JPS60140774A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60140774A JPS60140774A JP24517683A JP24517683A JPS60140774A JP S60140774 A JPS60140774 A JP S60140774A JP 24517683 A JP24517683 A JP 24517683A JP 24517683 A JP24517683 A JP 24517683A JP S60140774 A JPS60140774 A JP S60140774A
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- Japan
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- layer
- resonator
- substrate
- semiconductor laser
- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の屈する技術分野］
本発明は半導体レーザに関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
半導体レーザを光情報処理用光源として使用する場合、
半導体レーザの共振器から射出された光が、外部光学系
により反射され、再瓜共振器へ帰還されるために１１音
（以下反射７１１音と呼ぶ）が生ずる。反射箱γ１を低
減する手段として崖）９体レーザをコヒーレント長の短
い縦モード多軸発振状態で動作させる方法が一般に知ら
れている。
半導体レーザの共振器から射出された光が、外部光学系
により反射され、再瓜共振器へ帰還されるために１１音
（以下反射７１１音と呼ぶ）が生ずる。反射箱γ１を低
減する手段として崖）９体レーザをコヒーレント長の短
い縦モード多軸発振状態で動作させる方法が一般に知ら
れている。
第１図に再現性よく縦モード多軸発振する一例の半導体
レーザの断面図を示す。ｎ−ＱａΔＳ塁板上１にｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓからなる第１クラツド層２．ＧａＡｌＡｓか
らなる活性層３． ｐ−ＧａＡｌＡｓからなる第２クラ
ツド層、！１，１ｌ−ＧａΔＳからなるオーミック層５
を順次エビタキシャル成長し、Ａ−ミンク層５は−［ピ
タギシャル成長後、発光部の上部Ｊメ外を除去する。電
流狭窄は自然酸化膜６により行なう。その後］）側電極
７およびｎ側電極８を形成する。
レーザの断面図を示す。ｎ−ＱａΔＳ塁板上１にｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓからなる第１クラツド層２．ＧａＡｌＡｓか
らなる活性層３． ｐ−ＧａＡｌＡｓからなる第２クラ
ツド層、！１，１ｌ−ＧａΔＳからなるオーミック層５
を順次エビタキシャル成長し、Ａ−ミンク層５は−［ピ
タギシャル成長後、発光部の上部Ｊメ外を除去する。電
流狭窄は自然酸化膜６により行なう。その後］）側電極
７およびｎ側電極８を形成する。
上記構造を右する半導体レーザ９では、活性層３に対し
平行方向に屈折率分布をＹｌざない為、共振器内をレー
ザ発振光は利得導波により導波される。
平行方向に屈折率分布をＹｌざない為、共振器内をレー
ザ発振光は利得導波により導波される。
その結果、半導体レーザは縦モード多軸発振状態どなり
易い。しかしながら利得ｉｇ波により導波されるレーザ
発振光の等位相面が平面でないため半導体レーザから放
射される光も波面収差をもつ。
易い。しかしながら利得ｉｇ波により導波されるレーザ
発振光の等位相面が平面でないため半導体レーザから放
射される光も波面収差をもつ。
この波面収差はシー１１発振光を外部光学系で微小スポ
ットに絞る際の防げとなり、情報処理用光源として用い
るためには外部光学系により波面収差を補正する必要が
