JPH07221385A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH07221385A JPH07221385A JP853394A JP853394A JPH07221385A JP H07221385 A JPH07221385 A JP H07221385A JP 853394 A JP853394 A JP 853394A JP 853394 A JP853394 A JP 853394A JP H07221385 A JPH07221385 A JP H07221385A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性温度の優れた半導体レーザの製造を目的
とする。 【構成】 Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層６、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７を順次、第１回
目の成長で連続して成長し、次にｎ型ＧａＡｓキャップ
層７をＰ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層６に対して選択
性の高いエッチング液により、全面除去した後にメサス
トライプを形成以後の工事を行う。 【効果】 成長終了後の降温時の水素原子のＰ型クラッ
ド層への取り込みを低減することにより、Ｐ型ドーパン
トの活性化が向上して高いＰ型キャリア濃度が得られる
ため、特性温度の優れた半導体レーザを形成できる。
とする。 【構成】 Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層６、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７を順次、第１回
目の成長で連続して成長し、次にｎ型ＧａＡｓキャップ
層７をＰ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層６に対して選択
性の高いエッチング液により、全面除去した後にメサス
トライプを形成以後の工事を行う。 【効果】 成長終了後の降温時の水素原子のＰ型クラッ
ド層への取り込みを低減することにより、Ｐ型ドーパン
トの活性化が向上して高いＰ型キャリア濃度が得られる
ため、特性温度の優れた半導体レーザを形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置、例
えば、可視光半導体レーザの安定な高温動作を可能とす
る製造方法に関するものである。
えば、可視光半導体レーザの安定な高温動作を可能とす
る製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザの製造方法
は、図３に示すように有機金属熱分解を用いた気相エピ
タキシャル法（ＭＯ−ＶＰＥ）等によってｎ型ＧａＡｓ
基板上１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 クラッド層（０＜ｘ≦１）
３、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-x）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐへテロバッファ層６までを１回成
長により、順次成長する。次に、例えば、ＳｉＯ2 膜マ
スク９を成長し、選択エッチングによりヘテロバッファ
層６、およびＰ型クラッド層５の所望の部分をエッチン
グ除去し、所望の厚さだけＰ型クラッド層５を残し、ス
トライプ状のメサを形成する。この後、上記選択エッチ
ングにより、形成したＳｉＯ2 膜マスク９をマスクとし
て第２回目の成長にてｎ−ＧａＡｓブロック層１０を選
択的に成長する。そして、次にこのＳｉＯ2 膜マスクを
除去した後に第３回目の成長にてＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１１を成長し、基板１電極、コンタクト層１１上に
Ｐ型電極を形成して半導体レーザ素子が作成される（例
えば特開平４−３０６８８６号公報）。
は、図３に示すように有機金属熱分解を用いた気相エピ
タキシャル法（ＭＯ−ＶＰＥ）等によってｎ型ＧａＡｓ
基板上１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 クラッド層（０＜ｘ≦１）
３、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-x）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐへテロバッファ層６までを１回成
長により、順次成長する。次に、例えば、ＳｉＯ2 膜マ
スク９を成長し、選択エッチングによりヘテロバッファ
層６、およびＰ型クラッド層５の所望の部分をエッチン
グ除去し、所望の厚さだけＰ型クラッド層５を残し、ス
トライプ状のメサを形成する。この後、上記選択エッチ
ングにより、形成したＳｉＯ2 膜マスク９をマスクとし
て第２回目の成長にてｎ−ＧａＡｓブロック層１０を選
択的に成長する。そして、次にこのＳｉＯ2 膜マスクを
除去した後に第３回目の成長にてＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１１を成長し、基板１電極、コンタクト層１１上に
Ｐ型電極を形成して半導体レーザ素子が作成される（例
えば特開平４−３０６８８６号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の従来の
半導体レーザの製造方法では、図４に示すようにＰ型ク
ラッド層５のＰ型ドーパントの供給量を増加しても、Ｐ
型キャリア濃度が飽和して増加しなくなるため、半導体
レーザの高温動作に電子のオーバーフローが大きく生じ
て、図５のように特性温度が低く、高温動作が不安定と
なる欠点があった。
半導体レーザの製造方法では、図４に示すようにＰ型ク
ラッド層５のＰ型ドーパントの供給量を増加しても、Ｐ
型キャリア濃度が飽和して増加しなくなるため、半導体
レーザの高温動作に電子のオーバーフローが大きく生じ
て、図５のように特性温度が低く、高温動作が不安定と
なる欠点があった。
