JPS63153878A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63153878A JPS63153878A JP29999086A JP29999086A JPS63153878A JP S63153878 A JPS63153878 A JP S63153878A JP 29999086 A JP29999086 A JP 29999086A JP 29999086 A JP29999086 A JP 29999086A JP S63153878 A JPS63153878 A JP S63153878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- active layer
- layer
- algaas
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体発光装置の製造方法に於いて、ＡｌＧ
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層を形成
し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜と
の多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性
層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に
向かって大きくなるようグレーデッドになっているクラ
ッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラ
ッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活性層を
選択的に無秩序化することに依り、そのＺｎ拡散領域或
いはＳｉ拡散領域により画成されるストライプ部分は活
性層に於いて最も狭くなるようにし、良好な単−横モー
ド発振及び良好なオーミック・コンタクトが得られるよ
うにしたものである。
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層を形成
し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜と
の多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性
層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に
向かって大きくなるようグレーデッドになっているクラ
ッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラ
ッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活性層を
選択的に無秩序化することに依り、そのＺｎ拡散領域或
いはＳｉ拡散領域により画成されるストライプ部分は活
性層に於いて最も狭くなるようにし、良好な単−横モー
ド発振及び良好なオーミック・コンタクトが得られるよ
うにしたものである。
本発明は、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗ ｅ ｌ
ｌ ： Ｍ ＱＷ）にＺｎ或いはＳｉを選択的に拡散し
て無秩序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形
式の半導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗ ｅ ｌ
ｌ ： Ｍ ＱＷ）にＺｎ或いはＳｉを選択的に拡散し
て無秩序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形
式の半導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
従来、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなるＭＱＷに
Ｚｎ或いはＳｔを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ｌＧａＡｓ層になる、所謂、無秩序化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｌＧａＡ
ｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅が
大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於ける
光の閉じ込めを行う試みがなされている。
Ｚｎ或いはＳｔを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ｌＧａＡｓ層になる、所謂、無秩序化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｌＧａＡ
ｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅が
大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於ける
光の閉じ込めを行う試みがなされている。
第５図は前記技術を適用することに依り作成された半導
体発光装置の要部切断正面図を表している。
体発光装置の要部切断正面図を表している。
図に於いて、１１はｐ＋型ＧａＡｓ基板、１２はｐ型Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、１３はＧａＡｓ膜とＡｌＧａ
Ａｓ膜とを積層して構成されたＭＱＷ活性層、１４はｎ
型Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、１５はｎ１型ＧａＡｓ電
極コンタクト層、１６はＺｎ拡散領域、１７はＳ ｉ
Ｏ２からなる絶縁膜、１８はｎ側電極、１９はｐ側電極
、１１は表面近傍に於けるストライプ部分の幅、１２は
ＭＱＷ活性層１３に於ける活性領域の幅をそれぞれ示し
ている。尚、図示例では、簡明にする為、バッファ層な
ど説明に不要な部分は省略しである。
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、１３はＧａＡｓ膜とＡｌＧａ
Ａｓ膜とを積層して構成されたＭＱＷ活性層、１４はｎ
型Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、１５はｎ１型ＧａＡｓ電
極コンタクト層、１６はＺｎ拡散領域、１７はＳ ｉ
Ｏ２からなる絶縁膜、１８はｎ側電極、１９はｐ側電極
、１１は表面近傍に於けるストライプ部分の幅、１２は
ＭＱＷ活性層１３に於ける活性領域の幅をそれぞれ示し
ている。尚、図示例では、簡明にする為、バッファ層な
ど説明に不要な部分は省略しである。
図示の半導体発光装置では、ＭＱＷ活性層１３のうちＺ
ｎ拡散領域１６の一部となった部分は無秩序化され、そ
こではＭＱＷの構成は解消されて均一なＡｌＧａＡｓ層
