容易にしている。すなわち、Ｚｎは電流
ブロック層５７を速やかに拡散し、拡散ストップ層５６
に達すると急激に拡散スピードが低下するので、Ｚｎが
活性層５４に達するのを防止できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体発光素子にあっては、拡散ストップ層のＡ
ｌ組成比ｘは活性層のＡｌ組成比ｘよりも大きく、か
つ、上部クラッド層のＡｌ組成比ｘよりも小さくなけれ
ばならないので、拡散ストップ層のＡｌ組成比ｘにも下
限があり、電流ブロック層と拡散ストップ層の拡散スピ
ードの比は最大３倍程度にしかならなかった。
ような半導体発光素子にあっては、拡散ストップ層のＡ
ｌ組成比ｘは活性層のＡｌ組成比ｘよりも大きく、か
つ、上部クラッド層のＡｌ組成比ｘよりも小さくなけれ
ばならないので、拡散ストップ層のＡｌ組成比ｘにも下
限があり、電流ブロック層と拡散ストップ層の拡散スピ
ードの比は最大３倍程度にしかならなかった。
【０００８】特に、可視系（発光波長７００ｎｍ以下）
の発光素子の場合には、活性層のＡｌ組成比ｘは０.３
以上必要で、上部クラッド層のＡｌ組成比ｘは０.７程
度であるため、拡散スピードの比は２倍程度しか得られ
ず、拡散深さの制御に限界があた。
の発光素子の場合には、活性層のＡｌ組成比ｘは０.３
以上必要で、上部クラッド層のＡｌ組成比ｘは０.７程
度であるため、拡散スピードの比は２倍程度しか得られ
ず、拡散深さの制御に限界があた。
【０００９】また、拡散ストップ層を必要とするので、
余分に結晶成長の手間がかかるという問題があった。
余分に結晶成長の手間がかかるという問題があった。
【００１０】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、電流狭窄構
造における電流阻止層に電流通路領域を形成するための
不純物拡散工程において、拡散深さの制御を容易にする
ことにある。
れたものであり、その目的とするところは、電流狭窄構
造における電流阻止層に電流通路領域を形成するための
不純物拡散工程において、拡散深さの制御を容易にする
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）活性層の上方
に第１導電型のＡｌＧａＡｓ半導体層と第２導電型のＩ
ｎＧａＰ半導体層を順次形成し、当該両半導体層によっ
てｐｎ接合電流阻止層を形成し、このＩｎＧａＰ半導体
層の一部に拡散によって第１導電型の電流通路領域を形
成したことを特徴としている。
素子は、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）活性層の上方
に第１導電型のＡｌＧａＡｓ半導体層と第２導電型のＩ
ｎＧａＰ半導体層を順次形成し、当該両半導体層によっ
てｐｎ接合電流阻止層を形成し、このＩｎＧａＰ半導体
層の一部に拡散によって第１導電型の電流通路領域を形
成したことを特徴としている。
【００１２】
【作用】ＩｎＧａＰはＡｌＧａＡｓに比べてＺｎ等の拡
散スピードが高いので、電流ブロック層をＩｎＧａＰに
よって形成すれば、拡散ストップ層を用いることなく、
電流ブロック層とその下の半導体層（例えば、上部クラ
ッド層）との拡散スピードの比を、従来例における電流
ブロック層と拡散ストップ層との比よりも大きくするこ
とができる。
散スピードが高いので、電流ブロック層をＩｎＧａＰに
よって形成すれば、拡散ストップ層を用いることなく、
電流ブロック層とその下の半導体層（例えば、上部クラ
ッド層）との拡散スピードの比を、従来例における電流
ブロック層と拡散ストップ層との比よりも大きくするこ
とができる。
【００１３】従って、電流通路領域を形成するために不
純物を拡散させる際の拡散深さを精密に制御することが
できる。
純物を拡散させる際の拡散深さを精密に制御することが
できる。
【００１４】しかも、拡散ストップ層が不要になるの
で、半導体層を少なくとも１層減少させることができ、
結晶成長工程を簡略化することができる。
で、半導体層を少なくとも１層減少させることができ、
結晶成長工程を簡略化することができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例による上面出射型の
半導体発光素子１を示す平面図及び断面図で、図２
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はその製造方法を示す断面図
である。以下、この半導体発光素子１を製造手順に従っ
て説明する。
半導体発光素子１を示す平面図及び断面図で、図２
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はその製造方法を示す断面図
である。以下、この半導体発光素子１を製造手順に従っ
て説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２の上に、例えばＭＯＣＶＤ（metal-organic
ＣＶＤ）法により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層
３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部
クラッド層５、ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層６、ｐ−
ＡｌＧａＡｓキャップ層７を順次成長させる。こうして
ｐｎｐｎ構造が得られる。つぎに、ｐ−ＡｌＧａＡｓキ
ャップ層の任意の位置、例えば中央部に塗布性の拡散剤
（ＯＣＤ）を用いて、または石英管内でのＺｎ拡散工程
により、所望の発光径でｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド
層５までＺｎを拡散させ、図２（ｂ）に示すように、ｐ
−Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）８を形成する。
Ａｓ基板２の上に、例えばＭＯＣＶＤ（metal-organic
ＣＶＤ）法により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層
