JP3279528B2 - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 - Google Patents
窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系III−Ｖ
族化合物半導体の気相成長方法及びこの方法を用いた半
導体素子の製造方法に関する。
族化合物半導体の気相成長方法及びこの方法を用いた半
導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体、特に窒化ガリウム（Ga
N）はその禁制帯幅が3.4eVと大きく、かつ直接遷移型の
半導体であることから、青色発光素子材料として開発が
活発に行われている。ところで、この材料のエピタキシ
ャル成長には、ホモエピタキシャル基板の作製が困難な
ことから、通常はサファイア(Al2O3)基板、シリコンカ
ーバイド（SiC）基板、そしてMg2Al2O4等のスピネル型
結晶基板などが一般的に用いられている。その中でも、
廉価なこと、比較的結晶性の良いエピタキシャル層が成
長できることからサファイア基板がもっとも多く用いら
れている。
N）はその禁制帯幅が3.4eVと大きく、かつ直接遷移型の
半導体であることから、青色発光素子材料として開発が
活発に行われている。ところで、この材料のエピタキシ
ャル成長には、ホモエピタキシャル基板の作製が困難な
ことから、通常はサファイア(Al2O3)基板、シリコンカ
ーバイド（SiC）基板、そしてMg2Al2O4等のスピネル型
結晶基板などが一般的に用いられている。その中でも、
廉価なこと、比較的結晶性の良いエピタキシャル層が成
長できることからサファイア基板がもっとも多く用いら
れている。
【０００３】このサファイア基板上に例えば、図６で示
したような窒化物系半導体からなるレーザ構造が作製さ
れている（S.Nakamura et al, Jpn.J.Appl.Phys.,vo
l35,L74(1996)）。この構造は、サファイア基板上61
に、まず、GaNの低温バッファー層62を成長させ、その
上に1000℃程度の高温でSiドープGaN層63を成長させ
る。さらにSiドープInGaN層64、SiドープAlGaNクラッド
層65、SiドープGaN光ガイド層66、InGaN井戸層、および
InGaNバリア層からなるInGaN多重量子井戸層67（レーザ
発光層となる）、Mgドープ型AlGaN層68、Mgドープｐ型G
aN光ガイド層69、Mgドープｐ型AlGaNクラッド層70、お
よび、MgドープGaNコンタクト層71を順次成長させる。
ｐ電極72としてNi-Au、ｎ型電極としてTi-Al電極73が広
く用いられている。
したような窒化物系半導体からなるレーザ構造が作製さ
れている（S.Nakamura et al, Jpn.J.Appl.Phys.,vo
l35,L74(1996)）。この構造は、サファイア基板上61
に、まず、GaNの低温バッファー層62を成長させ、その
上に1000℃程度の高温でSiドープGaN層63を成長させ
る。さらにSiドープInGaN層64、SiドープAlGaNクラッド
層65、SiドープGaN光ガイド層66、InGaN井戸層、および
InGaNバリア層からなるInGaN多重量子井戸層67（レーザ
発光層となる）、Mgドープ型AlGaN層68、Mgドープｐ型G
aN光ガイド層69、Mgドープｐ型AlGaNクラッド層70、お
よび、MgドープGaNコンタクト層71を順次成長させる。
ｐ電極72としてNi-Au、ｎ型電極としてTi-Al電極73が広
く用いられている。
【０００４】図６に示すような構造をとるのは、n型電
極を絶縁物質であるサファイア上に直接形成することが
できないためであり、そのためにドライエッチングなど
により成長層の一部をｎGaN層までエッチングしてその
上に電極を形成する必要があった。このようなｎ型電極
構造では、電流パスがｎ型化合物半導体層（図中GaN層6
3）を横切る構造となっているため、横方向に長くなっ
た分だけ抵抗成分が増加して、発熱等を引き起こし、デ
バイス特性を悪化させる原因となっていた。
極を絶縁物質であるサファイア上に直接形成することが
できないためであり、そのためにドライエッチングなど
により成長層の一部をｎGaN層までエッチングしてその
上に電極を形成する必要があった。このようなｎ型電極
構造では、電流パスがｎ型化合物半導体層（図中GaN層6
3）を横切る構造となっているため、横方向に長くなっ
た分だけ抵抗成分が増加して、発熱等を引き起こし、デ
バイス特性を悪化させる原因となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は、上記課
題に鑑みなされたものであり、第一に青色発光素子の従
来構造におけるｎ型化合物半導体層の低抵抗化を行い、
デバイス特性が劣化しない化合物半導体素子の製造方法
を提供することを目的とし、第二に、上記の抵抗成分増
加の問題を根本的に解決したｎ型、ｐ型電極の対極構造
を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的と
する。
題に鑑みなされたものであり、第一に青色発光素子の従
来構造におけるｎ型化合物半導体層の低抵抗化を行い、
デバイス特性が劣化しない化合物半導体素子の製造方法
を提供することを目的とし、第二に、上記の抵抗成分増
加の問題を根本的に解決したｎ型、ｐ型電極の対極構造
を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、II
I族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応
させ、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層を気相成長さ
せる方法であって、該基板としてマスクパターンが形成
された基板を用い、該マスクパターン上にラテラル成長
により該半導体層を設け、かつ該気相成長時に、SiHxCl
4-X（x=１、２、３）をドーピング原料ガスとしてSiド
ーピングを行うことを特徴とする窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体の気相成長方法に関する。
I族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応
させ、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層を気相成長さ
せる方法であって、該基板としてマスクパターンが形成
された基板を用い、該マスクパターン上にラテラル成長
により該半導体層を設け、かつ該気相成長時に、SiHxCl
4-X（x=１、２、３）をドーピング原料ガスとしてSiド
ーピングを行うことを特徴とする窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体の気相成長方法に関する。
