JPH03125491A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH03125491A JPH03125491A JP1264271A JP26427189A JPH03125491A JP H03125491 A JPH03125491 A JP H03125491A JP 1264271 A JP1264271 A JP 1264271A JP 26427189 A JP26427189 A JP 26427189A JP H03125491 A JPH03125491 A JP H03125491A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
発光ダイオード(LED)あるいは半導体レーザ(L
D )等の半導体発光素子に関し。
D )等の半導体発光素子に関し。
可視領域の光を出力する埋め込み型の半導体発光素子を
提供可能とすることを目的とし。
提供可能とすることを目的とし。
第1のAlGaInP層から成り、上面に(100)面
を表出し且つ側壁に(111)B面を表出するメサ状の
スドライブまたは底面に(100)面を表出し且つ側壁
に(111)B面を表出する溝状のストライプを基板上
に形成し、該AlGaInP層の(100)面上にのみ
Ga1np11をエピタキシャル成長させ、該GaIn
P層上および該GaInP層がエピタキシャル成長して
いない該第1のAlGaInP層上に第2のAlGaI
nP層をエピタキシャル成長させる諸工程を含むことか
ら構成される。
を表出し且つ側壁に(111)B面を表出するメサ状の
スドライブまたは底面に(100)面を表出し且つ側壁
に(111)B面を表出する溝状のストライプを基板上
に形成し、該AlGaInP層の(100)面上にのみ
Ga1np11をエピタキシャル成長させ、該GaIn
P層上および該GaInP層がエピタキシャル成長して
いない該第1のAlGaInP層上に第2のAlGaI
nP層をエピタキシャル成長させる諸工程を含むことか
ら構成される。
本発明は、可視領域の光を出力する半導体発光素子に係
り、とくに、活性層がAIGaTnPのようなAIを含
有するクラッド層に埋め込まれた半導体発光素子に関す
る。
り、とくに、活性層がAIGaTnPのようなAIを含
有するクラッド層に埋め込まれた半導体発光素子に関す
る。
光デイスク装置用の光源等には、短波長化による記録密
度の向上環の理由から、可視領域の光を出力する半導体
レーザが必要とされている。この目的の半導体レーザは
、高出力が要求されるため2発光効率が高く、低しきい
値電流密度で動作可能とする必要がある。
度の向上環の理由から、可視領域の光を出力する半導体
レーザが必要とされている。この目的の半導体レーザは
、高出力が要求されるため2発光効率が高く、低しきい
値電流密度で動作可能とする必要がある。
従来、実用化されている可視光領域の半導体レーザとし
ては、 GaInP三元系の化合物半導体を活性層とす
る660nmの赤色光を出力するものである。
ては、 GaInP三元系の化合物半導体を活性層とす
る660nmの赤色光を出力するものである。
GaInP活性層に対するクラッド層材料としては。
AlGa1nPのようなアルミニウム(AI)を含有す
る四元系材料が用いられる。
る四元系材料が用いられる。
(発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来の可視光領域の半導体レーザに
おいては、 Ga1nr’活性層を、その周囲がGaI
nPクラッド層により完全に包囲された埋め込み型の構
造を実現することが困難であり、その結果、キャリヤお
よび光の横方向のき閉じ込めが不完全であり1発光効率
が低く、また、横モード制御ができない等の問題があっ
た。
おいては、 Ga1nr’活性層を、その周囲がGaI
nPクラッド層により完全に包囲された埋め込み型の構
造を実現することが困難であり、その結果、キャリヤお
よび光の横方向のき閉じ込めが不完全であり1発光効率
が低く、また、横モード制御ができない等の問題があっ
た。
上記問題は、基板を大気中に取り出してGaTnP活性
層を所定幅のストライプに加工することができないため
である。すなわち、 Ga1nP活性層が形成された基
板を大気中に取り出すと、すでに成長させであるAlG
a1nPから成る下部クラッド層が。
層を所定幅のストライプに加工することができないため
である。すなわち、 Ga1nP活性層が形成された基
板を大気中に取り出すと、すでに成長させであるAlG
a1nPから成る下部クラッド層が。
酸化されやすいA1を成分として含有しているために、
その表面に酸化膜が形成されしまい、以後この上に上部