に変換され、しかも、そのＡｌＧａＡｓ層は前記したよ
うに当初のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯
幅が広くなっているので、光の閉じ込めに有効に作用す
る。
ｎ拡散領域１６の一部となった部分は無秩序化され、そ
こではＭＱＷの構成は解消されて均一なＡｌＧａＡｓ層
に変換され、しかも、そのＡｌＧａＡｓ層は前記したよ
うに当初のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯
幅が広くなっているので、光の閉じ込めに有効に作用す
る。
第５図からも判るように、従来技術に依るこの種の半導
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域１６に依って画成された
ストライプ部分は深くなるにつれて大きく拡がってしま
い、従って、レーザ発光領域も広くなるので単−横モー
ド発振が困難になる欠点を持っている。
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域１６に依って画成された
ストライプ部分は深くなるにつれて大きく拡がってしま
い、従って、レーザ発光領域も広くなるので単−横モー
ド発振が困難になる欠点を持っている。
因に、幅１１が１〜２〔μｍ〕である場合、幅１２は２
〜３〔μｍ〕以上になることは確実である。
〜３〔μｍ〕以上になることは確実である。
この半導体発光装置に於いて、活性層領域を狭くする為
には、Ｚｎ拡散領域１６に依って画成されるストライブ
領域の幅を更に狭くすれば良いと考えられようが、若し
、活性領域の幅１２を発振モードの面から満足できるよ
うな程度に狭く設定した場合には、表面に於ける前記ス
トライプ部分の幅１１は著しく狭いものとなり、従って
、その上に存在するｎ＋型ＧａＡｓキャップ層１５は更
に狭いものにすることが必要となるが、実際上、その加
工精度を維持するのは不可能に近いほど困難である。
には、Ｚｎ拡散領域１６に依って画成されるストライブ
領域の幅を更に狭くすれば良いと考えられようが、若し
、活性領域の幅１２を発振モードの面から満足できるよ
うな程度に狭く設定した場合には、表面に於ける前記ス
トライプ部分の幅１１は著しく狭いものとなり、従って
、その上に存在するｎ＋型ＧａＡｓキャップ層１５は更
に狭いものにすることが必要となるが、実際上、その加
工精度を維持するのは不可能に近いほど困難である。
本発明は、極めて簡単な構成を採ることに依り、Ｚｎ或
いはＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ部分が
深くなるにつれて幅が拡大されるのを防止できるように
、即ち、レーザ発光する活性領域の幅が最も狭く維持さ
れて安定な単−横モード発振が可能な半導体発光装置を
製造できるようにするものである。
いはＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ部分が
深くなるにつれて幅が拡大されるのを防止できるように
、即ち、レーザ発光する活性領域の幅が最も狭く維持さ
れて安定な単−横モード発振が可能な半導体発光装置を
製造できるようにするものである。
〔問題点を解決するための手段〕 ・
本発明に依る半導体発光装置の製造方法に於いては、Ａ
ｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって
太き（なるようグレーデッドになっているクラッド層（
例えばｎ型ＡβＧａＡｓクラッド２）を形成する工程と
、次に、Ｇ ａ Ａ ｓ、膜及びＡｌＧａＡｓ膜からな
る多重量子井戸で構成される活性層、（例えばＭＱＷ活
性層３）を形成する工程と、次に、該活性層上にＡｌＧ
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層（例え
ばｐ型Ａ ＩＩ −Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層４）を形
成する工程と、その後、前記活性層及びそれを挾む前記
各クラッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活
性層を選択的に無秩序化する工程が含まれている。
ｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって
太き（なるようグレーデッドになっているクラッド層（
例えばｎ型ＡβＧａＡｓクラッド２）を形成する工程と
、次に、Ｇ ａ Ａ ｓ、膜及びＡｌＧａＡｓ膜からな
る多重量子井戸で構成される活性層、（例えばＭＱＷ活
性層３）を形成する工程と、次に、該活性層上にＡｌＧ
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層（例え
ばｐ型Ａ ＩＩ −Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層４）を形
成する工程と、その後、前記活性層及びそれを挾む前記
各クラッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活
性層を選択的に無秩序化する工程が含まれている。
（作用〕
このような手段を採ることに依り得られる半導体発光装
置に於いては、Ｚｎ或いはＳｉを拡散することで画成さ
れたストライプ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、従来技術に依る場合のよ
うに、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持する
為に表面側では電極形成が困難なほど幅狭くしなければ
ならないなどの欠点は解消されるので、電極形成につい
ての面積上の制約は存在しないも同然であり、充分にオ
ーミック・コンタクトをとった電極が形成されたものに
することができる。
置に於いては、Ｚｎ或いはＳｉを拡散することで画成さ
れたストライプ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、従来技術に依る場合のよ
うに、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持する
為に表面側では電極形成が困難なほど幅狭くしなければ
ならないなどの欠点は解消されるので、電極形成につい
ての面積上の制約は存在しないも同然であり、充分にオ
ーミック・コンタクトをとった電極が形成されたものに
することができる。
第１図乃至第４図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図にはＡ
ｌｆｉの組成を表す線図を付記しである。
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図にはＡ
ｌｆｉの組成を表す線図を付記しである。
第１図参照
＋１） 分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適