【０００７】さらに本発明は、上記の窒化物系III−Ｖ
族化合物半導体の気相成長方法を用いた基板上への窒化
物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法であって、
前記基板が、サファイア基板、SiＣ基板、スピンネル基
板またはSi単結晶基板であることを特徴とする窒化物系
III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法に関する。
族化合物半導体の気相成長方法を用いた基板上への窒化
物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法であって、
前記基板が、サファイア基板、SiＣ基板、スピンネル基
板またはSi単結晶基板であることを特徴とする窒化物系
III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法に関する。
【０００８】さらに本発明は、上記基板上への窒化物系
III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を用いて、前記
基板上にSiをドープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物
半導体層を形成する工程と、次いでこのSiがドープされ
た窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層上に、半導体素子
構造を形成する工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合
物半導体素子の製造方法に関する。
III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を用いて、前記
基板上にSiをドープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物
半導体層を形成する工程と、次いでこのSiがドープされ
た窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層上に、半導体素子
構造を形成する工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合
物半導体素子の製造方法に関する。
【０００９】さらに本発明は、上記の窒化物系III−Ｖ
族化合物半導体の気相成長方法を用いて、前記基板上に
Ｓｉをドープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物半導体
層を形成する工程と、次いで該基板を除去し、窒化物系
III−Ｖ族化合物半導体層を分離する工程とを含むこと
を特徴とする窒化物系III−Ｖ族化合物半導体基板の製
造方法に関する。
族化合物半導体の気相成長方法を用いて、前記基板上に
Ｓｉをドープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物半導体
層を形成する工程と、次いで該基板を除去し、窒化物系
III−Ｖ族化合物半導体層を分離する工程とを含むこと
を特徴とする窒化物系III−Ｖ族化合物半導体基板の製
造方法に関する。
【００１０】さらに本発明は、上記窒化物系III−Ｖ族
化合物半導体基板の製造方法を用いて窒化物系III−Ｖ
族化合物半導体基板を形成する工程と、次いで該窒化物
系III−Ｖ族化合物半導体基板上に、半導体素子構造を
形成する工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合物半導
体素子の製造方法に関する。さらに本発明は、さきの記
載した窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法
を、製造工程の一工程として用いた半導体レーザ、発光
ダイオード、電界トランジスタまたはバイポーラの半導
体素子の製造方法に関する。
化合物半導体基板の製造方法を用いて窒化物系III−Ｖ
族化合物半導体基板を形成する工程と、次いで該窒化物
系III−Ｖ族化合物半導体基板上に、半導体素子構造を
形成する工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合物半導
体素子の製造方法に関する。さらに本発明は、さきの記
載した窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法
を、製造工程の一工程として用いた半導体レーザ、発光
ダイオード、電界トランジスタまたはバイポーラの半導
体素子の製造方法に関する。
【００１１】
【００１２】従来構造での低抵抗化を図るためには、低
しきい値、低電流、低電圧で動作する光素子を形成する
必要がある。例えば、図６のレーザ構造を用いて説明す
ると、ｎ型GaN層63に存在する抵抗成分をでるだけ低減
する必要がある。このためには、ｎ型GaN層を厚くする
ことが考えられるが、従来は有機金属熱分解法（metalo
rganic vapor phase epitaxy: MOVPE）法により成
長が行われているために、成長速度が遅いため、数μｍ
の厚さ以上に成長させることは困難であった。また、Ga
Nを厚く成長させると、熱歪みなどで、成長層内にクラ
ックが導入され、デバイス構造作製には極めて不都合と
なった。
しきい値、低電流、低電圧で動作する光素子を形成する
必要がある。例えば、図６のレーザ構造を用いて説明す
ると、ｎ型GaN層63に存在する抵抗成分をでるだけ低減
する必要がある。このためには、ｎ型GaN層を厚くする
ことが考えられるが、従来は有機金属熱分解法（metalo
rganic vapor phase epitaxy: MOVPE）法により成
長が行われているために、成長速度が遅いため、数μｍ
の厚さ以上に成長させることは困難であった。また、Ga
Nを厚く成長させると、熱歪みなどで、成長層内にクラ
ックが導入され、デバイス構造作製には極めて不都合と
なった。
【００１３】本発明では、まず気相成長手法としてIII
元素のハロゲン化物をＶ族元素を含む化合物（本発明で
は窒素を含む化合物）と反応させ、基板上に気相成長を
行うハロゲン輸送法による気相成長（halogen-transpor
t vapor phase epitaxy:HVPE）を用いていることが
特徴である。すなわち、III族元素をGaClやInClのよう
な塩化物として、基板領域に輸送するもので、GaNにお
いては100μｍ／ｈ以上の速い成長速度を実現すること
ができ、厚膜成長には非常に適した手法である。しか
も、ラテラル成長（epitaxial lateral overgrowth
:ELO）を用いることで、貫通転位を削減でき、しかも
数１００μｍ厚の成長を行ってもクラックが入らないと
いう特徴がある（A. Usui et al., Jpn.J.Appl.Phy
