JP3158651B2 - 化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は再成長及び選択成長によ
り形成されたキャリア注入層あるいは電極取り出し層を
有する半導体及びその製造方法に関するものである。
り形成されたキャリア注入層あるいは電極取り出し層を
有する半導体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体素子の性能向上のため、電
子デバイスにおいては短チャンネル化に適した構造など
が検討されており、また半導体レーザにおいてはＯＥＩ
Ｃ化に適した横接合構造などが開発されている。これら
の構造を実現する有力な手法として、再成長及び選択成
長により自己整合的にキャリア注入層あるいは電極取り
出し層を形成する方法が一般に用いられている。その場
合、基板またはエピタキシャル成長層の表面は、大気露
出あるいはエッチング、洗浄等のプロセスにより不純物
汚染や表面の物理的ダメージを受けてしまうので、その
ままそれらの表面に再成長を行うと、素子の特性や寿命
が大幅に劣化する。そのため表面のクリーニング、ダメ
ージ層の除去を成長室内で気相エッチングを行い、連続
して再成長する手法が用いられてきた。
子デバイスにおいては短チャンネル化に適した構造など
が検討されており、また半導体レーザにおいてはＯＥＩ
Ｃ化に適した横接合構造などが開発されている。これら
の構造を実現する有力な手法として、再成長及び選択成
長により自己整合的にキャリア注入層あるいは電極取り
出し層を形成する方法が一般に用いられている。その場
合、基板またはエピタキシャル成長層の表面は、大気露
出あるいはエッチング、洗浄等のプロセスにより不純物
汚染や表面の物理的ダメージを受けてしまうので、その
ままそれらの表面に再成長を行うと、素子の特性や寿命
が大幅に劣化する。そのため表面のクリーニング、ダメ
ージ層の除去を成長室内で気相エッチングを行い、連続
して再成長する手法が用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】しかしながらかかる方法で作
成された化合物半導体素子は、再成長界面の清浄度は向
上するが、図１に示すようにキャリアが再成長界面で蓄
積するという課題が生じた。
成された化合物半導体素子は、再成長界面の清浄度は向
上するが、図１に示すようにキャリアが再成長界面で蓄
積するという課題が生じた。
【０００４】
【課題を解決する手段】そこで本発明者らは鋭意検討の
結果通常の化合物半導体、例えばIII −Ｖ族化合物半導
体であれば、例えば塩素系のエッチングガスを導入する
と、表面でIII族元素の塩化物とＶ族元素の塩化物が形
成され、これらが気相中に蒸発することによりエッチン
グが進行するため、ガスエッチングされた表面は、III
族とＶ族のストイキオメトリーのずれが生じ、再成長界
面にキャリアの蓄積がもたらされると考え、これを解決
するために、このガスエッチング中にIII 族の有機金属
ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物若しくはＶ族の
有機金属ガスを同時に流すと、再成長界面にキャリアの
蓄積の無い平らなプロファイルが得られることを見出し
本発明に到達した。
結果通常の化合物半導体、例えばIII −Ｖ族化合物半導
体であれば、例えば塩素系のエッチングガスを導入する
と、表面でIII族元素の塩化物とＶ族元素の塩化物が形
成され、これらが気相中に蒸発することによりエッチン
グが進行するため、ガスエッチングされた表面は、III
族とＶ族のストイキオメトリーのずれが生じ、再成長界
面にキャリアの蓄積がもたらされると考え、これを解決
するために、このガスエッチング中にIII 族の有機金属
ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物若しくはＶ族の
有機金属ガスを同時に流すと、再成長界面にキャリアの
蓄積の無い平らなプロファイルが得られることを見出し
本発明に到達した。
【０００５】すなわち本発明の目的は、再結晶界面の、
清浄度の向上と、キャリア濃度の乱れを安定させること
を両立した半導体装置を得るための製造方法を提供する
ことであり、かかる目的は、化合物半導体薄膜を水素化
物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結
晶基板及び単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室
で行なう工程を含むIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法
において、キャリアガス及びエッチングガス以外にIII
族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物若
しくはＶ族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴
とする半導体の製造方法、より好ましくは成長室内でガ
スエッチングにより形成されたメサ形状の基板あるいは
エピタキシャル層上に化合物半導体薄膜を再成長または
選択成長させる上述の半導体結晶の製造方法、さらに好
ましくは気相エッチング用ガスとして、ハロゲン元素を
含むガスを用いる上述の半導体結晶の製造方法、そして
上述の製造方法で製作した化合物半導体により容易に達
成される。
清浄度の向上と、キャリア濃度の乱れを安定させること
を両立した半導体装置を得るための製造方法を提供する
ことであり、かかる目的は、化合物半導体薄膜を水素化
物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結
晶基板及び単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室
で行なう工程を含むIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法
において、キャリアガス及びエッチングガス以外にIII
族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物若
しくはＶ族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴
とする半導体の製造方法、より好ましくは成長室内でガ
スエッチングにより形成されたメサ形状の基板あるいは
エピタキシャル層上に化合物半導体薄膜を再成長または
選択成長させる上述の半導体結晶の製造方法、さらに好
ましくは気相エッチング用ガスとして、ハロゲン元素を
含むガスを用いる上述の半導体結晶の製造方法、そして
上述の製造方法で製作した化合物半導体により容易に達
成される。
【０００６】
【作用】本発明は、化合物半導体薄膜を気相成長する直
前に、単結晶基板及び単結晶薄膜の表面をガスエッチン
グを成長室で行なうときに、キャリアガス及びエッチン
グガス以外にIII 族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素
を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスも同時に導
入することにより、再成長界面にキャリアの蓄積の無い
平らなプロファイルがえられる。
前に、単結晶基板及び単結晶薄膜の表面をガスエッチン
グを成長室で行なうときに、キャリアガス及びエッチン
グガス以外にIII 族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素
を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスも同時に導
入することにより、再成長界面にキャリアの蓄積の無い
平らなプロファイルがえられる。
【０００７】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いられるIII −Ｖ族化合物半導体としては、一般に半導
体素子として用いられるものなら特に限定されない。具
体的には、ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ
Ｐ，ＩｎＧａＡｓＰ等が挙られる。また水素化物及び有
機金属ガスについても特に限定はされず、所望の化合物
半導体を得るのに必要な水素化物及び有機金属ガスを用
いればよい。例えばＧａＡｓであれば、水素化物として
はＡｓＨ3 （アルシン）やＰＨ3（ホスフィン）、有機
金属ガスとしてはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）やトリ
エチルガリウム（ＴＥＧ），トリメチルアルムニウム
（ＴＭＡ），トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ），トリ
メチルインジウム，トリメチルインジウム等が一般に用
いられる。
いられるIII −Ｖ族化合物半導体としては、一般に半導
体素子として用いられるものなら特に限定されない。具
体的には、ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ
Ｐ，ＩｎＧａＡｓＰ等が挙られる。また水素化物及び有
機金属ガスについても特に限定はされず、所望の化合物
半導体を得るのに必要な水素化物及び有機金属ガスを用
いればよい。例えばＧａＡｓであれば、水素化物として
はＡｓＨ3 （アルシン）やＰＨ3（ホスフィン）、有機
金属ガスとしてはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）やトリ
エチルガリウム（ＴＥＧ），トリメチルアルムニウム
（ＴＭＡ），トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ），トリ
メチルインジウム，トリメチルインジウム等が一般に用
いられる。