３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部
クラッド層５、ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層６、ｐ−
ＡｌＧａＡｓキャップ層７を順次成長させる。こうして
ｐｎｐｎ構造が得られる。つぎに、ｐ−ＡｌＧａＡｓキ
ャップ層の任意の位置、例えば中央部に塗布性の拡散剤
（ＯＣＤ）を用いて、または石英管内でのＺｎ拡散工程
により、所望の発光径でｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド
層５までＺｎを拡散させ、図２（ｂ）に示すように、ｐ
−Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）８を形成する。
【００１７】図３は拡散温度６１６℃におけるＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（Ａｌ組成比ｘ＝０.０５，０.３，０.７）と
ＩｎyＧａ1-yＰ（ＡｌＧａＡｓの上で格子整合を取るた
め、Ｉｎ組成比ｙは約０.５ぐらいとしてある。）の平
均拡散時間ｔの平方根と拡散深さＸｊとの関係を示す図
である。６１６℃で１時間拡散を行なうと、ＩｎＧａＰ
では約７μｍ拡散するが、Ａｌ組成比ｘ＝０.３，０.７
のＡｌＧａＡｓではそれぞれ０.６μｍ，１.６μｍしか
拡散せず、ＩｎＧａＰとＡｌＧａＡｓでは拡散スピード
が４〜１２倍異なる。すなわち、電流ブロック層６から
上部クラッド層５へ拡散が進むと、拡散スピードが１／
４〜１／１２に低下するので、ＡｌＧａＡｓ系発光素子
のあらゆる発光波長（６００〜８８０ｎｍ）において拡
散深さを再現性よく制御することができ、特性ばらつき
の小さい発光素子を製作できる。
ａ1-xＡｓ（Ａｌ組成比ｘ＝０.０５，０.３，０.７）と
ＩｎyＧａ1-yＰ（ＡｌＧａＡｓの上で格子整合を取るた
め、Ｉｎ組成比ｙは約０.５ぐらいとしてある。）の平
均拡散時間ｔの平方根と拡散深さＸｊとの関係を示す図
である。６１６℃で１時間拡散を行なうと、ＩｎＧａＰ
では約７μｍ拡散するが、Ａｌ組成比ｘ＝０.３，０.７
のＡｌＧａＡｓではそれぞれ０.６μｍ，１.６μｍしか
拡散せず、ＩｎＧａＰとＡｌＧａＡｓでは拡散スピード
が４〜１２倍異なる。すなわち、電流ブロック層６から
上部クラッド層５へ拡散が進むと、拡散スピードが１／
４〜１／１２に低下するので、ＡｌＧａＡｓ系発光素子
のあらゆる発光波長（６００〜８８０ｎｍ）において拡
散深さを再現性よく制御することができ、特性ばらつき
の小さい発光素子を製作できる。
【００１８】この後、図２（ｃ）に示すように、フォト
リソグラフィ工程により、ｐ−Ｚｎ拡散領域８上にのみ
ＡＺレジストによるマスク９を形成し、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層７の上面全体にｐ側電極１０を蒸着させ、
リフトオフ法によりマスク９を除去することにより光を
取り出すためのウインドウ部１１をｐ側電極１０に形成
する。こうしてウインドウ部１１を除き、ｐ側電極１０
はその全面においてｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ層７とオ
ーミック接触することになる。最後に、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ基板２の下面全体に蒸着等によってｎ側電極１２を形
成し、図２（ｄ）に示すような上面出射型の発光素子１
を完成する。
リソグラフィ工程により、ｐ−Ｚｎ拡散領域８上にのみ
ＡＺレジストによるマスク９を形成し、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層７の上面全体にｐ側電極１０を蒸着させ、
リフトオフ法によりマスク９を除去することにより光を
取り出すためのウインドウ部１１をｐ側電極１０に形成
する。こうしてウインドウ部１１を除き、ｐ側電極１０
はその全面においてｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ層７とオ
ーミック接触することになる。最後に、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ基板２の下面全体に蒸着等によってｎ側電極１２を形
成し、図２（ｄ）に示すような上面出射型の発光素子１
を完成する。
【００１９】こうしてｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層６
の一部領域がｐ型に反転し、ｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ
層７及びｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層６を貫通してｐ
−Ｚｎ拡散領域８が形成される。しかして、ｎ−ＩｎＧ
ａＰ電流ブロック層６とｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド
層５とによってｐｎ接合電流阻止層が形成されており、
その境界面は素子に順バイアスがかけられた時に逆バイ
アスとなるので、ｐ−Ｚｎ拡散領域８にのみ電流が流れ
る電流狭窄構造となっている。
の一部領域がｐ型に反転し、ｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ
層７及びｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層６を貫通してｐ
−Ｚｎ拡散領域８が形成される。しかして、ｎ−ＩｎＧ
ａＰ電流ブロック層６とｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド
層５とによってｐｎ接合電流阻止層が形成されており、
その境界面は素子に順バイアスがかけられた時に逆バイ
アスとなるので、ｐ−Ｚｎ拡散領域８にのみ電流が流れ
る電流狭窄構造となっている。
【００２０】なお、本発明を実施できる発光素子には発
光ダイオードや半導体レーザ素子等があり、上面出射型