s. Vol.36, L.899(1997)）。
元素のハロゲン化物をＶ族元素を含む化合物（本発明で
は窒素を含む化合物）と反応させ、基板上に気相成長を
行うハロゲン輸送法による気相成長（halogen-transpor
t vapor phase epitaxy:HVPE）を用いていることが
特徴である。すなわち、III族元素をGaClやInClのよう
な塩化物として、基板領域に輸送するもので、GaNにお
いては100μｍ／ｈ以上の速い成長速度を実現すること
ができ、厚膜成長には非常に適した手法である。しか
も、ラテラル成長（epitaxial lateral overgrowth
:ELO）を用いることで、貫通転位を削減でき、しかも
数１００μｍ厚の成長を行ってもクラックが入らないと
いう特徴がある（A. Usui et al., Jpn.J.Appl.Phy
s. Vol.36, L.899(1997)）。
【００１４】しかしながら、このHVPEによりELO成長を
行ったas-grown結晶は室温で高抵抗を示す場合が多く、
このままでは、本発明の課題を解決することができなか
った。GaNのｎ型低抵抗結晶を得るためには、すでにMOV
PE法においては、SiH4を用いてSiのドーピングで実現さ
れている。ところが、HVPE法でSiH4を用いると、反応管
全体が抵抗加熱で熱せられているためにSiH4が分解し
て、基板領域に到達する前に分解し、実効的なSiのドー
ピングは不可能であることが判明した。
行ったas-grown結晶は室温で高抵抗を示す場合が多く、
このままでは、本発明の課題を解決することができなか
った。GaNのｎ型低抵抗結晶を得るためには、すでにMOV
PE法においては、SiH4を用いてSiのドーピングで実現さ
れている。ところが、HVPE法でSiH4を用いると、反応管
全体が抵抗加熱で熱せられているためにSiH4が分解し
て、基板領域に到達する前に分解し、実効的なSiのドー
ピングは不可能であることが判明した。
【００１５】そこで、本発明者らは、HVPE法において実
効的なSiドーピングが可能なドーピング原料ガスを鋭意
検討した結果、Clを含んだSiHxCl4-x（x=１、２、３）
がHVPEにおける窒化物系III−Ｖ族化合物半導体のｎ型
ドーピング原料ガスとして有効なことを見出し本発明に
到った。したがって、低抵抗のｎ型窒化物系III−Ｖ族
化合物半導体層を有する半導体素子を製造する事が可能
となる。
効的なSiドーピングが可能なドーピング原料ガスを鋭意
検討した結果、Clを含んだSiHxCl4-x（x=１、２、３）
がHVPEにおける窒化物系III−Ｖ族化合物半導体のｎ型
ドーピング原料ガスとして有効なことを見出し本発明に
到った。したがって、低抵抗のｎ型窒化物系III−Ｖ族
化合物半導体層を有する半導体素子を製造する事が可能
となる。
【００１６】さらに、本発明者らは、上記方法を用いて
低抵抗化した窒化物系III−Ｖ族化合物半導体をｎ型低
抵抗基板として分離できることを見出した。この分離し
たｎ型低抵抗基板に半導体素子構造を形成することが可
能である。これにより半導体素子構造の設計の自由度
は、格段に向上する。
低抵抗化した窒化物系III−Ｖ族化合物半導体をｎ型低
抵抗基板として分離できることを見出した。この分離し
たｎ型低抵抗基板に半導体素子構造を形成することが可
能である。これにより半導体素子構造の設計の自由度
は、格段に向上する。
【００１７】上記気相成長方法により、発光層をｎ伝導
型のｎ層とｐ伝導型のｐ層で挟んだ構造を有するIII−
Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子において、ｎ型電極
とｐ型電極が対極した構造とすることができる。この構
造により電流パスが短く、半導体素子そのものも小型化
できる。さらに、従来構造と比較すると、成長層の一部
をメサエッチングする必要がなくなり、素子製造工程と
しても非常に簡略化でき有利な構造であるといえる。
型のｎ層とｐ伝導型のｐ層で挟んだ構造を有するIII−
Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子において、ｎ型電極
とｐ型電極が対極した構造とすることができる。この構
造により電流パスが短く、半導体素子そのものも小型化
できる。さらに、従来構造と比較すると、成長層の一部
をメサエッチングする必要がなくなり、素子製造工程と
しても非常に簡略化でき有利な構造であるといえる。
【００１８】また、本発明の窒化物系III−Ｖ族化合物
半導体の気相成長方法を用いて、通常行われる方法によ
り半導体レーザ、発光ダイオードなどの発光素子、及び
電界効果トランジスタ、バイポーラなどのトランジスタ
を形成することが可能である。すなわち、窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体を用いる半導体素子において、低抵
抗のｎ型層を形成する場合は、本発明の気相成長方法を
用いることができる。
半導体の気相成長方法を用いて、通常行われる方法によ
り半導体レーザ、発光ダイオードなどの発光素子、及び
電界効果トランジスタ、バイポーラなどのトランジスタ
を形成することが可能である。すなわち、窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体を用いる半導体素子において、低抵
抗のｎ型層を形成する場合は、本発明の気相成長方法を
用いることができる。
【００１９】
【実施例】（実施例１） 本発明の一実施形態として、SiH2Cl2を用いた場合のGaN
におけるドーピングについて説明する。基板として図１
(a)に示したELO用の基板を準備した。この方法の詳細に
ついては、すでに既発表の文献（A. Usui et al.,
Jpn.J. Appl.Phys. Vol.36(1997) pp.L.899-L.902）
にあり公知技術である。すなわち、サファイア基板11を
用いて、薄いGaNエピタキシャル層12の上に、SiO2を用
いてストライプ状のマスクパターン13を形成したもので
ある。このELO用基板を図２に示したHVPE成長装置にセ
ットした。この装置では、III族元素のハロゲン化物で
あるGaClを基板に輸送できる装置であり、GaClは、Ga金
属21と導入管22からH2もしくはN2といったキャリアガス
とともに供給されるHClとの反応で生成される。基板領
域で、GaClと導入管23から供給されるNH3とが混合し、
反応しながら基板24上にGaNが気相成長する。基板領域
の温度は電気炉25で1000℃に設定した。また、原料とな
るGaCl分圧、NH3分圧を基板領域でそれぞれ、5×10-3at
m、0.3atmとした。この条件で成長速度は約50μｍ／ｈ
である。また、ドーピング原料ガスであるSiH2Cl2は、
導入管26から基板領域に供給することでドーピングを行
った。図1(b)のような約100μｍ厚のSiをドープしたGaN
