JP2001244560A - 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置Info
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高度なプロセス技術を必要とすることなく簡
便に窓構造を備えた半導体発光装置を得ることができる
製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に半導体発光素子を設けてなる
半導体発光装置の製造方法であって、基板１上に成膜し
た第１多層膜１６をパターニングすることによって、両
側の狭幅部Ｗ２と比較して開口幅の広い拡幅部Ｗ１を備
えた溝パターンＰを形成する。溝パターンＰを覆う状態
で、基板１上にｎ型の第２下部クラッド層２２、第２活
性層２３、ｐ型の第２上部クラッド層２４、及びｐ型の
キャップ層４５が順次積層された第２多層膜２６をエピ
タキシャル成長によって形成する。キャップ層４５をパ
ターニングすることで、溝パターンＰ内における第２多
層膜４６上に、溝パターンＰの延設方向に沿って電流注
入層２５ａを延設する。
便に窓構造を備えた半導体発光装置を得ることができる
製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に半導体発光素子を設けてなる
半導体発光装置の製造方法であって、基板１上に成膜し
た第１多層膜１６をパターニングすることによって、両
側の狭幅部Ｗ２と比較して開口幅の広い拡幅部Ｗ１を備
えた溝パターンＰを形成する。溝パターンＰを覆う状態
で、基板１上にｎ型の第２下部クラッド層２２、第２活
性層２３、ｐ型の第２上部クラッド層２４、及びｐ型の
キャップ層４５が順次積層された第２多層膜２６をエピ
タキシャル成長によって形成する。キャップ層４５をパ
ターニングすることで、溝パターンＰ内における第２多
層膜４６上に、溝パターンＰの延設方向に沿って電流注
入層２５ａを延設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置の
製造方法及び半導体発光装置に関し、特には活性層を備
えた多層膜を有する半導体発光素子を基板上に設けてな
る半導体発光装置の製造方法及びこの方法によって得ら
れた半導体発光装置に関する。
製造方法及び半導体発光装置に関し、特には活性層を備
えた多層膜を有する半導体発光素子を基板上に設けてな
る半導体発光装置の製造方法及びこの方法によって得ら
れた半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ（Compact Disk）、ＤＶＤ（Digita
l Versatile disk）などの光学記録媒体に対する書き込
み（記録）や読み取り（再生）に用いられる光学ピック
アップ装置には、半導体発光装置が搭載されている。
l Versatile disk）などの光学記録媒体に対する書き込
み（記録）や読み取り（再生）に用いられる光学ピック
アップ装置には、半導体発光装置が搭載されている。
【０００３】図７（１）の平面図及びこのＡ−Ａ’断面
に相当する図７（２）の断面図には、この半導体発光装
置の一構成例を示す。この図に示す半導体発光装置は、
同一基板１０１上に発光波長の異なる第１の半導体レー
ザＬ１0１及び第２の半導体レーザＬ２０１を搭載して
なる。これらの半導体レーザＬ１0１，Ｌ２０１は、そ
れぞれ、下部クラッド層１０２，２０２、量子井戸構造
の活性層１０３，２０３、下部クラッド層と異なる導電
型の上部クラッド層１０４，２０４が積層された多層膜
パターンＰ１０１，Ｐ２０１と、この上部に形成された
各電流注入層１０５，２０５とで構成されている。
に相当する図７（２）の断面図には、この半導体発光装
置の一構成例を示す。この図に示す半導体発光装置は、
同一基板１０１上に発光波長の異なる第１の半導体レー
ザＬ１0１及び第２の半導体レーザＬ２０１を搭載して
なる。これらの半導体レーザＬ１0１，Ｌ２０１は、そ
れぞれ、下部クラッド層１０２，２０２、量子井戸構造
の活性層１０３，２０３、下部クラッド層と異なる導電
型の上部クラッド層１０４，２０４が積層された多層膜
パターンＰ１０１，Ｐ２０１と、この上部に形成された
各電流注入層１０５，２０５とで構成されている。
【０００４】このような半導体発光装置を製造するに
は、先ず、例えばＧａＡｓ（ガリウム−砒素）からなる
基板１０１上に、第１の半導体レーザＬ１０１を構成す
るＡｌＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−砒素）系材
料からなる多層膜をエピタキシャル成長させる。その
後、この多層膜をパターニングすることによって、基板
１０１上に複数本の第１多層膜パターンＰ１０１を所定
間隔で形成する。この際、各第１多層膜パターンＰ１０
１は１５０μｍ程度の均等幅に形成される。その後、第
２の半導体レーザＬ２０１を構成するＡｌＧａＩｎＰ
（アルミニウム−ガリウム−インジウム−リン）系材料
からなる多層膜を基板１０１上にエピタキシャル成長さ
せ、次いでこれをパターニングすることによって第１多
層膜パターンＰ１０１間に一定線幅を有する第２多層膜
パターンＰ２０１を形成する。
は、先ず、例えばＧａＡｓ（ガリウム−砒素）からなる
基板１０１上に、第１の半導体レーザＬ１０１を構成す
るＡｌＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−砒素）系材
料からなる多層膜をエピタキシャル成長させる。その
後、この多層膜をパターニングすることによって、基板
１０１上に複数本の第１多層膜パターンＰ１０１を所定
間隔で形成する。この際、各第１多層膜パターンＰ１０
１は１５０μｍ程度の均等幅に形成される。その後、第
２の半導体レーザＬ２０１を構成するＡｌＧａＩｎＰ
（アルミニウム−ガリウム−インジウム−リン）系材料
からなる多層膜を基板１０１上にエピタキシャル成長さ
せ、次いでこれをパターニングすることによって第１多
層膜パターンＰ１０１間に一定線幅を有する第２多層膜
パターンＰ２０１を形成する。
【０００５】次に、各多層膜パターンＰ１０１，Ｐ２０
１の最上層のエピタキシャル層をパターニングすること
によって、各第１多層膜パターンＰ１０１の最上部にこ
の延設方向に沿った１条の電流注入層１０５を形成し、
各第２多層膜パターンＰ２０１の最上部にこの延設方向
に沿った１条の電流注入層２０５を形成する。これによ
って、各多層膜パターンＰ１０１，Ｐ２０１の活性層１
０３、２０３内に電流狭窄層（いわゆるストライプ）１
０３ａ,２０３ａが形成される。しかる後、各１本の第
１多層膜パターンＰ１０１と第２多層膜パターンＰ２０
１とを一組にして基板１０１を分割し、次いで、多層膜
パターンＰ１０１，Ｐ２０２及び基板１０１をその延設
方向に対して垂直に劈開する。これによって、異なる発
光波長を有する半導体レーザＬ１0２，Ｌ２0１を同一基
板１０１上に搭載してなる半導体発光装置を得る。
１の最上層のエピタキシャル層をパターニングすること
によって、各第１多層膜パターンＰ１０１の最上部にこ
の延設方向に沿った１条の電流注入層１０５を形成し、
各第２多層膜パターンＰ２０１の最上部にこの延設方向
に沿った１条の電流注入層２０５を形成する。これによ
って、各多層膜パターンＰ１０１，Ｐ２０１の活性層１
０３、２０３内に電流狭窄層（いわゆるストライプ）１
０３ａ,２０３ａが形成される。しかる後、各１本の第
１多層膜パターンＰ１０１と第２多層膜パターンＰ２０
１とを一組にして基板１０１を分割し、次いで、多層膜
パターンＰ１０１，Ｐ２０２及び基板１０１をその延設
方向に対して垂直に劈開する。これによって、異なる発
光波長を有する半導体レーザＬ１0２，Ｌ２0１を同一基
板１０１上に搭載してなる半導体発光装置を得る。