クラッド層をエピタキシャル成長させることができない
。したがって、 AlGaInPクラッド層が大気に触
れることないように酸化され難い層で覆われてしまうま
で、所要の各層のすべてを一回の成長で連続して形成す
る必要がある。
その表面に酸化膜が形成されしまい、以後この上に上部
クラッド層をエピタキシャル成長させることができない
。したがって、 AlGaInPクラッド層が大気に触
れることないように酸化され難い層で覆われてしまうま
で、所要の各層のすべてを一回の成長で連続して形成す
る必要がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、−回
の連続エピタキシャル成長により、 AlGaInPク
ラッド層に埋め込まれた所定幅のス1−ライブ状のGa
InP活性層を有する半導体発光素子を形成可能とし、
これにより、高発光効率かつ横モード制御が可能な半導
体発光素子を提供することを目的とする。
の連続エピタキシャル成長により、 AlGaInPク
ラッド層に埋め込まれた所定幅のス1−ライブ状のGa
InP活性層を有する半導体発光素子を形成可能とし、
これにより、高発光効率かつ横モード制御が可能な半導
体発光素子を提供することを目的とする。
上記目的は、第1のAlGaInP層から成り、上面に
(100)面を表出し且つ側壁に(111)B面を表出
するメサ状のストライプまたは底面に(100)面を表
出し且つ側壁に(111)B面を表出する溝状のストラ
イプを基板上に形成する工程と、該AlGaInP層の
(100)面上にのみGaInP層をエピタキシャル成
長させる工程と、該GaInP層上および該GaInP
層がエピタキシャル成長していない該第1のAlGaI
nP層上に第2のAlGaInP層をエピタキシャル成
長させる工程とを含むことを特徴とする本発明に係る半
導体発光素子の製造方法によって達成される。
(100)面を表出し且つ側壁に(111)B面を表出
するメサ状のストライプまたは底面に(100)面を表
出し且つ側壁に(111)B面を表出する溝状のストラ
イプを基板上に形成する工程と、該AlGaInP層の
(100)面上にのみGaInP層をエピタキシャル成
長させる工程と、該GaInP層上および該GaInP
層がエピタキシャル成長していない該第1のAlGaI
nP層上に第2のAlGaInP層をエピタキシャル成
長させる工程とを含むことを特徴とする本発明に係る半
導体発光素子の製造方法によって達成される。
本発明はrGaInPがGaAsまたはAlGa1nP
の(100)面にはエピタキシャル成長するが、 (1
11)B面に対してはエピタキシャル成長せず、一方、
AlGa1nPはこのような選択性を示さないことを
利用するものであって、単結晶GaAs基板の(100
)面に、 (111)面を側壁として表出するメサ状ま
たは溝状のストライプを形成しておき、この上に下部A
lGaInPクラッド層+ GaInP活性層、上部A
lGa1nPクラッド層、 GaAsコンタクト層(も
しくはキャップ層)を連続してエピタキシャル成長させ
る。
の(100)面にはエピタキシャル成長するが、 (1
11)B面に対してはエピタキシャル成長せず、一方、
AlGa1nPはこのような選択性を示さないことを
利用するものであって、単結晶GaAs基板の(100
)面に、 (111)面を側壁として表出するメサ状ま
たは溝状のストライプを形成しておき、この上に下部A
lGaInPクラッド層+ GaInP活性層、上部A
lGa1nPクラッド層、 GaAsコンタクト層(も
しくはキャップ層)を連続してエピタキシャル成長させ
る。
AlGa1nPはGaAs基板の面方位に関係なくエピ
タキシャル成長するので、上記メサ状または溝状ストラ
イプの側壁およびそれぞれの上表面または底面にはAl
Ga1nPクラッド層が形成される。
タキシャル成長するので、上記メサ状または溝状ストラ
イプの側壁およびそれぞれの上表面または底面にはAl
Ga1nPクラッド層が形成される。
上記メサ状または溝状ストライプの側壁にAlGa1n
P層の(111)B面を表出させておくと、この面には
Ga1nP活性層がエピタキシャル成長しない。しかし
、Ga1nP活性層は上記メサ状ストライプの上表面ま
たは溝状ストライプの底面に表出する(100)面には
エピタキシャル成長する。すなわち、上記メサ状または
溝状のストライプに沿ってGaInP活性層が自己整合
的に形成される。ストライプブの両側に表出するAlG
a1nPクラッド層の(100)面上にもGaInP層
が形成されるが、これらはストライプの側壁により活性
層のGaInP層とは分離されており、しかも側壁によ
り相互間に段差が与えられている。
P層の(111)B面を表出させておくと、この面には