層14成長させた。図３に、ホール測定により調べたキャ
リア濃度とSiH2Cl2濃度との関係を示す。この図から、S
iH2Cl2の分圧を変化させることで、1017〜1019cm-3の広
い範囲で電子のキャリア濃度を再現性良く制御できるこ
とがわかった。すなわち、従来不可能であった実効的な
Siのドープが可能となり、これにより、HVPEにおいて、
デバイスを作製するために必要なｎ型厚膜低抵抗層の成
長が実現できた。
におけるドーピングについて説明する。基板として図１
(a)に示したELO用の基板を準備した。この方法の詳細に
ついては、すでに既発表の文献（A. Usui et al.,
Jpn.J. Appl.Phys. Vol.36(1997) pp.L.899-L.902）
にあり公知技術である。すなわち、サファイア基板11を
用いて、薄いGaNエピタキシャル層12の上に、SiO2を用
いてストライプ状のマスクパターン13を形成したもので
ある。このELO用基板を図２に示したHVPE成長装置にセ
ットした。この装置では、III族元素のハロゲン化物で
あるGaClを基板に輸送できる装置であり、GaClは、Ga金
属21と導入管22からH2もしくはN2といったキャリアガス
とともに供給されるHClとの反応で生成される。基板領
域で、GaClと導入管23から供給されるNH3とが混合し、
反応しながら基板24上にGaNが気相成長する。基板領域
の温度は電気炉25で1000℃に設定した。また、原料とな
るGaCl分圧、NH3分圧を基板領域でそれぞれ、5×10-3at
m、0.3atmとした。この条件で成長速度は約50μｍ／ｈ
である。また、ドーピング原料ガスであるSiH2Cl2は、
導入管26から基板領域に供給することでドーピングを行
った。図1(b)のような約100μｍ厚のSiをドープしたGaN
層14成長させた。図３に、ホール測定により調べたキャ
リア濃度とSiH2Cl2濃度との関係を示す。この図から、S
iH2Cl2の分圧を変化させることで、1017〜1019cm-3の広
い範囲で電子のキャリア濃度を再現性良く制御できるこ
とがわかった。すなわち、従来不可能であった実効的な
Siのドープが可能となり、これにより、HVPEにおいて、
デバイスを作製するために必要なｎ型厚膜低抵抗層の成
長が実現できた。
【００２０】なお、本実施例では、ドーピング原料ガス
としてSiH2Cl2を用いたが、SiHCl3、SiH3Cl、SiCl4でも
ｎ型ドーピングは可能であり、またそれらの混合物であ
っても良い。
としてSiH2Cl2を用いたが、SiHCl3、SiH3Cl、SiCl4でも
ｎ型ドーピングは可能であり、またそれらの混合物であ
っても良い。
【００２１】また、本実施例では、GaNへのドーピング
で示したが、同様なドーピングは、InxGa1-xN(0≦x≦
1)、AlxGa1-xN(0≦x≦1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y
≦1)のいずれかの窒化物系III−Ｖ族化合物半導体につ
いても実現できる。また、これらの層状構造でも実現で
きる。ここで、Alを含む場合は、Al金属を、Inを含む場
合は、In金属をHVPE装置の中に配置する以外は、GaNの
場合と全く同様の方法により、ドーピングすることが可
能である。また、層状とは、組成の異なるいくつかの層
を設けたことを意味する。この層構造を形成するために
は、Ga金属、Al金属、In金属とHClとの反応によって発
生するGaCl、AlCl3、InCl3の各ハロゲン化物の分圧を制
御することにより、経時的に層構造を変化させることが
可能であり、その際も、先に示したGaNの場合と同様な
方法でSiドーピングを行うことが可能である。
で示したが、同様なドーピングは、InxGa1-xN(0≦x≦
1)、AlxGa1-xN(0≦x≦1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y
≦1)のいずれかの窒化物系III−Ｖ族化合物半導体につ
いても実現できる。また、これらの層状構造でも実現で
きる。ここで、Alを含む場合は、Al金属を、Inを含む場
合は、In金属をHVPE装置の中に配置する以外は、GaNの
場合と全く同様の方法により、ドーピングすることが可
能である。また、層状とは、組成の異なるいくつかの層
を設けたことを意味する。この層構造を形成するために
は、Ga金属、Al金属、In金属とHClとの反応によって発
生するGaCl、AlCl3、InCl3の各ハロゲン化物の分圧を制
御することにより、経時的に層構造を変化させることが
可能であり、その際も、先に示したGaNの場合と同様な
方法でSiドーピングを行うことが可能である。
【００２２】基板としてGaN、その他のIII−Ｖ族化合物
半導体が成長可能な基板では本発明の気相成長方法を適
用することは可能である。
半導体が成長可能な基板では本発明の気相成長方法を適
用することは可能である。
【００２３】（実施例２）本発明の第２の実施の形態
は、本発明の一実施形態である半導体素子の製造方法と
して、実施例１で形成したｎ型厚膜低抵抗層上へのレー
ザ構造を形成する方法について図４を用いて説明する。
は、本発明の一実施形態である半導体素子の製造方法と
して、実施例１で形成したｎ型厚膜低抵抗層上へのレー
ザ構造を形成する方法について図４を用いて説明する。
【００２４】実施例１の気相成長方法により、サファイ
ア(0001)面基板結晶11上にHVPE法を用いて、図１(b)の
ようにSiH2Cl2をドーピング原料ガスとしてSiをドーピ
ングした100μｍ厚のGaN層14を成長させる。
ア(0001)面基板結晶11上にHVPE法を用いて、図１(b)の
ようにSiH2Cl2をドーピング原料ガスとしてSiをドーピ
ングした100μｍ厚のGaN層14を成長させる。
【００２５】図２に示したHVPE法による成長装置を用い
て、成長温度は1000℃に設定し、原料となるGaCl分圧、
NH3分圧を基板領域でそれぞれ、5×10-3atm、0.3atmの
条件で成長を行う。同時にドーピング原料ガスであるSi
H2Cl2を、基板領域で、分圧が2×10-6atmとなるように
設定する。これにより、キャリア濃度として1×1018cm
-3が得られる。
て、成長温度は1000℃に設定し、原料となるGaCl分圧、
NH3分圧を基板領域でそれぞれ、5×10-3atm、0.3atmの
条件で成長を行う。同時にドーピング原料ガスであるSi
H2Cl2を、基板領域で、分圧が2×10-6atmとなるように
設定する。これにより、キャリア濃度として1×1018cm
-3が得られる。
【００２６】次にこの結晶をHVPE反応管から取り出し、
引き続いてMOVPE反応管に設置する。水素気流中でNH3を
供給しながら昇温して、基板温度を1000℃に設定する。
続いて、図4(a)のように、キャリア濃度2×1018cm-3のS