【０００６】このようにして得られた半導体発光装置
は、多層膜パターンＰ１０１，Ｐ２０２の両端面を劈開
面とすることで、活性層１０３，２０３が共振器構造と
なり、ここで発生させた発光光が共振されて劈開面から
取り出される。
は、多層膜パターンＰ１０１，Ｐ２０２の両端面を劈開
面とすることで、活性層１０３，２０３が共振器構造と
なり、ここで発生させた発光光が共振されて劈開面から
取り出される。
【０００７】ところが、このような構成の半導体発光装
置においては、活性層１０３，２０３の劈開面付近にお
ける界面準位、熱ハケの悪さ、光密度の高さなどによ
り、この劈開面付近のバンドギャップが中央領域のバン
ドギャップよりも小さくなると言った問題がある。この
ため、特にＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる半導体レーザ
では、ストライプ２０３ａの中央付近で発生した発光光
が劈開面付近で吸収され易く、多量の発熱や、最高発振
出力の制限、さらには端面破壊を引き起こす要因になっ
ていた。
置においては、活性層１０３，２０３の劈開面付近にお
ける界面準位、熱ハケの悪さ、光密度の高さなどによ
り、この劈開面付近のバンドギャップが中央領域のバン
ドギャップよりも小さくなると言った問題がある。この
ため、特にＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる半導体レーザ
では、ストライプ２０３ａの中央付近で発生した発光光
が劈開面付近で吸収され易く、多量の発熱や、最高発振
出力の制限、さらには端面破壊を引き起こす要因になっ
ていた。
【０００８】そこで、活性層の劈開面付近のバンドギャ
ップを上昇させる、いわゆる窓構造が提案されている。
この窓構造を有する半導体発光装置は、バンドギャップ
の高い材料で多層膜パターンの劈開面側を埋め込んだ構
成のものや、多層膜パターンの劈開面側端部に不純物を
拡散させ、活性層の超格子構造を壊してバンドギャップ
を上げた構成のものに二分される。
ップを上昇させる、いわゆる窓構造が提案されている。
この窓構造を有する半導体発光装置は、バンドギャップ
の高い材料で多層膜パターンの劈開面側を埋め込んだ構
成のものや、多層膜パターンの劈開面側端部に不純物を
拡散させ、活性層の超格子構造を壊してバンドギャップ
を上げた構成のものに二分される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成の窓構造を形成するには、工程が複雑になると共
に、高精度のプロセス技術が必要とされるため、半導体
発光装置の製造コストの増加や歩留まりの低下を招く要
因になっている。
構成の窓構造を形成するには、工程が複雑になると共
に、高精度のプロセス技術が必要とされるため、半導体
発光装置の製造コストの増加や歩留まりの低下を招く要
因になっている。
【００１０】例えば、赤色レーザ光を発振する半導体発
光装置を形成する場合、劈開面付近の活性層に不純物と
してＺｎ（亜鉛）を拡散させている。ところが、Ｚｎは
活性層内で非発光センサを作りやすく、発光領域に存在
すると劣化の原因になり信頼性を損なう要因になる。こ
のため、拡散させるＺｎの量は、劈開面付近ではバンド
ギャップを高めるために多めに設定されるものの、発光
領域である活性層の中央領域にはほとんど拡散せてはな
らない。したがって、Ｚｎの拡散領域と拡散距離とを精
密に制御するための高度なプロセス技術が必要とされる
のである。
光装置を形成する場合、劈開面付近の活性層に不純物と
してＺｎ（亜鉛）を拡散させている。ところが、Ｚｎは
活性層内で非発光センサを作りやすく、発光領域に存在
すると劣化の原因になり信頼性を損なう要因になる。こ
のため、拡散させるＺｎの量は、劈開面付近ではバンド
ギャップを高めるために多めに設定されるものの、発光
領域である活性層の中央領域にはほとんど拡散せてはな
らない。したがって、Ｚｎの拡散領域と拡散距離とを精
密に制御するための高度なプロセス技術が必要とされる
のである。
【００１１】そこで、本発明は、高度なプロセス技術を
必要とすることなく簡便に窓構造を設けることが可能な
半導体発光装置の製造方法及びこれによって得られる半
導体発光装置を提供することを目的とする。
必要とすることなく簡便に窓構造を設けることが可能な
半導体発光装置の製造方法及びこれによって得られる半
導体発光装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上
に半導体発光素子を設けてなる半導体発光装置の製造方
法であって、次のように行うことを特徴としている。先
ず、基板上に成膜した材料層をパターニングし、拡幅部
とこの両側に設けられた当該拡幅部よりも開口幅の狭い
狭幅部を備えた溝パターンを形成する。次に、この溝パ
ターンを覆う状態で、基板上に下部クラッド層、活性層
及び当該下部クラッド層と異なる導電型の上部クラッド
層が順次積層された多層膜を形成する。その後、溝パタ
ーン内における多層膜上に、当該溝パターンの延設方向
に沿って電流注入層を延設する。
るための本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上
に半導体発光素子を設けてなる半導体発光装置の製造方
法であって、次のように行うことを特徴としている。先
ず、基板上に成膜した材料層をパターニングし、拡幅部
とこの両側に設けられた当該拡幅部よりも開口幅の狭い
狭幅部を備えた溝パターンを形成する。次に、この溝パ
ターンを覆う状態で、基板上に下部クラッド層、活性層
及び当該下部クラッド層と異なる導電型の上部クラッド
層が順次積層された多層膜を形成する。その後、溝パタ
ーン内における多層膜上に、当該溝パターンの延設方向
に沿って電流注入層を延設する。
【００１３】このような製造方法では、拡幅部を備えた
溝パターンを覆う状態で多層膜を形成するため、この溝
パターン内に形成される多層膜は、拡幅部における各層
の膜厚が、その両側の狭幅部における各層の膜厚よりも
厚く形成される。これは、狭幅部と比較して拡幅部によ
り多くの成膜原料が供給されること（供給律速）や、狭
幅部へ供給された成膜原料が溝パターンのエッチング側
壁上部における異常膜成長のためにより「喰われ」易い
ことに起因している。したがって、拡幅部に形成された
多層膜部分を中央部とし、その両側の狭幅部に形成され
た多層膜部分を端部として多層膜をパターニングするこ
とで、両端部の膜厚が中央部よりも薄い活性層を有す
る、すなわち活性層における両端部のバンドギャップが
中央部よりも高い窓構造を有する半導体発光装置が得ら
れる。
溝パターンを覆う状態で多層膜を形成するため、この溝
パターン内に形成される多層膜は、拡幅部における各層
の膜厚が、その両側の狭幅部における各層の膜厚よりも
厚く形成される。これは、狭幅部と比較して拡幅部によ
り多くの成膜原料が供給されること（供給律速）や、狭
幅部へ供給された成膜原料が溝パターンのエッチング側
壁上部における異常膜成長のためにより「喰われ」易い
ことに起因している。したがって、拡幅部に形成された
多層膜部分を中央部とし、その両側の狭幅部に形成され
た多層膜部分を端部として多層膜をパターニングするこ
とで、両端部の膜厚が中央部よりも薄い活性層を有す
る、すなわち活性層における両端部のバンドギャップが
中央部よりも高い窓構造を有する半導体発光装置が得ら
れる。
【００１４】また、本発明の半導体発光装置は、上述の
ようにして得られた半導体発光装置であり、基板上に
は、下部クラッド層、活性層、及び当該下部クラッド層
と異なる導電型の上部クラッド層が順次積層された多層
膜パターンが設けられ、この多層膜パターン上には、多
層膜パターンの両端間に亘って一条の電流注入層が設け
られている。そして、活性層は、電流注入層の延設方向
