JPH04206585A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH04206585A JPH04206585A JP32911090A JP32911090A JPH04206585A JP H04206585 A JPH04206585 A JP H04206585A JP 32911090 A JP32911090 A JP 32911090A JP 32911090 A JP32911090 A JP 32911090A JP H04206585 A JPH04206585 A JP H04206585A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は０．６μｍ帯の赤色領域で動作するＡｆｆｉＧ
ａ ＩｎＰ系半導体レーザの構造およびその製造方法に
関する。
ａ ＩｎＰ系半導体レーザの構造およびその製造方法に
関する。
ＡｌＧａＩｎＰ系レーザの作製は、ＡｌＧａＩｎＰ系ダ
ブルヘテロ構造を形成した後、ストライプ構造形成のた
め少なくとも一回の再成長を行うことによって行ってい
る。この再成長時にｐ形りラッド層中のＺｎが活性層へ
と拡散し、クラッド層が低濃度化、活性層が高濃度化す
るため、活性層よりｐ形りラッド層へのキャリアオーバ
フローが増大し、しきい値電流の増加や温度特性の劣化
をもたらす。
ブルヘテロ構造を形成した後、ストライプ構造形成のた
め少なくとも一回の再成長を行うことによって行ってい
る。この再成長時にｐ形りラッド層中のＺｎが活性層へ
と拡散し、クラッド層が低濃度化、活性層が高濃度化す
るため、活性層よりｐ形りラッド層へのキャリアオーバ
フローが増大し、しきい値電流の増加や温度特性の劣化
をもたらす。
このため、従来のＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系レーザは特開平
１−２０４４８９号公報に記載のように活性層の不純物
濃度を出来るだけ低濃度とするため、ｐ形りラッド層の
不純物であるＺｎの濃度をドーピングによって得られる
最大キャリア濃度の半分としたり、日経マイクロデバイ
ス３月号、Ｐ ８５ （１９９０）記載のように、再成
長の回数を１回とした屈折率導波形レーザ構造が提案さ
れている。
１−２０４４８９号公報に記載のように活性層の不純物
濃度を出来るだけ低濃度とするため、ｐ形りラッド層の
不純物であるＺｎの濃度をドーピングによって得られる
最大キャリア濃度の半分としたり、日経マイクロデバイ
ス３月号、Ｐ ８５ （１９９０）記載のように、再成
長の回数を１回とした屈折率導波形レーザ構造が提案さ
れている。
上記従来技術は、前者の場合、クラッド雇のキャリア濃
度が大きく取れず良好な温度特性が得られない、後者の
場合、レーザの導波路構造設計が制約されると言う問題
が有った。
度が大きく取れず良好な温度特性が得られない、後者の
場合、レーザの導波路構造設計が制約されると言う問題
が有った。
本発明の目的は温度特性が良好で、レーザ導波路の構造
設計も自由なレーザ構造およびその製造方法を提供する
ことに有る。
設計も自由なレーザ構造およびその製造方法を提供する
ことに有る。
上記目的を達成するために、ダブルヘテロ構造形成時に
活性層に５ｘｌＯ１７／ｃｊ以上のｐ形不純物を添加し
た。
活性層に５ｘｌＯ１７／ｃｊ以上のｐ形不純物を添加し
た。
活性層に５ｘｌＯ”／ａｊ以上のｐ形不純物を添加する
ことによって、再成長時のｐ形りラッド層から活性層へ
のｐ形不純物の拡散が抑制された。
ことによって、再成長時のｐ形りラッド層から活性層へ
のｐ形不純物の拡散が抑制された。
この結果、ｐ形りラッド層のキャリア濃度の低下が生じ
なくなり、キャリアオーバフローによるしきい値電流の
上昇や温度特性の劣化が生じなくなった。さらに、高濃
度のｐ形不純物の活性層への添加により、活性層が無秩
序化し、従来に較べて。
なくなり、キャリアオーバフローによるしきい値電流の
上昇や温度特性の劣化が生じなくなった。さらに、高濃
度のｐ形不純物の活性層への添加により、活性層が無秩
序化し、従来に較べて。
発振波長が１０乃至２０ｎｍ短波長化した。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は本発明のＡｌ２ＧａＩｎＰ系利得導波形半導体レー
ザのレーザ光出射方向から見た構造、の断面の模式図で
ある。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶１上にｎ形（
ＡＲ，、Ｇａ、、）、ｓＩ ｎ、、Ｐクラッド層（厚さ