用することに依り、ｎ＋型ＧａＡｓ基板１にｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ膜とＡｌＣａＡｓ膜から
なるＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４、
ｐ＋型ＧａＡｓ電掻コンタクト層５を成長させる。
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適
用することに依り、ｎ＋型ＧａＡｓ基板１にｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ膜とＡｌＣａＡｓ膜から
なるＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４、
ｐ＋型ＧａＡｓ電掻コンタクト層５を成長させる。
ここで、前記各部分に於ける主要データを例示すると次
の通りである。
の通りである。
■ クラッド層２について
Ｘ値：０．２〜０．４５
（表面に向かいＸ値が大になるグレーデッド）厚さ：１
〔μｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１８（ｅｍ−”）■ 活性
層３について ＧａＡｓ膜の厚さ：８０ 〔人〕 ＡｌＧａＡｓ膜の厚さ：１２０（人〕 ＧａＡｓ膜数：５ ＡＩＧａＡｓ膜数：４ ■ クラッド層４について Ｘ値：Ｑ、４５〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：ｌ
〔μｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−”）■ 電
極コンタクト層５について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１９（Ｃｍ−’）ここで最
も特徴的であるのは、クラッド層２及びクラッド層４に
於けるＸ値が活性層３に向かって大きくなるようになグ
レーデッドになっていることである。
〔μｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１８（ｅｍ−”）■ 活性
層３について ＧａＡｓ膜の厚さ：８０ 〔人〕 ＡｌＧａＡｓ膜の厚さ：１２０（人〕 ＧａＡｓ膜数：５ ＡＩＧａＡｓ膜数：４ ■ クラッド層４について Ｘ値：Ｑ、４５〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：ｌ
〔μｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−”）■ 電
極コンタクト層５について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１９（Ｃｍ−’）ここで最
も特徴的であるのは、クラッド層２及びクラッド層４に
於けるＸ値が活性層３に向かって大きくなるようになグ
レーデッドになっていることである。
第２図参照
（２）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、ストライプ状のフォト・レジスト膜６をマスク
として、電極コンタクト層５、クラッド層４、活性層３
、クラッドＮ２のメサ・エツチングを行う。
に依り、ストライプ状のフォト・レジスト膜６をマスク
として、電極コンタクト層５、クラッド層４、活性層３
、クラッドＮ２のメサ・エツチングを行う。
（３） 電子ビーム加熱蒸着法を適用することに依り
、厚さ約５００ 〔人〕程度のＳｉ膜７を形成する第３
図参照 （４） アセトン中に浸漬するなどしてフォト・レジ
スト膜６を除去する。
、厚さ約５００ 〔人〕程度のＳｉ膜７を形成する第３
図参照 （４） アセトン中に浸漬するなどしてフォト・レジ
スト膜６を除去する。
これに依り、フォト・レジスト膜６上のＳｔ膜７も除去
され、所謂、リフト・オフ法に依るパターニングが行わ
れる。
され、所謂、リフト・オフ法に依るパターニングが行わ
れる。
（５）化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａ ｌ ｖａｐ。
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用するこ
とに依り、厚さ約４０００ （人〕程度のＳ ｉ０２膜
８を形成する。
とに依り、厚さ約４０００ （人〕程度のＳ ｉ０２膜
８を形成する。
（６） ウェハをＡｓと共にアンプル中に封入し、高
温、例えば８５０（’Ｃ）の温度で熱処理を行ってＳｉ
拡散領域９を形成する。
温、例えば８５０（’Ｃ）の温度で熱処理を行ってＳｉ
拡散領域９を形成する。
この場合に於けるＳｉの濃度は、最終的に約２ Ｘ １
０Ｉ８（ｃｍ−’）程度となるようにする。
０Ｉ８（ｃｍ−’）程度となるようにする。
図から明らかなように、Ｓｉ拡散領域９は、クラッド層
２及びクラッドＮ４に於けるＸ値が活性層３に向かって
大きくなるグレーデッドになっていることから、活性層
３の部分で最も横拡がりが大きくなり、従って、Ｓｉ拡
散領域９で画成されるストライプ部分は活性層３のとこ
ろが最も狭くなる。因に、Ｘ値が大きいとＳｔの拡散定
数も大きくなる。
２及びクラッドＮ４に於けるＸ値が活性層３に向かって
大きくなるグレーデッドになっていることから、活性層
３の部分で最も横拡がりが大きくなり、従って、Ｓｉ拡
散領域９で画成されるストライプ部分は活性層３のとこ
ろが最も狭くなる。因に、Ｘ値が大きいとＳｔの拡散定
数も大きくなる。
第４図参照
（７） フッ酸系エツチング液中に浸漬し、Ｓ ｉ
Ｏ２膜８を除去してから、反応性イオン・エツチング（
ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩ
Ｅ）法にてＳｉ膜７を除去する。
Ｏ２膜８を除去してから、反応性イオン・エツチング（
ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩ
Ｅ）法にてＳｉ膜７を除去する。
（８）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、電極コンタクト層５のメサ・エツチングを行い
、前記工程（９）に於いて形成されたＳｉ拡散領域９の
一部を除去する。
に依り、電極コンタクト層５のメサ・エツチングを行い
、前記工程（９）に於いて形成されたＳｉ拡散領域９の
一部を除去する。
尚、この場合、エッチャントとしてはＨ２Ｏ２十ＮＨ３
系エツチング液を用いて良い。
系エツチング液を用いて良い。
（９）マスクとして用いたフォト・レジスト膜などを除
去してから、スパッタリング法を適用することに依り、
厚さ約３０００ （人〕程度の５ｉ０２膜１０を形成
する。
去してから、スパッタリング法を適用することに依り、
厚さ約３０００ （人〕程度の５ｉ０２膜１０を形成
する。
００）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、Ｓ ｉ Ｏ２膜１０をバターニングして電極コ
ンタクト層５に対向するストライプ状の窓を形成する。
に依り、Ｓ ｉ Ｏ２膜１０をバターニングして電極コ
ンタクト層５に対向するストライプ状の窓を形成する。