あり、外部光学系が複雑になる欠点がある。
ットに絞る際の防げとなり、情報処理用光源として用い
るためには外部光学系により波面収差を補正する必要が
あり、外部光学系が複雑になる欠点がある。
上記欠点を補正した半導体レーザとして、特開昭５５−
１４１７７８号公報に記載されている半導体レーザの斜
視図を第２図に示刀。共振器端面近傍の断面（第２図△
−Ａ線）を第３図に示す。また共振器中央部の断面を（
第２図１３−Ｂ線）を第４図に示す。この半導体レーザ
は、第５図に示すようにｎ−ＧａＡｓ１ｔ板１０−１−
に段ｚ２を’）＋−Ｊ、次にＴピタキシャル成長法を用
いて、ｎ−ＧａＡｌＡｓからなる第１クラッド層１１、
ＧａＡｌＡｓからなる活性層１２、ｐ−ＧａＡｌＡｓか
らなる第２クラッド層１３、ｐ−ＱａＡｓからなるＡ−
ミックＦ’＋１４、ｎ−ＧａＡｌＡｓからなるヘテロ・
アイソレーション層１５を成長し、電流注入用のストラ
イブ満１にをヘテル・アイソレーション層１５−Ｌに基
板ｉｏ＋、：ＨΩ【Ｊられた満１７の対応して形成する
。その後、ｎ側電極１８、ｎ側電極１９を形成］ノでな
る。電流をス１へライプｔｉ’ｓ１６から注入すると、
共振器中央部に４３いては第４図に示すように、レーザ
発振光は活性層１２に対して平行方向に屈折率の変化を
右さないため、前述の半導体レーザと同じ（利得導波に
より導波される。しかしながら共振器端面近傍では第３
図に示すようにＧａ Ａｓ Ｗ板１０に満１７があるた
め、活性層に対して平行方向において、満１７上部以外
のレーザ発振光はＧａ ＡＳに吸収されやすく、等価的
に屈折率導波により導波される。その結果共振器端面よ
り、波面収差が前述の半導体レーザよりし少ないシー９
９発振光を放ｑ」さＶることができる。
１４１７７８号公報に記載されている半導体レーザの斜
視図を第２図に示刀。共振器端面近傍の断面（第２図△
−Ａ線）を第３図に示す。また共振器中央部の断面を（
第２図１３−Ｂ線）を第４図に示す。この半導体レーザ
は、第５図に示すようにｎ−ＧａＡｓ１ｔ板１０−１−
に段ｚ２を’）＋−Ｊ、次にＴピタキシャル成長法を用
いて、ｎ−ＧａＡｌＡｓからなる第１クラッド層１１、
ＧａＡｌＡｓからなる活性層１２、ｐ−ＧａＡｌＡｓか
らなる第２クラッド層１３、ｐ−ＱａＡｓからなるＡ−
ミックＦ’＋１４、ｎ−ＧａＡｌＡｓからなるヘテロ・
アイソレーション層１５を成長し、電流注入用のストラ
イブ満１にをヘテル・アイソレーション層１５−Ｌに基
板ｉｏ＋、：ＨΩ【Ｊられた満１７の対応して形成する
。その後、ｎ側電極１８、ｎ側電極１９を形成］ノでな
る。電流をス１へライプｔｉ’ｓ１６から注入すると、
共振器中央部に４３いては第４図に示すように、レーザ
発振光は活性層１２に対して平行方向に屈折率の変化を
右さないため、前述の半導体レーザと同じ（利得導波に
より導波される。しかしながら共振器端面近傍では第３
図に示すようにＧａ Ａｓ Ｗ板１０に満１７があるた
め、活性層に対して平行方向において、満１７上部以外
のレーザ発振光はＧａ ＡＳに吸収されやすく、等価的
に屈折率導波により導波される。その結果共振器端面よ
り、波面収差が前述の半導体レーザよりし少ないシー９
９発振光を放ｑ」さＶることができる。
しかしながら基板上の溝１７と電流注入用のストライブ
溝１６の位置を合せて形成することは製作上困難であり
、歩留りが低下する欠点がある。また、活性層成長後の
工程が内部ストライブ型レーザに比べて複雑であるため
に、信頼性に関して内部ストライブ型レーザに比べて劣
る欠点がある。
溝１６の位置を合せて形成することは製作上困難であり
、歩留りが低下する欠点がある。また、活性層成長後の
工程が内部ストライブ型レーザに比べて複雑であるため
に、信頼性に関して内部ストライブ型レーザに比べて劣
る欠点がある。
［発明の目的］
この発明の目的は、高出力動作において、安定な単−横
モード、縦モード多軸発振を行ない、かつ波面収差の少
ないレーザ発振光を放射する半導体レーザを提供するこ
とである。