における両端部側の膜厚が中央部の膜厚よりも薄く構成
されているものであることを特徴としている。
ようにして得られた半導体発光装置であり、基板上に
は、下部クラッド層、活性層、及び当該下部クラッド層
と異なる導電型の上部クラッド層が順次積層された多層
膜パターンが設けられ、この多層膜パターン上には、多
層膜パターンの両端間に亘って一条の電流注入層が設け
られている。そして、活性層は、電流注入層の延設方向
における両端部側の膜厚が中央部の膜厚よりも薄く構成
されているものであることを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光装置及
びその製造方法の実施形態を、図面に基づいて詳細に説
明する。
びその製造方法の実施形態を、図面に基づいて詳細に説
明する。
【００１６】（第１実施形態）図１乃至図３は、本発明
の第１実施形態を説明するための平面図及びそのＡ−
Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図であ
り、ここでは、異なる波長の半導体レーザ（第１レーザ
及び第２レーザ）を同一基板上に搭載してなる半導体発
光装置に本発明を適用した実施形態を、その製造方法か
ら順に説明する。
の第１実施形態を説明するための平面図及びそのＡ−
Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図であ
り、ここでは、異なる波長の半導体レーザ（第１レーザ
及び第２レーザ）を同一基板上に搭載してなる半導体発
光装置に本発明を適用した実施形態を、その製造方法か
ら順に説明する。
【００１７】先ず、図１に示すように、例えばＧａＡｓ
のような化合物半導体からなるｎ型の基板１を用意す
る。この基板１は、ＧａＡｓの結晶面に対して傾斜角
（ＯＦＦ角）を持たせた表面を有するいわゆるＯＦＦ基
板であることとする。ここでは、ＧａＡｓの（００１）
面を結晶方位［０１１］または［０１１-］｛ただし
（−）は反転を意味する論理否定記号であることとす
る｝方向に３度から１５度程度、好ましくは１０度のＯ
ＦＦ角を持たせた表面を有するＯＦＦ基板を用いること
とする。
のような化合物半導体からなるｎ型の基板１を用意す
る。この基板１は、ＧａＡｓの結晶面に対して傾斜角
（ＯＦＦ角）を持たせた表面を有するいわゆるＯＦＦ基
板であることとする。ここでは、ＧａＡｓの（００１）
面を結晶方位［０１１］または［０１１-］｛ただし
（−）は反転を意味する論理否定記号であることとす
る｝方向に３度から１５度程度、好ましくは１０度のＯ
ＦＦ角を持たせた表面を有するＯＦＦ基板を用いること
とする。
【００１８】そして、この基板１の表面上に、ｎ型のＡ
ｌＧａＡｓからなるバッファ層（図示省略）を介して、
ＡｌＧａＡｓからなるｎ型の第１下部クラッド層１２、
単層または多層のＡｌＧａＡｓからなる量子井戸構造
（発振波長７８０ｎｍ帯域）の第１活性層１３、ＡｌＧ
ａＡｓからなるｐ型の第１上部クラッド層１４、及びＧ
ａＡｓからなるｐ型の第１キャップ層１５を順次積層し
てなる第１多層膜１６を形成する。また、ここでの図示
は省略したが、必要に応じて、第１下部クラッド層１２
と第１活性層１３との間にはこれらの中間組成のガイド
層を設け、第１活性層１３と第１上部クラッド層１４と
の間にはこれらの中間組成のガイド層を設けることとす
る。これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法（ＭＯ
ＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitaxial growt
h）のようなエピタキシャル成長法によって行う。
ｌＧａＡｓからなるバッファ層（図示省略）を介して、
ＡｌＧａＡｓからなるｎ型の第１下部クラッド層１２、
単層または多層のＡｌＧａＡｓからなる量子井戸構造
（発振波長７８０ｎｍ帯域）の第１活性層１３、ＡｌＧ
ａＡｓからなるｐ型の第１上部クラッド層１４、及びＧ
ａＡｓからなるｐ型の第１キャップ層１５を順次積層し
てなる第１多層膜１６を形成する。また、ここでの図示
は省略したが、必要に応じて、第１下部クラッド層１２
と第１活性層１３との間にはこれらの中間組成のガイド
層を設け、第１活性層１３と第１上部クラッド層１４と
の間にはこれらの中間組成のガイド層を設けることとす
る。これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法（ＭＯ
ＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitaxial growt
h）のようなエピタキシャル成長法によって行う。
【００１９】次に、第１レーザとして残す領域上にレジ
ストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクに用
いた硫酸系の無選択エッチング、及びフッ酸系のＡｌＧ
ａＡｓ選択エッチングなどのウェットエッチングによ
り、第１レーザ領域以外の領域において第１キャップ層
１５〜下部第１下部クラッド層１２及びバッファ層まで
をエッチング除去する。
ストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクに用
いた硫酸系の無選択エッチング、及びフッ酸系のＡｌＧ
ａＡｓ選択エッチングなどのウェットエッチングによ
り、第１レーザ領域以外の領域において第１キャップ層
１５〜下部第１下部クラッド層１２及びバッファ層まで
をエッチング除去する。
【００２０】これによって、ＡｌＧａＡｓのような３元
系材料を用いた複数条の第１多層膜パターン１６ａを形
成すると共に、この第１多層膜パターン１６ａ間に溝パ
ターンＰを形成する。この溝パターンＰは、幅の広い拡
幅部Ｗ１と、これよりも幅の狭い狭幅部Ｗ２とで構成さ
れ、溝パターンＰの延設方向における拡幅部Ｗ１の両側
に、狭幅部Ｗ２が設けられることとする。この拡幅部Ｗ
１は、各半導体発光装置の形成領域に１個所づつ設けら
れるようにする。このため、第１多層膜パターン１６ａ
の側壁は、幅方向に張り出した部分を備えた形状に成形
される。そして、この溝パターンＰ内に、第２レーザを
形成する領域の基板１表面を露出させる。
系材料を用いた複数条の第１多層膜パターン１６ａを形
成すると共に、この第１多層膜パターン１６ａ間に溝パ
ターンＰを形成する。この溝パターンＰは、幅の広い拡
幅部Ｗ１と、これよりも幅の狭い狭幅部Ｗ２とで構成さ
れ、溝パターンＰの延設方向における拡幅部Ｗ１の両側
に、狭幅部Ｗ２が設けられることとする。この拡幅部Ｗ
１は、各半導体発光装置の形成領域に１個所づつ設けら
れるようにする。このため、第１多層膜パターン１６ａ
の側壁は、幅方向に張り出した部分を備えた形状に成形
される。そして、この溝パターンＰ内に、第２レーザを
形成する領域の基板１表面を露出させる。
【００２１】以上の後、拡幅部Ｗ１の底面となる基板１
表面のみを露出させる形状のレジストパターン（図示省
略）を基板１上に形成し、このレジストパターンをマス
クに用いて基板１表面をエッチングする。これによっ
て、拡幅部Ｗ１に露出する基板１の表面部分を狭幅部Ｗ
２よりも低く掘り下げる。この際のエッチング深さｄ
は、次に形成される多層膜における活性層が、溝パター
ンＰ内における拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２とで同じ高さに
なるように設定されることとする。
表面のみを露出させる形状のレジストパターン（図示省
略）を基板１上に形成し、このレジストパターンをマス
クに用いて基板１表面をエッチングする。これによっ
て、拡幅部Ｗ１に露出する基板１の表面部分を狭幅部Ｗ
２よりも低く掘り下げる。この際のエッチング深さｄ
は、次に形成される多層膜における活性層が、溝パター