約１μｍ、ｎ＝１．５ｘｌｏ”／ｃｉ）２、Ｚｎドープ
Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ活性層（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝
１ｘｌｏ”／ａｊ）３．ｐ形（Ａ Ｑ＋７ ａ ａ 、
１）−ｓ Ｉ ｎ−５Ｐクラット層（厚さ約１μｍ、Ｚ
ｎドープ）４．ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ層（厚さ約０．
１μｍ、ｚｎドープ＋Ｐ＝ｌｘｌＯ”／ａＪ）５．ｎ形
Ｇ ａ Ａ ｓ ｌｉ流狭窄層（厚さ約１μｒｎ）６を
有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法により順次形成す
る。
図は本発明のＡｌ２ＧａＩｎＰ系利得導波形半導体レー
ザのレーザ光出射方向から見た構造、の断面の模式図で
ある。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶１上にｎ形（
ＡＲ，、Ｇａ、、）、ｓＩ ｎ、、Ｐクラッド層（厚さ
約１μｍ、ｎ＝１．５ｘｌｏ”／ｃｉ）２、Ｚｎドープ
Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ活性層（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝
１ｘｌｏ”／ａｊ）３．ｐ形（Ａ Ｑ＋７ ａ ａ 、
１）−ｓ Ｉ ｎ−５Ｐクラット層（厚さ約１μｍ、Ｚ
ｎドープ）４．ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ層（厚さ約０．
１μｍ、ｚｎドープ＋Ｐ＝ｌｘｌＯ”／ａＪ）５．ｎ形
Ｇ ａ Ａ ｓ ｌｉ流狭窄層（厚さ約１μｒｎ）６を
有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法により順次形成す
る。
次にホトレジスト工程、選択エツチングの手法により（
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのストライプをｎ形
Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層６に形成する。
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのストライプをｎ形
Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層６に形成する。
その後、ストライプ形成用マスクを除去し、ｐ形ＧａＡ
ｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１．５μｍ）７
を再成長する。
ｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１．５μｍ）７
を再成長する。
その後、Ｐ形電極８を形成し、ｎ形ＧａＡｓ基板を約１
００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した。さら
に、管間およびスクライブの手法により、ウェハを分割
して共振器長２５０μｍ。
００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した。さら
に、管間およびスクライブの手法により、ウェハを分割
して共振器長２５０μｍ。
巾３００μｍのチップとし、Ｓｉをサブマウントに用い
てｐ側電極を下にして実装した。
てｐ側電極を下にして実装した。
室温連続動作下でレーザ特性を測定した結果。
波長６６０ｎｍにおいて、しきい値電流６０ｍＡで発振
した。素子の温度特性を連続動作化において測定した結
果、室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０に
の値を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力
５ｍＷで定光出力動作させた結果、５０００時間以上安
定に動作することを確認した。
した。素子の温度特性を連続動作化において測定した結
果、室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０に
の値を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力
５ｍＷで定光出力動作させた結果、５０００時間以上安
定に動作することを確認した。