【０００４】また、このＰ型キャリア濃度の飽和は、基
板からのＰ（リン）抜け防止としてＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６成長後のクーリング（降温）
時に基板へ供給しているホスフィン（ＰＨ3 ）が分解し
た［Ｈ+ ］と結晶内のＰ型ドーパント例えばＺｎとが結
合することによってＰ型ドーパントを不活性化し、それ
がさらに不活性化による拡散速度の増加を促して成長過
程時に活性層４まで拡散するため、所望の構造が得られ
ず、素子の特性を劣化差せてしまう欠点を合わせて持っ
ていた。
板からのＰ（リン）抜け防止としてＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６成長後のクーリング（降温）
時に基板へ供給しているホスフィン（ＰＨ3 ）が分解し
た［Ｈ+ ］と結晶内のＰ型ドーパント例えばＺｎとが結
合することによってＰ型ドーパントを不活性化し、それ
がさらに不活性化による拡散速度の増加を促して成長過
程時に活性層４まで拡散するため、所望の構造が得られ
ず、素子の特性を劣化差せてしまう欠点を合わせて持っ
ていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
製造方法は上記の課題を解決するために、ｎがたＧａＡ
ｓ基板（またはｎ型ＧａＡｓバッファ層を有する基板）
に有機金属熱分解法により所定の層と、その上層にＰ型
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）およびＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層
を順次成長し、引き続きＰを含まない化合物によるキャ
ップ層を成長する工程と前記キャップ層を除去する工程
とを特徴とする。
製造方法は上記の課題を解決するために、ｎがたＧａＡ
ｓ基板（またはｎ型ＧａＡｓバッファ層を有する基板）
に有機金属熱分解法により所定の層と、その上層にＰ型
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）およびＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層
を順次成長し、引き続きＰを含まない化合物によるキャ
ップ層を成長する工程と前記キャップ層を除去する工程
とを特徴とする。
【０００６】前記キャップ層は、ＧａＡｓ基板に格子整
合し、かつ下地のＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐヘテロバッファ層
とエッチングの選択性を有する物が好ましい。このよう
な物としてＧａＡｓやＡｌy ＧＡ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜
０．５）が使用できる。
合し、かつ下地のＧａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐヘテロバッファ層
とエッチングの選択性を有する物が好ましい。このよう
な物としてＧａＡｓやＡｌy ＧＡ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜
０．５）が使用できる。
【０００７】また、前記キャップ層には下地のヘテロバ
ッファ層からのＰ型不純物の外方拡散雄をできるだけお
さえるためにｎ型不純物をドープした方がよい。
ッファ層からのＰ型不純物の外方拡散雄をできるだけお
さえるためにｎ型不純物をドープした方がよい。
【０００８】
【作用】上記の構成によると、成長終了時の最上層はＰ
を含まない化合物によるキャップ層なので、クーリング
時分解して水素原子が成長層に取り込まれやすいフォス
フィン（ＰＨ3 ）の雰囲気とする必要がなく、他の雰囲
気となるので水素原子の成長層（キャップ層）への取り
込みが少なくなると共にキャップ層がマスクとなって下
地のＰ型ヘテロバッファ層やその下のＰ型クラッド層へ
の水素原子の侵入が少なくなり、したがってＰ型不純物
と結合して不活性とする割合が少なくなってキャリア濃
度が増加すると共に、さらに下層の活性層へＰ型不純物
が拡散するのを少なくする。またキャップ層はその後除
去するのでその後の工程にはなんら問題はない。
を含まない化合物によるキャップ層なので、クーリング
時分解して水素原子が成長層に取り込まれやすいフォス
フィン（ＰＨ3 ）の雰囲気とする必要がなく、他の雰囲
気となるので水素原子の成長層（キャップ層）への取り
込みが少なくなると共にキャップ層がマスクとなって下
地のＰ型ヘテロバッファ層やその下のＰ型クラッド層へ
の水素原子の侵入が少なくなり、したがってＰ型不純物
と結合して不活性とする割合が少なくなってキャリア濃
度が増加すると共に、さらに下層の活性層へＰ型不純物
が拡散するのを少なくする。またキャップ層はその後除
去するのでその後の工程にはなんら問題はない。
【０００９】さらにキャップ層をＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐで
なるヘテロバッファ層とエッチングの選択性を有する物
とすればキャップ層の除去が簡単に行える。
なるヘテロバッファ層とエッチングの選択性を有する物
とすればキャップ層の除去が簡単に行える。
【００１０】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【００１１】説明に先立ち、従来例を示したものと同一
符号は、同一呼称であり、説明を省いています。
符号は、同一呼称であり、説明を省いています。
【００１２】図１は、本発明の実施例１の半導体レーザ
の断面の製造フロー図を示したものである。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（Ａｌx
Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）
３、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐへテロバッファ層６をＺｎをドー
パントとして成長し、さらにキャップ層７を第１回目の
成長にて順次連続して成長する。
の断面の製造フロー図を示したものである。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（Ａｌx
Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）
３、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）５、Ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐへテロバッファ層６をＺｎをドー
パントとして成長し、さらにキャップ層７を第１回目の
成長にて順次連続して成長する。
【００１３】キャップ層７はＰを含まない化合物層とし
て、成長後のクーリング時、ＰＨ3雰囲気とする必要の
ないものとする。
て、成長後のクーリング時、ＰＨ3雰囲気とする必要の
ないものとする。
【００１４】本実施例においてはＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐに
対し、エッチング選択性のよいＧａＡｓとし、クーリン
グ時の雰囲気はＡｓＨ3 とした。さらにＳｉをドーパン
ントとしてｎ型とすることにより、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６よりのＰ型不純物Ｚｎの外方
拡散をおさえる。
対し、エッチング選択性のよいＧａＡｓとし、クーリン
グ時の雰囲気はＡｓＨ3 とした。さらにＳｉをドーパン
ントとしてｎ型とすることにより、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６よりのＰ型不純物Ｚｎの外方
拡散をおさえる。
【００１５】この時、ｎ型ＧａＡｓキャップ層の厚さ
は、０．２〜０．５μｍもあれば十分な効果が得られ
る。次に、ｎ型ＧａＡｓキャップ層をＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６に対して選択性の高いエッチ
ング液例えばリン酸系エッチング液にてｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層７を全面除去した後、ＳｉＯ2 膜マスク９を形
成し、それによりＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッフ
ァ層６とその下のＰ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層５の一部をエッチングしてメサストライプ
を形成する。
は、０．２〜０．５μｍもあれば十分な効果が得られ
る。次に、ｎ型ＧａＡｓキャップ層をＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層６に対して選択性の高いエッチ
ング液例えばリン酸系エッチング液にてｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層７を全面除去した後、ＳｉＯ2 膜マスク９を形
成し、それによりＰ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッフ
ァ層６とその下のＰ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層５の一部をエッチングしてメサストライプ
を形成する。
【００１６】次に、従来同様ＳｉＯ2 膜マスク９をマス
クとして第２回目の成長として、選択成長によりｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１０を成長した後、ＳｉＯ2 膜マスク
９を除去し、第３回目の成長にてＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１１を成長する。
クとして第２回目の成長として、選択成長によりｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１０を成長した後、ＳｉＯ2 膜マスク
９を除去し、第３回目の成長にてＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１１を成長する。
【００１７】これにより、図４に示すようにＰ型クラッ
ド層のＰ型ドーパント原料の供給量対するＰ型クラッド
層キャリア濃度特性が改善され、所望の１×１０18を越
えるＰ型キャリア濃度を得ることができるため、特性温
度が改善された高温安定動作の半導体レーザを作ること
ができる。
ド層のＰ型ドーパント原料の供給量対するＰ型クラッド
層キャリア濃度特性が改善され、所望の１×１０18を越
えるＰ型キャリア濃度を得ることができるため、特性温
度が改善された高温安定動作の半導体レーザを作ること
ができる。
【００１８】また、不活性なＰ型ドーオパントの低減に
より、Ｐ型ドーパントの拡散を抑えることができたた
め、不活性層内まで拡散せず、素子特性を低下させるこ
ともなくなる。
より、Ｐ型ドーパントの拡散を抑えることができたた
め、不活性層内まで拡散せず、素子特性を低下させるこ
ともなくなる。
【００１９】
【実施例２】図２は、本発明の実施例２の半導体レーザ
の断面の製造フロー図を示したものである。
の断面の製造フロー図を示したものである。
【００２０】この実施例は、前記実施例１のｎ型ＧａＡ
ｓキャップ層７の代わりにｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓキャ
ップ層８（０＜ｙ＜０．５）をもうけている。
ｓキャップ層７の代わりにｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓキャ
ップ層８（０＜ｙ＜０．５）をもうけている。
【００２１】ｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓキャップ層８（０
＜ｙ＜０．５）をヘテロバッファ層６の次に連続して成
長する。
＜ｙ＜０．５）をヘテロバッファ層６の次に連続して成
長する。
【００２２】ｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜０．
５）キャップ層８は、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層６に対し、選択性の高いエッチング液（例え