モード、縦モード多軸発振を行ない、かつ波面収差の少
ないレーザ発振光を放射する半導体レーザを提供するこ
とである。
［発明の概要］
本発明は、特に内部ストライブ型の半導体レーザにおい
て、半導体基板ど平行な方向の光導波が共振器端面の少
なくとも一方の近傍において屈折率導波によってなされ
、中央部においては利得導波によってなされている。
て、半導体基板ど平行な方向の光導波が共振器端面の少
なくとも一方の近傍において屈折率導波によってなされ
、中央部においては利得導波によってなされている。
［発明の実施例１
以下本発明を実施例にしたがって図面を参照して説明す
る。
る。
第６図に示Ｊように、（１００） ｐ−Ｇａ Ａｓ 基
板２０の四隅及び中央部に四部５０．５１を設ける。四
隅の四部は例えば深さ０．６３＋ｍ 、中央部では０，
３ＪＩｎｌ、また中央部の四部の幅ｎは約１５ノ＋ｍで
ある。この後第７図に示すように、基板上にｎ−ＧａＡ
ｓからなる電流阻止層２１を成長する。その際、ｌｉ板
形状と同じ形状を電流阻止層に形成する為に、成長速度
が基板の形状に無関係に均′ｉＱである分子線成長法、
もしくは気相成長法を用いる。ざらに電流１１止層２１
を０通する幅約３３ｖのストライブ満６０を形成する。
板２０の四隅及び中央部に四部５０．５１を設ける。四
隅の四部は例えば深さ０．６３＋ｍ 、中央部では０，
３ＪＩｎｌ、また中央部の四部の幅ｎは約１５ノ＋ｍで
ある。この後第７図に示すように、基板上にｎ−ＧａＡ
ｓからなる電流阻止層２１を成長する。その際、ｌｉ板
形状と同じ形状を電流阻止層に形成する為に、成長速度
が基板の形状に無関係に均′ｉＱである分子線成長法、
もしくは気相成長法を用いる。ざらに電流１１止層２１
を０通する幅約３３ｖのストライブ満６０を形成する。
上述の加工を施した基板上に、第８図に示すように、ｐ
−ＧａＡｌＡｓからイｆる第１クラッド層２２、Ｇａ
ＡＩ Ａｓからなる活（’ｌ 尼ｉ ２３、ｎ−Ｇ１１
ΔｌΔｓ７１＋３なる第２クラッド層２４、ｎ−ＧａＡ
ｓからなるＡ−ミック層２５を液相Ｉ＆長法にＪ、り成
Ｉ（し、さらにｎ側電極２Ｇ、ｎ側電極２７を形成する
。
−ＧａＡｌＡｓからイｆる第１クラッド層２２、Ｇａ
ＡＩ Ａｓからなる活（’ｌ 尼ｉ ２３、ｎ−Ｇ１１
ΔｌΔｓ７１＋３なる第２クラッド層２４、ｎ−ＧａＡ
ｓからなるＡ−ミック層２５を液相Ｉ＆長法にＪ、り成
Ｉ（し、さらにｎ側電極２Ｇ、ｎ側電極２７を形成する
。
共振器端面近傍の断面（第８図へ−へ線断面）を第９図
に承り。また共振器中央部の断面を（第８図Ｂ−Ｂ線断
面）を第１０図に示す。上述構造を有Ｊる半導体レーザ
ではＪｔ振器中央部において第１０図に示すように発光
部に当るストライプ溝上部及び満近傍の」一部で第１４
の厚さが（１）が００句１ｍ以上に形成されているため
に、利得導波にＪ：り導波される。その結果半導体レー
ザは反射雑音の少ない、縦モード多軸発振状態で動作す
る。また共振器端面近傍において第９図に示すように、
発光部にあたるストライプ溝上部の近傍の第１クラッド
層２２の厚さく ｋ）は０１０１ｍ以下に形成されてい
るために、Ｇａ ＡＳ Ｗ板の光の吸収作用の影響を受
けレーザ発振光は等価的に屈折率導波により導波される
。その結果、共振器端面から情報処理用光源として右利
な、波面収差の少ないレーザ発振光が放射される。
に承り。また共振器中央部の断面を（第８図Ｂ−Ｂ線断
面）を第１０図に示す。上述構造を有Ｊる半導体レーザ
ではＪｔ振器中央部において第１０図に示すように発光
部に当るストライプ溝上部及び満近傍の」一部で第１４
の厚さが（１）が００句１ｍ以上に形成されているため
に、利得導波にＪ：り導波される。その結果半導体レー
ザは反射雑音の少ない、縦モード多軸発振状態で動作す
る。また共振器端面近傍において第９図に示すように、
発光部にあたるストライプ溝上部の近傍の第１クラッド
層２２の厚さく ｋ）は０１０１ｍ以下に形成されてい
るために、Ｇａ ＡＳ Ｗ板の光の吸収作用の影響を受
けレーザ発振光は等価的に屈折率導波により導波される