iドープAlGaNクラッド層41、5×1017cm-3のSiドープGaN
光ガイド層42を形成する。次に、基板温度を750℃に設
定し、アンドープまたはSiを1×1018cm-3ドープしたInG
aN井戸層、アンドープまたはSiを1x×018cm-3ドープし
て、井戸層よりもInが少なく、アンドープまたはSiを1
×1018cm-3ドープしたInGaNバリア層からなる５周期の
多重量子井戸構造43を形成する。次に再び1000℃に成長
温度を設定して、キャリア濃度5×1017cm-3のMgドープG
aN光ガイド層44、キャリア濃度1×1017cm-3のMgドープA
lGaNクラッド層45、1×1018cm-3のMgドープGaNコンタク
ト層46を順次成長する。
引き続いてMOVPE反応管に設置する。水素気流中でNH3を
供給しながら昇温して、基板温度を1000℃に設定する。
続いて、図4(a)のように、キャリア濃度2×1018cm-3のS
iドープAlGaNクラッド層41、5×1017cm-3のSiドープGaN
光ガイド層42を形成する。次に、基板温度を750℃に設
定し、アンドープまたはSiを1×1018cm-3ドープしたInG
aN井戸層、アンドープまたはSiを1x×018cm-3ドープし
て、井戸層よりもInが少なく、アンドープまたはSiを1
×1018cm-3ドープしたInGaNバリア層からなる５周期の
多重量子井戸構造43を形成する。次に再び1000℃に成長
温度を設定して、キャリア濃度5×1017cm-3のMgドープG
aN光ガイド層44、キャリア濃度1×1017cm-3のMgドープA
lGaNクラッド層45、1×1018cm-3のMgドープGaNコンタク
ト層46を順次成長する。
【００２７】この成長結晶を用いて、図4(b)のようなレ
ーザ構造を作製することができる。ｐ型GaNコンタクト
層上には、Ni-Auからなる電極47を蒸着し、また、ｎ側
の電極形成にはドライエッチング技術を用いて、HVPEで
作製したｎ型低抵抗GaN層が露出するまで結晶の一部を
エッチングする。その上に、Ti-Alからなる電極48を形
成する。また、レーザの共振器面は、へき開や、ドライ
エッチング技術を用いて作製する。
ーザ構造を作製することができる。ｐ型GaNコンタクト
層上には、Ni-Auからなる電極47を蒸着し、また、ｎ側
の電極形成にはドライエッチング技術を用いて、HVPEで
作製したｎ型低抵抗GaN層が露出するまで結晶の一部を
エッチングする。その上に、Ti-Alからなる電極48を形
成する。また、レーザの共振器面は、へき開や、ドライ
エッチング技術を用いて作製する。
【００２８】実施例１と同様に、ドーピング原料ガス
は、SiHxCl4-X（x=１、２、３）またこれらの混合物で
もよく、またSiドーピングを行う窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体が、InxGa1-xN(0≦x≦1)、AlxGa1-xN(0≦x≦
1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)のいずれの窒化物
系III−ＶＶ族化合物半導体でもよく、それらが層状構
造になったものでもよい。
は、SiHxCl4-X（x=１、２、３）またこれらの混合物で
もよく、またSiドーピングを行う窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体が、InxGa1-xN(0≦x≦1)、AlxGa1-xN(0≦x≦
1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)のいずれの窒化物
系III−ＶＶ族化合物半導体でもよく、それらが層状構
造になったものでもよい。
【００２９】また、基板結晶として本実施例ではサファ
イアC面を用いたが、他の結晶面を用いることもでき、
さらに、SiC基板やスピネル型結晶基板、Si単結晶基板
などの窒化物系III−Ｖ族半導体の単結晶成長が可能な
バルク結晶を用いることができる。
イアC面を用いたが、他の結晶面を用いることもでき、
さらに、SiC基板やスピネル型結晶基板、Si単結晶基板
などの窒化物系III−Ｖ族半導体の単結晶成長が可能な
バルク結晶を用いることができる。
【００３０】（実施例３）本発明の第３の実施の形態
は、本発明の一実施形態である半導体素子の製造方法と
して、ｎ型、ｐ型電極を対極させた構造のレーザ構造を
形成する方法について、図5を用いて説明する。この構
造の素子は、実施例１で形成したｎ型厚膜低抵抗層を基
板から分離することにより製造が可能となる。
は、本発明の一実施形態である半導体素子の製造方法と
して、ｎ型、ｐ型電極を対極させた構造のレーザ構造を
形成する方法について、図5を用いて説明する。この構
造の素子は、実施例１で形成したｎ型厚膜低抵抗層を基
板から分離することにより製造が可能となる。
【００３１】実施例１の気相成長方法により、サファイ
ア(0001)面基板結晶11上にHVPE法を用いて、図１(b)の
ようにSiH2Cl2をドーピング原料ガスとしてSiをドーピ
ングした200μｍ厚のGaN結晶14を成長させる。
ア(0001)面基板結晶11上にHVPE法を用いて、図１(b)の
ようにSiH2Cl2をドーピング原料ガスとしてSiをドーピ
ングした200μｍ厚のGaN結晶14を成長させる。
【００３２】図２に示したHVPE法による成長装置を用い
て、成長温度は1000℃に設定し、原料となるGaCl分圧、
NH3分圧を基板領域でそれぞれ、1×10-2atm、0.3atmの
条件で成長を行う。この条件で成長速度は約100μｍ／
ｈである。同時にドーピング原料ガスであるSiH2Cl
2を、基板領域で、分圧が2×10-6atmとなるように設定
する。これにより、キャリア濃度として1×1018cm-3が
得られる。つぎに、この結晶から、図５(a)破線部から
下の部分すなわちサファイア部分及び一部Siがドープさ
れたGaN層14を含む形で除去し、ｎ型III−Ｖ族化合物半
導体基板のみを分離する。除去方法については、例え
ば、機械的研磨または、強アルカリ性、あるいは強酸性
薬品によりエッチングすることが可能である。また、荷
電ビームあるいは中性ビームによって物理的エッチング
を行っても良い。このようにして、ｎ型GaNの単体結晶5
1を得る。
て、成長温度は1000℃に設定し、原料となるGaCl分圧、
NH3分圧を基板領域でそれぞれ、1×10-2atm、0.3atmの
条件で成長を行う。この条件で成長速度は約100μｍ／
ｈである。同時にドーピング原料ガスであるSiH2Cl
2を、基板領域で、分圧が2×10-6atmとなるように設定
する。これにより、キャリア濃度として1×1018cm-3が
得られる。つぎに、この結晶から、図５(a)破線部から
下の部分すなわちサファイア部分及び一部Siがドープさ
れたGaN層14を含む形で除去し、ｎ型III−Ｖ族化合物半
導体基板のみを分離する。除去方法については、例え