本発明の第２の実施例を第１図により説明する。
第１図は本発明のＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系利得導波形半導
体レーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模式
図である。ｎ形ＧａＡｓ（１００）基板結晶１上にｎ形
（Ａ Ｑ 、７ Ｇ ａ 、５）−ｓ Ｉ ｎ 、ｓ
Ｐクラッド層（厚さ約１ μｍ、 ｎ ＝ ７ ｘ １
０”／ａｊ）２゜ＺｎドープＧａ、、Ｉｎ、ＳＰ活性層
（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝５ｘｌｏ”／ａ＋？）３．
ｐ形（ＡＲ，、Ｇａ、３）、ＳＩ ｎ、５Ｐクラッド層
（厚さ約１μｍ、Ｚｎドープ）４．ｐ形Ｑａ、、Ｉｎ、
、Ｐ層（厚さ約０．１μｍ、Ｚｎドープ＋ ｐ ＝ ５
ｘ １０”／ａｊ）５．ｎ形ＧａＡｓ電流狭窄層（厚
さ約１μｍ）６を有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法
により順次形成する。
体レーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模式
図である。ｎ形ＧａＡｓ（１００）基板結晶１上にｎ形
（Ａ Ｑ 、７ Ｇ ａ 、５）−ｓ Ｉ ｎ 、ｓ
Ｐクラッド層（厚さ約１ μｍ、 ｎ ＝ ７ ｘ １
０”／ａｊ）２゜ＺｎドープＧａ、、Ｉｎ、ＳＰ活性層
（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝５ｘｌｏ”／ａ＋？）３．
ｐ形（ＡＲ，、Ｇａ、３）、ＳＩ ｎ、５Ｐクラッド層
（厚さ約１μｍ、Ｚｎドープ）４．ｐ形Ｑａ、、Ｉｎ、
、Ｐ層（厚さ約０．１μｍ、Ｚｎドープ＋ ｐ ＝ ５
ｘ １０”／ａｊ）５．ｎ形ＧａＡｓ電流狭窄層（厚
さ約１μｍ）６を有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法
により順次形成する。
次にホトレジスト工程、選択エツチングの手法により（
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのスドライブをｎ形
ＧａＡｓ電流狭窄層６に形成する。
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのスドライブをｎ形
ＧａＡｓ電流狭窄層６に形成する。
その後、ストライプ形成用マスクを除去し、ｐ形ＧａＡ
ｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１．５μｍ）７
を再成長する。
ｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１．５μｍ）７
を再成長する。
その後、ｎ形電極８を形成し、ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板
を約１００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した
。さらに、骨間およびスクライブの手法により、ウェハ
を分割して共振器長２５０μｍ。
を約１００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した
。さらに、骨間およびスクライブの手法により、ウェハ
を分割して共振器長２５０μｍ。
巾３００ＩＬｍのチップとし、Ｓｉをサブマウントに用
いてｐ側電極を下にして実装した。
いてｐ側電極を下にして実装した。
室温連続動作下でレーザ特性を測定した結果、波長６７
０ｎｍにおいて、しきい値電流５０ｍＡで発振した。素
子の温度特性を連続動作化において測定した結果、室温
から５０℃の範囲で、特性温度として１３０にの値を得
た。本レーザを環境温度７０℃において光出力５ｍＷで
定光出力動作させた結果、５０００時間以上安定に動作
することを確認した。
０ｎｍにおいて、しきい値電流５０ｍＡで発振した。素
子の温度特性を連続動作化において測定した結果、室温
から５０℃の範囲で、特性温度として１３０にの値を得
た。本レーザを環境温度７０℃において光出力５ｍＷで
定光出力動作させた結果、５０００時間以上安定に動作
することを確認した。
本発明の第三の実施例を第１図により説明する。
第１図は本発明のＡｕＧａＩｎＰ系利得導波形半導体レ
ーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模式図で
