JPS63164290A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63164290A JPS63164290A JP31510186A JP31510186A JPS63164290A JP S63164290 A JPS63164290 A JP S63164290A JP 31510186 A JP31510186 A JP 31510186A JP 31510186 A JP31510186 A JP 31510186A JP S63164290 A JPS63164290 A JP S63164290A
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- layer
- cladding layer
- refractive index
- light guide
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、非点収差を小さくした半導体し・−ザ装置
に関するものである。
に関するものである。
第2図は従来の半導体レーザ装置の一例の構造を示す断
面図であり、この図において、1はi型(以下n−と略
す) GaAs基板、2は前記n −Ga人s基板1上
に設けたn ’e 1).4scao、 ss^S第
1クラッド層、3は前記n Al 6.4.Ga0.
1,5As第1クラッド層2上に設けたp型(以下p−
と略す)入t! 0.15Ga6.5sAs活性層、4
は前記p−Al o、 ts o、 、5As活性層
3a 上に設けたストライプ状の台形部分を有するp−人i
o、 4%ca1). SSA!l第2クラッド層、5
は前記p−^j 1).4scao、 5sAs第2ク
ラッド層4のストライプ状の台形部分上に設けたp−G
aAsコンタクト層、6はI) Alo、 4ScaO
,@gAs第2クラッド層4の平坦部分上に設けたn−
GaAs電流阻止層、7は前記p −GaAsコンタク
ト層5のみにストライプ状の穴をljHけたSiO□絶
縁膜、8はp側電極、9ばn側電極、10は台形部分に
より構成され22999部分である。
面図であり、この図において、1はi型(以下n−と略
す) GaAs基板、2は前記n −Ga人s基板1上
に設けたn ’e 1).4scao、 ss^S第
1クラッド層、3は前記n Al 6.4.Ga0.
1,5As第1クラッド層2上に設けたp型(以下p−
と略す)入t! 0.15Ga6.5sAs活性層、4
は前記p−Al o、 ts o、 、5As活性層
3a 上に設けたストライプ状の台形部分を有するp−人i
o、 4%ca1). SSA!l第2クラッド層、5
は前記p−^j 1).4scao、 5sAs第2ク
ラッド層4のストライプ状の台形部分上に設けたp−G
aAsコンタクト層、6はI) Alo、 4ScaO
,@gAs第2クラッド層4の平坦部分上に設けたn−
GaAs電流阻止層、7は前記p −GaAsコンタク
ト層5のみにストライプ状の穴をljHけたSiO□絶
縁膜、8はp側電極、9ばn側電極、10は台形部分に
より構成され22999部分である。
次に、このような従来の半導体レーザ装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
p側電極8とnQil電極9間にp側電極8が正になろ
ようなバイアスを印加すると、チップ表面に設けた5i
n2絶縁膜7に開けたス)・ライブ状の穴の部分より電
流がチップ内に流れ込む。リッジ部分10の左右の部分
は、p −GaASコンタク1−7&5゜n−GaAs
電流阻止層6およびP −Al o、 asG&o、
5sAs第2クラッド層4からpnp構造が構成されて
いるために電流は流れず、流れ込んだ電流はリッジ・部
分10のみに集中して流れろ1.乙のリッジ部分10直
下のP ’l o、 1@Ga6.@As活性層3にお
いて、注入された正孔と電子は再結合して光を放射する
。
ようなバイアスを印加すると、チップ表面に設けた5i
n2絶縁膜7に開けたス)・ライブ状の穴の部分より電
流がチップ内に流れ込む。リッジ部分10の左右の部分
は、p −GaASコンタク1−7&5゜n−GaAs
電流阻止層6およびP −Al o、 asG&o、
5sAs第2クラッド層4からpnp構造が構成されて
いるために電流は流れず、流れ込んだ電流はリッジ・部
分10のみに集中して流れろ1.乙のリッジ部分10直
下のP ’l o、 1@Ga6.@As活性層3にお
いて、注入された正孔と電子は再結合して光を放射する
。
チップに流す電流を増していくと、やがて誘導放出が始
まり、レーザ発振に至る。レーザ光はチップの上下方向
では、p、 Aj o、 l5ca1). iAs活性
層3゜n −Al o、 4scaO,5sAs第1ク
ラツドJWJ 2およびp−人10.4@cao、 s
@^S第2クラッド層4との間の実効的屈折率分布差に
より導波される。また、チップの左右方向の光の導波機
