JP5935472B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図を参照して本発明の実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法を説明する。本発明の実施の形態では半導体デバイスとして半導体レーザ素子を製造する。まず、基板に半導体層を形成する。図1は、基板に半導体層を形成した後のウエハの断面図である。基板10はp型InPで形成されている。基板10の上に、MOCVD法によりp型InPでクラッド層12を形成する。次いで、クラッド層12の上にAlGaInAsで活性層14を形成する。次いで、活性層14の上にn型InPでクラッド層16を形成する。このように本発明の実施の形態では、半導体層として、クラッド層12、活性層14、及びクラッド層16を形成する。
Claims (3)
- 基板に半導体層を形成する工程と、
SiとClを分子構造に含むガスを用いて、前記半導体層の一部をエッチングしつつ前記エッチングで生じたSi系反応生成物で前記半導体層を覆うエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記基板をMOCVD装置のチャンバ内に搬送する工程と、
前記チャンバ内で前記Si系反応生成物を除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記チャンバ内で前記半導体層に対して結晶成長を行う結晶成長工程とを備え、
前記除去工程では、前記基板をアニールしつつ、前記基板にハロゲン系の反応性ガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体層はAlを含む活性層であり、
前記結晶成長工程では前記活性層の左右に電流ブロック層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスは、レーザ部と変調部を有し、
前記電流ブロック層は、前記レーザ部では前記活性層の左右に形成され、前記変調部では前記変調部の一部として形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。
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