【０００８】本発明においては、前述の水素化物と有機
金属ガスを用いて化合物半導体薄膜を気相成長する直前
に成長面のクリーニングのためのエッチングを成長室で
行なう際に、キャリアガス及びエッチングガスと共にII
I 族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物
若しくはＶ族の有機金属ガスを流すことを特徴としてい
る。この時用いられる有機金属ガス及び／又は水素化物
は、気相成長させようとしている化合物を構成するIII
族及び／又はＶ族金属元素を含むものであれば特に限定
されない。本発明のより好ましい態様としては、特にガ
スエッチング直後にドーピングを行う場合において、Ｖ
族サイトに入るドーパントを用いる場合には、III 族の
有機金属ガスを、Ｖ族サイトに入るドーパントを用いる
場合にはＶ族元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金
属ガスを同時に導入することである。この操作により、
よりヘテロ界面におけるドーパントの蓄積あるいは減少
等が少なくなる。例えばシリコンをドープする場合には
III 族の有機金属ガスが好ましく具体的にはＴＭＧ又は
ＴＥＧが好適であり、セレンをドープする場合にはＶ族
元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスが好ま
しく具体的にはアルシンが好ましい。
金属ガスを用いて化合物半導体薄膜を気相成長する直前
に成長面のクリーニングのためのエッチングを成長室で
行なう際に、キャリアガス及びエッチングガスと共にII
I 族の有機金属ガス及び／又はＶ族元素を含む水素化物
若しくはＶ族の有機金属ガスを流すことを特徴としてい
る。この時用いられる有機金属ガス及び／又は水素化物
は、気相成長させようとしている化合物を構成するIII
族及び／又はＶ族金属元素を含むものであれば特に限定
されない。本発明のより好ましい態様としては、特にガ
スエッチング直後にドーピングを行う場合において、Ｖ
族サイトに入るドーパントを用いる場合には、III 族の
有機金属ガスを、Ｖ族サイトに入るドーパントを用いる
場合にはＶ族元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金
属ガスを同時に導入することである。この操作により、
よりヘテロ界面におけるドーパントの蓄積あるいは減少
等が少なくなる。例えばシリコンをドープする場合には
III 族の有機金属ガスが好ましく具体的にはＴＭＧ又は
ＴＥＧが好適であり、セレンをドープする場合にはＶ族
元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスが好ま
しく具体的にはアルシンが好ましい。
【０００９】またキャリアガスとしては一般に用いられ
るものであれば特に限定されず、具体例としては水素が
挙げられる。エッチングガスもまた一般に用いられるも
のであれば特に限定されないが、好ましくはハロゲン元
素を含むガスであり、より好ましくは塩素系反応性ガス
であり、特に好ましくは、ＨＣｌ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，Ａｓ
Ｃｌ3 及びＣｌ2 からなる群より選ばれた少なくとも１
つを含むガスである。
るものであれば特に限定されず、具体例としては水素が
挙げられる。エッチングガスもまた一般に用いられるも
のであれば特に限定されないが、好ましくはハロゲン元
素を含むガスであり、より好ましくは塩素系反応性ガス
であり、特に好ましくは、ＨＣｌ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，Ａｓ
Ｃｌ3 及びＣｌ2 からなる群より選ばれた少なくとも１
つを含むガスである。
【００１０】エッチングの条件としては、特に限定され
ないが、エッチング速度を上げるため一般には５００℃
〜８００℃が用いられる。又、エッチングガスと有機金
属ガスの導入量は、成長室の大きさや所望の半導体素子
の性能により大きく異なるが、一般的には有機金属ガス
よりエッチングガスを多量に導入れる。又、温度が下が
るとエッチング速度が低下するので、温度が低い場合に
はエッチングガスの量を増加させてもよい。
ないが、エッチング速度を上げるため一般には５００℃
〜８００℃が用いられる。又、エッチングガスと有機金
属ガスの導入量は、成長室の大きさや所望の半導体素子
の性能により大きく異なるが、一般的には有機金属ガス
よりエッチングガスを多量に導入れる。又、温度が下が
るとエッチング速度が低下するので、温度が低い場合に
はエッチングガスの量を増加させてもよい。
【００１１】また流すガスの全圧は常圧以下が好まし
い。以下本発明を実施例を用いて説明するが、本発明は
その要旨を超えない限り実施例に限定されるものではな
い。
い。以下本発明を実施例を用いて説明するが、本発明は
その要旨を超えない限り実施例に限定されるものではな
い。
【００１２】