の発光素子に限らず端面出射型の発光素子にも実施でき
ることはもちろんである。また、拡散領域及びウインド
ウ部の形状は円形に限らず、任意の形状が可能である。
さらに、本発明はＩｎＧａＰ電流ブロック層の下面にＡ
ｌＧａＡｓ拡散ストップ層を設けることを妨げるもので
なく、拡散ストップを設ければ、より一層拡散スピード
の比が大きくなり、拡散処理の制御が一層容易になる。
光ダイオードや半導体レーザ素子等があり、上面出射型
の発光素子に限らず端面出射型の発光素子にも実施でき
ることはもちろんである。また、拡散領域及びウインド
ウ部の形状は円形に限らず、任意の形状が可能である。
さらに、本発明はＩｎＧａＰ電流ブロック層の下面にＡ
ｌＧａＡｓ拡散ストップ層を設けることを妨げるもので
なく、拡散ストップを設ければ、より一層拡散スピード
の比が大きくなり、拡散処理の制御が一層容易になる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ＩｎＧａＰ電流ブロッ
ク層とその下の半導体層（例えば、上部クラッド層）と
の拡散スピードの比を大きくすることができるので、電
流通路領域を形成するために不純物を拡散させる際の拡
散深さを精密に制御することができ、電流通路領域を容
易に形成できる。この結果、特性ばらつきの小さな発光
素子を製作可能になる。
ク層とその下の半導体層（例えば、上部クラッド層）と
の拡散スピードの比を大きくすることができるので、電
流通路領域を形成するために不純物を拡散させる際の拡
散深さを精密に制御することができ、電流通路領域を容
易に形成できる。この結果、特性ばらつきの小さな発光
素子を製作可能になる。
【００２２】しかも、拡散ストップ層が不要になるの
で、半導体層を少なくとも１層減少させることができ、
結晶成長工程を簡略化することができる。
で、半導体層を少なくとも１層減少させることができ、
結晶成長工程を簡略化することができる。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例による半導体
発光素子を示す平面図及び断面図である。
発光素子を示す平面図及び断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は同上の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】ＡｌＧａＡｓとＩｎＧａＰにおける拡散時間と
拡散深さとの関係を示す図である。
拡散深さとの関係を示す図である。
【図４】（ａ）（ｂ）は先願にかかるＡｌＧａＡｓ系の
半導体発光素子を示す平面図及び断面図である。
半導体発光素子を示す平面図及び断面図である。
【図５】ＡｌxＧａ1-xＡｓにおけるＡｌ組成比ｘと拡散
スピードとの関係を示す図である。
スピードとの関係を示す図である。
４ ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層 ６ ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層 ８ ｐ−Ｚｎ拡散領域
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）活性層
の上方に第１導電型のＡｌＧａＡｓ半導体層と第２導電
型のＩｎＧａＰ半導体層を順次形成し、当該両半導体層
によってｐｎ接合電流阻止層を形成し、このＩｎＧａＰ
半導体層の一部に拡散によって第１導電型の電流通路領
域を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470291A JPH0590641A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470291A JPH0590641A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590641A true JPH0590641A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17545371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27470291A Pending JPH0590641A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009214B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-03-07 | Atomic Energy Council —Institute of Nuclear Energy Research | Light-emitting device with a current blocking structure and method for making the same |
| JP2007109922A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP27470291A patent/JPH0590641A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009214B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-03-07 | Atomic Energy Council —Institute of Nuclear Energy Research | Light-emitting device with a current blocking structure and method for making the same |
| JP2007109922A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP4694342B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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