JPH0388382A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0388382A JPH0388382A JP22610089A JP22610089A JPH0388382A JP H0388382 A JPH0388382 A JP H0388382A JP 22610089 A JP22610089 A JP 22610089A JP 22610089 A JP22610089 A JP 22610089A JP H0388382 A JPH0388382 A JP H0388382A
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- Japan
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- laser
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- gainp
- semiconductor laser
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＰＯＳ、ＦＡシステム等のバーコードリーダー
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザに関
し、発振波長が６８０ｎｍ以下のＡＪＧａＩｎＰ系可視
光半導体レーザに関する。
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザに関
し、発振波長が６８０ｎｍ以下のＡＪＧａＩｎＰ系可視
光半導体レーザに関する。
第３図（Ａ）は、従来の利得ガイド型のＡｆＧａＩｎＰ
系可視光半導体レーザの構造を示す斜視図で、同図（Ｂ
）は（Ａ）のＩ−１’における断面図、（Ｃ）は（Ａ）
のｎ−ｎ’における断面図、（Ｄ）は（Ａ）のｍ−ｍ’
における断面図である（例えば、昭和６１年度電子通信
学会予稿集Ｐ、４−９２）。図中１は５ｎ−ＧａＡｓ基
板であり、この基板１上にはｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層２．ＧａＩｎＰ活性層３．アンドープＡｊ７ＧａＩ
ｎＰクラッド層４、Ｐ型ＡｆＧａＩｎＰクラッド層５＋
ｐ ＧａＩｎＰエツチング停止層６．ｎ型ＧａＡｓ電
流阻止層７．及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８からなるダ
ブルヘテロ接合構造が形成されている。
系可視光半導体レーザの構造を示す斜視図で、同図（Ｂ
）は（Ａ）のＩ−１’における断面図、（Ｃ）は（Ａ）
のｎ−ｎ’における断面図、（Ｄ）は（Ａ）のｍ−ｍ’
における断面図である（例えば、昭和６１年度電子通信
学会予稿集Ｐ、４−９２）。図中１は５ｎ−ＧａＡｓ基
板であり、この基板１上にはｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層２．ＧａＩｎＰ活性層３．アンドープＡｊ７ＧａＩ
ｎＰクラッド層４、Ｐ型ＡｆＧａＩｎＰクラッド層５＋
ｐ ＧａＩｎＰエツチング停止層６．ｎ型ＧａＡｓ電
流阻止層７．及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８からなるダ
ブルヘテロ接合構造が形成されている。
この構造を有する半導体レーザは通常ＭＯＵＰＥ法、ま
たはＭＢＥ法によって製造される。ここでは量産性に優
れたＭＯＵＰＥ法を用いた場合について述べる。
たはＭＢＥ法によって製造される。ここでは量産性に優
れたＭＯＵＰＥ法を用いた場合について述べる。
まず、１回目のＭＯＶＰＥ成長によってｎ型Ａ１７Ｇａ
ＩｎＰクラッド層２からｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７まで
の６層構造を順次形成し、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７の
一部にｐ型Ｇａ Ｉ ｎＰエツチング停止Ｎ６が露出す
るストライプ状の溝９を形成する。続いて２回目のＭＯ
ＶＰＥ成長によって溝９を含むｎ型ＧａＡｓ電流阻止層
７上にｐ型ＧａＡｓキャップ層８が形成されている。
ＩｎＰクラッド層２からｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７まで
の６層構造を順次形成し、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７の
一部にｐ型Ｇａ Ｉ ｎＰエツチング停止Ｎ６が露出す
るストライプ状の溝９を形成する。続いて２回目のＭＯ
ＶＰＥ成長によって溝９を含むｎ型ＧａＡｓ電流阻止層
７上にｐ型ＧａＡｓキャップ層８が形成されている。
この構造では電流狭窄はｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層
８とｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層７により行なわれる
。またｐ型ＧａＩｎＰエツチング停止層６は溝９を形成
する際にｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７だけが、化学エツチ
ングされるためのエツチング停止の役割をしており、ま
たｐ型ＡｎＧａ ＩｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層８との間の電気抵抗を目的とするものである。
８とｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層７により行なわれる
。またｐ型ＧａＩｎＰエツチング停止層６は溝９を形成
する際にｎ型ＧａＡｓ電流阻止層７だけが、化学エツチ
ングされるためのエツチング停止の役割をしており、ま
たｐ型ＡｎＧａ ＩｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層８との間の電気抵抗を目的とするものである。
このようにして、利得ガイド型の半導体レーザが構成さ
れる。
れる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体レーザでは、以下に述べるような
結晶成長上の問題点がある。すなわち、ＡＪＧａＩｎＰ
系の化合物半導体をＭＯＶＰＥ法によって結晶成長する
場合、下地結晶の面方位が（１００）ＧａＡｓ基板上に
成長させたＧａ Ｉ ｎＰ結晶がアンドープでは、Ｇａ
とＩｎが交互に規則配列する自然超格子が形成され、バ
ンドギャップが１．８５ｅＶ程度となるが、これにＺｎ
等のドーパントがＩ Ｘ １０ ”ａｎ−”以上高濃度
に拡散されると、ＧａとＩｎの規則配列がくずれて、無
秩序状態とｋす、バンドギャップは、５０ｍｅＶ程度大
きくなる。従って、活性層の全上面に、アンドープのＡ
ＪＧａｌｎＰクラッド層が設けられている従来の半導体
レーザでは、ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層中のＺｎが
活性層へ拡散されないために、活性層は全面にわたり、
超格子状態を保っており、共振器長方向におけるバンド
ギャップエネルギーは、はぼ均一に１．８５ｅＶであっ
た。しかし、この構造では、レーザ出力が強くなると、
端面付近で光が吸収され、端面温度が上昇するために、
ついには端面近傍の結晶が溶融してしまう、いわゆる光
学損傷の現象が起きる。このため、高出力動作ができな
いという欠点がある。
結晶成長上の問題点がある。すなわち、ＡＪＧａＩｎＰ
系の化合物半導体をＭＯＶＰＥ法によって結晶成長する
場合、下地結晶の面方位が（１００）ＧａＡｓ基板上に
成長させたＧａ Ｉ ｎＰ結晶がアンドープでは、Ｇａ
とＩｎが交互に規則配列する自然超格子が形成され、バ
ンドギャップが１．８５ｅＶ程度となるが、これにＺｎ
等のドーパントがＩ Ｘ １０ ”ａｎ−”以上高濃度
に拡散されると、ＧａとＩｎの規則配列がくずれて、無
秩序状態とｋす、バンドギャップは、５０ｍｅＶ程度大
きくなる。従って、活性層の全上面に、アンドープのＡ
ＪＧａｌｎＰクラッド層が設けられている従来の半導体
レーザでは、ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層中のＺｎが
活性層へ拡散されないために、活性層は全面にわたり、
超格子状態を保っており、共振器長方向におけるバンド
ギャップエネルギーは、はぼ均一に１．８５ｅＶであっ
た。しかし、この構造では、レーザ出力が強くなると、
端面付近で光が吸収され、端面温度が上昇するために、
ついには端面近傍の結晶が溶融してしまう、いわゆる光
学損傷の現象が起きる。このため、高出力動作ができな
いという欠点がある。
本発明は、このような問題点を解決し、高出力のＡ１７
ＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供するものである。
ＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供するものである。
本発明の半導体レーザは、ＡＩ；！ＧａＩｎＰ系半導体
レーザにおいて、ＧａＩｎＰ活性層とｐ型Ａ＃ＧａＩｎ
Ｐクラッド層の間のアンドープＡ１ＧａＩｎＰ層が、少
なくとも一方のレーザ出射端面近傍を除く領域に設けら
れている構造を有している。
レーザにおいて、ＧａＩｎＰ活性層とｐ型Ａ＃ＧａＩｎ
Ｐクラッド層の間のアンドープＡ１ＧａＩｎＰ層が、少
なくとも一方のレーザ出射端面近傍を除く領域に設けら
れている構造を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）は、本発明の第一の実施例における半導体