構は、リッジ部分1o以外のp−Al o、 45ca
1).5sAs第2クラッド層4の厚さが薄いときにζ
よ、n−GaAs電流阻止層6による光の吸収に起因す
るロスガイド型、また、その厚さが厚いときには、電流
の流れ方に起因するゲインガイド型である。J 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の半導体レーザ装置は、その導波機構
を制御するためにはリッジ部分10以外のp−Aj O
,4gGa(1,5sAs第2クラッド層4の厚さを精
密に制御することが必要であるため、再現性に乏しく、
また、ロスガイド型あるいはゲインガイド型の導波機構
であるため非点収差が最小でも数μm程度であるなどの
問題点があった。また、この構造では最大光出力を大き
くできに(いという問題点もあった。
まり、レーザ発振に至る。レーザ光はチップの上下方向
では、p、 Aj o、 l5ca1). iAs活性
層3゜n −Al o、 4scaO,5sAs第1ク
ラツドJWJ 2およびp−人10.4@cao、 s
@^S第2クラッド層4との間の実効的屈折率分布差に
より導波される。また、チップの左右方向の光の導波機
構は、リッジ部分1o以外のp−Al o、 45ca
1).5sAs第2クラッド層4の厚さが薄いときにζ
よ、n−GaAs電流阻止層6による光の吸収に起因す
るロスガイド型、また、その厚さが厚いときには、電流
の流れ方に起因するゲインガイド型である。J 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の半導体レーザ装置は、その導波機構
を制御するためにはリッジ部分10以外のp−Aj O
,4gGa(1,5sAs第2クラッド層4の厚さを精
密に制御することが必要であるため、再現性に乏しく、
また、ロスガイド型あるいはゲインガイド型の導波機構
であるため非点収差が最小でも数μm程度であるなどの
問題点があった。また、この構造では最大光出力を大き
くできに(いという問題点もあった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、非点収差が小さいうえ、光出力も大きくとる乙と
ができる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
ので、非点収差が小さいうえ、光出力も大きくとる乙と
ができる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
E問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板と、こ
の半導体基板上に設けた第1クラッド層と、この第1ク
ラッド層上に設けたふの屈折率が第1クラッド層より大
きく禁制帯幅が小さい活性層と、この活性層上に設けた
その屈折率が活性層」:す小さく禁制帯幅が大きい第2
クラッド層と、この第2クラッド層上に設けたその屈折
率が第2クラッド層より大きく活性層より小さいストラ
イプ状の光ガイド層と、この光ガイド層上に設けたその
屈折率が光分イド層より小さい第3クラッド層と、この
第3クラッド層上に設けたコンタクト層と、光ガイド層
の設けられていない第2クラッド1−上に設けたその屈
折率が光ガイド層より小さい電流限tl[とからhll
rAされる半導体レーザ装置であって、半導体基板、第
1クラッド層および電流阻止層を第1導電型、第2クラ
ツド層、光ガイド層、第3クラツド層、コンタクト層を
第2導電型としたものである。
の半導体基板上に設けた第1クラッド層と、この第1ク
ラッド層上に設けたふの屈折率が第1クラッド層より大
きく禁制帯幅が小さい活性層と、この活性層上に設けた
その屈折率が活性層」:す小さく禁制帯幅が大きい第2
クラッド層と、この第2クラッド層上に設けたその屈折
率が第2クラッド層より大きく活性層より小さいストラ
イプ状の光ガイド層と、この光ガイド層上に設けたその
屈折率が光分イド層より小さい第3クラッド層と、この
第3クラッド層上に設けたコンタクト層と、光ガイド層
の設けられていない第2クラッド1−上に設けたその屈
折率が光ガイド層より小さい電流限tl[とからhll
rAされる半導体レーザ装置であって、半導体基板、第
1クラッド層および電流阻止層を第1導電型、第2クラ
ツド層、光ガイド層、第3クラツド層、コンタクト層を
第2導電型としたものである。
この発明においては、ストライプ状の光ガイド層と電流
阻止層との両者間の実効的屈折率分布差による実効的屈
折率型導波路が形成され、また、ストライプ状の光ガイ
ド層と第2クラッド層および第3クラッド層との実効的
屈折率分布差によっても実効的屈折率型導波路が形成さ
れる。
阻止層との両者間の実効的屈折率分布差による実効的屈
折率型導波路が形成され、また、ストライプ状の光ガイ
ド層と第2クラッド層および第3クラッド層との実効的
屈折率分布差によっても実効的屈折率型導波路が形成さ
れる。
〔実施例」