ば、機械的研磨または、強アルカリ性、あるいは強酸性
薬品によりエッチングすることが可能である。また、荷
電ビームあるいは中性ビームによって物理的エッチング
を行っても良い。このようにして、ｎ型GaNの単体結晶5
1を得る。
【００３３】引き続いてこの結晶をMOVPE反応管に設置
する。水素気流中でNH3を供給しながら昇温して、基板
温度を1000℃に設定する。続いて、図5(b)のようにキャ
リア濃度2×1018cm-3のSiドープAlGaNクラッド層52、5
×1017cm-3のSiドープGaN光ガイド層53を形成する。次
に、基板温度を750℃に設定し、アンドープまたはSiを1
×1018cm-3ドープしたInGaN井戸層、井戸層よりもInが
少なく、アンドープまたはSiを1×1018cm-3ドープしたI
nGaNバリア層からなる５周期の多重量子井戸構造54を形
成する。次に再び1000℃に成長温度を設定して、キャリ
ア濃度5×1017cm-3のMgドープGaN光ガイド層55、キャリ
ア濃度1×1017cm-3のMgドープAlGaNクラッド層56、1×1
018cm-3のMgドープGaNコンタクト層57を順次成長する。
この成長結晶を用いて、図5(c)のようなレーザ構造を作
製することができる。ｐ型GaNコンタクト層上には、Ni-
Auからなら電極58を蒸着し、また、結晶の裏面を構成し
ているHVPE法で成長させたｎ側GaN上に、Ti-Alからなる
電極59を形成する。また、レーザの共振器面は、結晶の
へき開を用いて作製する。
する。水素気流中でNH3を供給しながら昇温して、基板
温度を1000℃に設定する。続いて、図5(b)のようにキャ
リア濃度2×1018cm-3のSiドープAlGaNクラッド層52、5
×1017cm-3のSiドープGaN光ガイド層53を形成する。次
に、基板温度を750℃に設定し、アンドープまたはSiを1
×1018cm-3ドープしたInGaN井戸層、井戸層よりもInが
少なく、アンドープまたはSiを1×1018cm-3ドープしたI
nGaNバリア層からなる５周期の多重量子井戸構造54を形
成する。次に再び1000℃に成長温度を設定して、キャリ
ア濃度5×1017cm-3のMgドープGaN光ガイド層55、キャリ
ア濃度1×1017cm-3のMgドープAlGaNクラッド層56、1×1
018cm-3のMgドープGaNコンタクト層57を順次成長する。
この成長結晶を用いて、図5(c)のようなレーザ構造を作
製することができる。ｐ型GaNコンタクト層上には、Ni-
Auからなら電極58を蒸着し、また、結晶の裏面を構成し
ているHVPE法で成長させたｎ側GaN上に、Ti-Alからなる
電極59を形成する。また、レーザの共振器面は、結晶の
へき開を用いて作製する。
【００３４】実施例２と同様に、ドーピング原料ガス
は、SiHxCl4-X（x=１、２、３）またこれらの混合物で
もよく、またSiドーピングを行う窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体が、InxGa1-xN(0≦x≦1)、AlxGa1-xN(0≦x≦
1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)のいずれの窒化物
系III−Ｖ族化合物半導体でもよく、それらが層状構造
になったものでもよい。
は、SiHxCl4-X（x=１、２、３）またこれらの混合物で
もよく、またSiドーピングを行う窒化物系III−Ｖ族化
合物半導体が、InxGa1-xN(0≦x≦1)、AlxGa1-xN(0≦x≦
1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)のいずれの窒化物
系III−Ｖ族化合物半導体でもよく、それらが層状構造
になったものでもよい。
【００３５】また、基板結晶として本実施例ではサファ
イアC面を用いたが、他の結晶面を用いることもでき、
さらに、SiCやスピネル型結晶、Siなどの窒化物系III−
Ｖ族半導体の単結晶成長が可能なバルク結晶を用いるこ
とができる。
イアC面を用いたが、他の結晶面を用いることもでき、
さらに、SiCやスピネル型結晶、Siなどの窒化物系III−
Ｖ族半導体の単結晶成長が可能なバルク結晶を用いるこ
とができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、Siをドープしたｎ型厚
膜低抵抗層の気相成長が可能となり、発光素子等の発熱
等のデバイス特性悪化の原因を取り除くことが可能とな
った。さらに、このｎ型厚膜低抵抗層は、窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体基板として分離することが可能であ
り、これを素子裏面に用いることにより、発熱等の問題
を根本的に解決するとともに、素子作製のプロセスを大
幅に削減できる。本発明の方法は、半導体レーザはもと
より、その他の発光素子、またトランジスタ等にも応用
可能であり、産業上の利用価値は極めて高いと思われ
る。
膜低抵抗層の気相成長が可能となり、発光素子等の発熱
等のデバイス特性悪化の原因を取り除くことが可能とな
った。さらに、このｎ型厚膜低抵抗層は、窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体基板として分離することが可能であ
り、これを素子裏面に用いることにより、発熱等の問題
を根本的に解決するとともに、素子作製のプロセスを大
幅に削減できる。本発明の方法は、半導体レーザはもと
より、その他の発光素子、またトランジスタ等にも応用
可能であり、産業上の利用価値は極めて高いと思われ
る。
【図１】実施例１のSiがドープされたGaN結晶の工程順
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明で用いるHVPE装置の一例を表した模式図
である。
である。
【図３】ドーピング原料ガスとしてSiH2Cl2用いた場合
のSiH2Cl2分圧とキャリア濃度の関係を示す。測定は、
ホール測定により行った。
のSiH2Cl2分圧とキャリア濃度の関係を示す。測定は、
ホール測定により行った。
【図４】実施例２のレーザ構造を有する半導体素子の作
製方法を示す工程順断面図を示す。
製方法を示す工程順断面図を示す。
【図５】実施例３のレーザ構造を有する半導体素子の作
製方法を示す工程順断面図を示す。
製方法を示す工程順断面図を示す。
【図６】従来の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体レーザ
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
11 サファイア基板 12 薄いGaNエピタキシャル層 13 SiO2ストライプパターン 21 Ga金属 22 HCl導入管 23 NH3導入管 24 基板 25 電気炉 26 SiH2Cl2導入管 41 SiドープAlGaNクラッド層 42 SiドープGaN光ガイド層 43 InGaN井戸層、およびInGaNバリア層からなる多重量
