JPH05152671A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH05152671A JPH05152671A JP20397991A JP20397991A JPH05152671A JP H05152671 A JPH05152671 A JP H05152671A JP 20397991 A JP20397991 A JP 20397991A JP 20397991 A JP20397991 A JP 20397991A JP H05152671 A JPH05152671 A JP H05152671A
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- diffusion
- semiconductor laser
- natural superlattice
- gainp
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 活性層が超格子の半導体レーザにおいて、そ
の製造段階での操作性を良好にし、大面積ウェハへの適
用を容易とし、歩留りを向上させ、さらに製造工程数を
低減する。 【構成】 固相拡散によって超格子活性層３をディスオ
ーダし、拡散後、固相拡散に使用した膜をエッチングマ
スク及び選択成長マスクにも利用する。
の製造段階での操作性を良好にし、大面積ウェハへの適
用を容易とし、歩留りを向上させ、さらに製造工程数を
低減する。 【構成】 固相拡散によって超格子活性層３をディスオ
ーダし、拡散後、固相拡散に使用した膜をエッチングマ
スク及び選択成長マスクにも利用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超格子を活性層とす
る半導体レーザの製造方法に関するものである。
る半導体レーザの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体レーザの製造工程
の一部を示した図であり、図において、１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩｎＰ自
然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散窓部、
８は拡散領域、９はＩｎＧａＰのディスオーダ領域、１
０はＳｉＮ膜、１１はＳｉＮ膜のストライプ部、１２は
エッチング部、１３はｎ型ＧａＡｓの埋込部である。
の一部を示した図であり、図において、１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩｎＰ自
然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散窓部、
８は拡散領域、９はＩｎＧａＰのディスオーダ領域、１
０はＳｉＮ膜、１１はＳｉＮ膜のストライプ部、１２は
エッチング部、１３はｎ型ＧａＡｓの埋込部である。
【０００３】次にこの半導体レーザの製造方法につい
て、図２にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，
ＧａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５の上にＳｉＮ膜６を成
長させる。 (c) 写真製版によって拡散窓７を形成する。 (d) 気相拡散法によりＺｎの拡散を行う。このとき、特
に拡散フロントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き
抜けるように拡散させる。この拡散によって、拡散領域
９のＧａＩｎＰをディスオーダさせる。 (e) ＳｉＮ膜６を除去し、再度ＳｉＮ膜１０を形成す
る。 (f) 写真製版等によって、ＳｉＮ膜１０をストライプ状
に形成する。 (g) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
をエッチングする。 (h) ｎ型ＧａＡｓ層１３を成長させる。 (i) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１を除去する。
て、図２にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，
ＧａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５の上にＳｉＮ膜６を成
長させる。 (c) 写真製版によって拡散窓７を形成する。 (d) 気相拡散法によりＺｎの拡散を行う。このとき、特
に拡散フロントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き
抜けるように拡散させる。この拡散によって、拡散領域
９のＧａＩｎＰをディスオーダさせる。 (e) ＳｉＮ膜６を除去し、再度ＳｉＮ膜１０を形成す
る。 (f) 写真製版等によって、ＳｉＮ膜１０をストライプ状
に形成する。 (g) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
をエッチングする。 (h) ｎ型ＧａＡｓ層１３を成長させる。 (i) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１を除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザの
製造方法は以上のように、Ｚｎの拡散に気相拡散法を用
いているため、操作性が悪く、大面積ウェハへの適用は
困難であり、歩留りが悪いという問題点があった。ま
た、気相拡散の際に拡散マスクとして用いたＳｉＮ膜６
が荒れてしまうため、気相拡散後リッジ形成を行う工程
において、ＳｉＮ膜６をエッチング除去し、再度ＳｉＮ
膜１０を形成し、ストライプ形状を形成しなくてはなら
ず、工程数が多いという問題点があった。
製造方法は以上のように、Ｚｎの拡散に気相拡散法を用
いているため、操作性が悪く、大面積ウェハへの適用は
困難であり、歩留りが悪いという問題点があった。ま
た、気相拡散の際に拡散マスクとして用いたＳｉＮ膜６
が荒れてしまうため、気相拡散後リッジ形成を行う工程
において、ＳｉＮ膜６をエッチング除去し、再度ＳｉＮ
膜１０を形成し、ストライプ形状を形成しなくてはなら
ず、工程数が多いという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、製造段階での操作性を良好に
し、大面積ウェハへの適用を容易とし、歩留りを向上さ
せ、さらに製造工程数を低減することのできる半導体レ
ーザの製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、製造段階での操作性を良好に
し、大面積ウェハへの適用を容易とし、歩留りを向上さ
せ、さらに製造工程数を低減することのできる半導体レ
