JPH0537077A - 可視光半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
可視光半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH0537077A JPH0537077A JP21016691A JP21016691A JPH0537077A JP H0537077 A JPH0537077 A JP H0537077A JP 21016691 A JP21016691 A JP 21016691A JP 21016691 A JP21016691 A JP 21016691A JP H0537077 A JPH0537077 A JP H0537077A
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- Japan
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- layer
- conductivity type
- type gaas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高出力化においても端面破壊を防止すること
ができる可視光レーザ半導体であって、その製造プロセ
スを簡易にできることを目的とする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型ＧａＡｓ層２を
レーザ端面付近で逆メサ状に形成し、その上にｎ型Ｇａ
Ａｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４，ＧａＩ
ｎＰ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６，ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層７を順次形成する。その際、ｐ
型ＧａＡｓ２上のｎ型ＧａＡｓ３は三角形状に突出し、
ＧａＩｎＰ活性層５は曲折し、レーザ端面としてｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ窓層を持つように構成するようにしたの
で、レーザ製造プロセスが簡略化でき、精度の高いもの
が得られると共にレーザ端面破壊を防止することができ
る。
ができる可視光レーザ半導体であって、その製造プロセ
スを簡易にできることを目的とする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型ＧａＡｓ層２を
レーザ端面付近で逆メサ状に形成し、その上にｎ型Ｇａ
Ａｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４，ＧａＩ
ｎＰ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６，ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層７を順次形成する。その際、ｐ
型ＧａＡｓ２上のｎ型ＧａＡｓ３は三角形状に突出し、
ＧａＩｎＰ活性層５は曲折し、レーザ端面としてｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ窓層を持つように構成するようにしたの
で、レーザ製造プロセスが簡略化でき、精度の高いもの
が得られると共にレーザ端面破壊を防止することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、可視光半導体レーザ
に関し、特に高出力化においても端面破壊を防ぐことが
できる可視光半導体レーザの構造に関するものである。
に関し、特に高出力化においても端面破壊を防ぐことが
できる可視光半導体レーザの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２(a) 〜(e) は従来の可視光半導体レ
ーザの製作フローを示す工程断面図であり、図におい
て、１はｎ型ＧａＡｓ基板、３はｎ型ＧａＡｓ層、４は
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、５はＧａＩｎＰ活性
層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、７はｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、８はＳｉＮX 膜、９はｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層である。
ーザの製作フローを示す工程断面図であり、図におい
て、１はｎ型ＧａＡｓ基板、３はｎ型ＧａＡｓ層、４は
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、５はＧａＩｎＰ活性
層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、７はｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、８はＳｉＮX 膜、９はｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層である。
【０００３】次に製造工程について説明する。まずｎ型
ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて図２(a) に示
すようにｎ型ＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラ
ッド層４，ＧａＩｎＰ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層６を順次成長を行う。成長後、通常のホトレ