αＤ 蒸着法を適用することに依り、電極材料膜として
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ膜を形成する。尚、そ
の厚さは、全体で約３０００ ［人］程度とする。
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ膜を形成する。尚、そ
の厚さは、全体で約３０００ ［人］程度とする。
側 通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに
依り、前記Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ膜のパター
ニングを行い、ストライプ状の部分を残し、他を除去す
る。
依り、前記Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ膜のパター
ニングを行い、ストライプ状の部分を残し、他を除去す
る。
尚、この場合のエッチャントとしては、チクニストリッ
プ金（商標名）の溶液を用いると良い。
プ金（商標名）の溶液を用いると良い。
Ｑ３１ 窒素雰囲気中にて温度４７０（’Ｃ）、時間
５〔分〕の合金化熱処理を行い、これに依り、ｐ側電極
ＥＰを完成させる。
５〔分〕の合金化熱処理を行い、これに依り、ｐ側電極
ＥＰを完成させる。
Ｑ４） 蒸着法を適用することに依り、基板１の裏面
にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ膜を形成する。尚、その
厚さは、全体で３０００ Ｃ人〕程度として良い。
にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ膜を形成する。尚、その
厚さは、全体で３０００ Ｃ人〕程度として良い。
ａ！９ 窒素雰囲気中にて温度４３０（’Ｃ）、時間
１〔分〕の合金化熱処理を行い、これに依り、ｎ側電極
ＥＮを完成させる。
１〔分〕の合金化熱処理を行い、これに依り、ｎ側電極
ＥＮを完成させる。
このようにして完成された実施例では、クラッド層２及
びクラッド層３に於けるＡ２組成が図に見られるような
分布になっていることから、Ｓｉ拡散領域９のエツジは
、第３図及び第４図に見られるように、活性層３の部分
で最も拡がった状態に形成され、従って、活性領域とし
ては狭くなっている。
びクラッド層３に於けるＡ２組成が図に見られるような
分布になっていることから、Ｓｉ拡散領域９のエツジは
、第３図及び第４図に見られるように、活性層３の部分
で最も拡がった状態に形成され、従って、活性領域とし
ては狭くなっている。
前記した実施例に於いては、基板１をｎ＋型として各半
導体層の導電型を定めたが、全てを逆導電型とすること
も可能である。
導体層の導電型を定めたが、全てを逆導電型とすること
も可能である。
即ち、
基板１をｐ＋型に
クラッド層２をｐ型に
クラッド層４をｎ型に
コンタクト層５をｎ＋型に
それぞれ変更し、ストライプ部分を画成する拡散領域９
を形成するにはＺｎを用いると良い。このようにした場
合、Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなる電極ＥＮは表
面側に、また、Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕからな
る電極ＥＰは裏面側にすることは勿論である。
を形成するにはＺｎを用いると良い。このようにした場
合、Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなる電極ＥＮは表
面側に、また、Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕからな
る電極ＥＰは裏面側にすることは勿論である。
本発明に依る半導体発光装置の製造方法に於いては、Ａ
ｌＧａＡｓからなり且つＡｌｉ成が活性層側に向かって
大きくなるようグレーデッドになっているクラッド層を
形成し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡ３ＧａＡｓ
膜との多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その
活性層上にＡ３ＧａＡｓからなり且つＡＮ組成が活性層
側に向かって大きくなるようグレーデッドになっている
クラッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各
クラッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活性
層を選択的に無秩序化するようにしている。
ｌＧａＡｓからなり且つＡｌｉ成が活性層側に向かって
大きくなるようグレーデッドになっているクラッド層を
形成し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡ３ＧａＡｓ
膜との多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その
活性層上にＡ３ＧａＡｓからなり且つＡＮ組成が活性層
側に向かって大きくなるようグレーデッドになっている
クラッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各
クラッド層の側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活性
層を選択的に無秩序化するようにしている。
このような手段を採ることに依り得られた半導体発光装
置に於いては、Ｚｎ或いはＳｉを拡散することで画成さ
れたストライプ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、従来技術に依る場合のよ
うに、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持する
為に表面側では電極形成が困難なほど幅狭くしなければ
ならないなどの欠点は解消されるので、電極形成につい
ての面積上の制約は存在しないも同然であり、充分なオ
ーミック・コンタクトをとった電極が形成されたものに
することができる。
置に於いては、Ｚｎ或いはＳｉを拡散することで画成さ
れたストライプ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、従来技術に依る場合のよ
うに、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持する
為に表面側では電極形成が困難なほど幅狭くしなければ
ならないなどの欠点は解消されるので、電極形成につい
ての面積上の制約は存在しないも同然であり、充分なオ
ーミック・コンタクトをとった電極が形成されたものに
することができる。
第１図乃至第４図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第５図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜及び／Ｉｎ！ＧａＡ