。その結果、共振器端面から情報処理用光源として右利
な、波面収差の少ないレーザ発振光が放射される。
上述構造を有する半導体レーザではＪ（振器中央部の利
１１１導波領域と共振器端面近傍の屈折率導波領域の結
合効率を高めるために、それぞれの活１（１層の高さ方
向の位置を一致させることが必要である。そのためには
、第１クラッド層の１−面の位置を一致させる必要があ
る。液相成長は結晶面の異方性により凸部の側面程成長
が速く、凸部の上部では成長速度が遅い性質がある。従
って、第７図に示す」：うに凹部５１をＪ（振器端面近
傍に設（Ｊることにより、発光部にあたるストライプ溝
上部の近傍の第１クラツド庖２２の成長速度を遅くし、
また利得ン！ζ波領域の両側に凸部４８を設けることに
より、利）！７カ波領域にあたるストライプ溝上部近傍
の第１クラッド層２２の成長速度を増加させることがで
きる。その結果、利得導波領域と屈折′ｗ−導波領域の
結合効率の高い構造、いわば第１クラッド層上面の位置
を共振器中央部と共振器端面で一致させた状態で共振器
端面近傍において発光部にあたるストライプ溝上部の近
傍の第１クラッド層の厚さく第９図中（ｋ））を０，４
ＪＪｍ以下にできる。
１１１導波領域と共振器端面近傍の屈折率導波領域の結
合効率を高めるために、それぞれの活１（１層の高さ方
向の位置を一致させることが必要である。そのためには
、第１クラッド層の１−面の位置を一致させる必要があ
る。液相成長は結晶面の異方性により凸部の側面程成長
が速く、凸部の上部では成長速度が遅い性質がある。従
って、第７図に示す」：うに凹部５１をＪ（振器端面近
傍に設（Ｊることにより、発光部にあたるストライプ溝
上部の近傍の第１クラツド庖２２の成長速度を遅くし、
また利得ン！ζ波領域の両側に凸部４８を設けることに
より、利）！７カ波領域にあたるストライプ溝上部近傍
の第１クラッド層２２の成長速度を増加させることがで
きる。その結果、利得導波領域と屈折′ｗ−導波領域の
結合効率の高い構造、いわば第１クラッド層上面の位置
を共振器中央部と共振器端面で一致させた状態で共振器
端面近傍において発光部にあたるストライプ溝上部の近
傍の第１クラッド層の厚さく第９図中（ｋ））を０，４
ＪＪｍ以下にできる。
以」：のように本発明の１ノーザでは内部ストライプ構
造を採用しているため、特開昭５５−１４１７７８号公
報に記載された半導体レーデに比べ、活性層を成長した
後の工程が少ないので高い歩留りと高い信頼性を得るこ
とかできる。また共振器中央部では、利得導波にＪ：り
導波されるため、反射雑音の少ない縦モード多軸発振を
行ない、かつ出射端面近傍では利得導波されるために波
面収差の少ないレーク“発振光が放出される。
造を採用しているため、特開昭５５−１４１７７８号公
報に記載された半導体レーデに比べ、活性層を成長した
後の工程が少ないので高い歩留りと高い信頼性を得るこ
とかできる。また共振器中央部では、利得導波にＪ：り
導波されるため、反射雑音の少ない縦モード多軸発振を
行ない、かつ出射端面近傍では利得導波されるために波
面収差の少ないレーク“発振光が放出される。
［発明の効果］
光情報処理用光源として有望な内部ストライプ型レーザ
において、高出力動作時に横車−モード、反則雑音の少
ない縦モード多軸発振を行ない、波面収差の小さく、か
つ高信頼性の半導体レーザを歩留りよく提供できる。
において、高出力動作時に横車−モード、反則雑音の少
ない縦モード多軸発振を行ない、波面収差の小さく、か
つ高信頼性の半導体レーザを歩留りよく提供できる。
［発明の他の実施例１
（１） 半導体基板２８の表面形状は第１１図に示すよ
うに、共振器端面近傍に凸部を有する形成としてもＪ：
り、電流阻止層２９を形成した後、基板に達するストラ
イプ状溝５５を形成する。この後第１２図に示すように
、電流阻止層２９上にｐ−ＧａＡｌＡｓからなる第１ク
ラッド層３０を十分な厚さに成長すれば、第１クラッド
層」−面を平担にできる。
うに、共振器端面近傍に凸部を有する形成としてもＪ：