ジスト技術を用いてストライプを形成し、硫酸系のエッ
チング液で凸形のストライプを形成する。
ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて図２(a) に示
すようにｎ型ＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラ
ッド層４，ＧａＩｎＰ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層６を順次成長を行う。成長後、通常のホトレ
ジスト技術を用いてストライプを形成し、硫酸系のエッ
チング液で凸形のストライプを形成する。
【０００４】次にＳｉＮX 膜８を表面全面に成膜した
後、通常のホトレジスト技術を用いて形成した上記スト
ライプと垂直になるようにストライプを形成し、フッ酸
を用いてＳｉＮX 膜８のストライプを図２(b) に示すよ
うに形成する。さらに固相拡散によりＺｎをｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４に到達するまで拡散を行う。
後、通常のホトレジスト技術を用いて形成した上記スト
ライプと垂直になるようにストライプを形成し、フッ酸
を用いてＳｉＮX 膜８のストライプを図２(b) に示すよ
うに形成する。さらに固相拡散によりＺｎをｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４に到達するまで拡散を行う。
【０００５】次にホトレジスト技術とフッ酸を用いて図
２(c) に示すように凸部の上部のみＳｉＮX 膜８を残
す。
２(c) に示すように凸部の上部のみＳｉＮX 膜８を残
す。
【０００６】次にＭＯＣＶＤ法を用いて、図２(d) に示
すｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９を形成し、ＳｉＮX 膜
８をフッ酸を用いて除去した後、図２(e) に示すように
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を形成する。
すｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９を形成し、ＳｉＮX 膜
８をフッ酸を用いて除去した後、図２(e) に示すように
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を形成する。
【０００７】次に動作について説明する。Ｚｎが拡散し
てｐ型になったＧａＩｎＰはＧａＩｎＰ活性層５よりバ
ンドギャップが大きくなる。また拡散した層の上にはｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層９があり、レーザ端面には電
流は流れず、この部分での発光は起こらない。したがっ
て、ｐ型ＧａＩｎＰ層はレーザ光の窓層としての役目を
果たす。
てｐ型になったＧａＩｎＰはＧａＩｎＰ活性層５よりバ
ンドギャップが大きくなる。また拡散した層の上にはｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層９があり、レーザ端面には電
流は流れず、この部分での発光は起こらない。したがっ
て、ｐ型ＧａＩｎＰ層はレーザ光の窓層としての役目を
果たす。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光半導体レ
ーザは以上のように構成されているので、Ｚｎの拡散プ
ロセスを行わなければならず、その際、該拡散フロント
をｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層内に確実に止めなけ
ればならないというプロセス上の問題点があった。ま
た、拡散を防ぐためのマスク形成のための写真製版回数
が多いという問題点があった。
ーザは以上のように構成されているので、Ｚｎの拡散プ
ロセスを行わなければならず、その際、該拡散フロント
をｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層内に確実に止めなけ
ればならないというプロセス上の問題点があった。ま
た、拡散を防ぐためのマスク形成のための写真製版回数
が多いという問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、Ｚｎの拡散プロセスを行わず
に、窓構造を持つ可視光半導体レーザ及びその製造方法
を得ることを目的とする。
ためになされたもので、Ｚｎの拡散プロセスを行わず
に、窓構造を持つ可視光半導体レーザ及びその製造方法
を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る可視光半
導体レーザは、第１導電型であるＧａＡｓ基板上に、第
１導電型ＧａＡｓ、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層、第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えた
可視光線半導体レーザにおいて、上記ＧａＩｎＰ活性層
は、この層の端面の近傍にある傾斜した傾斜部と、上記
端面に達する上記ＧａＩｎＰ活性層の本体部に平行であ
る平行部とを有し、上記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層の該傾斜部及び平行部の下の部分が窓層となる
ものである。
導体レーザは、第１導電型であるＧａＡｓ基板上に、第
１導電型ＧａＡｓ、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層、第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えた
可視光線半導体レーザにおいて、上記ＧａＩｎＰ活性層
は、この層の端面の近傍にある傾斜した傾斜部と、上記