Ga1nP活性層がエピタキシャル成長しない。しかし
、Ga1nP活性層は上記メサ状ストライプの上表面ま
たは溝状ストライプの底面に表出する(100)面には
エピタキシャル成長する。すなわち、上記メサ状または
溝状のストライプに沿ってGaInP活性層が自己整合
的に形成される。ストライプブの両側に表出するAlG
a1nPクラッド層の(100)面上にもGaInP層
が形成されるが、これらはストライプの側壁により活性
層のGaInP層とは分離されており、しかも側壁によ
り相互間に段差が与えられている。
上記Ga1nP活性層が形成されたGaAs基板上に。
上部AlGaInPクラッド層をエピタキシャル成長さ
せることにより、下層および上層AlGa1nPクラッ
ド層に埋め込まれたストライプ状のGaInP活性層が
連続した一回のエピタキシャル成長により形成される。
せることにより、下層および上層AlGa1nPクラッ
ド層に埋め込まれたストライプ状のGaInP活性層が
連続した一回のエピタキシャル成長により形成される。
この構造により、活性層におけるキャリヤの横方向の閉
じ込めが有効に行われ、また、横方向における活性層と
クラッド層の屈折率差により光導波も有効に行われるよ
うになる。その結果。
じ込めが有効に行われ、また、横方向における活性層と
クラッド層の屈折率差により光導波も有効に行われるよ
うになる。その結果。
キャリヤと光の結合効率が向上され、低しきい値電流を
達成することができ、また、横モード制御が可能となる
。
達成することができ、また、横モード制御が可能となる
。
Ga1nAsP/InP系の1.3 μm帯のレーザに
おいてInP基板の(100)面にメサ状のストライプ
を形成し、このストライプの上表面にGaInAsP活
性層を形成することにより埋め込み型のレーザを作製す
る方法が報告されている。(K、K15hino、 e
t al、。
おいてInP基板の(100)面にメサ状のストライプ
を形成し、このストライプの上表面にGaInAsP活
性層を形成することにより埋め込み型のレーザを作製す
る方法が報告されている。(K、K15hino、 e
t al、。
IEEE J、 QUANTUM ELECTONIC
3,VOL、QE−16,No、2P、160.198
0) 上記報告は、メサの側壁にGaTnAsPが成長しない
ための条件は、メサ側壁の傾斜角度とメサの高さに依存
するとしており5本発明のようなGaAsまたは八1G
aInPの(100)面と(111)面に対するGa1
nPの選択成長性を利用したものではない。
3,VOL、QE−16,No、2P、160.198
0) 上記報告は、メサの側壁にGaTnAsPが成長しない
ための条件は、メサ側壁の傾斜角度とメサの高さに依存
するとしており5本発明のようなGaAsまたは八1G
aInPの(100)面と(111)面に対するGa1
nPの選択成長性を利用したものではない。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係る半導体レーザの構造の一実施例を
示す要部断面図であって5例えばp型の単結晶GaAs
基板lには1紙面に垂直方向に延伸するメサ状のストラ
イプ11が形成されている。ストライプ11の側壁12
には(111)面が、また、上表面13には(100)
面がそれぞれ表出している。またストライプ11の両側
の平坦部14には(100)面が表出している。
示す要部断面図であって5例えばp型の単結晶GaAs
基板lには1紙面に垂直方向に延伸するメサ状のストラ
イプ11が形成されている。ストライプ11の側壁12
には(111)面が、また、上表面13には(100)
面がそれぞれ表出している。またストライプ11の両側
の平坦部14には(100)面が表出している。
GaAs基板1上にば、p型のA IGa [nPがら
成る下部クラット層2が形成されている。下部クラッド
層2は、ストライプ11の側壁12と上表面13.およ
び、平坦部14上にエピタキシャル成長したもので。
成る下部クラット層2が形成されている。下部クラッド
層2は、ストライプ11の側壁12と上表面13.およ
び、平坦部14上にエピタキシャル成長したもので。
約1μmの−様な厚さを有する。
ストライプ11の上表面13には、 Ga1nPから成
る。
る。
厚さ約0.08μmの活性層3が形成されている。活性
層3はストライプ11に沿って延伸している。平坦部1
4上にも、活性層3と同じn型Ga1nP層31が形成
されている。活性層3とGa1nP Ji131は、
AlGaInPクラッド層2の(100)面上に対する
選択的なエピタキシャル成長性を利用して形成されたも
ので、側壁12の(111)面には成長していない。
層3はストライプ11に沿って延伸している。平坦部1
4上にも、活性層3と同じn型Ga1nP層31が形成