ｓ膜を積層して構成されたＭＱＷ活性層、４はｐ型Ａ／
２ＧａＡｓクラッド層、５はｐ＋型ＧａＡｓ電極コンタ
クト層、６はフォト・レジスト膜、７はＳｉ膜、８は５
ｉ０２膜、９はＳｉ拡散領域、１０はＳ ｉ０２膜、Ｅ
Ｐはｐ側電極゛、ＥＮはｎ側電極をそれぞれ示している
。 膿（ｎへ −
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第５図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜及び／Ｉｎ！ＧａＡ
ｓ膜を積層して構成されたＭＱＷ活性層、４はｐ型Ａ／
２ＧａＡｓクラッド層、５はｐ＋型ＧａＡｓ電極コンタ
クト層、６はフォト・レジスト膜、７はＳｉ膜、８は５
ｉ０２膜、９はＳｉ拡散領域、１０はＳ ｉ０２膜、Ｅ
Ｐはｐ側電極゛、ＥＮはｎ側電極をそれぞれ示している
。 膿（ｎへ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かっ
て大きくなるようグレーデッドになっているクラッド層
を形成する工程と、 次いで、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量
子井戸で構成される活性層を形成する工程と、 次いで、該活性層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組
成が活性層側に向かって大きくなるようグレーデッドに
なっているクラッド層を形成する工程と、 その後、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッド層の
側面からＺｎ或いはＳｉを導入して該活性層を選択的に
無秩序化する工程と が含まれてなることを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29999086A JPS63153878A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29999086A JPS63153878A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153878A true JPS63153878A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17879414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29999086A Pending JPS63153878A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461184A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Nec Corp | 面発光半導体レーザの製造方法 |
| JPH04159789A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP29999086A patent/JPS63153878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461184A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Nec Corp | 面発光半導体レーザの製造方法 |
| JPH04159789A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2752423B2 (ja) | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 | |
| JP3734849B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US6430203B1 (en) | Semiconductor laser device with non-oxidized facet regions | |
| JPS63299186A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0777278B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS63153878A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH02196486A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS62279689A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS63153877A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH0433380A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05145182A (ja) | 端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法 | |
| KR930024238A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 구조 및 제조방법 | |
| JPH02114583A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05275802A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0336779A (ja) | 光論理素子 | |
| JPH11354880A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH03185889A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0582901A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH09307185A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPS61148893A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04253389A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS6129183A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH01313989A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS63307791A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |