JPS62283685A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザ装置の製造方法

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JPS62283685A
JPS62283685A JP61126505A JP12650586A JPS62283685A JP S62283685 A JPS62283685 A JP S62283685A JP 61126505 A JP61126505 A JP 61126505A JP 12650586 A JP12650586 A JP 12650586A JP S62283685 A JPS62283685 A JP S62283685A
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ridge
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layer
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Akihiro Shima
島　顕洋
Wataru Suzaki
須崎　渉
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高出力の半導体レーザ装置の製造方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来、Ａ　Ｉ　ＧａＡｓ／　ＧａＡｓ系半導体レーザ装
置においては、レーザ光出射端面部でレーザ光を吸収し
て結晶を溶融・破壊に至らしめる、いわゆるＣ　ＯＤ　
（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ　Ｏｐｔｉｅａｌ　Ｄ　ａ
ｍａｇｅ）の問題があり高出力化の妨げとなっていた。
高出力化の方法の１つに活性層を薄膜化し、光の閉じ込
めを弱めて活性層内のパワー密度を低下させ、その結果
、ＣＯＤレベルを上昇させる方法がある。この活性層を
薄膜化する方法においては必然的に利得の低下が生ずる
ため、これに伴うしきい値電流の上昇にいかに対処する
かが重要となる。
第４図は昭和６０年第４６回応用物理学会学術講演会講
演予稿集Ｐ１７６に掲載された活性層の薄膜化による従
来のＡ　ｅ　ＧａＡｓ／　ＧλＡｓ系鳥出力半導体レー
ザ装置の構造を示す斜視図である。この図において、１
はｐ形ＧａＡｓ基板（以下単に基板という）、２はｐ形
ＡｌＧａＡｓクラッド層、３はｐ形ＡＩｌ’ＧａＡｓ活
性層、３ａはレーザ光出射端面付近での幅の狭いリッジ
上のｐ形Ａ１ＧａＡｓ活性層、３ｂは素子内部での幅の
広いリッジ上のｐ形Ａｊ）ＧａＡｓ活性層、４はｒｌ形
Ａｊ’ＧａＡｓクラッド層、５はｎ形ＧａＡｓ電流ブロ
ック層、７はｎ形Ｇ　ａＡ　Ｓ：Ｉンタクト層、８ａは
前記ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層５を備えた基板１に設
けられたし・−ザ光出射端曲での幅の狭いリッジ、８ｂ
は前記ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層５を備えた基板１に
設けられた素子内部での幅の広いリッジ、１０は溝を示
す。
ところで、液相成長において、リッジ８ａ、８ｂを形成
した基板１上にエピタキシャル成長すると、リッジ８ａ
、８ｂの上面およびその側面の両方位に関し成長の異方
性が現れることは周知の事実である。。
第５区は上記のりッジ３ａ、８ｂを形成した基板１上に
エビクキンヤル成長層を成長させた場合の一例を示す断
面図である。この図において、１は基板、１１ばＡｌＧ
ａＡｓエピタキシャル成長層であろう すなわち、第５図に示すように、リッジ８ａの側面（１
１１）および（１１丁）ではリッジ８ａの上面（１００
）に比へ成長速度が太き（ＡＪＧａＡｓエピタキシャル
成長層１１は横へ拡がる。その結果、リッジ８ａ、８ｂ
の上面（１ｒＯ）ではＡｓの不足が起こり、ＡＪＧａＡ
ｓエピタキシャル成長層１１の成長が抑制される。よっ
て、平坦な基板１における成長に比べてリッジ８ａ、８
ｂを形成した基板１における成長では、薄いエピタキシ
ャル成長層を制御性よく成長させることができる。この
ように、リッジ８ａ、８ｂの上面における成長では、成
長温度、過飽和等の成長条件に加えて基板形状、すなイ
つらリッジ高さり、リッジ幅Ｗが重要な成長要因となっ
ている。
第６図は第４図に示した従来の高出力半導体レーザ装置
における基板］を示した斜視図である。
この図において、第４図と同一符号は同一部分を゛示す
。
第６図に示す基板１は、端面部ではリッジ８ａの幅を２
０μｍ、素子内部ではリッジ８ｂの幅を１５０μｍとし
て、リッジ幅Ｗに差をつけた構造となっている１、この
ため、第６図の基板１を用いて液相成長により半導体レ
ーザ装置の各層を成長させると、リッジ効果によりレー
ザ光出射端面付近のリソ９８ａ上のｐ形Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ
Ａ　ｓ活性Ｈ３ａは薄くなり、素子内部のりッジ８ｂの
上面のｐ形Ａｊ’ＧａＡｓ活性Ｊｑ３ｂは端面部のｐ形
Ａｆ？ＧａＡｓ活性層３ａよりも厚くなる。例えば、素
子内部のｐ形Ａｔ’ＧａＡｓ活性層３ｂはＯ，０６μｍ
、端面部のｐ形Ａｆ＋ＧａＡｙ活性層３ａは０．０４μ
ｍに制御することができる。
このようにして従来の高出力半導体し・−ザ装置におい
ては、１／−ザ発振に寄与するｐ形ＡｊＧａＡｓ活性層
３ａ、３ｂの大部分を比較的厚くして（７きい値電圧の
上界を抑制し、端面部のｐ　ＪＦＪ　Ａ　ｌＧａＡｓ活
性層３ａのみを７４膜化して光の閉じ込めを弱め、光の
パワー密度を低減させいた。またこれによって、４０〜
５０ｍＡの低しきい値電圧で６０℃、３０ｍＷの高温高
出力の連続動作が実現されていた。
［発明が解決（７ようとする問題点〕 上記のような従来の高出力半導体レーザ装置では、素子
内部のリツ：、／８ｂの幅と端面部のリッジ８ａの幅と
に差をつけろことによってｐ形ΔＣＧユＡｓ活性層３ａ
、３ｂの厚さに差をっけようとしているが、実際には、
リッ０８　ａ　、　８　ｂの幅のみではｐ形ＡＪＧａＡ
ｓ活性層３ａ、３ｂに十分な差を再現性よくつけること
は困難であるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、端面部でのｐ形Ａｔ！ＧａＡｓ活性層の厚さを極
力薄くでき、素子内部てのｐ形Ａｌ２ＧａＡｓ活性層の