レーザの斜視図である。第１図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、
（Ｄ）は、第１図（Ａ）ニオけ６１−１’ ＩＩ
−Ｉｆ’ ｌｌｌ−■′の断面図である。本素子は
、ＭＯＶＰＥ法により製造され、次のように構造を有す
る。ＧａＡｓ基板１上にｎ型（Ａｉａ４Ｇａａ、ｓ）
ａｓＩ ｎＩｌ、ｓＰクラッド層２を１．Ｏｕｍ、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３を７００人、アンドープ（Ａ ＩＩ ０
．ａ Ｇ ａ １６） ０．５ Ｉ ｎ ０．ｓＰクラ
ッド層４を０．１μｍ成長したのちに、アンドープ（Ａ
ｊ７ａ＊Ｇａｍｅ）ａｓＩ ｎ０．ｇＰクラッド層４の
レーザ出射端面より２０μｍをエツチングにより取り除
く、引き続き、Ｚｎ濃度３ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−’をも
つｐ型（Ａ ｊ’ ０．ｓ Ｇ ａ ａｓ） ０．ｓ
Ｉ ｎ ｃｈｓ Ｐクラッド層５を１．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰエツチング阻止層６を６００人、ｎ型ＧａＡｓ
電流阻止層７を０．６μｍ成長したのち、電流狭窄のた
めに溝幅７μｍの溝９を施し、この上にＱａＡｓキャッ
プ層８を２．０μｍ埋込み成長して製造された共振器長
３００μｍの半導体レーザである。ここで、成長中にｐ
型（Ａｊ７ａ４０ａｍｓ）ａｓＩｎ０．ｓＰクラッド層
層中中Ｚｎは、隣接する層へ拡散をおこす。このとき、
レーザ出射面近傍では、アンドープ（Ａｌ２Ｏ，４Ｇａ
ａｓ）ｗｓＩｎ０．５Ｐクラッド層４が取り除かれてい
るために、ｐ型（Ａ ＩＩ ａ４Ｇ ａ ０．ｓ） ａ
、ｓＩ ｎ ０．ｓ Ｐクラッド層５中のＺｎは、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３へ直接拡散される。このために、ＧａＩ
ｎＰ活性層３のＧａとＩｎの規則配列がくずれて、烈秩
序領域ｅが形成され、そのバンドギャップエネルギーは
、１．９２ｅＶとなった。一方、アンドープ（Ａｆａ４
Ｇａａｉ）ａｓＩｎ０．５Ｐクラッド層４と接している
ＧａＩｎＰ活性層３はｐ型（Ａ ＩＩ ａｓ Ｇ ａ
ａｓ） ０．５ＩｎＩＬａＰクラッド層５中のＺｎが、
アンドープ（Ａｆ、４Ｇａ０．５）ａｉＩｎ０．５Ｐク
ラッド層４へ拡散されるにとどまり、Ｇａ Ｉ ｎＰ活
性層３のＧａとＩｎの規則配列が保たれて、自然超格子
領域ｆのバンドギャップエネルギーは、１．８５ｅＶで
ある。
レーザの斜視図である。第１図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、
（Ｄ）は、第１図（Ａ）ニオけ６１−１’ ＩＩ
−Ｉｆ’ ｌｌｌ−■′の断面図である。本素子は
、ＭＯＶＰＥ法により製造され、次のように構造を有す
る。ＧａＡｓ基板１上にｎ型（Ａｉａ４Ｇａａ、ｓ）
ａｓＩ ｎＩｌ、ｓＰクラッド層２を１．Ｏｕｍ、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３を７００人、アンドープ（Ａ ＩＩ ０
．ａ Ｇ ａ １６） ０．５ Ｉ ｎ ０．ｓＰクラ
ッド層４を０．１μｍ成長したのちに、アンドープ（Ａ
ｊ７ａ＊Ｇａｍｅ）ａｓＩ ｎ０．ｇＰクラッド層４の
レーザ出射端面より２０μｍをエツチングにより取り除
く、引き続き、Ｚｎ濃度３ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−’をも
つｐ型（Ａ ｊ’ ０．ｓ Ｇ ａ ａｓ） ０．ｓ
Ｉ ｎ ｃｈｓ Ｐクラッド層５を１．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰエツチング阻止層６を６００人、ｎ型ＧａＡｓ
電流阻止層７を０．６μｍ成長したのち、電流狭窄のた
めに溝幅７μｍの溝９を施し、この上にＱａＡｓキャッ
プ層８を２．０μｍ埋込み成長して製造された共振器長
３００μｍの半導体レーザである。ここで、成長中にｐ
型（Ａｊ７ａ４０ａｍｓ）ａｓＩｎ０．ｓＰクラッド層
層中中Ｚｎは、隣接する層へ拡散をおこす。このとき、
レーザ出射面近傍では、アンドープ（Ａｌ２Ｏ，４Ｇａ
ａｓ）ｗｓＩｎ０．５Ｐクラッド層４が取り除かれてい
るために、ｐ型（Ａ ＩＩ ａ４Ｇ ａ ０．ｓ） ａ
、ｓＩ ｎ ０．ｓ Ｐクラッド層５中のＺｎは、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３へ直接拡散される。このために、ＧａＩ
ｎＰ活性層３のＧａとＩｎの規則配列がくずれて、烈秩
序領域ｅが形成され、そのバンドギャップエネルギーは
、１．９２ｅＶとなった。一方、アンドープ（Ａｆａ４
Ｇａａｉ）ａｓＩｎ０．５Ｐクラッド層４と接している
ＧａＩｎＰ活性層３はｐ型（Ａ ＩＩ ａｓ Ｇ ａ
ａｓ） ０．５ＩｎＩＬａＰクラッド層５中のＺｎが、
アンドープ（Ａｆ、４Ｇａ０．５）ａｉＩｎ０．５Ｐク