【実施例】本実施例ではＭＯＶＰＥ法で成長を施す際の
原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアルシン
（ＡｓＨ3 ）を用い、エッチングガスとして塩化水素
（ＨＣｌ）を用いた。ＳｉドープＧａＡｓ基板｛１０
０｝上に減圧（７６Ｔｏｒｒ）ＭＯＶＰＥ法で０．５μ
ｍのＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０18cm-3）及び
１．５μｍのＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０17cm
-3）をエピタキシャル成長させる。このウエハをＭＯＶ
ＰＥ反応炉外に取り出し、１２時間大気露出させ放置し
ておく。ＭＯＶＰＥ反応炉にウエハを戻し、０．５μｍ
のＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０17cm-3）を再成
長させる。再成長前にＭＯＶＰＥ反応炉内でウエハの表
面を塩化水素ガスにより０．３μｍを気相エッチングす
る。ドーパントのＳｉはIII族サイトに入るので，III族
の有機金属ガスのＴＭＧをエッチングガスと同時に用い
る。図１及び図２に、気相エッチング中にＴＭＧを流し
た場合（サンプルＡ）とＴＭＧを流さなかった場合（サ
ンプルＢ）について、再成長させたウエハのキャリア濃
度の深さ方向の分布をＣ−Ｖ法により測定した結果を示
す。再成長前に反応炉内で気相エッチングを行わずに、
そのまま成長させたサンプルＣでは、図３に示すよう
に、再成長界面でキャリア濃度の大きな空乏がみられ、
この部分は高抵抗層となるためにサイリスタ現象を起こ
す等、素子特性にの大きな問題を及ぼしてしまう。気相
エッチング中にＴＭＧを流さなかった場合には、キャリ
アの蓄積が再成長界面で見られたが、ＴＭＧを流した場
合には平らなプロファイルが得られた。このガスエッチ
ング中にＡｓＨ3 を流すと、ＡｓＨ3 流量の増加にとも
なってエッチングレートは減少するが、キャリア濃度の
蓄積についてはＡｓＨ3 流量に依存しない。ガスエッチ
ング中にＴＭＧを流しても、エッチングレートには変化
せず、キャリアの蓄積を抑制に効力を発揮した。
原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアルシン
（ＡｓＨ3 ）を用い、エッチングガスとして塩化水素
（ＨＣｌ）を用いた。ＳｉドープＧａＡｓ基板｛１０
０｝上に減圧（７６Ｔｏｒｒ）ＭＯＶＰＥ法で０．５μ
ｍのＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０18cm-3）及び
１．５μｍのＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０17cm
-3）をエピタキシャル成長させる。このウエハをＭＯＶ
ＰＥ反応炉外に取り出し、１２時間大気露出させ放置し
ておく。ＭＯＶＰＥ反応炉にウエハを戻し、０．５μｍ
のＳｉドープＧａＡｓ層（ｎ＝１×１０17cm-3）を再成
長させる。再成長前にＭＯＶＰＥ反応炉内でウエハの表
面を塩化水素ガスにより０．３μｍを気相エッチングす
る。ドーパントのＳｉはIII族サイトに入るので，III族
の有機金属ガスのＴＭＧをエッチングガスと同時に用い
る。図１及び図２に、気相エッチング中にＴＭＧを流し
た場合（サンプルＡ）とＴＭＧを流さなかった場合（サ
ンプルＢ）について、再成長させたウエハのキャリア濃
度の深さ方向の分布をＣ−Ｖ法により測定した結果を示
す。再成長前に反応炉内で気相エッチングを行わずに、
そのまま成長させたサンプルＣでは、図３に示すよう
に、再成長界面でキャリア濃度の大きな空乏がみられ、
この部分は高抵抗層となるためにサイリスタ現象を起こ
す等、素子特性にの大きな問題を及ぼしてしまう。気相
エッチング中にＴＭＧを流さなかった場合には、キャリ
アの蓄積が再成長界面で見られたが、ＴＭＧを流した場
合には平らなプロファイルが得られた。このガスエッチ
ング中にＡｓＨ3 を流すと、ＡｓＨ3 流量の増加にとも
なってエッチングレートは減少するが、キャリア濃度の
蓄積についてはＡｓＨ3 流量に依存しない。ガスエッチ
ング中にＴＭＧを流しても、エッチングレートには変化
せず、キャリアの蓄積を抑制に効力を発揮した。
【００１３】また、サンプルＡ及びＢについて、移動度
の深さ方向のプロファイルも測定したところ、サンプル
Ｂではキャリアの蓄積した近傍で移動度が大きく低下し
ていたが、サンプルＡでは再成長界面付近での移動度の
低下がみられなかった。サンプルＡでのキャリアプロフ
ァイルの平坦化は、Ｐ型不純物によるキャリアの補償に
よるものでなく、高品質な再成長界面が形成されている
ことがわかった。
の深さ方向のプロファイルも測定したところ、サンプル
Ｂではキャリアの蓄積した近傍で移動度が大きく低下し
ていたが、サンプルＡでは再成長界面付近での移動度の
低下がみられなかった。サンプルＡでのキャリアプロフ