り、電流阻止層２９を形成した後、基板に達するストラ
イプ状溝５５を形成する。この後第１２図に示すように
、電流阻止層２９上にｐ−ＧａＡｌＡｓからなる第１ク
ラッド層３０を十分な厚さに成長すれば、第１クラッド
層」−面を平担にできる。
さらにＧａＡｌＡｓからなる活性層３１、ｎ−ＱａＡＩ
Ａｓからなる第２クラッド層３２、ｎ−ＧａＡｓから
なるオーミック層３３を順次液相成長させる。
Ａｓからなる第２クラッド層３２、ｎ−ＧａＡｓから
なるオーミック層３３を順次液相成長させる。
この実施例では、共振器端面近傍において第１３図（第
１２図Ａ−Ａ線）で示すように発光部にあたるストライ
プ満近傍の第１クラッド層の厚さくｎ＋）は０．４１１
ｍ以上になりやす（、その結果シー１１光発振光はＧａ
ＡＳ基板の光の吸収作用を影響を受けにくく、等価的な
屈折率の効果が少なくなり上）小の実施例と比べて波面
収差は大ぎくなり易い。しかし、特開昭５１−１４１７
７８号公報に記載されたものに比べ製造が容易どなる。
１２図Ａ−Ａ線）で示すように発光部にあたるストライ
プ満近傍の第１クラッド層の厚さくｎ＋）は０．４１１
ｍ以上になりやす（、その結果シー１１光発振光はＧａ
ＡＳ基板の光の吸収作用を影響を受けにくく、等価的な
屈折率の効果が少なくなり上）小の実施例と比べて波面
収差は大ぎくなり易い。しかし、特開昭５１−１４１７
７８号公報に記載されたものに比べ製造が容易どなる。
（２） 第７図で示す基板上に、第１４図に示すにうに
、＋１−ＧａＡｌＡｓからなる第１クラッド層３６とＧ
ａ ＡＩ Ａｓからなる活性層３８の間に第１クラッド
層よりちＡ１の濃度の高いｐ−ＧａＡｌＡｓ層からなる
先導波層３１を成長し、さらにｎ側電極４１、ｎ側電極
４２を形成した構造のものにおいても、縦モード多軸発
振をおこない、かつ波面収差の少ないレーザが得られる
。
、＋１−ＧａＡｌＡｓからなる第１クラッド層３６とＧ
ａ ＡＩ Ａｓからなる活性層３８の間に第１クラッド
層よりちＡ１の濃度の高いｐ−ＧａＡｌＡｓ層からなる
先導波層３１を成長し、さらにｎ側電極４１、ｎ側電極
４２を形成した構造のものにおいても、縦モード多軸発
振をおこない、かつ波面収差の少ないレーザが得られる
。
共振器中央部の断面（第１４図１３−Ｂ線）を第１６図
に示ず。また」し振器端面近傍の断面（第１４図Δ−Ａ
線）を第１５図に示づ゛。この構造を有する半導イホレ
ーザにおいて共振器の中央部では第１Ｇ図に示すように
ストライブ溝上における先導波３７の厚みの変化が小さ
く、レーザ発振光は利得導波される。その結果半導体レ
ーク”は反射雑音の少ない縦モード多軸発振状態で動作
を行なう。
に示ず。また」し振器端面近傍の断面（第１４図Δ−Ａ
線）を第１５図に示づ゛。この構造を有する半導イホレ
ーザにおいて共振器の中央部では第１Ｇ図に示すように
ストライブ溝上における先導波３７の厚みの変化が小さ
く、レーザ発振光は利得導波される。その結果半導体レ
ーク”は反射雑音の少ない縦モード多軸発振状態で動作
を行なう。
また共振器端面近傍において第１５図に示ずように、ス
トライプ溝上部において先優波層３７の厚みの変化が太
き（，１ノーザ発振光は屈折率導波で導波される。その
結果、共振器端面から放射されるレーザ発振光の波面収
差は小さい。さらに先導波層３７があるためにレーク“
発振光の遠視野像も等方向な、光情報処理用光源として
適した半導体レーザをえられる。
トライプ溝上部において先優波層３７の厚みの変化が太
き（，１ノーザ発振光は屈折率導波で導波される。その
結果、共振器端面から放射されるレーザ発振光の波面収
差は小さい。さらに先導波層３７があるためにレーク“
発振光の遠視野像も等方向な、光情報処理用光源として
適した半導体レーザをえられる。
（３＞−に連の実施例では第７図に示す基板形状の半導
体レーザについて説明したが、以下に示づ一基板形状で
もよい。
体レーザについて説明したが、以下に示づ一基板形状で
もよい。
（Ａ＞ 第１７図に示づように、外部光学系にレーザ光