厚さとの差を十分つけることのできる高出力の半導体し
・−ザ装置の製造方法を得ることを目的とするつ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、幅の広
いリッジ上に溝を設けｊｘ後、幅の狭いリッジ上および
幅の広いリッジ上にクラッド層および活性層を順次成長
させる工程を含むものである。
〔作用〕
この発明においては、幅の広いリップの溝上では活性層
が厚く成長する。
〔実施例〕
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例による半導体レーザ装置の構造を示す斜視図である
。この図において、第４図と同一符号は同一構成部分を
示し、２ａは前記リッジ８ａ上のｐ形ＡＪＧａＡｓクラ
ッド層、２ｂは前記リッジ８ｂ上に設けた溝上のｐ形Ａ
ｌ！ＧａＡｓクラッドＪｌ￥ｆ、６は上側埋込み用ｎ形
ＡｌＧａＡｓクラッド層、９は前記リッジ８ｂ上に設け
た溝、１５はｐ形ＧａＡｓ電流ブロック層である。
次にその製造工程について説明する。
まず、第２図に示すように、リッジ８ｂ上に溝９を形成
した基板１上にｐ形ＡＪＧａＡｓクラッド層２を液相成
長させる。すると、リッジ８ａ上でその幅はやや拡がる
ものの平坦なｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド層２ａが成長す
る。他方、リッジ８ｂ上の溝９の部分には周囲のｐ形Ａ
ＪＧａＡｓクラッド１．１２に比へてやや窪んだ状態で
ｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド層２ｂが成長する。次に、ｐ
形Ａｊ’ＧａＡｓ活性層３を成長させると、リッジ８ａ
では、前述しｔニリッジ効果によりｐ形ＡＮＧａＡｓ活
性層３ａを薄い厚さで成長させることができる。またリ
ッジ８ｂ上ではｐ形ＡＩ！ＧａＡｓクラッド層２ｂによ
って形成された窪みを埋め込むように成長し、その結果
この部分の厚さが厚くなる。以後順次各層を成長させる
ことにより半導体レーザ装置が形成される。
このようにこの発明では、ｐ形Ａ　Ｉ　Ｇ　ａＡ　ｓ活
性ｊΔ３の成長において、端面部ではリッレ効実現象。
素子内部では溝効実現象と２つの現象を利用しているの
で、リッジ形状（リップ幅、リッジ高さ）と溝形状（溝
幅、溝深さ）をそれぞれ調整することにより、リッジ８
ａのｐ形Ａｊ＋ＧａＡｓ活性層３ａとリップ８ｂ上のｐ
形Ａｔ！ＧａＡｓ活性層３ｂとを独立して膜厚制御する
ことができる。例えば、リッジ幅２０μｍ、リッジ高さ
２μｍ、溝幅７μｍ。
溝深さ２μｍとすることによって、リツ’＞　８　ａ上
のｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層３ａが０．０４μｍ以下。
溝９のｐ形Ａｔ！ＧａＡｓ活性層３ｂが０．０６μｍと
、再現性よく一厚制御することができる。その結果、素
子内部でのｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層３ｂが０．０６μｍ
と比較的厚いため、４０〜５０　ｍ　Ａの低い（７きい
値電流が確保されろとともに、リッジ８ａ上のｐ形Ａｌ
ｌＧａＡｓ活性層３ａは０．０４μｍ以下と薄いため、
光のしみ出し効果により６０℃、３０ｍＷの高温高出力
の連続動作が実現でき　を二　。
なお、上記実施例では、水平横モードはロスガイ１ζ全
用いた方法で制御する構造を示した°が、これには他の
あらゆる屈折率導波型および利得導波型Ｌ’−ザ構造ｆ
ｅ適用させろことも可能である。
また成長方法では、ｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド層２ｙ　
ｐ形ＡＪＧａＡｓ活性層３のみを液相成長して埋め込め
れば、その他の層は他の成長方法を用いてもよいつ さらに、上記実施例では、端面部のリッジ８ａ上には溝
のない基板１を用いた場合について説明１７なが、第４
図に示すような従来の高出力半導体レーザ装置に６、第
３図に示すようにリッジ８ａ。
８ｂ上に溝１０を有する基板１を用いることにより、こ
の発明を適用できることはいうまでもない。
またさらにこの発明においては、Ａｔ’ＧａＡｓ系の材
料を用いた半導体レーザ装置を例にとり説明したが、他
のＮ−Ｖ族および■−■族等多元混晶を用いた半導体レ
ーザ装置に適用できる乙とはいうまでもない。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、幅の広いリッジ上に；
１１１￥′を設けた後、幅の狭いす・フジ上および幅の
広いリッジ上にクラッド層および活性層を順次成長させ
る工程を含むので、レーザ光出射端面近傍の半導体基板
上での活性層の厚さが素子内部の半導体基板上での活性
層の厚さよりも薄い構造の高出力半導体し・−ザ装置を
歩留りよく容易に得ろことができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例による半導体レーザ装置の構造を示す斜視図、第２
図、第３図はこの発明における基板を示す斜視図、第４
図は従来の高出力半導体レーザ装置の構造を示す図、第
５図はリップ形成した基板上にエビタキンヤル成長させ
た場合の一例を示す断面図、第６図は従来の半導体レー
ザ装置の基板を示す斜視図である。 図において、１は基板、２，２ａ、２ｂはｐ形ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、３，３ａ、３ｂ１．ｔｐ形Ａｔ！Ｇａ
Ａｓ活性層、４はｎ形ＡＪＧａＡｓクラッド層、６ば上
側埋込み用ｎ形ＡｌＧａＡｓクラッド層、７はｎ形Ｇａ
Ａｓコンタクト層、８ａ、９ｂはリッジ、９，１０は溝
、１５はｐ形ＧａＡｓ電流ブロック層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光出射端面近傍の半導体基板上に幅の狭いリッジ
    を、素子内部の半導体基板上に幅の広いリッジを有し、
    前記幅の狭いリッジ上の活性層の厚さが前記幅の広いリ
    ッジ上の活性層の厚さよりも薄い構造の半導体レーザ装
    置の製造方法において、前記幅の広いリッジ上に溝を設
    けた後、前記幅の狭いリッジ上および幅の広いリッジ上
    にクラッド層および活性層を順次成長させる工程を含む
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
JP61126505A 1986-05-31 1986-05-31 半導体レ−ザ装置の製造方法 Pending JPS62283685A (ja)