端面に達する上記ＧａＩｎＰ活性層の本体部に平行であ
る平行部とを有し、上記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層の該傾斜部及び平行部の下の部分が窓層となる
ものである。
【００１１】また、本発明に係る可視光半導体レーザを
製造する方法は、上記第１導電型ＧａＡｓ基板上のレー
ザ端面付近の小領域部に第２導電型ＧａＡｓ層をメサ形
状部に形成し、このメサ形状部の上に上記第１導電型Ｇ
ａＡｓを突起として形成すると同時に、上記メサ形状部
が形成されていない上記第１導電型ＧａＡｓ基板部分上
に上記突起を形成する第１導電型ＧａＡｓによって平坦
部を形成し、上記平坦部と突起部との段差によって、そ
の段差の上に上記ＧａＩｎＰ活性層が台状突出部を有し
て形成され、この台状突出部の中心部をヘキ開してレー
ザ端面として形成するものである。
製造する方法は、上記第１導電型ＧａＡｓ基板上のレー
ザ端面付近の小領域部に第２導電型ＧａＡｓ層をメサ形
状部に形成し、このメサ形状部の上に上記第１導電型Ｇ
ａＡｓを突起として形成すると同時に、上記メサ形状部
が形成されていない上記第１導電型ＧａＡｓ基板部分上
に上記突起を形成する第１導電型ＧａＡｓによって平坦
部を形成し、上記平坦部と突起部との段差によって、そ
の段差の上に上記ＧａＩｎＰ活性層が台状突出部を有し
て形成され、この台状突出部の中心部をヘキ開してレー
ザ端面として形成するものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、第１導電型ＧａＡｓ基板
上に第２導電型ＧａＡｓ層をレーザ端面付近で部分的に
メサ状に形成し、ＧａＩｎＰ活性層を曲折するようにし
たので、ＧａＩｎＰ活性層よりバンドギャップが大きい
第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層の上記曲折部の
下の部分が窓層となるものである。
上に第２導電型ＧａＡｓ層をレーザ端面付近で部分的に
メサ状に形成し、ＧａＩｎＰ活性層を曲折するようにし
たので、ＧａＩｎＰ活性層よりバンドギャップが大きい
第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層の上記曲折部の
下の部分が窓層となるものである。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１(a) 〜(h) は本発明の一実施例による可視光
半導体レーザの製作フローを示す工程断面図であり、図
において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｐ型ＧａＡｓ電
流ブロック層、２ａはマスク、３はｎ型ＧａＡｓ層、４
はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、５はＧａＩｎＰ活
性層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、７はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層である。
する。図１(a) 〜(h) は本発明の一実施例による可視光
半導体レーザの製作フローを示す工程断面図であり、図
において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｐ型ＧａＡｓ電
流ブロック層、２ａはマスク、３はｎ型ＧａＡｓ層、４
はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、５はＧａＩｎＰ活
性層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、７はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１４】次に製造工程について説明する。まず図１
(a) に示すｎ型ＧａＡｓ基板１上全面に図１(b) に示す
ようにｐ型ＧａＡｓ電流ブロック層２を成長した後、図
１(c) に示すように通常のレジスト技術を用いてストラ
イプ状のレジスト２ａを形成し、図１(d) に示すように
該レジスト２ａをマスクとしてｐ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層２を酒石酸系のエッチング液を用いてエッチング
し、図１(d) に示す逆メサのストライプを形成する。
(a) に示すｎ型ＧａＡｓ基板１上全面に図１(b) に示す
ようにｐ型ＧａＡｓ電流ブロック層２を成長した後、図
１(c) に示すように通常のレジスト技術を用いてストラ
イプ状のレジスト２ａを形成し、図１(d) に示すように
該レジスト２ａをマスクとしてｐ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層２を酒石酸系のエッチング液を用いてエッチング
し、図１(d) に示す逆メサのストライプを形成する。
【００１５】その上にＭＯＣＶＤ法を用いてｎ型ＧａＡ
ｓ層３を形成する。この際、図１(f) に示すようにｐ型
ＧａＡｓ電流ブロック層２上の（１００）面に形成され
るｎ型ＧａＡｓ層３は（１１１）面を側面にして成長す
る。（１００）面にはＧａＡｓが成長しないため三角形
状の突起が形成される。
ｓ層３を形成する。この際、図１(f) に示すようにｐ型
ＧａＡｓ電流ブロック層２上の（１００）面に形成され
るｎ型ＧａＡｓ層３は（１１１）面を側面にして成長す
る。（１００）面にはＧａＡｓが成長しないため三角形
状の突起が形成される。
【００１６】次にＭＯＣＶＤ法を用いて、図１(g) に示
すようにｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４，ＧａＩｎ