ラッド層４へ拡散されるにとどまり、Ｇａ Ｉ ｎＰ活
性層３のＧａとＩｎの規則配列が保たれて、自然超格子
領域ｆのバンドギャップエネルギーは、１．８５ｅＶで
ある。
すなわち、レーザ出射端面近傍の無秩序領域ｅは、自然
超格子領域ｆのバンドギャップより５０ｍｅ■小さくな
るために、レーザ光に対して、無秩序領域ｅ（レーザ出
射端面近傍）が透明となり、端面での光吸収が低減され
る。
超格子領域ｆのバンドギャップより５０ｍｅ■小さくな
るために、レーザ光に対して、無秩序領域ｅ（レーザ出
射端面近傍）が透明となり、端面での光吸収が低減され
る。
これにより端面近傍の温度上昇が緩和されて、端面破壊
が起り難くなり、高出力動作が可能となった。
が起り難くなり、高出力動作が可能となった。
第２図（Ａ）は、本発明、の実施例２０半導体レーザの
斜視図である。第２図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）
はそれぞれ第２図（Ａ）におけるＩ−１’ ｎ−１
ｔ’ ［［Ｉ−ｍ′の断面図である。
斜視図である。第２図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）
はそれぞれ第２図（Ａ）におけるＩ−１’ ｎ−１
ｔ’ ［［Ｉ−ｍ′の断面図である。
第１の実施例と同様に、ＭＯＶＰＥ法により各層を成長
する。ただし、アンドープ（Ａ ＩＩ ａｔ Ｇ ａ
０．ｓ）。５Ｉｎａ３Ｐクラッド層４は、半導体レーザ
の両端面近傍から２０μｍずつエツチングにより取り除
く。
する。ただし、アンドープ（Ａ ＩＩ ａｔ Ｇ ａ
０．ｓ）。５Ｉｎａ３Ｐクラッド層４は、半導体レーザ
の両端面近傍から２０μｍずつエツチングにより取り除
く。
これにより、両端面での光吸収が低減され、第１の実施
例より、さらに、高出力動作が可能となる利点が得られ
る。
例より、さらに、高出力動作が可能となる利点が得られ
る。
以上説明したように、本発明の半導体レーザは、３Ｉｎ
ＧａＰ活性層とＺｎドープされたｐ型ＡｎＧａＩｎＰク
ラッド層との間にアンドープＡｎＧａＩｎＰ層を少なく
ともレーザ出射端面近傍を除く領域に設ける構造とする
ことにより、ｐ型ＡＩＩＧａＩｎＰクラッド層のＺｎが
ＧａＩｎＰ活性層へ選択的に拡散される。これにより、
この半導体レーザは、共振器方向でバンドギャップエネ
ルギーに差が生じて、レーザ出射面近傍の無秩序領域は
、レーザの光に対して透明になる゛ために、端面での温
度上昇が緩和され、端面破壊が起り難くなり、高出力動
作が可能になる効果がある。
ＧａＰ活性層とＺｎドープされたｐ型ＡｎＧａＩｎＰク
ラッド層との間にアンドープＡｎＧａＩｎＰ層を少なく
ともレーザ出射端面近傍を除く領域に設ける構造とする
ことにより、ｐ型ＡＩＩＧａＩｎＰクラッド層のＺｎが
ＧａＩｎＰ活性層へ選択的に拡散される。これにより、
この半導体レーザは、共振器方向でバンドギャップエネ
ルギーに差が生じて、レーザ出射面近傍の無秩序領域は
、レーザの光に対して透明になる゛ために、端面での温
度上昇が緩和され、端面破壊が起り難くなり、高出力動
作が可能になる効果がある。
第１図（Ａ）、第２図（Ａ）はそれぞれ本発明の第１、
第２の実施例における半導体レーザの斜視図である。第
３図（Ａ）は、従来例の半導体レーザの斜視図である。 第１図、第２図、第３図の各（Ｂ）。 （Ｃ） 、 （Ｄ）は、それぞれの各図（Ａ）における
Ｉ−１’ Ｉｔ−ＩＩ’ 、 ｌ１ｌ−ＩＩＩ’の
断面図である。 第１図、第２図、第３図において、 １ ・・−ＧａＡｓ基板、２− ｎ型（Ａ ＩＩ ０．
ａ Ｇ ａ ｈａ）０．５Ｉｎａ、ｓＰクラッド層、３
−Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ活性層、４・・・・・・アンドー
プ（Ａ ＩＩ １４ Ｇ ａ ０．ｇ） ａ、ｓ Ｉ
ｎ、ａｓ Ｐクラッド層、５・・・・・・ｐ型（Ａ Ｉ
Ｉ 、４ Ｇ ＆ ａａ） ａｓ Ｉ ｎ ０．ｓＰク
ラッド層、６・・・・・・Ｇａ Ｉ ｎＰエツチングス
トップ層、７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、８
・・・・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層、ｅ・・・・・・
無秩序領域、ｆ・・・・・・自然超格子領域。
第２の実施例における半導体レーザの斜視図である。第
３図（Ａ）は、従来例の半導体レーザの斜視図である。 第１図、第２図、第３図の各（Ｂ）。 （Ｃ） 、 （Ｄ）は、それぞれの各図（Ａ）における
Ｉ−１’ Ｉｔ−ＩＩ’ 、 ｌ１ｌ−ＩＩＩ’の
断面図である。 第１図、第２図、第３図において、 １ ・・−ＧａＡｓ基板、２− ｎ型（Ａ ＩＩ ０．
ａ Ｇ ａ ｈａ）０．５Ｉｎａ、ｓＰクラッド層、３
−Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ活性層、４・・・・・・アンドー