子井戸構造 44 MgドープGaN光ガイド層 45 MgドープAlGaNクラッド層 46 MgドープGaNコンタクト層 47 Ni-Auからなら電極 48 Ti-Alからなる電極 51 サファイア基板から剥離したGaN結晶 52 SiドープAlGaNクラッド層 53 SiドープGaN光ガイド層 54 InGaN井戸層、およびInGaNバリア層からなる多重量
子井戸構造 55 MgドープGaN光ガイド層 56 MgドープAlGaNクラッド層 57 MgドープGaNコンタクト層 58 Ni-Auからなら電極 59 Ti-Alからなる電極 61 サファイア基板 62 GaNバッファー層 63 SiドープGaN層 64 SiドープInGaN層 65 SiドープAlGaNクラッド層 66 GaN光ガイド層 67 InGaN井戸層、およびInGaNバリア層からなる多重量
子井戸構造 68 Mgドープ型AlGaN層 69 Mgドープｐ型GaN光ガイド層 70 Mgドープｐ型AlGaNクラッド層 71 Mgドープp型GaNコンタクト層 72 Ni-Auからならｐ型電極 73 Ti-Alからなるｎ型電極
子井戸構造 44 MgドープGaN光ガイド層 45 MgドープAlGaNクラッド層 46 MgドープGaNコンタクト層 47 Ni-Auからなら電極 48 Ti-Alからなる電極 51 サファイア基板から剥離したGaN結晶 52 SiドープAlGaNクラッド層 53 SiドープGaN光ガイド層 54 InGaN井戸層、およびInGaNバリア層からなる多重量
子井戸構造 55 MgドープGaN光ガイド層 56 MgドープAlGaNクラッド層 57 MgドープGaNコンタクト層 58 Ni-Auからなら電極 59 Ti-Alからなる電極 61 サファイア基板 62 GaNバッファー層 63 SiドープGaN層 64 SiドープInGaN層 65 SiドープAlGaNクラッド層 66 GaN光ガイド層 67 InGaN井戸層、およびInGaNバリア層からなる多重量
子井戸構造 68 Mgドープ型AlGaN層 69 Mgドープｐ型GaN光ガイド層 70 Mgドープｐ型AlGaNクラッド層 71 Mgドープp型GaNコンタクト層 72 Ni-Auからならｐ型電極 73 Ti-Alからなるｎ型電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−178516（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−174315（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−51584（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−70079（ＪＰ，Ａ) Ｂ．Ｂｅａｕｍｏｎｔ ｅｔ ａ ｌ．，Ｌａｔｅｒａｌ ｏｖｅｒｇｒｏ ｗｔｈ ｏｆ ＧａＮ ｏｎ ｐａｔｔ ｅｒｎｅｄ ＧａＮ／ｓａｐｐｈｉｒｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｖｉａ ｓｅｌ ｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎ ｉｃ ｖａｐｏｕｒ．．．．，Ｊｏｕｒ ｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ ｗｔｈ，米国，189／190，ｐｐ．97− 102 Ｔａｋｕｍｉ Ｓｈｉｂａｔａ ｅｔ ａｌ．，Ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ −ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ｇｒｏ ｗｔｈ ｏｆ ｈｉｇｈ−ｑｕａｌｉｔ ｙ ＧａＮ ｂｕｌｋ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｂｙ ｅｐｉｔａｘｉ ａｌ ｌａｔｅｒａｌ．．．．，Ｊｏｕ ｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒ ｏｗｔｈ，米国，189／190，ｐｐ．67− 71 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 31/00 H01L 33/00
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に、III族元素のハロゲン化物と
窒素元素を含む化合物を反応させ、窒化物系III−Ｖ族
化合物半導体層を気相成長させる方法であって、該基板
としてマスクパターンが形成された基板を用い、該マス
クパターン上にラテラル成長により該半導体層を設け、
かつ該気相成長時に、SiHxCl4-X（x=１、２、３）をド
ーピング原料ガスとしてSiドーピングを行うことを特徴
とする窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方
法。 - 【請求項２】 前記Siドーピングを行う窒化物系III−
Ｖ族化合物半導体が、InxGa1-xN(0≦x≦1)、AlxGa1-xN
(0≦x≦1)またはAlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)のいずれか
の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であることを特徴と
する請求項１記載の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の
気相成長方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の窒化物系III−
Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を用いた基板上への窒
化物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法であっ
て、前記基板が、サファイア基板、SiＣ基板、スピネル
型結晶基板またはSi単結晶基板であることを特徴とする
窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の窒化物系III−Ｖ族化合
物半導体の気相成長方法を用いて、前記基板上にSiをド
ープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層を形成
する工程と、次いでこのSiがドープされた窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体層上に、半導体素子構造を形成する