されている。活性層3とGa1nP Ji131は、
AlGaInPクラッド層2の(100)面上に対する
選択的なエピタキシャル成長性を利用して形成されたも
ので、側壁12の(111)面には成長していない。
活性層3が形成された下部クラッド層2上には。
n型のAlGa1nPから成る厚さ約1μmの上部クラ
ッド層4およびn型のGaAsから成る厚さ約0.8μ
mのコンタクト層5が順次形成されている。これらの層
は、下部クラッド層2および活性層3上にエピタキシャ
ル成長したものであるが、下地の結晶方位に対する選択
性を有していないため、−様に成長している。このよう
にして、 AlGa1nPクラッド層2および4中に、
ストライプ状のGaInP活性層3が埋め込まれている
。
ッド層4およびn型のGaAsから成る厚さ約0.8μ
mのコンタクト層5が順次形成されている。これらの層
は、下部クラッド層2および活性層3上にエピタキシャ
ル成長したものであるが、下地の結晶方位に対する選択
性を有していないため、−様に成長している。このよう
にして、 AlGa1nPクラッド層2および4中に、
ストライプ状のGaInP活性層3が埋め込まれている
。
コンタクト層5上には、ストライプ11に対向するよう
にしてTi/Pt/Auの三層から成るn側電極7が、
一方、 GaAs基板1の背面にはAuGeから成るp
側電極8が形成されている。なお3図において符0 号6は電流狭窄用のn型拡散領域6である。
にしてTi/Pt/Auの三層から成るn側電極7が、
一方、 GaAs基板1の背面にはAuGeから成るp
側電極8が形成されている。なお3図において符0 号6は電流狭窄用のn型拡散領域6である。
第2図は本発明に係る半導体レーザの構造の別の実施例
を示す要部断面図であって1本実施例の構造にしたがっ
て、製造方法を説明する。
を示す要部断面図であって1本実施例の構造にしたがっ
て、製造方法を説明する。
第2図(a)を参照して1例えばn型のGaAs基板1
の(100)面上に幅(W)のストライプ状の開口を有
するレジストマスク10を設けて異方性エツチングし5
幅(−)が2μm+深さ(D)が1.5 amの溝状の
ストライプ15を形成する。この異方性エツチングは1
例えば硫酸と過酸化水素水の混合液またはアンモニア水
と過酸化水素水の混合液から成る周知のエツチング液を
用いて行う。GaAsのGa原子層を表出する(111
)A面のエツチング速度は、他の面のエツチング速度の
約172と遅いため、溝状ストライプ15の側壁17に
は(111)面が表出する。ストライプ15の底面16
には(100)面が表出する。底面16に対する側壁1
7の傾斜角度θは+ GaAs基板1上におけるレジス
トマスク10に設けられた開口の延伸方向によって異な
り、鋭角(54,74°)、90゜鈍角(125,26
°)のいずれかになる。(例えばS、M、シイー著“半
導体デバイス” (産業図書列)第479頁参照) すなわち、溝状ストライプ15は、その断面が図示のよ
うに逆台形となるように形成することも。
の(100)面上に幅(W)のストライプ状の開口を有
するレジストマスク10を設けて異方性エツチングし5
幅(−)が2μm+深さ(D)が1.5 amの溝状の
ストライプ15を形成する。この異方性エツチングは1
例えば硫酸と過酸化水素水の混合液またはアンモニア水
と過酸化水素水の混合液から成る周知のエツチング液を
用いて行う。GaAsのGa原子層を表出する(111
)A面のエツチング速度は、他の面のエツチング速度の
約172と遅いため、溝状ストライプ15の側壁17に
は(111)面が表出する。ストライプ15の底面16
には(100)面が表出する。底面16に対する側壁1
7の傾斜角度θは+ GaAs基板1上におけるレジス
トマスク10に設けられた開口の延伸方向によって異な
り、鋭角(54,74°)、90゜鈍角(125,26
°)のいずれかになる。(例えばS、M、シイー著“半
導体デバイス” (産業図書列)第479頁参照) すなわち、溝状ストライプ15は、その断面が図示のよ
うに逆台形となるように形成することも。
または矩形となる構造あるいは台形となるように形成す
ることも可能である。なお、第1図に示すようなメサ状
のストライプ11を形成する場合には。
ることも可能である。なお、第1図に示すようなメサ状
のストライプ11を形成する場合には。
ストライプ11上をマスクして上記異方性エツチングを
行うのであり、メサ状ストライプ11は、その断面が台
形、矩形、逆台形のいずれになるようにも形成可能であ
る。
行うのであり、メサ状ストライプ11は、その断面が台
形、矩形、逆台形のいずれになるようにも形成可能であ
る。
次いで、溝状ストライプ15が形成されたGaAs基板