ーザの製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザの製造方法は、ＧａＩｎＰの自然超格子をディスオ
ーダするために行うＺｎの拡散を固相拡散によって行
う。
ーザの製造方法は、ＧａＩｎＰの自然超格子をディスオ
ーダするために行うＺｎの拡散を固相拡散によって行
う。
【０００７】またＺｎを固相拡散した後にリッジを形成
する際に、前記固相拡散で使用したエッチングマスクを
リッジ形成用のエッチングマスクとして使用する。
する際に、前記固相拡散で使用したエッチングマスクを
リッジ形成用のエッチングマスクとして使用する。
【０００８】さらに、リッジを形成した後、ｎ型ＧａＡ
ｓ層を成長させる際に、前記リッジ形成用のエッチング
マスクを成長選択マスクとして使用する。
ｓ層を成長させる際に、前記リッジ形成用のエッチング
マスクを成長選択マスクとして使用する。
【０００９】
【作用】この発明の半導体プロセスでは、拡散に固相拡
散を用いているため、操作性が向上し大面積ウェハへ適
用できるため、歩留りが大幅に向上される。また、拡散
後のリッジ形およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に固相拡散
で使用した膜をそのまま利用できるため、工程の回数が
低減できる。
散を用いているため、操作性が向上し大面積ウェハへ適
用できるため、歩留りが大幅に向上される。また、拡散
後のリッジ形およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に固相拡散
で使用した膜をそのまま利用できるため、工程の回数が
低減できる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１について説
明する。図１はこの発明の一実施例による半導体レーザ
の製造方法を示し、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩｎＰ自然超
格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５はｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散窓部、１４
はＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜、１５はＳｉＯ2 保護膜、１
６はＺｎ拡散領域、１７はＧａＩｎＰの自然超格子ディ
スオーダ領域、１８はレジスト、１９はエッチング部、
２０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層エッチング部、２１は
ｎ型ＧａＡｓ成長部である。
明する。図１はこの発明の一実施例による半導体レーザ
の製造方法を示し、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩｎＰ自然超
格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５はｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散窓部、１４
はＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜、１５はＳｉＯ2 保護膜、１
６はＺｎ拡散領域、１７はＧａＩｎＰの自然超格子ディ
スオーダ領域、１８はレジスト、１９はエッチング部、
２０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層エッチング部、２１は
ｎ型ＧａＡｓ成長部である。
【００１１】次にこの発明の製造方法について、図１に
そって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，Ｇ
ａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ＳｉＮ膜６をｐ型ＧａＡｓコンタクト層５上に成膜
する。 (c) 写真製版等で拡散窓７を形成する。 (d) (c) により形成された面上にＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合
膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５を形成する。 (e) 熱処理を行い、ＺｎＯ：ＳｉＯ2 膜１４からＺｎを
拡散させる。このＺｎの拡散は、ＧａＩｎＰの自然超格
子をディスオーダさせる目的で行うので、特に拡散フロ
ントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き抜けるよう
に形成する。この拡散によって１７の領域のみＧａＩｎ
Ｐの自然超格子のディスオーダが可能となる。 (f) ＳｉＯ2 保護膜１５上にレジスト１８をストライプ
状に形成する。 (g) レジスト１８をマスクにしてＳｉＮ膜６，ＺｎＯ：
ＳｉＯ2 混合膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５をエッチング
する。 (h) レジスト１８を除去した後に、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４のエッチングを行
う。 (i) ＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜１４とＳｉＯ2 保護膜１５
をエッチングする。 (j) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングし、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層エッチング部２０を形成する。 (k) ＳｉＮ膜６を選択成長マスクとして使用し、ｎ型Ｇ
ａＡｓ成長部２１を形成する。 (l) ＳｉＮ膜６を除去する。
そって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，Ｇ
ａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ＳｉＮ膜６をｐ型ＧａＡｓコンタクト層５上に成膜
する。 (c) 写真製版等で拡散窓７を形成する。 (d) (c) により形成された面上にＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合
膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５を形成する。 (e) 熱処理を行い、ＺｎＯ：ＳｉＯ2 膜１４からＺｎを
拡散させる。このＺｎの拡散は、ＧａＩｎＰの自然超格
子をディスオーダさせる目的で行うので、特に拡散フロ
ントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き抜けるよう