ンＰ内における拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２とで同じ高さに
なるように設定されることとする。
【００２２】次に、図２に示すように、第１多層膜パタ
ーン１６ａ及び溝パターンＰを覆う状態で、ＧａＡｓ上
にＩｎＧａＰ（インジウム−ガリウム−リン）を積層さ
せてなるｎ型のバッファ層（図示省略）を形成した後、
このバッファ層を介して、基板１上に、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ型の第２下部クラッド層２２、単層ま
たは多層のＩｎＧａＰからなる量子井戸構造（発振波長
６５０ｎｍ帯域）の第２活性層２３、ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ型の第２上部クラッド層２４、及びＧａＡｓか
らなるｐ型の第２キャップ層２５を順次積層させ、Ａｌ
ＧａＩｎＰのような４元系材料を用いた第２多層膜２６
を形成する。また、必要に応じて、第２下部クラッド層
２２と第２活性層２３との間にはこれらの中間組成のガ
イド層を設け、第２活性層２３と第２上部クラッド層２
４との間にはこれらの中間組成のガイド層を設けること
とする。これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法の
ようなエピタキシャル成長法によって行う。
ーン１６ａ及び溝パターンＰを覆う状態で、ＧａＡｓ上
にＩｎＧａＰ（インジウム−ガリウム−リン）を積層さ
せてなるｎ型のバッファ層（図示省略）を形成した後、
このバッファ層を介して、基板１上に、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ型の第２下部クラッド層２２、単層ま
たは多層のＩｎＧａＰからなる量子井戸構造（発振波長
６５０ｎｍ帯域）の第２活性層２３、ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ型の第２上部クラッド層２４、及びＧａＡｓか
らなるｐ型の第２キャップ層２５を順次積層させ、Ａｌ
ＧａＩｎＰのような４元系材料を用いた第２多層膜２６
を形成する。また、必要に応じて、第２下部クラッド層
２２と第２活性層２３との間にはこれらの中間組成のガ
イド層を設け、第２活性層２３と第２上部クラッド層２
４との間にはこれらの中間組成のガイド層を設けること
とする。これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法の
ようなエピタキシャル成長法によって行う。
【００２３】しかる後、図３に示すように、第２多層膜
２６の第２レーザとして残す領域上、すなわち、第１多
層膜パターン１６ａ間の溝パターンＰ上にレジストパタ
ーン（図示省略）を形成し、これをマスクに用いた硫酸
系のキャップエッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッ
チング、塩酸系の分離エッチング等のウェットエッチン
グにより、第２レーザ領域以外の領域の第２多層膜２６
部分をエッチング除去する。これによって、第１多層膜
パターン１６ａ間に、これら第１多層膜パターン１６ａ
に対して分離させた第２多層膜パターン２６ａを形成す
る。
２６の第２レーザとして残す領域上、すなわち、第１多
層膜パターン１６ａ間の溝パターンＰ上にレジストパタ
ーン（図示省略）を形成し、これをマスクに用いた硫酸
系のキャップエッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッ
チング、塩酸系の分離エッチング等のウェットエッチン
グにより、第２レーザ領域以外の領域の第２多層膜２６
部分をエッチング除去する。これによって、第１多層膜
パターン１６ａ間に、これら第１多層膜パターン１６ａ
に対して分離させた第２多層膜パターン２６ａを形成す
る。
【００２４】次に、レジストパターン（図示省略）によ
って第１多層膜パターン１６ａ及び第２多層膜パターン
２６ａの電流注入領域となる部分を保護した状態で、第
１キャップ層１５及び第２キャップ層２５をエッチング
する。これによって、第１キャップ層１５をパターニン
グしてなる第１電流注入層１５ａ、及び第２キャップ層
２５をパターニングしてなる第２電流注入層２５ａを形
成する。これらの電流注入層１５ａ，２５ａは、各多層
膜パターン１６ａ，２６ａに沿って延設され、これによ
って、電流注入層１５ａ下方の第１活性層１３部分に一
条のストライプ１３aを設け、電流注入層２５ａ下方の
第２活性層２３内に一条のストライプ２３ａを設ける。
って第１多層膜パターン１６ａ及び第２多層膜パターン
２６ａの電流注入領域となる部分を保護した状態で、第
１キャップ層１５及び第２キャップ層２５をエッチング
する。これによって、第１キャップ層１５をパターニン
グしてなる第１電流注入層１５ａ、及び第２キャップ層
２５をパターニングしてなる第２電流注入層２５ａを形
成する。これらの電流注入層１５ａ，２５ａは、各多層
膜パターン１６ａ，２６ａに沿って延設され、これによ
って、電流注入層１５ａ下方の第１活性層１３部分に一
条のストライプ１３aを設け、電流注入層２５ａ下方の
第２活性層２３内に一条のストライプ２３ａを設ける。
【００２５】以上の後、ここでの図示は省略したが、多
層膜パターン１６ａ，２６ａに対して絶縁性を保って電
流注入層１５ａ，２５ａに接続させる状態でＴｉ（チタ
ン）／Ｐｔ（プラチナ）／Ａｕ（金）のようなｐ型の電
極を形成し、さらにｎ型の基板１に接続させる状態でＡ
ｕＧｅ（金−ゲルマニウム）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ
（金）のようなｎ型の電極を形成する。
層膜パターン１６ａ，２６ａに対して絶縁性を保って電
流注入層１５ａ，２５ａに接続させる状態でＴｉ（チタ
ン）／Ｐｔ（プラチナ）／Ａｕ（金）のようなｐ型の電
極を形成し、さらにｎ型の基板１に接続させる状態でＡ
ｕＧｅ（金−ゲルマニウム）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ
（金）のようなｎ型の電極を形成する。
【００２６】次に、例えば、隣り合わせて設けられた第
１多層膜パターン１６ａと第２多層膜パターン２６ａと
が一組になるように、電流注入層１５ａ，２５ａ間にお
いて基板１を分割する。
１多層膜パターン１６ａと第２多層膜パターン２６ａと
が一組になるように、電流注入層１５ａ，２５ａ間にお
いて基板１を分割する。
【００２７】その後、第２多層膜パターン２６ａが形成
された溝パターンＰの狭幅部Ｗ２の中央において、電流
注入層１５ａ，２５ａの延設方向と交差する方向に、基
板１、第２多層膜パターン２６ａ及び第１多層膜パター
ン１６ａを劈開する。これによって、図中平面図の二点
鎖線で示す領域ａ毎に分割された各半導体発光装置を完
成させる。
された溝パターンＰの狭幅部Ｗ２の中央において、電流
注入層１５ａ，２５ａの延設方向と交差する方向に、基
板１、第２多層膜パターン２６ａ及び第１多層膜パター
ン１６ａを劈開する。これによって、図中平面図の二点
鎖線で示す領域ａ毎に分割された各半導体発光装置を完
成させる。
【００２８】このようにして得られた半導体発光装置
は、第１活性層１３を備えた第１レーザと、この第１活
性層１３とは組成の異なる第２活性層２３を備えた第２
レーザとを有する２波長レーザになる。
は、第１活性層１３を備えた第１レーザと、この第１活
性層１３とは組成の異なる第２活性層２３を備えた第２
レーザとを有する２波長レーザになる。
【００２９】以上のような製造方法によれば、図２を用
いて説明したように、第１多層膜パターン１６ａによっ
て構成された拡幅部Ｗ１を備えた溝パターンＰを覆う状
態で、第２多層膜２６が形成される。
