JPH02114583A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02114583A JPH02114583A JP26735888A JP26735888A JPH02114583A JP H02114583 A JPH02114583 A JP H02114583A JP 26735888 A JP26735888 A JP 26735888A JP 26735888 A JP26735888 A JP 26735888A JP H02114583 A JPH02114583 A JP H02114583A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子素子との集積に適し、かつ動作電流の
小さい半導体レーザの製造方法に関するものである。
小さい半導体レーザの製造方法に関するものである。
電子素子との集積に適した半導体レーザとして、従来、
第３図にその断面図を示す構造のものが知られている。
第３図にその断面図を示す構造のものが知られている。
この半導体レーザは、半絶縁性ＧａＡｓ、ｉｉ；板１の
上に、ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１クラッド層２
、活性層となる多重量子井戸（ＭｕｌｔｉＱｕａｎｔｕ
ａ＋ Ｗｅｌｌ、 Ｍ Ｑ Ｗ ）層（ＭＱＷ活性層）
３、ｎ−ＡｊＧａＡｓ第２クラッド層４、ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層（コンタクト層）１４を順次形成し、その後
、亜鉛（Ｚｎ）を選択的に拡散し、ストライブ状のｎ型
領域を残すようにｐ型拡散領域８を形成する。さらに、
ｐ −ｎ接合が表面に現れる部分のｎ −Ｇ ａＡｓ層
１３を選択的にエツチングしてｎおよびｐそれぞれの表
面に電極１１，１２を形成したものである。
上に、ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１クラッド層２
、活性層となる多重量子井戸（ＭｕｌｔｉＱｕａｎｔｕ
ａ＋ Ｗｅｌｌ、 Ｍ Ｑ Ｗ ）層（ＭＱＷ活性層）
３、ｎ−ＡｊＧａＡｓ第２クラッド層４、ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層（コンタクト層）１４を順次形成し、その後
、亜鉛（Ｚｎ）を選択的に拡散し、ストライブ状のｎ型
領域を残すようにｐ型拡散領域８を形成する。さらに、
ｐ −ｎ接合が表面に現れる部分のｎ −Ｇ ａＡｓ層
１３を選択的にエツチングしてｎおよびｐそれぞれの表
面に電極１１，１２を形成したものである。
このようにすると、活性層のＭＱＷ層３はＺ口拡数部分
が無秩序化し、丁度平均的な組成のＡｌＧａＡｓ層にな
ることが知られており、いわゆる埋め込み型のレーザ構
造となる。
が無秩序化し、丁度平均的な組成のＡｌＧａＡｓ層にな
ることが知られており、いわゆる埋め込み型のレーザ構
造となる。
次に動作について説明する。
このような構造では活性領域（ＭＱＷ層３の無秩序化さ
れていない部分）９の周辺のｐ −ｎ接合およびその上
部のｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓと両側の拡散部分の
間に形成される２種類のｐ −ｎ接合を持つことになる
。前者のｐ −ｎ接合は後者に比べて拡散電位が低いた
めｎｐ Ｐ画電極１１，１２間に電圧を印加すると、電
流は拡散電位の低い活性層周辺のｐ −ｎ接合に流れキ
ャリヤは活性領域９に注入する。活性領域９は四辺を屈
折率の低いＡｌＧａＡｓ層で囲まれているため、光の導
波路となり幅を十分に狭くできれば安定な単一モードで
発振し、かつ低閾値が得られる。また、ｎｐＰ電極１１
．１２がｐ −ｎ双方とも同一主面上に形成できるため
集積化に適している。
れていない部分）９の周辺のｐ −ｎ接合およびその上
部のｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓと両側の拡散部分の
間に形成される２種類のｐ −ｎ接合を持つことになる
。前者のｐ −ｎ接合は後者に比べて拡散電位が低いた
めｎｐ Ｐ画電極１１，１２間に電圧を印加すると、電
流は拡散電位の低い活性層周辺のｐ −ｎ接合に流れキ
ャリヤは活性領域９に注入する。活性領域９は四辺を屈
折率の低いＡｌＧａＡｓ層で囲まれているため、光の導
波路となり幅を十分に狭くできれば安定な単一モードで
発振し、かつ低閾値が得られる。また、ｎｐＰ電極１１
．１２がｐ −ｎ双方とも同一主面上に形成できるため