ァイルの平坦化は、Ｐ型不純物によるキャリアの補償に
よるものでなく、高品質な再成長界面が形成されている
ことがわかった。
【００１４】さらに、これらのサンプルをＳＩＭＳ分析
を行ったところ、図４及び図５に示すように、気相エッ
チングを行わずに再成長したサンプルＣでみられた酸
素、炭素、シリコン等の不純物のピークが再成長界面で
見られなかったが、気相エッチング中にＴＭＧを流す流
さないにかかわらず気相エッチングを行うことにより清
浄な再成長界面が得られることがわかった。
を行ったところ、図４及び図５に示すように、気相エッ
チングを行わずに再成長したサンプルＣでみられた酸
素、炭素、シリコン等の不純物のピークが再成長界面で
見られなかったが、気相エッチング中にＴＭＧを流す流
さないにかかわらず気相エッチングを行うことにより清
浄な再成長界面が得られることがわかった。
【００１５】以上のことから、気相エッチングを行った
場合のキャリアの蓄積の有無については、気相エッチン
グ表面でのストイキオメトリーのずれが関係しているも
のと考えられる。
場合のキャリアの蓄積の有無については、気相エッチン
グ表面でのストイキオメトリーのずれが関係しているも
のと考えられる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、化合物半
導体薄膜の成長直前にIII 族の有機金属及び／又はＶ族
元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスを流し
ながら気相エッチングを行うことにより、従来問題とさ
れた単結晶基板とエピタキシャル層の界面及び再成長界
面の不純物汚染、酸化膜、熱変成層等を除去することに
より表面の清浄化をおこないかつキャリアの蓄積や欠乏
が生じない高品質な再成長界面が得られたため、従来の
作製法の素子に比べて特性が大幅に向上する。
導体薄膜の成長直前にIII 族の有機金属及び／又はＶ族
元素を含む水素化物若しくはＶ族の有機金属ガスを流し
ながら気相エッチングを行うことにより、従来問題とさ
れた単結晶基板とエピタキシャル層の界面及び再成長界
面の不純物汚染、酸化膜、熱変成層等を除去することに
より表面の清浄化をおこないかつキャリアの蓄積や欠乏
が生じない高品質な再成長界面が得られたため、従来の
作製法の素子に比べて特性が大幅に向上する。
【図１】図１は気相エッチング中にＴＭＧをエッチング
ガスと同時に流さなかった場合の再成長面近傍のキャリ
ア濃度プロファイルである。
ガスと同時に流さなかった場合の再成長面近傍のキャリ
ア濃度プロファイルである。
【図２】図２は気相エッチング中にＴＭＧをエッチング
ガスと同時に流した場合の再成長面近傍のキャリア濃度
のプロファイルである。
ガスと同時に流した場合の再成長面近傍のキャリア濃度
のプロファイルである。
【図３】図３は大気露出後にエッチングを行なわずに再
成長させた場合の再成長面近傍のキャリア濃度のプロフ
ァイルである。
成長させた場合の再成長面近傍のキャリア濃度のプロフ
ァイルである。
【図４】図４は大気露出後にエッチングを行なわずに再
成長させた場合のＳＩＭＳ分析の結果である。
成長させた場合のＳＩＭＳ分析の結果である。
【図５】図５は大気露出後にガスエッチングを行ってか
ら再成長させた場合のＳＩＭＳ分析の結果である。
ら再成長させた場合のＳＩＭＳ分析の結果である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−65434（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−74580（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−182299（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−175293（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/3065 C23C 16/00 C30B 25/00
Claims (6)
- 【請求項１】 化合物半導体薄膜を水素化物及び有機
金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結晶基板及び
／又は単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室で行
ない、かつガスエッチング直後にドーピングを行う工程
を含むIII-Ｖ族化合物半導体の製造方法であって、キャ
リアガス及びエッチングガス以外にIII族の有機金属ガ
ス及び／又はＶ族元素を含む水素化物若しくはＶ族の有
機金属ガスも同時に導入することを特徴とする化合物半
導体の気相エッチング方法。 - 【請求項２】 前記ガスエッチング直後にドーピング
を行う場合において，III族サイトに入るドーパントを
用いる場合には、III族の有機金属ガスを、Ｖ族サイト