いて説明したように、第１多層膜パターン１６ａによっ
て構成された拡幅部Ｗ１を備えた溝パターンＰを覆う状
態で、第２多層膜２６が形成される。
【００３０】ここで、図４には、平面基板上に成膜され
た４元系材料を用いた第２多層膜（ＧａＡｓからなる第
２キャップ層を含む）の各部における膜厚の測定値と、
溝パターンを有する基板上に成膜された４元系材料を用
いた第２多層膜（ＧａＡｓからなる第２キャップ層を含
む）の溝パターン内各部における膜厚の測定値とを示
す。尚、成膜条件は同一に設定した。このグラフに示す
ように、成膜条件が同一であっても、平面基板上におい
ては溝パターン内のよりも膜厚の厚い成膜が行われてお
り、開口幅の広い面上に、より厚く４元系の多層膜の成
膜が行われることがわかる。これは、開口幅の広い部分
により多くの成膜原料が供給されること（供給律速）
や、開口幅が狭くエッチング側壁がより近くに配置され
る部分においては、エッチング側壁の上部での異常膜成
長に伴い成膜原料が「喰われ」易いことに起因してい
る。
た４元系材料を用いた第２多層膜（ＧａＡｓからなる第
２キャップ層を含む）の各部における膜厚の測定値と、
溝パターンを有する基板上に成膜された４元系材料を用
いた第２多層膜（ＧａＡｓからなる第２キャップ層を含
む）の溝パターン内各部における膜厚の測定値とを示
す。尚、成膜条件は同一に設定した。このグラフに示す
ように、成膜条件が同一であっても、平面基板上におい
ては溝パターン内のよりも膜厚の厚い成膜が行われてお
り、開口幅の広い面上に、より厚く４元系の多層膜の成
膜が行われることがわかる。これは、開口幅の広い部分
により多くの成膜原料が供給されること（供給律速）
や、開口幅が狭くエッチング側壁がより近くに配置され
る部分においては、エッチング側壁の上部での異常膜成
長に伴い成膜原料が「喰われ」易いことに起因してい
る。
【００３１】このことから、上述したように、拡幅部Ｗ
１を備えた溝パターンＰを覆う状態で形成された第２多
層膜２６は、図２のＡ−Ａ’断面図に示したように、溝
パターンＰ内部において、拡幅部Ｗ１における膜厚が狭
幅部Ｗ２における膜厚よりも厚く成膜されることが分か
る。そして、第１実施形態においては、図３の平面図及
びＡ−Ａ’断面図中二点鎖線に示したように、この第２
多層膜２６からなる第２多層膜パターンＰ２を、拡幅部
Ｗ１内に形成された部分が中央部になり狭幅部Ｗ２内に
形成された部分が端部となるように劈開している。この
ため、このように劈開された第２多層膜パターン２６ａ
を備えた第２レーザは、両端部の膜厚が中央部の膜厚よ
りも薄い活性層２３、すなわち、両端部の膜厚が薄くバ
ンドギャップの大きな活性層２３を有する窓構造を備え
たものとなる。
１を備えた溝パターンＰを覆う状態で形成された第２多
層膜２６は、図２のＡ−Ａ’断面図に示したように、溝
パターンＰ内部において、拡幅部Ｗ１における膜厚が狭
幅部Ｗ２における膜厚よりも厚く成膜されることが分か
る。そして、第１実施形態においては、図３の平面図及
びＡ−Ａ’断面図中二点鎖線に示したように、この第２
多層膜２６からなる第２多層膜パターンＰ２を、拡幅部
Ｗ１内に形成された部分が中央部になり狭幅部Ｗ２内に
形成された部分が端部となるように劈開している。この
ため、このように劈開された第２多層膜パターン２６ａ
を備えた第２レーザは、両端部の膜厚が中央部の膜厚よ
りも薄い活性層２３、すなわち、両端部の膜厚が薄くバ
ンドギャップの大きな活性層２３を有する窓構造を備え
たものとなる。
【００３２】しかも、この第１実施形態においては、図
１を用いて説明したように、溝パターンＰの拡幅部Ｗ１
の底部を狭幅部Ｗ２よりも深さｄだけ掘り下げている。
このため、図２を用いて説明した第２多層膜２６の形成
工程において、拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２における第２下
部クラッド層２２の成膜時の膜厚差によってこの段差
（深さｄ）を埋め込むようにすることで、拡幅部Ｗ１と
狭幅部Ｗ２において第２活性層２３をほぼ同一高さに成
膜することが可能になる。したがって、第２活性層２３
の中央部分の発光領域で生じた発光光を、損失なく端部
の劈開面に直線的に導き、効率良く共振させることが可
能になる。
１を用いて説明したように、溝パターンＰの拡幅部Ｗ１
の底部を狭幅部Ｗ２よりも深さｄだけ掘り下げている。
このため、図２を用いて説明した第２多層膜２６の形成
工程において、拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２における第２下
部クラッド層２２の成膜時の膜厚差によってこの段差
（深さｄ）を埋め込むようにすることで、拡幅部Ｗ１と
狭幅部Ｗ２において第２活性層２３をほぼ同一高さに成
膜することが可能になる。したがって、第２活性層２３
の中央部分の発光領域で生じた発光光を、損失なく端部
の劈開面に直線的に導き、効率良く共振させることが可
能になる。
【００３３】以上のように、この第１実施形態によれ
ば、高精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置
合わせによる溝パターンＰの形成と言った簡便な工程の
追加のみによって、一方の半導体レーザ（第２レーザ）
に窓構造を設けてなる２波長の半導体発光装置を得るこ
とができる。この際、特に安定した発光光を取り出しに
くい４元系（ＡｌＧａＩｎＰ）の半導体レーザに窓構造
を設けたことで、４元系の半導体レーザからも安定した
発光光を得ることが可能になる。
ば、高精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置
合わせによる溝パターンＰの形成と言った簡便な工程の
追加のみによって、一方の半導体レーザ（第２レーザ）
に窓構造を設けてなる２波長の半導体発光装置を得るこ
とができる。この際、特に安定した発光光を取り出しに
くい４元系（ＡｌＧａＩｎＰ）の半導体レーザに窓構造
を設けたことで、４元系の半導体レーザからも安定した
発光光を得ることが可能になる。
【００３４】尚、第１実施形態においては、本発明を２
波長の半導体発光装置に適用した場合を説明したが、本
発明は単一発光波長の半導体発光装置を製造する場合に
も適用可能である。この場合、第１実施例において３元
系（ＡｌＧａＡｓ）の第１レーザを構成するために形成
した第１多層膜パターンを、単なる凸状パターンとして
形成すれば良いのである。次の第２実施形態において
は、このような製造方法の実施の形態を説明する。
波長の半導体発光装置に適用した場合を説明したが、本
発明は単一発光波長の半導体発光装置を製造する場合に
も適用可能である。この場合、第１実施例において３元
系（ＡｌＧａＡｓ）の第１レーザを構成するために形成
した第１多層膜パターンを、単なる凸状パターンとして
形成すれば良いのである。次の第２実施形態において
は、このような製造方法の実施の形態を説明する。
【００３５】（第２実施形態）図５乃至図６は、本発明
の第２実施形態を説明するための平面図及びそのＡ−
Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図であ
り、ここでは、同一の発光波長を有する複数または単数
の半導体レーザを同一基板上に搭載してなる半導体発光
装置に本発明を適用した実施形態を、その製造方法から
順に説明する。
の第２実施形態を説明するための平面図及びそのＡ−
Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図であ
り、ここでは、同一の発光波長を有する複数または単数
の半導体レーザを同一基板上に搭載してなる半導体発光
装置に本発明を適用した実施形態を、その製造方法から
順に説明する。
【００３６】先ず、図５に示すように、第1実施形態と