第1図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
この図において、1)はn−Ga人s基板、12は前記
n (iaAs基板1)上に設けたn−Al 6.4
+3Ga6.5%A$第1クラッド層、13は前記n−
At’@、4sclLo、 SS人S第1クラッド層1
2上に設けたp −Aj 6.1gGa6.@@ks活
性眉、14は前記pAj o、 18cal+、 ss
人S活性層13−ヒに設けたp−^10. ascao
、 @@As第2クラッド層、21は前記p−^1)1
.41GIL@、 5sAs第2クラッド層14上に設
けたストライプ状のp−AlO8,。
n (iaAs基板1)上に設けたn−Al 6.4
+3Ga6.5%A$第1クラッド層、13は前記n−
At’@、4sclLo、 SS人S第1クラッド層1
2上に設けたp −Aj 6.1gGa6.@@ks活
性眉、14は前記pAj o、 18cal+、 ss
人S活性層13−ヒに設けたp−^10. ascao
、 @@As第2クラッド層、21は前記p−^1)1
.41GIL@、 5sAs第2クラッド層14上に設
けたストライプ状のp−AlO8,。
ca(1,16人S光ガイ ド層、22は前記p−人j
O,tocao、 s。
O,tocao、 s。
As光ガイド層21上に設けたp−人j O,1sca
e、 ss人S第3クラッド層、15は前記p−^j
0.4SGa6. S%^S第3クラッド層22上に設
けたp−Ga人Sコンタクト層、20はリッジ部分で、
p−^16.26G*(J、 lllAs光ガイド層2
1.p−八16.48cm0.5sAs第3クラッド層
22およびp−G1Asコンタクト層15により構成さ
れている。16はn−人l 04scao5s人S?i
流阻止層で、p −A l o、 asGao、 s、
、As第2クラ、フド層14上のりツリ部分20以外に
設けている。17は前記p−4;aAsコンタクト層1
5のみにストライプ状の穴を開けた5102絶縁膜、1
8は1)側電極、19はn側電極である。
e、 ss人S第3クラッド層、15は前記p−^j
0.4SGa6. S%^S第3クラッド層22上に設
けたp−Ga人Sコンタクト層、20はリッジ部分で、
p−^16.26G*(J、 lllAs光ガイド層2
1.p−八16.48cm0.5sAs第3クラッド層
22およびp−G1Asコンタクト層15により構成さ
れている。16はn−人l 04scao5s人S?i
流阻止層で、p −A l o、 asGao、 s、
、As第2クラ、フド層14上のりツリ部分20以外に
設けている。17は前記p−4;aAsコンタクト層1
5のみにストライプ状の穴を開けた5102絶縁膜、1
8は1)側電極、19はn側電極である。
次に、この発明の半導体レーザ装置の動作について説明
する。。
する。。
レーザ発振に至るまでのプロセス+、1従来例と同槌で
あり、発振したレーザ光は、p−人e0.2゜Ga、)
1.。
あり、発振したレーザ光は、p−人e0.2゜Ga、)
1.。
As光ガイド層21に導かれる。レーザ光はチップの上
下方向では、i) ’ A e o、 woGao、
、16As光ガイド層21とp −Al o、 asG
ao、 si人S第2クラッド層14およびp−A t
’ o、 4%ca1). ss人s第3クラッド層2
2との実効的屈折率分布差により導波され、また、チッ
プの左右力向ではp−AJ’@、2゜Ga6.。As光
ガイド層21とn −AZ 6.4SGa(、、@5A
st流阻止層゛16との間の実効的屈折率分布差により
導波されろ1.シたがって、チップより放出されるし・
−ザ光の非点収差はほぼOになる。
下方向では、i) ’ A e o、 woGao、
、16As光ガイド層21とp −Al o、 asG
ao、 si人S第2クラッド層14およびp−A t
’ o、 4%ca1). ss人s第3クラッド層2
2との実効的屈折率分布差により導波され、また、チッ
プの左右力向ではp−AJ’@、2゜Ga6.。As光
ガイド層21とn −AZ 6.4SGa(、、@5A
st流阻止層゛16との間の実効的屈折率分布差により
導波されろ1.シたがって、チップより放出されるし・
−ザ光の非点収差はほぼOになる。
また、リッジを形成する際にはAlO,鵞oGa6.1
6^s、 GaAsおよび^l o、 4@c’l(1
,5sAsとの間に大きなエツチング速度差のあるエツ
チング液、例えばNH。
6^s、 GaAsおよび^l o、 4@c’l(1
,5sAsとの間に大きなエツチング速度差のあるエツ
チング液、例えばNH。
OH系やKI−1,系などを用いてエツチングを施すと
、リッジ底面は、P −” o、 4@Gag、 5s
As第2クラッド層14とP −Al O,g6ca1
).5oks光ガイド層21との境界になるように再現
性よく制御できる。
、リッジ底面は、P −” o、 4@Gag、 5s
As第2クラッド層14とP −Al O,g6ca1