工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子の
製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体素子構造を形成する工程が、
前記Siがドープされた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体
層上に、順次クラッド層、光ガイド層、多重量子井戸
層、クラッド層を積層する工程であることを特徴とする
請求項４記載の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子の
製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の窒化物系III−Ｖ族化合
物半導体の気相成長方法を用いて、前記基板上にＳｉを
ドープしながら窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層を形
成する工程と、次いで該基板を除去し、窒化物系III−
Ｖ族化合物半導体層を分離する工程とを含むことを特徴
とする窒化物系III−Ｖ族化合物半導体基板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記Siドーピングを行う窒化物系III−
Ｖ族化合物半導体が、In x Ga 1-x N(0≦x≦1)、Al x Ga 1-x N
(0≦x≦1)またはAl x In y Ga 1-x-y N(0≦x+y≦1)のいずれか
の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体である請求項６記載
の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７記載の窒化物系III−
Ｖ族化合物半導体基板の製造方法を用いて窒化物系III
−Ｖ族化合物半導体基板を形成する工程と、次いで該窒
化物系III−Ｖ族化合物半導体基板上に、半導体素子構
造を形成する工程とを有する窒化物系III−Ｖ族化合物
半導体素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記半導体素子構造を形成する工程が、
前記窒化物系III−Ｖ族化合物半導体基板上に、順次ク
ラッド層、光ガイド層、多重量子井戸層、クラッド層を
積層する工程であることを特徴とする請求項８記載の窒
化物系III−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜３いずれかに記載の気相成
長方法を、製造工程の一工程として用いた半導体レー
ザ、発光ダイオード、電界効果トランジスタまたはバイ
ポーラの半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25266498A JP3279528B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25266498A JP3279528B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000376182A Division JP2001203388A (ja) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091234A JP2000091234A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3279528B2 true JP3279528B2 (ja) | 2002-04-30 |
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ID=17240520
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25266498A Expired - Lifetime JP3279528B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3279528B2 (ja) |
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| KR20030071098A (ko) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | 주식회사 엘지이아이 | 질화갈륨 기판의 제조 장치 |
| JP3803788B2 (ja) | 2002-04-09 | 2006-08-02 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法、Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置 |
| JP4544923B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2010-09-15 | 古河機械金属株式会社 | 気相成長装置 |
| KR100742986B1 (ko) * | 2005-07-21 | 2007-07-26 | (주)더리즈 | 컴플라이언트 기판을 갖는 질화갈륨계 화합물 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2012134548A (ja) * | 2005-12-28 | 2012-07-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| US7585772B2 (en) | 2006-07-26 | 2009-09-08 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for smoothening III-N substrates |
| US8129208B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-03-06 | Tokuyama Corporation | n-Type conductive aluminum nitride semiconductor crystal and manufacturing method thereof |
| JP5045388B2 (ja) | 2007-11-20 | 2012-10-10 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法 |
| JP5018423B2 (ja) | 2007-11-20 | 2012-09-05 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス |
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