に入るドーパントを用いる場合にはＶ族元素を含む水素
化物若しくはＶ族の有機金属ガスを同時に導入する請求
項１記載の化合物半導体の気相エッチング方法。 - 【請求項３】 成長室内で前記ガスエッチングにより
メサ形状の基板あるいはエピタキシャル層を形成する請
求項１記載の化合物半導体の気相エッチング方法。 - 【請求項４】 気相エッチング用ガスとして、ハロゲ
ン元素を含むガスを含むガスを用いる請求項１記載の化
合物半導体の気相エッチング方法。 - 【請求項５】 気相エッチング用ガスとして、ＨＣ
ｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 及びＣｌ2 からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の塩素系反応性ガスを含むガ
スを用いる請求項１記載の化合物半導体の気相エッチン
グ方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の化合物半導体の気相エ
ッチング方法で製造された化合物半導体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14180792A JP3158651B2 (ja) | 1991-07-04 | 1992-06-02 | 化合物半導体及びその製造方法 |
| US08/069,729 US5400740A (en) | 1992-02-06 | 1993-06-01 | Method of preparing compound semiconductor |
| EP93304262A EP0573270B1 (en) | 1992-06-02 | 1993-06-02 | Method of preparing compound semiconductor |
| DE69320540T DE69320540T2 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-02 | Herstellungsverfahren von Verbindungshalbleitern |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-164707 | 1991-07-04 | ||
| JP16470791 | 1991-07-04 | ||
| JP14180792A JP3158651B2 (ja) | 1991-07-04 | 1992-06-02 | 化合物半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175150A JPH05175150A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3158651B2 true JP3158651B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=26473976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14180792A Expired - Fee Related JP3158651B2 (ja) | 1991-07-04 | 1992-06-02 | 化合物半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158651B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101664019B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2016-10-10 | 주식회사 고려원 | 필기구 수납홈이 마련되는 책 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407531A (en) * | 1994-02-15 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Method of fabricating a compound semiconductor device |
| JPH08264835A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH08264836A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
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1992
- 1992-06-02 JP JP14180792A patent/JP3158651B2/ja not_active Expired - Fee Related
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