).5oks光ガイド層21との境界になるように再現
性よく制御できる。
また、レーザ光をp−^1 (1,1)1)G’l(1
,=。As光ガイド層21から外部に放射させるために
光のスポットサイズを大きくできるうえ、レーザ端面で
の光の吸収が小さくなるために、光出力を大きくとるこ
とができろ。
,=。As光ガイド層21から外部に放射させるために
光のスポットサイズを大きくできるうえ、レーザ端面で
の光の吸収が小さくなるために、光出力を大きくとるこ
とができろ。
なお、乙の発明の実施例では、第1クラッド層。
第2クラッド層および第3クラッド層をAlO,4AG
a(、、@@As、光ガイド層をAj o、 2oGa
61oAsから構成したが、第1クラツド層、第2クラ
ッド層および第3クラッド層をAl 、−xGa、As
、光ガイド層をAZ 、−。
a(、、@@As、光ガイド層をAj o、 2oGa
61oAsから構成したが、第1クラツド層、第2クラ
ッド層および第3クラッド層をAl 、−xGa、As
、光ガイド層をAZ 、−。
Ga、Asとした場合、X≦0.60. Z≧0.70
とすれば、発振レーザ光を光ガイド層に充分に閉じ込め
ることができる。
とすれば、発振レーザ光を光ガイド層に充分に閉じ込め
ることができる。
この発明1.を以上説明したとおり、半導体基板と、と
の゛ト導体基板上に設けた第1クラ・7ド層と、この第
1クク・ラド1d上に設けたその屈折率が第1クラッド
層より大きく禁制(1)幅が小さい活性層と、この活性
(d上に設けたその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅
が大きい第2クラッド層と、この第2クラツドjd上に
設けたその屈折率が第2クラッド層より大きく活性層よ
り小さいストライプ状の光ガイド層と、この光ガイド層
上に設けたその屈折率が光ガイド層より小さい第3クラ
ッド層と、この第3クラッド層上に設けたコンタク1一
層と、光ガイド層の設けられていない第2クラッド層上
に設けたその屈折率が光ガイド層より小さい電流阻止層
とから構成される半導体レーザ装置であって、半導体基
板、第1クラッド層および電流阻止層を第1導電型、第
2クラツド層、光ガイド層。
の゛ト導体基板上に設けた第1クラ・7ド層と、この第
1クク・ラド1d上に設けたその屈折率が第1クラッド
層より大きく禁制(1)幅が小さい活性層と、この活性
(d上に設けたその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅
が大きい第2クラッド層と、この第2クラツドjd上に
設けたその屈折率が第2クラッド層より大きく活性層よ
り小さいストライプ状の光ガイド層と、この光ガイド層
上に設けたその屈折率が光ガイド層より小さい第3クラ
ッド層と、この第3クラッド層上に設けたコンタク1一
層と、光ガイド層の設けられていない第2クラッド層上
に設けたその屈折率が光ガイド層より小さい電流阻止層
とから構成される半導体レーザ装置であって、半導体基
板、第1クラッド層および電流阻止層を第1導電型、第
2クラツド層、光ガイド層。
第3クラツド層、コンタクト層を第2導電型としt:の
で、′¥尋棒体レーザ装置ら放射されるし・−ザ光の)
1′点収差がほぼOになり、また、再現性よ(製造でき
るという効果がある。また、レーザ光のスポットサイズ
を大きくとれるうえ、最大光出力を大きくとれるという
効果もある。
で、′¥尋棒体レーザ装置ら放射されるし・−ザ光の)
1′点収差がほぼOになり、また、再現性よ(製造でき
るという効果がある。また、レーザ光のスポットサイズ
を大きくとれるうえ、最大光出力を大きくとれるという
効果もある。
第1図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例の構造
を示す断面図、第2図は従来の半導体レーザ装置の一例
の構造を示す断面図である。 図において、1)はn−GaAs基板、12はn −A
j @、 4BC&6.5@kSv、lクラッド層、1
3はp−Al 6.1gGm句、 @@ks活性層、1
4はρ−^10.4scan、 5sAs第2クラッド
層、15はp−GaAgコンタクト層、16はn−Al
6.4BGa(145,^S電流阻止層、17はS
i O*絶縁膜、18はp側電極、19はn側電極、2
0(まりッジ部分、21はp ・−A t’ @、 、
、Ga(1,oA3光ガイド層、22はp −Aj e
、 4Sca(1,5sk8第3クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)L′ qノ 手続補正書(自だ1
を示す断面図、第2図は従来の半導体レーザ装置の一例
の構造を示す断面図である。 図において、1)はn−GaAs基板、12はn −A
j @、 4BC&6.5@kSv、lクラッド層、1
3はp−Al 6.1gGm句、 @@ks活性層、1
4はρ−^10.4scan、 5sAs第2クラッド
層、15はp−GaAgコンタクト層、16はn−Al