ある。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶上上にｎ形（
Ａ Ｑ ＋７ Ｇ ａ 、、）、５Ｉ ｎ ＋５ Ｐク
ラッド層（厚さ約１ μｍ、 ｎ ＝ １ 、５ ｘ
１０”／ａＪ）２、ＭｇドープＧａ、、Ｉｎ、、Ｐ活性
層（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝１ｘｌｏ”／ｃｉ）３．
ｐ形（ＡＱ、７Ｇａ、、）、、Ｉ ｎ、、Ｐクララト層
（厚さ約１μｍ、Ｍｇドープ）４．ｐ形Ｇａ、ＳＩｎ、
、Ｐ層（厚さ約０．１μｍ、Ｍｇトープ＋ Ｐ ＝ １
ｘ ｌ Ｏ１８／ａ＋り５．ｎ形ＧａＡｓ電流狭窄層
（厚さ約１μｍ）６を有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ
）法により順次形成する。
ーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模式図で
ある。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶上上にｎ形（
Ａ Ｑ ＋７ Ｇ ａ 、、）、５Ｉ ｎ ＋５ Ｐク
ラッド層（厚さ約１ μｍ、 ｎ ＝ １ 、５ ｘ
１０”／ａＪ）２、ＭｇドープＧａ、、Ｉｎ、、Ｐ活性
層（厚さ約０．０７μｍ、ｐ＝１ｘｌｏ”／ｃｉ）３．
ｐ形（ＡＱ、７Ｇａ、、）、、Ｉ ｎ、、Ｐクララト層
（厚さ約１μｍ、Ｍｇドープ）４．ｐ形Ｇａ、ＳＩｎ、
、Ｐ層（厚さ約０．１μｍ、Ｍｇトープ＋ Ｐ ＝ １
ｘ ｌ Ｏ１８／ａ＋り５．ｎ形ＧａＡｓ電流狭窄層
（厚さ約１μｍ）６を有機金属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ
）法により順次形成する。
次にホトレジスト工程、選択エツチングの手法により（
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのス−ドライブをｎ
形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層６に形成する。
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのス−ドライブをｎ
形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層６に形成する。
その後、ストライプ形成用マスクを除去し、ｐ形Ｇ ａ
Ａ ｓ層コンタクト層（Ｍｇドープ、厚さ約１．５μ
ｍ）７を再成長する。
Ａ ｓ層コンタクト層（Ｍｇドープ、厚さ約１．５μ
ｍ）７を再成長する。
その後、ｎ形電極８を形成し、ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板
を約１００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した
。さらに、骨間およびスクライブの手法により、ウェハ
を分割して共振器長２５０μｍ。
を約１００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した
。さらに、骨間およびスクライブの手法により、ウェハ
を分割して共振器長２５０μｍ。
巾３００μｍのチップとし、Ｓｉをサブマウントに用い
てｐ側電極を下にして実装した。
てｐ側電極を下にして実装した。
室温連続動作下でレーザ特性を測定した結果、波長６６
０ｎｍにおいて、しきい値電流６０ ｍ Ａで発振した
。素子の温度特性を連続動作化において測定した結果、
室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０にの値
を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力５ｍ
Ｗで定光出力動作させた結果、５ｏｏｏ時間以上安定に
動作することを確認した。
０ｎｍにおいて、しきい値電流６０ ｍ Ａで発振した
。素子の温度特性を連続動作化において測定した結果、
室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０にの値
を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力５ｍ
Ｗで定光出力動作させた結果、５ｏｏｏ時間以上安定に
動作することを確認した。
本発明の第４の実施例を第２図により説明する。
第２図は本発明のＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系リッジ導波形半