ば、リン酸系エッチング液）にてｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ（０＜ｙ＜０．５）キャップ層８を全面除去した後、
以降、実施例１と同様にｎ型ＧａＡｓブロック層１０、
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１を形成する。
５）キャップ層８は、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層６に対し、選択性の高いエッチング液（例え
ば、リン酸系エッチング液）にてｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ（０＜ｙ＜０．５）キャップ層８を全面除去した後、
以降、実施例１と同様にｎ型ＧａＡｓブロック層１０、
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１を形成する。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の製造方法を
採用することによってＰ型クラッド層中のＰ型ドーオパ
ントの活性化が向上して高キャリア濃度化が可能とな
り、かつ、Ｐ型ドーパントの下層への拡散も低減できる
ため、特性濃度の優れた高温安定動作可能な半導体レー
ザを製作することができる。
採用することによってＰ型クラッド層中のＰ型ドーオパ
ントの活性化が向上して高キャリア濃度化が可能とな
り、かつ、Ｐ型ドーパントの下層への拡散も低減できる
ため、特性濃度の優れた高温安定動作可能な半導体レー
ザを製作することができる。
【図１】 本発明に係る実施例１の半導体レーザの断面
の製造フロー図。
の製造フロー図。
【図２】 本発明に係る実施例２の半導体レーザの断面
の製造フロー図。
の製造フロー図。
【図３】 従来の半導体レーザの断面の製造フロー図。
【図４】 本発明に係る実施例１、および従来の半導体
レーザの製造方法によるＰ型クラッド層のＰ型ドーパン
ト原料供給量−Ｐ型クラッド層キャリア濃度の図。
レーザの製造方法によるＰ型クラッド層のＰ型ドーパン
ト原料供給量−Ｐ型クラッド層キャリア濃度の図。
【図５】 Ｐ型クラッド層キャリア濃度−特性温度の
図。
図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ４ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ５ Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ６ Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層 ７ ｎ型ＧａＡｓキャップ層 ８ ｎ型Ａｌy ＧＡ1-y Ａｓキャップ層（０＜ｙ＜０．
５） ９ ＳｉＯ2 膜マスク １０ ｎ型ＧａＡｓブロック層 １１ Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
（０＜ｘ≦１） ４ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ５ Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ６ Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層 ７ ｎ型ＧａＡｓキャップ層 ８ ｎ型Ａｌy ＧＡ1-y Ａｓキャップ層（０＜ｙ＜０．
５） ９ ＳｉＯ2 膜マスク １０ ｎ型ＧａＡｓブロック層 １１ Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
Claims (4)
- 【請求項１】ｎ型ＧａＡｓ基板（またはｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層を有する基板）に有機金属熱分解法により、所
定の層とその上層にＰ型（Ａｌx Ｇａx-1 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）およびＰ型Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐへテロバッファ層を順次成長し、引き続きＰを
含まない化合物によるキャップ層を成長する工程と、そ
の後キャップ層を全面除去する工程とを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項２】前記キャップ層がＧａＡｓである請求項１
の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】前記キャップ層がＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０
＜ｙ＜０．５）である請求項１の半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項４】前記キャップがｎ型である請求項２または
請求項３の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP853394A JPH07221385A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP853394A JPH07221385A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221385A true JPH07221385A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11695793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP853394A Pending JPH07221385A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP853394A patent/JPH07221385A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
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