プ（Ａ ＩＩ １４ Ｇ ａ ０．ｇ） ａ、ｓ Ｉ
ｎ、ａｓ Ｐクラッド層、５・・・・・・ｐ型（Ａ Ｉ
Ｉ 、４ Ｇ ＆ ａａ） ａｓ Ｉ ｎ ０．ｓＰク
ラッド層、６・・・・・・Ｇａ Ｉ ｎＰエツチングス
トップ層、７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、８
・・・・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層、ｅ・・・・・・
無秩序領域、ｆ・・・・・・自然超格子領域。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体で成る半導体レーザにおいて、
少なくとも（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５
Ｉｎ＿０＿．＿５（０≦ｘ≦１）活性層とｐ型の（Ａｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５
Ｐ（０≦ｙ≦１）とで挟まれたアンドープの（Ａｌ＿ｚ
Ｇａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ層
（０≦ｚ≦１）がレーザ出射端面近傍の一方もしくは両
方を除く領域に形成されていることを特徴とする半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22610089A JPH0388382A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22610089A JPH0388382A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388382A true JPH0388382A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16839829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22610089A Pending JPH0388382A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388382A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661741A (en) * | 1994-06-07 | 1997-08-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device, laser amplifier, and integrated light amplifier and wavelength variable filter |
| US6608739B1 (en) | 1999-10-14 | 2003-08-19 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin valve thin film magnetic element having first and second free magnetic layers having antiparallel magnetization directions |
| JP2005223287A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP22610089A patent/JPH0388382A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661741A (en) * | 1994-06-07 | 1997-08-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device, laser amplifier, and integrated light amplifier and wavelength variable filter |
| US6608739B1 (en) | 1999-10-14 | 2003-08-19 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin valve thin film magnetic element having first and second free magnetic layers having antiparallel magnetization directions |
| JP2005223287A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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