を供給する端面近傍のみに段差がある基板。
を供給する端面近傍のみに段差がある基板。
（Ｂ） 第１８図に示η゛ように、平坦な１）−ＧａＡ
５基板上にｎ−ＱａΔＳによる電流閉止層を成長した後
、第７図と同様な形状にエツチング除去した基板。
５基板上にｎ−ＱａΔＳによる電流閉止層を成長した後
、第７図と同様な形状にエツチング除去した基板。
（Ｃ） 第１９図に示すように利得導波領域を速くうめ
るための凸部４９の高さをさらに高くし、を液相成長覆
る際、共振器端面近傍の溝形状の変化を倹形を防ぐ！ζ
めのｎ−Ｑａ△１△Ｓからなる変形防止層４５及びｎ−
ＱａＡｓからなる酸化防止膜４６を右する基板。
るための凸部４９の高さをさらに高くし、を液相成長覆
る際、共振器端面近傍の溝形状の変化を倹形を防ぐ！ζ
めのｎ−Ｑａ△１△Ｓからなる変形防止層４５及びｎ−
ＱａＡｓからなる酸化防止膜４６を右する基板。
（Ｅ） 第７図においては、共振器中央部の利得導波領
域用の四部５ｏを、共振器端面近傍の屈折率導波領域の
ｊ＆長速Ｉαをｉｌ＜１６四部５１の高さより高い形状
の基板で、本発明を説明したが、凹部５０を凹部５１よ
りも低い形状どしてもよい。
域用の四部５ｏを、共振器端面近傍の屈折率導波領域の
ｊ＆長速Ｉαをｉｌ＜１６四部５１の高さより高い形状
の基板で、本発明を説明したが、凹部５０を凹部５１よ
りも低い形状どしてもよい。
〈４）本発明はＱａ Ａｓ 、Ｇａ ＡＩ Ａｓを用い
る半導体レーザで説明したがＣａΔｌ Ａｓ 、 Ｇａ
１１）ＡＳＰ等の他の半導体を用いた半う９休レーザに
も適用できる。
る半導体レーザで説明したがＣａΔｌ Ａｓ 、 Ｇａ
１１）ＡＳＰ等の他の半導体を用いた半う９休レーザに
も適用できる。
第１図は従来技術の半導体レーザの断面図、第２図は他
の従来技術の半導体レーザの断面図、第３図は第２図Ａ
−Ａでの段面図、第４図は第２図Ｂ−Ｂでの断面図、第
５図は第２図に示される半導体レーザを作成するとぎに
用いる基板の斜視図、第６図は本発明の半導体レーザを
作成する除用いる基板の斜視図、第７図は第６図に示す
基板に電流阻止層を成長し、さらにストライブ溝を形成
した基板の斜視図、第８図は本発明の半導体レーザの斜
視図、第９図は第８図Ａ−△での断面図、第１０図は第
８図ｌｌ−１３での断面図、第１１図は他の実施例に使
用される基板の斜視図、第１２図は第１１図に示寸基板
の上に成長した半導体レーザの斜視図、第１３図は第１
２図Ａ−Δでの断面図、第１４図は本発明の他の実施例
の半導体１ノーザを示ず図、第１５図代理人弁理士 則
近 惠 佑〈他−名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 第 ６ Ｈ 第 ７ 図 第 ９ 図 第 １０図 第 １１ 図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１０図 第１７図 第１０図 第２０図
の従来技術の半導体レーザの断面図、第３図は第２図Ａ
−Ａでの段面図、第４図は第２図Ｂ−Ｂでの断面図、第
５図は第２図に示される半導体レーザを作成するとぎに
用いる基板の斜視図、第６図は本発明の半導体レーザを
作成する除用いる基板の斜視図、第７図は第６図に示す
基板に電流阻止層を成長し、さらにストライブ溝を形成
した基板の斜視図、第８図は本発明の半導体レーザの斜
視図、第９図は第８図Ａ−△での断面図、第１０図は第
８図ｌｌ−１３での断面図、第１１図は他の実施例に使
用される基板の斜視図、第１２図は第１１図に示寸基板
の上に成長した半導体レーザの斜視図、第１３図は第１
２図Ａ−Δでの断面図、第１４図は本発明の他の実施例
の半導体１ノーザを示ず図、第１５図代理人弁理士 則
近 惠 佑〈他−名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 第 ６ Ｈ 第 ７ 図 第 ９ 図 第 １０図 第 １１ 図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１０図 第１７図 第１０図 第２０図