に形成する。この拡散によって１７の領域のみＧａＩｎ
Ｐの自然超格子のディスオーダが可能となる。 (f) ＳｉＯ2 保護膜１５上にレジスト１８をストライプ
状に形成する。 (g) レジスト１８をマスクにしてＳｉＮ膜６，ＺｎＯ：
ＳｉＯ2 混合膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５をエッチング
する。 (h) レジスト１８を除去した後に、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４のエッチングを行
う。 (i) ＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜１４とＳｉＯ2 保護膜１５
をエッチングする。 (j) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングし、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層エッチング部２０を形成する。 (k) ＳｉＮ膜６を選択成長マスクとして使用し、ｎ型Ｇ
ａＡｓ成長部２１を形成する。 (l) ＳｉＮ膜６を除去する。
【００１２】以上に示したこの発明の製造方法では、活
性層の自然超格子をディスオーダさせるために行うＺｎ
の拡散を固相拡散で行い、さらに、拡散後のリッジ形成
およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に、固相拡散で使用した
膜をそのまま利用できるため工程の回数が低減でき、操
作が容易となり大面積ウェハへの適用も可能となる。ま
た、再現性も良くなり歩留りの向上も達成できる。
性層の自然超格子をディスオーダさせるために行うＺｎ
の拡散を固相拡散で行い、さらに、拡散後のリッジ形成
およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に、固相拡散で使用した
膜をそのまま利用できるため工程の回数が低減でき、操
作が容易となり大面積ウェハへの適用も可能となる。ま
た、再現性も良くなり歩留りの向上も達成できる。
【００１３】なお、図１の実施例では、自然超格子がＧ
ａＩｎＰ系の材料からなる場合について説明したが、こ
の自然超格子がＡｌＧａＡｓ系あるいは他の系の材料か
らなる場合にも本製造プロセスの適用は可能である。
ａＩｎＰ系の材料からなる場合について説明したが、こ
の自然超格子がＡｌＧａＡｓ系あるいは他の系の材料か
らなる場合にも本製造プロセスの適用は可能である。
【００１４】本実施例においては自然超格子のディスオ
ーダのための固相拡散にＺｎのドーパントを使用した
が、これは他のドーパントの固相拡散を利用してもよ
い。
ーダのための固相拡散にＺｎのドーパントを使用した
が、これは他のドーパントの固相拡散を利用してもよ
い。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体レ
ーザの製造方法によれば、固相拡散によってＩｎＧａＰ
自然超格子をディスオーダさせるようにしたため、操作
が容易となり、再現性も向上し、大面積ウェハへの適用
及び歩留りの向上が可能となる。また、固相拡散に使用
する膜がそのままエッチングマスク及び選択成長マスク
となるため、工程数の大幅な低減につながる。
ーザの製造方法によれば、固相拡散によってＩｎＧａＰ
自然超格子をディスオーダさせるようにしたため、操作
が容易となり、再現性も向上し、大面積ウェハへの適用
及び歩留りの向上が可能となる。また、固相拡散に使用
する膜がそのままエッチングマスク及び選択成長マスク
となるため、工程数の大幅な低減につながる。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザの製造
プロセスを示す図。
プロセスを示す図。
【図２】従来の半導体レーザの製造プロセスを示す図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層 ３ ＧａＩｎＰ自然超格子活性層 ４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層 ５ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ６ ＳｉＮ膜 ７ 拡散窓部 ８ Ｚｎ拡散領域 ９ ＧａＩｎＰ自然超格子のディスオーダ領域 １０ ＳｉＮ膜 １１ ＳｉＮ膜（のストライプ部） １２ エッチング部 １３ ｎ型ＧａＡｓ埋込部 １４ ＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜 １５ ＳｉＯ2 保護膜 １６ Ｚｎ拡散領域 １７ ＧａＩｎＰ自然超格子のディスオーダ領域 １８ レジスト １９ エッチング部 ２０ ＧａＡｓコンタクト層のエッチング部 ２１ ｎ型ＧａＡｓ成長部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【作用】この発明の半導体プロセスでは、拡散に固相拡
散を用いているため、操作性が向上し大面積ウェハへ適
用できるため、歩留りが大幅に向上される。また、拡散
後のリッジ形成およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に固相拡
散で使用した膜をそのまま利用できるため、工程の回数
が低減できる。 ─────────────────────────────────────────────────────
散を用いているため、操作性が向上し大面積ウェハへ適
用できるため、歩留りが大幅に向上される。また、拡散
後のリッジ形成およびｎ型ＧａＡｓ層の成長時に固相拡
散で使用した膜をそのまま利用できるため、工程の回数
が低減できる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】図５〜図７は、従来の半導体レーザの製
造工程の一部を示した図であり、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩ
ｎＰ自然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散
窓部、８は拡散領域、９はＩｎＧａＰのディスオーダ領
域、１０はＳｉＮ膜、１１はＳｉＮ膜のストライプ部、
１２はエッチング部、１３はｎ型ＧａＡｓの埋込部であ
る。
造工程の一部を示した図であり、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩ
ｎＰ自然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散
窓部、８は拡散領域、９はＩｎＧａＰのディスオーダ領
域、１０はＳｉＮ膜、１１はＳｉＮ膜のストライプ部、
１２はエッチング部、１３はｎ型ＧａＡｓの埋込部であ
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】次にこの半導体レーザの製造方法につい
て、図５〜図７にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，
ＧａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５の上にＳｉＮ膜６を成
長させる。 (c) 写真製版によって拡散窓７を形成する。 (d) 気相拡散法によりＺｎの拡散を行う。このとき、特
に拡散フロントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き
抜けるように拡散させる。この拡散によって、拡散領域
９のＧａＩｎＰをディスオーダさせる。 (e) ＳｉＮ膜６を除去し、再度ＳｉＮ膜１０を形成す
る。 (f) 写真製版等によって、ＳｉＮ膜１０をストライプ状
に形成する。 (g) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
をエッチングする。 (h) ｎ型ＧａＡｓ層１３を成長させる。 (i) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１を除去する。
て、図５〜図７にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，
ＧａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５の上にＳｉＮ膜６を成
長させる。 (c) 写真製版によって拡散窓７を形成する。 (d) 気相拡散法によりＺｎの拡散を行う。このとき、特
に拡散フロントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き
抜けるように拡散させる。この拡散によって、拡散領域
９のＧａＩｎＰをディスオーダさせる。 (e) ＳｉＮ膜６を除去し、再度ＳｉＮ膜１０を形成す
る。 (f) 写真製版等によって、ＳｉＮ膜１０をストライプ状
に形成する。 (g) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
をエッチングする。 (h) ｎ型ＧａＡｓ層１３を成長させる。 (i) ＳｉＮ膜（のストライプ部）１１を除去する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図４につ
いて説明する。図１〜図４はこの発明の一実施例による
半導体レーザの製造方法を示し、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩ
ｎＰ自然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散
窓部、１４はＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜、１５はＳｉＯ2
保護膜、１６はＺｎ拡散領域、１７はＧａＩｎＰの自然
超格子ディスオーダ領域、１８はレジスト、１９はエッ
チング部、２０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層エッチング
部、２１はｎ型ＧａＡｓ成長部である。
いて説明する。図１〜図４はこの発明の一実施例による
半導体レーザの製造方法を示し、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、３はＧａＩ
ｎＰ自然超格子活性層、４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、５
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７は拡散
窓部、１４はＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜、１５はＳｉＯ2
保護膜、１６はＺｎ拡散領域、１７はＧａＩｎＰの自然
超格子ディスオーダ領域、１８はレジスト、１９はエッ
チング部、２０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層エッチング
部、２１はｎ型ＧａＡｓ成長部である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】次にこの発明の製造方法について、図１〜
図４にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，Ｇ
ａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ＳｉＮ膜６をｐ型ＧａＡｓコンタクト層５上に成膜
する。 (c) 写真製版等で拡散窓７を形成する。 (d) (c) により形成された面上にＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合
膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５を形成する。 (e) 熱処理を行い、ＺｎＯ：ＳｉＯ2 膜１４からＺｎを
拡散させる。このＺｎの拡散は、ＧａＩｎＰの自然超格
子をディスオーダさせる目的で行うので、特に拡散フロ
ントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き抜けるよう
に形成する。この拡散によって１７の領域のみＧａＩｎ
Ｐの自然超格子のディスオーダが可能となる。 (f) ＳｉＯ2 保護膜１５上にレジスト１８をストライプ
状に形成する。 (g) レジスト１８をマスクにしてＳｉＮ膜６，ＺｎＯ：
ＳｉＯ2 混合膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５をエッチング
する。 (h) レジスト１８を除去した後に、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４のエッチングを行
う。 (i) ＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜１４とＳｉＯ2 保護膜１５
をエッチングする。 (j) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングし、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層エッチング部２０を形成する。 (k) ＳｉＮ膜６を選択成長マスクとして使用し、ｎ型Ｇ
ａＡｓ成長部２１を形成する。 (l) ＳｉＮ膜６を除去する。
図４にそって以下説明する。 (a) ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層２，Ｇ
ａＩｎＰ自然超格子活性層３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層