同様のＧａＡｓからなるｎ型のＯＦＦ基板（基板）１を
用意する。そして、この基板１の表面上に、例えば膜厚
３μｍ程度のＡｌＧａＡｓからなる複数の凸状パターン
Ｐａを配列形成する。そして、これらの凸状パターンＰ
ａの形成によって、基板１上に第１実施形態と同様の溝
パターンＰを設ける。ただし、この凸状パターンＰａに
よって構成される複数の溝パターンＰは、その拡幅部Ｗ
1同士において隣り合う溝パターンＰと連通していても
良い。このような場合、各凸状パターンＰａは、図示し
たように二点鎖線部分が除去された島状のパターンとし
て形成されることする。
同様のＧａＡｓからなるｎ型のＯＦＦ基板（基板）１を
用意する。そして、この基板１の表面上に、例えば膜厚
３μｍ程度のＡｌＧａＡｓからなる複数の凸状パターン
Ｐａを配列形成する。そして、これらの凸状パターンＰ
ａの形成によって、基板１上に第１実施形態と同様の溝
パターンＰを設ける。ただし、この凸状パターンＰａに
よって構成される複数の溝パターンＰは、その拡幅部Ｗ
1同士において隣り合う溝パターンＰと連通していても
良い。このような場合、各凸状パターンＰａは、図示し
たように二点鎖線部分が除去された島状のパターンとし
て形成されることする。
【００３７】その後、第１実施形態と同様に、溝パター
ンＰの拡幅部Ｗ1に露出する基板１の表面部分をエッチ
ングして狭幅部Ｗ２よりも低く掘り下げる。この際のエ
ッチング深さｄは、次に形成される多層膜における活性
層が、溝パターンＰ内における拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２
とで同じ高さになるように設定されることとする。
ンＰの拡幅部Ｗ1に露出する基板１の表面部分をエッチ
ングして狭幅部Ｗ２よりも低く掘り下げる。この際のエ
ッチング深さｄは、次に形成される多層膜における活性
層が、溝パターンＰ内における拡幅部Ｗ１と狭幅部Ｗ２
とで同じ高さになるように設定されることとする。
【００３８】以上の後、図６のＡ-Ａ’断面図に示すよ
うに、基板１上に、例えば第１実施形態における第２多
層膜と同様の構成の多層膜４６を形成する。すなわち、
ＧａＡｓ上にＩｎＧａＰを積層させてなるｎ型のバッフ
ァ層（図示省略）を介して、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ
型の下部クラッド層４２、単層または多層のＩｎＧａＰ
からなる量子井戸構造の活性層４３、ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ型の上部クラッド層４４、及びＧａＡｓからな
るｐ型のキャップ層４５を順次積層させた、４元系の多
層膜４６を形成する。また、必要に応じて、下部クラッ
ド層４２と活性層４３との間にはこれらの中間組成のガ
イド層を設け、活性層４３と上部クラッド層４４との間
にはこれらの中間組成のガイド層を設けることとする。
これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法のようなエ
ピタキシャル成長法によって行う。
うに、基板１上に、例えば第１実施形態における第２多
層膜と同様の構成の多層膜４６を形成する。すなわち、
ＧａＡｓ上にＩｎＧａＰを積層させてなるｎ型のバッフ
ァ層（図示省略）を介して、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ
型の下部クラッド層４２、単層または多層のＩｎＧａＰ
からなる量子井戸構造の活性層４３、ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ型の上部クラッド層４４、及びＧａＡｓからな
るｐ型のキャップ層４５を順次積層させた、４元系の多
層膜４６を形成する。また、必要に応じて、下部クラッ
ド層４２と活性層４３との間にはこれらの中間組成のガ
イド層を設け、活性層４３と上部クラッド層４４との間
にはこれらの中間組成のガイド層を設けることとする。
これらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法のようなエ
ピタキシャル成長法によって行う。
【００３９】しかる後、図６の各図に示すように、多層
膜のレーザとして残す領域上、すなわち、凸状パターン
Ｐａ間の溝パターンＰ上にレジストパターン（図示省
略）を形成し、これをマスクに用いた硫酸系のキャップ
エッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッチング、塩酸
系の分離エッチング等のウェットエッチングにより、レ
ーザ領域以外の領域の多層膜４６部分をエッチング除去
する。これによって、凸状パターンＰａによって形成さ
れた溝パターンＰ内に、多層膜パターン４６ａを形成す
る。
膜のレーザとして残す領域上、すなわち、凸状パターン
Ｐａ間の溝パターンＰ上にレジストパターン（図示省
略）を形成し、これをマスクに用いた硫酸系のキャップ
エッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッチング、塩酸
系の分離エッチング等のウェットエッチングにより、レ
ーザ領域以外の領域の多層膜４６部分をエッチング除去
する。これによって、凸状パターンＰａによって形成さ
れた溝パターンＰ内に、多層膜パターン４６ａを形成す
る。
【００４０】次に、第１実施形態と同様にして、キャッ
プ層４５をパターニングしてなる電流注入層４５ａを多
層膜パターン４６ａの最上部に形成し、これによって電
流注入層４５ａ下方の活性層４３部分に一条のストライ
プ４３aを形成する。
プ層４５をパターニングしてなる電流注入層４５ａを多
層膜パターン４６ａの最上部に形成し、これによって電
流注入層４５ａ下方の活性層４３部分に一条のストライ
プ４３aを形成する。
【００４１】以上の後、第１実施形態と同様に、ここで
の図示は省略した電極を形成し、さらに、基板１上に形
成された複数条の多層膜パターン４６ａを１条ずつまた
は複数条づつに分割する状態で基板１を分離分割する。
の図示は省略した電極を形成し、さらに、基板１上に形
成された複数条の多層膜パターン４６ａを１条ずつまた
は複数条づつに分割する状態で基板１を分離分割する。
【００４２】その後、溝パターンＰの狭幅部（Ｗ２、図
５参照）の中央において、電流注入層４５ａの延設方向
と交差する方向に、多層膜パターン４６ａを劈開する。
これによって、図中平面図の二点鎖線で示す領域ａに分
割された各半導体発光装置を完成させる。
５参照）の中央において、電流注入層４５ａの延設方向
と交差する方向に、多層膜パターン４６ａを劈開する。
これによって、図中平面図の二点鎖線で示す領域ａに分
割された各半導体発光装置を完成させる。
【００４３】このようにして得られた半導体発光装置
は、図５を用いて説明したように、凸状パターンＰａに
よって構成された拡幅部Ｗ１を備えた溝パターンＰを覆
う状態で、半導体レーザを構成するための多層膜４６が
形成される。このため、この半導体発光装置は、第１実
施形態の半導体発光装置における第２レーザと同様に、
窓構造を備えたものとなる。
は、図５を用いて説明したように、凸状パターンＰａに
よって構成された拡幅部Ｗ１を備えた溝パターンＰを覆
う状態で、半導体レーザを構成するための多層膜４６が
形成される。このため、この半導体発光装置は、第１実
施形態の半導体発光装置における第２レーザと同様に、
窓構造を備えたものとなる。
【００４４】また、溝パターンＰの拡幅部Ｗ１の底部を
狭幅部Ｗ２よりも深さｄだけ掘り下げている。このた
め、第１実施形態と同様に、活性層４３をほぼ同一高さ
に成膜することが可能になり、発光光を損失なく端部の
劈開面に直線的に導き、効率良く共振させることが可能
になる。
狭幅部Ｗ２よりも深さｄだけ掘り下げている。このた
