JP4985439B2 - 分布帰還型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザの製造方法 Download PDFInfo
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武政敬三等、"10Gbit/s1.3μm AlGaInAsDFBレーザの開発"、沖テクニカルレビュー(2003)Vol.70、No.4、p96
図1は、第1実施形態に係る分布帰還型半導体レーザ1Aを模式的に示した斜視図である。図1に示すように、分布帰還型半導体レーザ1A(以下、単に「半導体レーザ」とも称す。)は、第1導電型の半導体基板10と、半導体基板10上に設けられた半導体メサ部2と、半導体メサ部2の両側に設けられた埋め込み層80、81と、半導体メサ部2を上下方向から挟む位置に配置された第1及び第2の電極110a、110bとを備えている。
(バッファ層形成工程)
(エッチングマスク形成工程)
・有機金属化合物ガス:TMI(トリメチルインジウム、In(CH3)3)、TMG(トリメチルガリウム、Ga(CH3)3)、TMA(トリメチルアルミニウム、Al(CH3)3)
・水素化合物ガス:AsH3(アルシン)、SiH4(モノシラン)
・ ガス流量:TMI、192sccm
TMG、2.2sccm
TMA、25sccm
AsH3、100sccm
SiH4、1.2sccm
・チャンバ圧力:8000Pa(80mbar)
・ 成長温度:650℃
・ 厚さ:30nm
(回折格子形成工程)
(光閉じ込め層及び活性層の形成工程)
(半導体メサ部形成工程)
(埋め込み層形成工程)
(クラッド層及びコンタクト層形成工程)
(絶縁層形成工程)
(電極形成工程)
図9は、第2実施形態に係る分布帰還型半導体レーザ1Bを模式的に示した斜視図である。また、図10は、図9に示した半導体レーザ1Bの製造段階における断面図(XY平面に平行な断面図)である。本実施形態に係る半導体レーザ1Bは、回折格子22がバッファ層20ではなく第2の光閉じ込め層50に形成されている点で、第1実施形態に係る半導体レーザ1Aと異なる。
Claims (4)
- 活性層に対して平行に延びる回折格子を有する分布帰還型半導体レーザの製造方法であって、
前記回折格子が形成されるべき第1の半導体層上に、半導体材料からなるエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記第1の半導体層を選択的にエッチングし、前記第1の半導体層に前記回折格子を形成する工程と、
前記回折格子が形成された前記第1の半導体層上に、前記回折格子を覆う第2の半導体層をオーバーグロース形成する工程と
を含み、
前記第1の半導体層に前記回折格子を形成する工程と、前記第2の半導体層をオーバーグロース形成する工程とは、同一の気相成長装置内にて連続しておこない、
前記オーバーグロース形成する工程では、前記エッチングマスクを形成する工程において形成された前記エッチングマスクを除去することなく、前記第2の半導体層をオーバーグロース形成し、
前記エッチングマスクの構成材料と前記第2の半導体層の構成材料とが同じであり、いずれもAlを含む半導体材料である、
分布帰還型半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の半導体層に前記回折格子を形成する工程の際、HCl/H 2 混合ガス及びPH 3 ガスを用いたエッチングにより前記回折格子を形成する請求項1に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
- 前記第2の半導体層上に前記活性層を形成する工程をさらに含む、請求項1又は2に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
- 前記活性層が、Alを含む半導体材料で構成されている、請求項3に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
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