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US07/273,393 US4946802A (en) 1986-05-31 1988-11-18 Semiconductor laser device fabricating method

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206185A (en) * 1988-12-29 1993-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
US5336635A (en) * 1992-06-24 1994-08-09 Fujitsu Limited Manufacturing method of semiconductor laser of patterned-substrate type
US5474954A (en) * 1994-03-30 1995-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser diode using self alignment

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5202285A (en) * 1990-04-26 1993-04-13 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same
US5255281A (en) * 1990-04-26 1993-10-19 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure
EP0454476A3 (en) * 1990-04-26 1992-04-01 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same
JPH07226566A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Nec Corp 量子井戸半導体レーザおよびその製造方法
US6499888B1 (en) 1999-12-20 2002-12-31 Corning Lasertron, Inc. Wide ridge pump laser
US6375364B1 (en) 2000-01-06 2002-04-23 Corning Lasertron, Inc. Back facet flared ridge for pump laser
JP2001244560A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
EP1282208A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-05 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Semiconductor laser structure and method of manufacturing same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140774A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ
JPS60150682A (ja) * 1984-01-17 1985-08-08 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
CA1267713A (en) * 1985-10-25 1990-04-10 Ken Hamada Semiconductor laser device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206185A (en) * 1988-12-29 1993-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
US5336635A (en) * 1992-06-24 1994-08-09 Fujitsu Limited Manufacturing method of semiconductor laser of patterned-substrate type
US5474954A (en) * 1994-03-30 1995-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser diode using self alignment

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