Ｐ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６，ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７を順次成長する。次に表面に図
示しない電極を形成した後、両面マスクアライナー（表
面と裏面のマスクを同時にあわすことができるアライナ
ー）を用いて、裏面にへき開溝形成用のパターニングを
行い、深さ１０数μｍのへき開溝を形成する。このへき
開溝に沿ってへき開を行う。
すようにｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４，ＧａＩｎ
Ｐ活性層５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６，ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７を順次成長する。次に表面に図
示しない電極を形成した後、両面マスクアライナー（表
面と裏面のマスクを同時にあわすことができるアライナ
ー）を用いて、裏面にへき開溝形成用のパターニングを
行い、深さ１０数μｍのへき開溝を形成する。このへき
開溝に沿ってへき開を行う。
【００１７】次に動作について説明する。レーザ光の共
振器方向は、この紙面に平行であり、ＧａＩｎＰ活性層
５がくびれている場所、即ちｎ型ＧａＡｓ層３の三角形
の頂点付近で図１(h) に示すように劈開レーザ端面とす
る。光は、ＧａＩｎＰ活性層５が曲がっている面で反射
を繰り返し、レーザ光となり放出される。その際、レー
ザ端面と光が反射する面の間にＧａＩｎＰ活性層５より
バンドギャップが大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層４が存在し、このｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
の上記傾斜部及び平行部の下の部分が窓層の効果をもた
らし、レーザ端面破壊を防止することができる。
振器方向は、この紙面に平行であり、ＧａＩｎＰ活性層
５がくびれている場所、即ちｎ型ＧａＡｓ層３の三角形
の頂点付近で図１(h) に示すように劈開レーザ端面とす
る。光は、ＧａＩｎＰ活性層５が曲がっている面で反射
を繰り返し、レーザ光となり放出される。その際、レー
ザ端面と光が反射する面の間にＧａＩｎＰ活性層５より
バンドギャップが大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層４が存在し、このｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
の上記傾斜部及び平行部の下の部分が窓層の効果をもた
らし、レーザ端面破壊を防止することができる。
【００１８】なお上記実施例では、ｐ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層２上のｎ型ＧａＡｓ層３は三角形状になるまで
成長を行ったが、完全な三角形になる前、即ち台形状の
時点で成長を止め、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
を成長し、ＧａＩｎＰ活性層５を曲げてもよい。
ロック層２上のｎ型ＧａＡｓ層３は三角形状になるまで
成長を行ったが、完全な三角形になる前、即ち台形状の
時点で成長を止め、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
を成長し、ＧａＩｎＰ活性層５を曲げてもよい。
【００１９】また上記実施例では、ｐ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層２をレーザ端面付近で逆メサ状に形成したこと
を例にとって説明したが、順メサ状に形成し、その上に
ｎ型ＧａＡｓ層３を形成しても上記実施例と同様の効果
を奏する。
ロック層２をレーザ端面付近で逆メサ状に形成したこと
を例にとって説明したが、順メサ状に形成し、その上に
ｎ型ＧａＡｓ層３を形成しても上記実施例と同様の効果
を奏する。
【００２０】またｐ型ＧａＡｓ電流ブロック層２はｐ型
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ＜１）あるいは高抵抗Ｇａ
Ａｓ，Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層でも上記実施例と同様の効
果を奏する。
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ＜１）あるいは高抵抗Ｇａ
Ａｓ，Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層でも上記実施例と同様の効
果を奏する。
【００２１】またｎ型ＧａＡｓ層３のフラットな面とｐ
型ＧａＡｓ電流ブロック層２の面は一致する必要はな
く、ｎ型ＧａＡｓ層の凸ブロックによりＧａＩｎＰ活性
層５が曲がるだけの段差がつけばよい。
型ＧａＡｓ電流ブロック層２の面は一致する必要はな
く、ｎ型ＧａＡｓ層の凸ブロックによりＧａＩｎＰ活性
層５が曲がるだけの段差がつけばよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る可視光半
導体レーザ及びその製造方法によれば、第１導電型Ｇａ
Ａｓ基板上に第２導電型ＧａＡｓ層をレーザ端面付近で
選択的にメサ状に形成し、ＧａＩｎＰ活性層を曲折する
ようにしたので、ＧａＩｎＰ活性層よりバンドギャップ
が大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層が半導体レー
ザの窓構造となるので、レーザ製造プロセスが簡略化で
き、精度の高いものが得られると共に、レーザ端面破壊
を防止する効果がある。
導体レーザ及びその製造方法によれば、第１導電型Ｇａ
Ａｓ基板上に第２導電型ＧａＡｓ層をレーザ端面付近で
選択的にメサ状に形成し、ＧａＩｎＰ活性層を曲折する