め、第１実施形態と同様に、活性層４３をほぼ同一高さ
に成膜することが可能になり、発光光を損失なく端部の
劈開面に直線的に導き、効率良く共振させることが可能
になる。
【００４５】以上のように、この第２実施形態によって
も、高精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置
合わせによる溝パターンの形成と言った簡便な工程の追
加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を得るこ
とが可能になる。
も、高精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置
合わせによる溝パターンの形成と言った簡便な工程の追
加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を得るこ
とが可能になる。
【００４６】尚、本発明は、アレイタイプの高出力の半
導体レーザを備えた半導体発光装置の製造にも適用可能
である。また、第１実施形態及び第２実施形態において
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元系材料を用いて多層膜が構
成された半導体発光素子を窓構造とする場合を説明した
が、ＡｌＧａＡｓ系の３元系材料を用いて多層膜が構成
された半導体発光素子に窓構造を形成する場合や、Ｇａ
Ｎ（ガリウム−窒素）系材料またはＺｎＳｅ（亜鉛−セ
レン）系材料を用いて構成された半導体発光素子に窓構
造を形成する場合にも適用可能であり、同様の効果を得
ることができる。ただし、ＧａＮ（ガリウム−窒素）系
材料またはＺｎＳｅ（亜鉛−セレン）系材料を用いた半
導体発光装置を製造する場合、クラッド層や活性層など
の材質及びこれらのパターニングの際に用いられるエッ
チング液等は、適宜選択されたものを用いることとす
る。
導体レーザを備えた半導体発光装置の製造にも適用可能
である。また、第１実施形態及び第２実施形態において
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元系材料を用いて多層膜が構
成された半導体発光素子を窓構造とする場合を説明した
が、ＡｌＧａＡｓ系の３元系材料を用いて多層膜が構成
された半導体発光素子に窓構造を形成する場合や、Ｇａ
Ｎ（ガリウム−窒素）系材料またはＺｎＳｅ（亜鉛−セ
レン）系材料を用いて構成された半導体発光素子に窓構
造を形成する場合にも適用可能であり、同様の効果を得
ることができる。ただし、ＧａＮ（ガリウム−窒素）系
材料またはＺｎＳｅ（亜鉛−セレン）系材料を用いた半
導体発光装置を製造する場合、クラッド層や活性層など
の材質及びこれらのパターニングの際に用いられるエッ
チング液等は、適宜選択されたものを用いることとす
る。
【００４７】
【発明の効果】以上本発明の半導体発光装置及びその製
造方法によれば、拡幅部を備えた溝パターンを覆う状態
で多層膜を形成することで各層の膜厚が部分的に異なる
多層膜を得るようにしたことで、高精度のプロセスを追
加することなく、溝パターンの形成と言った簡便な工程
の追加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を得
ることが可能になる。この結果、窓構造を有する半導体
発光装置の歩留まりの向上及び製造コストの削減を図る
ことができる。
造方法によれば、拡幅部を備えた溝パターンを覆う状態
で多層膜を形成することで各層の膜厚が部分的に異なる
多層膜を得るようにしたことで、高精度のプロセスを追
加することなく、溝パターンの形成と言った簡便な工程
の追加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を得
ることが可能になる。この結果、窓構造を有する半導体
発光装置の歩留まりの向上及び製造コストの削減を図る
ことができる。
【図１】第１実施形態を説明するための平面図及びその
断面図（その１）である。
断面図（その１）である。
【図２】第１実施形態を説明するための平面図及びその
断面図（その２）である。
断面図（その２）である。
【図３】第１実施形態を説明するための平面図及びその
断面図（その３）である。
断面図（その３）である。
【図４】各基板上に成膜された４元系の多層膜の膜厚分
布を示すグラフである。
布を示すグラフである。
【図５】第２実施形態を説明するための平面図及びその
断面図（その１）である。
断面図（その１）である。
【図６】第２実施形態を説明するための平面図及びその
断面図（その２）である。
断面図（その２）である。
【図７】従来の半導体発光装置の一例を説明する断面図
である。
である。
１…基板、１２…第１下部クラッド層、１３…第１活性
層、１４…第１上部クラッド層、１５ａ…第１電流注入
層、１６…第１多層膜、１６ａ…第１多層膜パターン、
２２…第２下部クラッド層、２３…第２活性層、２４…
第２上部クラッド層、２５ａ…第２電流注入層、２６…
第２多層膜、２６ａ…第２多層膜パターン、４２…下部
クラッド層、４３…活性層、４４…上部クラッド層、４
５ａ…電流注入層、４６…多層膜、４６ａ…多層膜パタ
ーン、Ｐ…溝パターン、Ｐａ…凸状パターン、Ｗ１…拡
幅部、Ｗ２…狭幅部
層、１４…第１上部クラッド層、１５ａ…第１電流注入
層、１６…第１多層膜、１６ａ…第１多層膜パターン、
２２…第２下部クラッド層、２３…第２活性層、２４…
第２上部クラッド層、２５ａ…第２電流注入層、２６…
第２多層膜、２６ａ…第２多層膜パターン、４２…下部
クラッド層、４３…活性層、４４…上部クラッド層、４
５ａ…電流注入層、４６…多層膜、４６ａ…多層膜パタ
ーン、Ｐ…溝パターン、Ｐａ…凸状パターン、Ｗ１…拡
幅部、Ｗ２…狭幅部
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に半導体発光素子を設けてなる半
導体発光装置の製造方法であって、 前記基板上に成膜した材料層をパターニングすることに
よって、拡幅部とこの両側に設けられた当該拡幅部より
も開口幅の狭い狭幅部を備えた溝パターンを形成する工
程と、 前記溝パターンを覆う状態で、前記基板上に下部クラッ
ド層、活性層及び当該下部クラッド層と異なる導電型の
上部クラッド層が順次積層された多層膜を形成する工程
と、 前記溝パターン内における前記多層膜上に、当該溝パタ
ーンの延設方向に沿って電流注入層を延設する工程とを
行うことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、 前記溝パターンを前記多層膜で覆う前に、当該溝パター
ンにおける拡幅部底面の基板表面を狭幅部よりも低く掘
り下げること、 を特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、 前記溝パターンを構成する材料層は、前記基板上に設け
られた他の半導体発光素子を構成する多層膜からなるこ
とを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項４】 基板上に半導体発光素子を設けてなる半
導体発光装置であって、 下部クラッド層、活性層、及び当該下部クラッド層と異
なる導電型の上部クラッド層が前記基板側から順次積層
された多層膜パターンと、 前記多層膜パターンの両端間に亘って当該多層膜パター
ン上に設けられた一条の電流注入層とを備え、 前記活性層は、前記電流注入層の延設方向における両端
部側の膜厚が中央部の膜厚よりも薄く構成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体発光装置におい
て、 前記電流注入層の延設方向と略垂直を成す前記多層膜パ
ターンの幅方向脇に、当該多層膜パターンの両端部分の
幅を制限する凸状パターンが設けられていることを特徴