４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を成長させる。 (b) ＳｉＮ膜６をｐ型ＧａＡｓコンタクト層５上に成膜
する。 (c) 写真製版等で拡散窓７を形成する。 (d) (c) により形成された面上にＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合
膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５を形成する。 (e) 熱処理を行い、ＺｎＯ：ＳｉＯ2 膜１４からＺｎを
拡散させる。このＺｎの拡散は、ＧａＩｎＰの自然超格
子をディスオーダさせる目的で行うので、特に拡散フロ
ントがＧａＩｎＰ自然超格子活性層３を突き抜けるよう
に形成する。この拡散によって１７の領域のみＧａＩｎ
Ｐの自然超格子のディスオーダが可能となる。 (f) ＳｉＯ2 保護膜１５上にレジスト１８をストライプ
状に形成する。 (g) レジスト１８をマスクにしてＳｉＮ膜６，ＺｎＯ：
ＳｉＯ2 混合膜１４，ＳｉＯ2 保護膜１５をエッチング
する。 (h) レジスト１８を除去した後に、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層４のエッチングを行
う。 (i) ＺｎＯ：ＳｉＯ2 混合膜１４とＳｉＯ2 保護膜１５
をエッチングする。 (j) ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングし、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層エッチング部２０を形成する。 (k) ＳｉＮ膜６を選択成長マスクとして使用し、ｎ型Ｇ
ａＡｓ成長部２１を形成する。 (l) ＳｉＮ膜６を除去する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】なお、図１〜図４の実施例では、自然超格
子がＧａＩｎＰ系の材料からなる場合について説明した
が、この自然超格子がＡｌＧａＡｓ系あるいは他の系の
材料からなる場合にも本製造プロセスの適用は可能であ
る。
子がＧａＩｎＰ系の材料からなる場合について説明した
が、この自然超格子がＡｌＧａＡｓ系あるいは他の系の
材料からなる場合にも本製造プロセスの適用は可能であ
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】この発明の一実施例による半導体レーザの製造
プロセスを示す図。
プロセスを示す図。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】追加
【補正内容】
【図３】この発明の一実施例による半導体レーザの製造
プロセスを示す図。
プロセスを示す図。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正内容】
【図４】この発明の一実施例による半導体レーザの製造
プロセスを示す図。
プロセスを示す図。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正内容】
【図５】従来の半導体レーザの製造プロセスを示す図。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正内容】
【図６】従来の半導体レーザの製造プロセスを示す図。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正内容】
【図７】従来の半導体レーザの製造プロセスを示す図。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層を超格子とする半導体レーザの製
造方法において、 固相拡散によって不純物を拡散させることによって超格
子をディスオーダさせる工程を含むことを特徴とする半
導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において、 上記固相拡散を行った後、ウェハをエッチングによりリ
ッジ形状とする工程は、固相拡散でエッチングマスクと
して使用した膜をエッチングマスクとして用いるもので
あることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体レーザの製造方法
において、 エッチングによりリッジを形成する工程の後、該リッジ
形成工程でエッチングマスクとして使用したマスクを選
択成長マスクとして埋込成長を行う工程を含むことを特
徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20397991A JPH05152671A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20397991A JPH05152671A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152671A true JPH05152671A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=16482789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20397991A Pending JPH05152671A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152671A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132189A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JPH0245986A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH02114583A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH02123778A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02156692A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH03159289A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP20397991A patent/JPH05152671A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132189A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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