ようにしたので、ＧａＩｎＰ活性層よりバンドギャップ
が大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層が半導体レー
ザの窓構造となるので、レーザ製造プロセスが簡略化で
き、精度の高いものが得られると共に、レーザ端面破壊
を防止する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による可視光半導体レーザ
の制作フローを示す工程断面図である。
の制作フローを示す工程断面図である。
【図２】従来の可視光半導体レーザの制作フローを示す
工程断面図である。
工程断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２ ｐ型ＧａＡｓ電流ブロック層
３ ｎ型ＧａＡｓ層
４ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層
５ ＧａＩｎＰ活性層
６ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層
７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、可視光半導体レーザ
に関し、特に高出力化において端面破壊を防ぐことがで
きる可視光半導体レーザの構造に関するものである。
に関し、特に高出力化において端面破壊を防ぐことがで
きる可視光半導体レーザの構造に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】次にＳｉＮX 膜８を表面全面に成膜した
後、通常のホトレジスト技術を用いて形成した上記スト
ライプと垂直になるようにストライプを形成し、フッ酸
を用いてＳｉＮX 膜８のストライプを図２(b) に示すよ
うに形成する。さらに気相拡散によりＺｎをｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４に到達するまで拡散を行う。
後、通常のホトレジスト技術を用いて形成した上記スト
ライプと垂直になるようにストライプを形成し、フッ酸
を用いてＳｉＮX 膜８のストライプを図２(b) に示すよ
うに形成する。さらに気相拡散によりＺｎをｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４に到達するまで拡散を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る可視光半
導体レーザは、第１導電型であるＧａＡｓ基板上に、第
１導電型ＧａＡｓ、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層、第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えた
可視光線半導体レーザにおいて、上記ＧａＩｎＰ活性層
は、この層の端面の近傍にある傾斜した傾斜部と、上記
端面に達する上記ＧａＩｎＰ活性層の本体部に平行であ
る平行部とを有し、上記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層の該傾斜部が窓層となるものである。
導体レーザは、第１導電型であるＧａＡｓ基板上に、第
１導電型ＧａＡｓ、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ上
クラッド層、第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えた
可視光線半導体レーザにおいて、上記ＧａＩｎＰ活性層
は、この層の端面の近傍にある傾斜した傾斜部と、上記
端面に達する上記ＧａＩｎＰ活性層の本体部に平行であ
る平行部とを有し、上記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層の該傾斜部が窓層となるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】その上にＭＯＣＶＤ法を用いてｎ型ＧａＡ
ｓ層３を形成する。この際、図１(f) に示すようにｐ型
ＧａＡｓ電流ブロック層２上の（１００）面に形成され
るｎ型ＧａＡｓ層３は（１１１）面を側面にして成長す
る。（１１１）面にはＧａＡｓが成長しないため三角形
状の突起が形成される。
ｓ層３を形成する。この際、図１(f) に示すようにｐ型
ＧａＡｓ電流ブロック層２上の（１００）面に形成され
るｎ型ＧａＡｓ層３は（１１１）面を側面にして成長す
る。（１１１）面にはＧａＡｓが成長しないため三角形
状の突起が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】次に動作について説明する。レーザ光の共
振器方向は、この紙面に平行であり、ＧａＩｎＰ活性層
５がくびれている場所、即ちｎ型ＧａＡｓ層３の三角形
の頂点付近で図１(h) に示すように劈開レーザ端面とす
る。光は、ＧａＩｎＰ活性層５が曲がっている面で反射
を繰り返し、レーザ光となり放出される。その際、レー
ザ端面と光が反射する面の間にＧａＩｎＰ活性層５より
バンドギャップが大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層４が存在し、このｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
の上記傾斜部が窓層の効果をもたらし、レーザ端面破壊
を防止することができる。
振器方向は、この紙面に平行であり、ＧａＩｎＰ活性層
５がくびれている場所、即ちｎ型ＧａＡｓ層３の三角形
の頂点付近で図１(h) に示すように劈開レーザ端面とす
る。光は、ＧａＩｎＰ活性層５が曲がっている面で反射
を繰り返し、レーザ光となり放出される。その際、レー
ザ端面と光が反射する面の間にＧａＩｎＰ活性層５より