6.4BGa(145,^S電流阻止層、17はS
i O*絶縁膜、18はp側電極、19はn側電極、2
0(まりッジ部分、21はp ・−A t’ @、 、
、Ga(1,oA3光ガイド層、22はp −Aj e
、 4Sca(1,5sk8第3クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)L′ qノ 手続補正書(自だ1
Claims (4)
- (1)半導体基板と、この半導体基板上に設けた第1ク
ラッド層と、この第1クラッド層上に設けたその屈折率
が前記第1クラッド層より大きく禁制帯幅が小さい活性
層と、この活性層上に設けたその屈折率が前記活性層よ
り小さく禁制帯幅が大きい第2クラッド層と、この第2
クラッド層上に設けたその屈折率が前記第2クラッド層
より大きく前記活性層より小さいストライプ状の光ガイ
ド層と、この光ガイド層上に設けたその屈折率が前記光
ガイド層より小さい第3クラッド層と、この第3クラッ
ド層上に設けたコンタクト層と、前記光ガイド層の設け
られていない前記第2クラッド層上に設けたその屈折率
が前記光ガイド層より小さい電流阻止層とから構成され
る半導体レーザ装置であって、前記半導体基板、前記第
1クラッド層および前記電流阻止層を第1導電型、前記
第2クラッド層、前記光ガイド層、前記第3クラッド層
、前記コンタクト層を第2導電型としたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - (2)半導体基板およびコンタクト層がGaAs、第1
、第2および第3クラッド層がAl_1_−_xGa_
xAs、活性層がAl_1_−_yGa_yAs、光ガ
イド層がAl_1_−_zGa_zAs、電流阻止層が
Al_1_−_wGa_wAsから構成され、X<Z<
Y、W<Zであることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載の半導体レーザ装置。 - (3)Xが0.55、Yが0.85、Zが0.80.W
が0.55であることを特徴とする特許請求の範囲第(
2)項記載の半導体レーザ装置。 - (4)第2クラッド層は、レーザ光が光ガイド層に浸み
出す膜厚であることを特徴とする特許請求の範囲第(1
)項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31510186A JPS63164290A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31510186A JPS63164290A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63164290A true JPS63164290A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18061428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31510186A Pending JPS63164290A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63164290A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02114690A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
EP0408373A2 (en) * | 1989-07-12 | 1991-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transverse-mode oscillation semiconductor laser device |
JPH0329385A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nec Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
JP2003086899A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5743487A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Nec Corp | Semiconductor laser |
JPS61220490A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP31510186A patent/JPS63164290A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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