集積化に適している。
第３図の構造では、電流が活性領域９に有効に注入され
るが、活性層とまわりのＡｌＧａＡｓ層得るためには幅
を、２μｍ以下と極めて狭くしなければならず、低い接
触抵抗を有するｎ電極１１をその上に形成することは、
極めて困難であった。
るが、活性層とまわりのＡｌＧａＡｓ層得るためには幅
を、２μｍ以下と極めて狭くしなければならず、低い接
触抵抗を有するｎ電極１１をその上に形成することは、
極めて困難であった。
また、電極の形成がいわゆるセルフアラインメント方式
でないため、ｎ型拡散領域８の間に幅の狭いｎ電極パタ
ーンを作ることは写真製版が難しく、作業能率がきわめ
て悪かった。
でないため、ｎ型拡散領域８の間に幅の狭いｎ電極パタ
ーンを作ることは写真製版が難しく、作業能率がきわめ
て悪かった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、活性層幅は狭く、セルフアラインメント方
式で電極を形成する半導体レーザの製造方法を得ること
を目的とする。
れたもので、活性層幅は狭く、セルフアラインメント方
式で電極を形成する半導体レーザの製造方法を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、半絶縁性基
板上に量子井戸層からなる活性層と、この活性層を上下
からはさむ第１および第２クラッド層が形成され、第２
クラッド層上に不純物の拡散源となる不純物を含む被膜
を形成し、この被膜から、不純物の拡散を行い活性層の
一部を選択的に無秩序化する工程と、被膜を選択成長マ
スクとし、第２クラッド層上にこの第２クラッド層と同
じ導電型の層を選択成長する工程と、選択成長された層
上に電極を形成する工程とからなるものである。
板上に量子井戸層からなる活性層と、この活性層を上下
からはさむ第１および第２クラッド層が形成され、第２
クラッド層上に不純物の拡散源となる不純物を含む被膜
を形成し、この被膜から、不純物の拡散を行い活性層の
一部を選択的に無秩序化する工程と、被膜を選択成長マ
スクとし、第２クラッド層上にこの第２クラッド層と同
じ導電型の層を選択成長する工程と、選択成長された層
上に電極を形成する工程とからなるものである。
この発明においては、不純物導入に対して拡散源となる
とともに、この拡散源は、選択成長時のマスクとして働
き、高度な写真製版技術を駆使することなく、所望の半
導体レーザを実現する。
とともに、この拡散源は、選択成長時のマスクとして働
き、高度な写真製版技術を駆使することなく、所望の半
導体レーザを実現する。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図（ａ） （ｂ）はこの発明の一実施例を示す
半導体レーザの製造工程を説明するための断面図である
。第１図において、第３図と同一符号は同じものを示し
、５はｎ型不純物の拡散源となるＺｎＯ膜、６は前記Ｚ
ｎＯ膜５を保護するためのＳｉｎ、膜、１０は前記ｎ
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の上に選択
的に成長されたｎ −Ａ ｌＧａＡｓ層である。
半導体レーザの製造工程を説明するための断面図である
。第１図において、第３図と同一符号は同じものを示し
、５はｎ型不純物の拡散源となるＺｎＯ膜、６は前記Ｚ
ｎＯ膜５を保護するためのＳｉｎ、膜、１０は前記ｎ
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の上に選択
的に成長されたｎ −Ａ ｌＧａＡｓ層である。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に気相成長法あるいは分子線
成長法などによってｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１
クラッド層２．ＭＱＷ活性層３．ｎ−ＡＪＧａＡｓ第２
クラッド層４を成長する。ＭＱＷ活性層３は、ｐ型、ｎ
型、アンドープ（軽いｎまたはｐ）のいずれでもよい。
成長法などによってｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１
クラッド層２．ＭＱＷ活性層３．ｎ−ＡＪＧａＡｓ第２
クラッド層４を成長する。ＭＱＷ活性層３は、ｐ型、ｎ
型、アンドープ（軽いｎまたはｐ）のいずれでもよい。
ここでは便宜上ｎ型で説明する。
両クラッド層２および４のｋｌＱ晶比は０．３から０．
８程度が適当であるが、これに限定されるものではなく
、比較的任意に選んでもよい。つづいて、ｎ −Ａ Ｉ
Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の主面上に気相成長
法あるいはスパッタ法によりドープトオキサイドである
ＺｎＯ膜５およびこのＺｎＯ膜５を保護する５ｉｆｔ膜
６を形成する。なお、５ＩＯ２膜６がある方が高い濃度
のＺｎ拡散が可能となるが、Ｓｉｎ、膜は必ずしも必要
ではなく、省略することも可能である。ＺｎＯ膜５およ
びＳｉＯ□膜６の各々の膜厚ば、５００オンゲス）、ロ
ーム程度が適当である。次に、通常の写真製版法および
化学エツチング法などを用いてＳｉＯ□膜６およびＺｎ
Ｏ膜５に幅１０μｍ程度のストライブ状の窓７を形成す
る。必要に応じてｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２ク
ラッド層４の表面保護の目的でＳｉ３Ｎ４などの誘電体
膜（図示せず）、てこのストライプ状の窓７を覆っても
よい。ストライブ状の窓７をもつこのウェハを窒素雰囲
気あるいは窒素と水素の混合雰囲気で、例えば７００℃
、数時間保持するとＺｎＯ膜５からＺｎのいわゆる固相
拡散が起こりｐ型拡散領域８が形成される。ＭＱＷ層で
形成されている活性層（ＭＱＷ活性層）３は、この不純
物拡散に伴ってＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの混ざり込みが
生じ、組成が平均化されたＡｌＧａＡｓ層となる（ＭＱ
Ｗの無秩序化と呼ぶ）。
８程度が適当であるが、これに限定されるものではなく
、比較的任意に選んでもよい。つづいて、ｎ −Ａ Ｉ
Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の主面上に気相成長
法あるいはスパッタ法によりドープトオキサイドである
ＺｎＯ膜５およびこのＺｎＯ膜５を保護する５ｉｆｔ膜
６を形成する。なお、５ＩＯ２膜６がある方が高い濃度
のＺｎ拡散が可能となるが、Ｓｉｎ、膜は必ずしも必要
ではなく、省略することも可能である。ＺｎＯ膜５およ
びＳｉＯ□膜６の各々の膜厚ば、５００オンゲス）、ロ
ーム程度が適当である。次に、通常の写真製版法および
化学エツチング法などを用いてＳｉＯ□膜６およびＺｎ
Ｏ膜５に幅１０μｍ程度のストライブ状の窓７を形成す
る。必要に応じてｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２ク
ラッド層４の表面保護の目的でＳｉ３Ｎ４などの誘電体
膜（図示せず）、てこのストライプ状の窓７を覆っても
よい。ストライブ状の窓７をもつこのウェハを窒素雰囲
気あるいは窒素と水素の混合雰囲気で、例えば７００℃
、数時間保持するとＺｎＯ膜５からＺｎのいわゆる固相
拡散が起こりｐ型拡散領域８が形成される。ＭＱＷ層で
形成されている活性層（ＭＱＷ活性層）３は、この不純
物拡散に伴ってＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの混ざり込みが
生じ、組成が平均化されたＡｌＧａＡｓ層となる（ＭＱ
Ｗの無秩序化と呼ぶ）。
ストライブ状の窓７の下でｐ型に反転されない領域は、
ＭＱＷのまま残り活性領域９を形成する。ストライブ状
の窓７の幅を１０μｍにしておいても拡散時に拡散領域
は成長層に平行に横方向にも広がるため、活性領域９の
幅は拡散時間を制御することにより容易に基本モード発
振に必要な２μｍ以下にすることができる。拡散後、Ｓ
ｉｎ。
ＭＱＷのまま残り活性領域９を形成する。ストライブ状
の窓７の幅を１０μｍにしておいても拡散時に拡散領域
は成長層に平行に横方向にも広がるため、活性領域９の
幅は拡散時間を制御することにより容易に基本モード発
振に必要な２μｍ以下にすることができる。拡散後、Ｓ
ｉｎ。
膜６およびＺｎＯ膜５を選択成長マスクとし、液相成長
法あるいはＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
０を成長する。膜のないストライブ状の窓７部分ではｎ
−Ａｔ’ＧａＡｓ第２クラッド層４上に単結晶が成長す
る。ストライブ状の窓７の近くでは、成長が横から進み
、やは９単結晶が得られる。ストライブ状の窓７から離
れた部分の５ｉＯｚ膜６上では、多結晶の析出がみられ
ろがこの発明では、電極形成用にこの成長層を用いるた
め問題はない。第１図においては選択成長されたｎ −
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１０は、ストライブ状の窓７
近傍に限定されるように模式的に示しているが、通常の
成長ではＳ ｉ Ｏｔ Ｗ４６上全面上およぶ。この場