とする半導体発光装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体発光装置におい
て、 前記凸状パターンは、前記基板上に設けられた他の半導
体発光素子を構成する多層膜パターンからなることを特
徴とする半導体発光装置。 - 【請求項７】 請求項４記載の半導体発光装置におい
て、 前記多層膜パターン下における前記基板の表面が、前記
電流注入層の延設方向の両端部よりも中央部のほうが低
く形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053760A JP2001244560A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
| TW090101649A TW502480B (en) | 2000-02-29 | 2001-01-29 | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device |
| US09/789,560 US6633054B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-22 | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device |
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| CN01110857A CN1311553A (zh) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | 半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 |
| EP01400521A EP1130727A2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000053760A JP2001244560A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
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|---|---|
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ID=18575095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000053760A Pending JP2001244560A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1130727A2 (ja) |
| JP (1) | JP2001244560A (ja) |
| KR (1) | KR20010085668A (ja) |
| CN (1) | CN1311553A (ja) |
| TW (1) | TW502480B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884648B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| CN105356297A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-02-24 | 武汉电信器件有限公司 | 一种GaN基激光器和相应制造方法 |
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| JP2004153090A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR100910082B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2009-07-30 | 터치텍 코포레이션 | 발광 다이오드 다층 금속 1차 전극의 제조 방법 및 제조장치 |
| JP2009105184A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 窒化物系半導体レーザ素子とその製造方法 |
| CN112017951B (zh) * | 2020-08-07 | 2022-03-04 | 福建省晋华集成电路有限公司 | 图案布局的形成方法 |
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| JPS62283685A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JPH07226566A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Nec Corp | 量子井戸半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5559058A (en) * | 1994-11-15 | 1996-09-24 | Peter S. Zory, Jr. | Method for producing native oxides on compound semiconductors |
| JPH09148668A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | パルセーションレーザとその製造方法 |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000053760A patent/JP2001244560A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-29 TW TW090101649A patent/TW502480B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-22 US US09/789,560 patent/US6633054B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-27 KR KR1020010010033A patent/KR20010085668A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-02-28 EP EP01400521A patent/EP1130727A2/en not_active Withdrawn
- 2001-02-28 CN CN01110857A patent/CN1311553A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884648B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| US6958493B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| CN105356297A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-02-24 | 武汉电信器件有限公司 | 一种GaN基激光器和相应制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| EP1130727A2 (en) | 2001-09-05 |
| TW502480B (en) | 2002-09-11 |
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