Claims (4)
- （１） 半導体基板上にストライブ状の窓を右する電流
閉止層及び活性層をｆｔ１層１ノでなる半導体レーザに
おいて、半導体基板と平行な方向の先導波が共振器端面
の少なくとも一方の近傍において屈折率導波によってな
され、中央においては利１！？導波によってなされてい
ることを特徴とする半）９体レーザ。 - （２）前記半導体基板は、前記屈折率導波を行なう領域
でその表面が、前記利得導波を行なう領域の表面よりも
突出していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体レーザ。 - （３）前記半導体基板は、前記屈折率導波を行なう領域
の近傍でこの領域よりも凹んだ領域を右することを特徴
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （４）前記半導体基板は、前記利得導波を行なう領域の
近傍でこの領域よりも突出１ノだｆｔ域を有Ｊることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導イホレーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24517683A JPS60140774A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24517683A JPS60140774A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140774A true JPS60140774A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17129736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24517683A Pending JPS60140774A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3736497A1 (de) * | 1986-10-29 | 1988-05-05 | Seiko Epson Corp | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
| US4813050A (en) * | 1986-05-31 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4946802A (en) * | 1986-05-31 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device fabricating method |
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24517683A patent/JPS60140774A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4813050A (en) * | 1986-05-31 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4946802A (en) * | 1986-05-31 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device fabricating method |
| DE3736497A1 (de) * | 1986-10-29 | 1988-05-05 | Seiko Epson Corp | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
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