合は、写真製版法と化学エツチング法を用いてストライ
ブ状の窓７近傍以外の不要な成長層を除去すればよい。
法あるいはＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
０を成長する。膜のないストライブ状の窓７部分ではｎ
−Ａｔ’ＧａＡｓ第２クラッド層４上に単結晶が成長す
る。ストライブ状の窓７の近くでは、成長が横から進み
、やは９単結晶が得られる。ストライブ状の窓７から離
れた部分の５ｉＯｚ膜６上では、多結晶の析出がみられ
ろがこの発明では、電極形成用にこの成長層を用いるた
め問題はない。第１図においては選択成長されたｎ −
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１０は、ストライブ状の窓７
近傍に限定されるように模式的に示しているが、通常の
成長ではＳ ｉ Ｏｔ Ｗ４６上全面上およぶ。この場
合は、写真製版法と化学エツチング法を用いてストライ
ブ状の窓７近傍以外の不要な成長層を除去すればよい。
また、この選択成長層のＡｌ混晶比はｎ −Ａ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓ第２クラッド層４のＡｌ混晶比と同程度か
それ以上にしておくことが望ましい。選択成長後、真空
蒸着法等によりＮｉ／ＡｕＧｅなどによりｎ電極１１を
形成する。ｐ電極１２はストライブ状の窓７からやや離
れたところにＳｉＯ□膜６およびＺ ｎ Ｏｙ、５の一
部を除去し、Ａｕ／Ｚｕ等の金属により形成すればよい
。
ａ Ａ ｓ第２クラッド層４のＡｌ混晶比と同程度か
それ以上にしておくことが望ましい。選択成長後、真空
蒸着法等によりＮｉ／ＡｕＧｅなどによりｎ電極１１を
形成する。ｐ電極１２はストライブ状の窓７からやや離
れたところにＳｉＯ□膜６およびＺ ｎ Ｏｙ、５の一
部を除去し、Ａｕ／Ｚｕ等の金属により形成すればよい
。
以上のようにして形成されたこの発明による半導体レー
ザの動作は、ｐ電極１２が正になるように電圧を印加す
ると、従来例と同じ原理によって活性領域９でレーザ発
振が起こる。選択成長によるｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ層１０と不純物が拡散されてｐ型に反転したＡｌＧ
ａＡｓとの間にできるｐｎ接合は、活性領域９とｎ −
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の間にできた
ｐ −ｎ接合より拡散電位が高いため、この接合を流れ
る電流はほとんど無視でき、しきい値電流を増加させる
ことはない。
ザの動作は、ｐ電極１２が正になるように電圧を印加す
ると、従来例と同じ原理によって活性領域９でレーザ発
振が起こる。選択成長によるｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ層１０と不純物が拡散されてｐ型に反転したＡｌＧ
ａＡｓとの間にできるｐｎ接合は、活性領域９とｎ −
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第２クラッド層４の間にできた
ｐ −ｎ接合より拡散電位が高いため、この接合を流れ
る電流はほとんど無視でき、しきい値電流を増加させる
ことはない。
上記のようにこの発明によれば、従来例に比へ活性領域
９の幅は、ｎ電極１１の幅とは無関係に狭くできろため
、基本モード発振が容易に得られるとともに、しきい値
電流も１＋ｎＡ程度にまで低減することができる。ｎ電
極１１の形成のための選択成長は、拡散源として用いた
マスクをそのまま用いているため、改めて写真製版を行
うことなく完全にストライブ状の窓７部分に一致させて
成長層を得ることができる。この方式は従来とは異なり
セルファライン方式であるため、これまでに見られたよ
うな写真製版時の高度な位置合オ）せ技術を必要としな
い。また、ｎ、ｐ電極１１，１２は同一主面側に形成さ
れ、他の電子回路との集積に適する半導体レーザが得ら
れる。
９の幅は、ｎ電極１１の幅とは無関係に狭くできろため
、基本モード発振が容易に得られるとともに、しきい値
電流も１＋ｎＡ程度にまで低減することができる。ｎ電
極１１の形成のための選択成長は、拡散源として用いた
マスクをそのまま用いているため、改めて写真製版を行
うことなく完全にストライブ状の窓７部分に一致させて
成長層を得ることができる。この方式は従来とは異なり
セルファライン方式であるため、これまでに見られたよ
うな写真製版時の高度な位置合オ）せ技術を必要としな
い。また、ｎ、ｐ電極１１，１２は同一主面側に形成さ