1上に、第2図(b)に示すように、n型のAlGa1
nPから成る厚さ1μmの下部クラッド層2をエピタキ
シャル成長させる。この成長法として5周知のMOCV
D (有機化学気相成長)法を用いる。なお。
1上に、第2図(b)に示すように、n型のAlGa1
nPから成る厚さ1μmの下部クラッド層2をエピタキ
シャル成長させる。この成長法として5周知のMOCV
D (有機化学気相成長)法を用いる。なお。
上記エピタキシャル成長は、側壁17に、AlGa1n
P下部クラッド層2の燐(P)原子層である(111)
8面が表出するように制御する。この制御はMOCVD
法においては容易である。
P下部クラッド層2の燐(P)原子層である(111)
8面が表出するように制御する。この制御はMOCVD
法においては容易である。
1
2
次いで、 AlGa1nP下部クラッドN2が形成され
たGaAs基板1上に、 Ga1nPから成る厚さ0.
08μmの活性層3をエピタキシャル成長させる。前述
したように、 GaInPはAlGa1nP’下部クラ
ッド層2の(111)面にはエピタキシャル成長しない
。その結果、第2図(C)に示すように、ストライプ1
5の底面16およびストライプ15の両側の平坦部14
に表出する(100)面上に、それぞれ、 Ga1nP
活性層3およびGaInP層31が層板1に成長する。
たGaAs基板1上に、 Ga1nPから成る厚さ0.
08μmの活性層3をエピタキシャル成長させる。前述
したように、 GaInPはAlGa1nP’下部クラ
ッド層2の(111)面にはエピタキシャル成長しない
。その結果、第2図(C)に示すように、ストライプ1
5の底面16およびストライプ15の両側の平坦部14
に表出する(100)面上に、それぞれ、 Ga1nP
活性層3およびGaInP層31が層板1に成長する。
GarnP活性層3とGaInP層31とは、ストライ
プ15の側壁17により分離されており、しかも相互間
に段差が与えられている。上記エピタキシャル成長法と
しても。
プ15の側壁17により分離されており、しかも相互間
に段差が与えられている。上記エピタキシャル成長法と
しても。
周知のMOCVD (有機化学気相成長)法を用いる。
上記ののち、活性層3が形成されたGaAs基板1上に
、第2図(d)に示すように、 AlGa1nPから成
る厚さ1μmの上部クラッド層4およびn型のGaAs
から成る厚さ0.8 μmのコンタクト層5を順次エピ
タキシャル成長させる。溝状ストライプI5の内部は、
上部クラッド層4により埋められる。これら層のエピタ
キシャル成長法としても5周知のMOCVD (有機化
学気相成長)法を用いる。なお、電流狭窄の目的から、
上部クランド層4としてノンドープのAlGa1nP層
を形成する。このため、コンタクト層5に図示しないマ
スクを設け1例えばZn(亜鉛)のようなn型不純物を
選択的にイオン注入して、溝状ストライプ15内に達す
るn型拡散領域9を形成する。
、第2図(d)に示すように、 AlGa1nPから成
る厚さ1μmの上部クラッド層4およびn型のGaAs
から成る厚さ0.8 μmのコンタクト層5を順次エピ
タキシャル成長させる。溝状ストライプI5の内部は、
上部クラッド層4により埋められる。これら層のエピタ
キシャル成長法としても5周知のMOCVD (有機化
学気相成長)法を用いる。なお、電流狭窄の目的から、
上部クランド層4としてノンドープのAlGa1nP層
を形成する。このため、コンタクト層5に図示しないマ
スクを設け1例えばZn(亜鉛)のようなn型不純物を
選択的にイオン注入して、溝状ストライプ15内に達す
るn型拡散領域9を形成する。
そして、コンタクト層5上に、n型拡散領域9にオーミ
ック接触するTi/Pt/Auの三層がら成るp側電極
8を、一方、 GaAs基板1の背面に、 AuGeが
ら成るn側電極7を形成する。上記のようにして。
ック接触するTi/Pt/Auの三層がら成るp側電極
8を、一方、 GaAs基板1の背面に、 AuGeが
ら成るn側電極7を形成する。上記のようにして。
AlGa1nPクラッド層2および4中に埋め込まれた
ストライプ状のGa1nP活性層3を有する本発明の半
導体発光素子が完成する。
ストライプ状のGa1nP活性層3を有する本発明の半
導体発光素子が完成する。
なお、上記両実施例の各々において、各層の導電型を反
対にした構造も可能である。
対にした構造も可能である。
C発明の効果〕
本発明によれば、 AlGa1nPクラッド層中にGa
1nP活性層を埋め込んだ構造を連続した一回のエビ3 4 タキシャル成長により形成可能となり、高発光効率およ
び横モード制御ができる可視光領域の半導体発光素子を
製造可能とする効果がある。
1nP活性層を埋め込んだ構造を連続した一回のエビ3 4 タキシャル成長により形成可能となり、高発光効率およ