バンドギャップが大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層４が存在し、このｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
の上記傾斜部が窓層の効果をもたらし、レーザ端面破壊
を防止することができる。
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型であるＧａＡｓ基板上に、第
１導電型ＧａＡｓ層、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ下クラ
ッド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ
上クラッド層、第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を備え
た可視光半導体レーザにおいて、 上記ＧａＩｎＰ活性層は、この層の端面の近傍にある傾
斜した傾斜部と、上記端面に達する上記ＧａＩｎＰ活性
層の本体部に平行である平行部とを有し、上記第１導電
型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層の上記活性層の傾斜部及
び平行部の下部の部分が窓層となることを特徴とする可
視光半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記ＧａＩｎＰ活性層の端面近傍に上記
傾斜部と平行部とを有する請求項１記載の可視光半導体
レーザを製造する方法であって、 上記第１導電型ＧａＡｓ基板上のレーザ端面付近の小領
域部に第２導電型ＧａＡｓ層をメサ形状部に形成し、こ
のメサ形状部の上に上記第１導電型ＧａＡｓを突起とし
て形成すると同時に、上記メサ形状部が形成されていな
い上記第１導電型ＧａＡｓ基板部分上に上記突起を形成
する第１導電型ＧａＡｓによって平坦部を形成し、 上記平坦部と突起部との段差によって、その段差の上に
上記ＧａＩｎＰ活性層が台状突出部を有して形成され、
この台状突出部の中心部をヘキ開してレーザ端面とする
ことを特徴とする請求項１記載の可視光半導体レーザの
製造方法。 - 【請求項３】上記メサ形状部が逆メサ状に形成した逆メ
サ形状部であることを特徴とする、請求項２記載の可視
光半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 上記逆メサ形状部の上に突出して形成さ
れた上記第１導電型ＧａＡｓからなる突出部は三角形状
であることを特徴とする請求項２記載の可視光半導体レ
ーザの製造方法。 - 【請求項５】 上記逆メサ形状部の上に突出して形成さ
れた上記第１導電型ＧａＡｓからなる突出部は台形形状
であることを特徴とする請求項２記載の可視光半導体レ
ーザの製造方法。 - 【請求項６】 上記メサ形状部の頂面と、上記第１導電
型ＧａＡｓ基板の露出している部分に形成した上記第１
導電型ＧａＡｓ層の表面とが一致する高さであることを
特徴とする請求項２記載の可視光半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項７】 上記メサ形状部を形成する素材として第
２導電型ＡｌＧａＡｓ層あるいは高抵抗ＧａＡｓ，Ａｌ
ＧａＡｓ層を用いたことを特徴とする請求項２記載の可
視光半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21016691A JPH0537077A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 可視光半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21016691A JPH0537077A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 可視光半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537077A true JPH0537077A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16584864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21016691A Pending JPH0537077A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 可視光半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107431333A (zh) * | 2015-03-20 | 2017-12-01 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 边缘发射半导体激光器及其生产方法 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP21016691A patent/JPH0537077A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107431333A (zh) * | 2015-03-20 | 2017-12-01 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 边缘发射半导体激光器及其生产方法 |
| JP2018511171A (ja) * | 2015-03-20 | 2018-04-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 端面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
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