れ、他の電子回路との集積に適する半導体レーザが得ら
れる。
なお、上記実施例におけろ説明では、選択成長膜として
ｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１ｏのみを示したが、
さらに、電極と半導体の接触抵抗を下げるために、第２
図に示すように、ｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１ｏ
の上にローＧａＡｓ層１３を成長させてもよい。
ｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１ｏのみを示したが、
さらに、電極と半導体の接触抵抗を下げるために、第２
図に示すように、ｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１ｏ
の上にローＧａＡｓ層１３を成長させてもよい。
また、上記実施例では活性層を多重量子井戸としたが、
必ずしも多重である必要はなく単層の量子井戸であって
もよい。また、活性層を挾み込んだｐ−Ａｔ’ＧａＡｓ
第１クラッド層２およびｎ−ＡｌＧａＡｓ第２クラ・ソ
ド層４のＡｌ混晶比は各層内で一定である必要はなく、
いわゆる厚みによって混晶比をかえるグレーデッド型で
あってもよい。さらに、この実施例ではＧａＡｓ系の半
導体レーザについて説明したが、ＩｎＰ等の他の材料の
半導体レーザに適用できることは明らかである。
必ずしも多重である必要はなく単層の量子井戸であって
もよい。また、活性層を挾み込んだｐ−Ａｔ’ＧａＡｓ
第１クラッド層２およびｎ−ＡｌＧａＡｓ第２クラ・ソ
ド層４のＡｌ混晶比は各層内で一定である必要はなく、
いわゆる厚みによって混晶比をかえるグレーデッド型で
あってもよい。さらに、この実施例ではＧａＡｓ系の半
導体レーザについて説明したが、ＩｎＰ等の他の材料の
半導体レーザに適用できることは明らかである。
以上説明したようにこの発明は、半絶縁性基板上に量子
井戸層からなる活性層と、この活性層を上下からはさむ
第１および第２クラッド層が形成され、第２クラッド層
上に不純物の拡散源となる不純物を含む被膜を形成し、
この被膜から、不純物の拡散を行い活性層の一部を選択
的に無秩序化する工程と、被膜を選択成長マスクとし、
第２クラッド層上にこの第２クラッド層と同じ導電型の
層を選択成長する工程と、選択成長された層上に電極を
形成する工程とを含むので、電極形成するための選択成
長は、拡散源として用いたマスクをそのまま利用するこ
とができ、写真製版工程を用いる必要がなく、セルファ
ラインに幅の狭いストライブ状の窓に完全に一致させた
電極形成のための選択成長を行うことができ、高性能で
、かつ集積化に適した半導体レーザが得られる効果があ
る。
井戸層からなる活性層と、この活性層を上下からはさむ
第１および第２クラッド層が形成され、第２クラッド層
上に不純物の拡散源となる不純物を含む被膜を形成し、
この被膜から、不純物の拡散を行い活性層の一部を選択
的に無秩序化する工程と、被膜を選択成長マスクとし、
第２クラッド層上にこの第２クラッド層と同じ導電型の
層を選択成長する工程と、選択成長された層上に電極を
形成する工程とを含むので、電極形成するための選択成
長は、拡散源として用いたマスクをそのまま利用するこ
とができ、写真製版工程を用いる必要がなく、セルファ
ラインに幅の狭いストライブ状の窓に完全に一致させた
電極形成のための選択成長を行うことができ、高性能で
、かつ集積化に適した半導体レーザが得られる効果があ
る。
第１図、第２図はこの発明の一実施例による半導体レー
ザの製造方法を説明するための断面図、第３図は従来の
半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である
。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｐ −Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１クラッド層、３はＭＱＷ活性
層、４はｎ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、５はＺｎＯ
膜、６は５ｉｎ２膜、７はストライブ状の窓、８はｐ型
拡散領域、９は活性領域、１０はｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ層、１１はｎ電極、１２はｐ電極、１３はｎ−