び横モード制御ができる可視光領域の半導体発光素子を
製造可能とする効果がある。
第1図は本発明に係る半導体発光素子の構造の一実施例
第2図は本発明に係る半導体発光素子の構造の別の実施
例 である。 図において。 1はGaAs基板、 2と4はクラッド層。 3は活性層、 5はコンタクト層。 6と9はp型拡散領域、 7はn側電極。 8はn側電極、10はレジストマスク。 11はストライプ、12と17は側壁。 13は上表面、14は平坦部。 15はストライブ、16は底面。 31はGa InP層 である。 5 \「 C)t>
例 である。 図において。 1はGaAs基板、 2と4はクラッド層。 3は活性層、 5はコンタクト層。 6と9はp型拡散領域、 7はn側電極。 8はn側電極、10はレジストマスク。 11はストライプ、12と17は側壁。 13は上表面、14は平坦部。 15はストライブ、16は底面。 31はGa InP層 である。 5 \「 C)t>
Claims (2)
- (1)第1のAlGaInP層から成り、上面に(10
0)面を表出し且つ側壁に(111)B面を表出するメ
サ状のストライプまたは底面に(100)面を表出し且
つ側壁に(111)B面を表出する溝状のストライプを
基板上に形成する工程と、 該AlGaInP層の(100)面上にのみGaInP
層をエピタキシャル成長させる工程と、 該GaInP層上および該GaInP層がエピタキシャ
ル成長していない該第1のAlGaInP層上に第2の
AlGaInP層をエピタキシャル成長させる工程とを
含むことを特徴とする半導体発光素子。 - (2)(100)面が表出するGaAs基板の表面に異
方性エッチングを施して側壁に(111)面が表出し且
つ上面に(100)が表出するメサ状のストライプまた
は側壁に(111)面が表出し且つ底面に(100)が
表出する溝状のストライプを形成する工程と、該ストラ
イプが設けられた該GaAs基板表面の面指数を引き継
いで該表面に(100)面および(111)B面を表出
する第1のAlGaInP層を成長させる工程と、 該第1のA1GaInP層の(100)面上にのみGa
InP層をエピタキシャル成長させる工程と、 該GaInP層上および第1のAlGaInP層上に第
2のAlGaInP層をエピタキシャル成長させる工程
とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1264271A JPH03125491A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1264271A JPH03125491A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03125491A true JPH03125491A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17400852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1264271A Pending JPH03125491A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03125491A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088503A (ja) * | 2000-03-14 | 2007-04-05 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2011211240A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-10-20 | Opnext Japan Inc | 光半導体素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1264271A patent/JPH03125491A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088503A (ja) * | 2000-03-14 | 2007-04-05 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2011211240A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-10-20 | Opnext Japan Inc | 光半導体素子の製造方法 |
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