ＧａＡｓ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図 ］ン ｐ奄極 手続補正書（自発） 平成 恭 年 月 日 補正の対象 図面 ６ 。 補正の内容 図面全部 （第１図〜第３図） を別紙のように補 正する。 以 上 ３、補正をする者 代表者 士 ＩＬ智 岐 守 哉 ４、代 理 人 第 図 第 図 第 図 ｐＥｉ極
ザの製造方法を説明するための断面図、第３図は従来の
半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である
。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｐ −Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ第１クラッド層、３はＭＱＷ活性
層、４はｎ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、５はＺｎＯ
膜、６は５ｉｎ２膜、７はストライブ状の窓、８はｐ型
拡散領域、９は活性領域、１０はｎ −Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ層、１１はｎ電極、１２はｐ電極、１３はｎ−
ＧａＡｓ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図 ］ン ｐ奄極 手続補正書（自発） 平成 恭 年 月 日 補正の対象 図面 ６ 。 補正の内容 図面全部 （第１図〜第３図） を別紙のように補 正する。 以 上 ３、補正をする者 代表者 士 ＩＬ智 岐 守 哉 ４、代 理 人 第 図 第 図 第 図 ｐＥｉ極
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に量子井戸層からなる活性層と、この活
性層を上下からはさむ第１および第２クラッド層が形成
され、前記第２クラッド層上に不純物の拡散源となる不
純物を含む被膜を形成し、この被膜から、不純物の拡散
を行い前記活性層の一部を選択的に無秩序化する工程と
、前記被膜を選択成長マスクとし、前記第２クラッド層
上にこの第２クラッド層と同じ導電型の層を選択成長す
る工程と、前記選択成長された層上に電極を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26735888A JPH02114583A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26735888A JPH02114583A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114583A true JPH02114583A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17443711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26735888A Pending JPH02114583A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152671A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| DE112011101776T5 (de) | 2010-05-25 | 2013-03-21 | Honda Motor Co., Ltd. | Aufhängungslenker-Halterungsstruktur |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP26735888A patent/JPH02114583A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152671A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| DE112011101776T5 (de) | 2010-05-25 | 2013-03-21 | Honda Motor Co., Ltd. | Aufhängungslenker-Halterungsstruktur |
| DE112011101776B4 (de) * | 2010-05-25 | 2015-12-03 | Honda Motor Co., Ltd. | Aufhängungslenker-Halterungsstruktur |
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