導体レーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模
式図である。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶１上に
ｎ形（Ａ Ｑ 、７ Ｇ ａ 、３）−５Ｉ ｎ 、ｓ
Ｐクラッド層（厚さ約１μｍ）２．Ｚｎドープ（ＡＱ
ｏ、Ｇ’ａ 、９）、Ｓ ｒ ｎ 、５ Ｐ活性層（厚
さ約０．０７μｎ、 ｐ ＝ １０１８／ａｄ） １３
、 ｐ形（ＡＱ、７Ｇａ、３）、、Ｉ ｎ、、Ｐ第一
クラッド層（厚さ約０．３μｍ、Ｚｎドープ）１４ＰＰ
形Ｇａ、、Ｉｎ、ｓＰ層（厚さ約０．０１μｍ、Ｚｎド
ープｒ ｐ＝１ｘｌｏ”／ａＪ）５．ｐ形（Ａ Ｑ 、
、Ｇ ａ 、、）、、 Ｉ ｎ ＋５ Ｐ第２クラッド
層（厚さ０．８μｍ）１５．ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ層
（厚さ０−２ μｍ、 ｐ、＝ １０１ｓ／ａｊ） １
６ 、 ｎ形ＧａＡｓ層（厚さ約１μｍ）１７を有機金
属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法により順次形成する。
導体レーザのレーザ光出射方向から見た構造の断面の模
式図である。ｎ形ＧａＡｓ （１００）基板結晶１上に
ｎ形（Ａ Ｑ 、７ Ｇ ａ 、３）−５Ｉ ｎ 、ｓ
Ｐクラッド層（厚さ約１μｍ）２．Ｚｎドープ（ＡＱ
ｏ、Ｇ’ａ 、９）、Ｓ ｒ ｎ 、５ Ｐ活性層（厚
さ約０．０７μｎ、 ｐ ＝ １０１８／ａｄ） １３
、 ｐ形（ＡＱ、７Ｇａ、３）、、Ｉ ｎ、、Ｐ第一
クラッド層（厚さ約０．３μｍ、Ｚｎドープ）１４ＰＰ
形Ｇａ、、Ｉｎ、ｓＰ層（厚さ約０．０１μｍ、Ｚｎド
ープｒ ｐ＝１ｘｌｏ”／ａＪ）５．ｐ形（Ａ Ｑ 、
、Ｇ ａ 、、）、、 Ｉ ｎ ＋５ Ｐ第２クラッド
層（厚さ０．８μｍ）１５．ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｐ層
（厚さ０−２ μｍ、 ｐ、＝ １０１ｓ／ａｊ） １
６ 、 ｎ形ＧａＡｓ層（厚さ約１μｍ）１７を有機金
属熱分解反応（ＭＯＣＶＤ）法により順次形成する。
次にホトレジスト工程、選択エツチングの手法により、
ｐ形Ｉｎ、、Ｇａ、、Ｐ層５までエツチングを行い、（
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのりッジストライプ
を形成する。その後、ストライプ形成用マスクを選択成
長用マスクとして用いて、リッジ側面にｎ形電流狭窄層
（厚さ１μｍ）６を形成する。次に、ストライプ形成用
マスクおよびｎ形ＧａＡｓ層１７を除去する。その後、
ｐ形ＧａＡｓ層（Ｚｎドープ、厚さ０．２μｍ）７およ
びｐ形ＧａＡｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１
．５μｍ）１８を再成長する。
ｐ形Ｉｎ、、Ｇａ、、Ｐ層５までエツチングを行い、（
１１０）方向に底面の巾が約５μｍのりッジストライプ
を形成する。その後、ストライプ形成用マスクを選択成
長用マスクとして用いて、リッジ側面にｎ形電流狭窄層
（厚さ１μｍ）６を形成する。次に、ストライプ形成用
マスクおよびｎ形ＧａＡｓ層１７を除去する。その後、
ｐ形ＧａＡｓ層（Ｚｎドープ、厚さ０．２μｍ）７およ
びｐ形ＧａＡｓ層コンタクト層（Ｚｎドープ、厚さ約１
．５μｍ）１８を再成長する。
その後、ｐ形電極８を形成し、ｎ形ＧａＡｓ基板を約１
００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した。さら
に、襞間およびスクライブの手法により、ウェハを分割
して共振器長２５０Ｉｔｍ。
００μｍ厚に研磨した後、ｎ形電極９を形成した。さら
に、襞間およびスクライブの手法により、ウェハを分割
して共振器長２５０Ｉｔｍ。
巾３００μｍのチップとし、Ｓｉをサブマウントに用い
てｐ側電極を下にして実装した。
てｐ側電極を下にして実装した。
室温連続動作下でレーザ特性を測定した結果。
波長６６０ｎｍにおいて、しきい値電流３５ｍＡで発振
した。素子の温度特性を連続動作化において測定した結
果、室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０に
の値を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力
５ｍＷで定光出力動作させた結果、５０００時間以上安
定に動作することを確認した。
した。素子の温度特性を連続動作化において測定した結
果、室温から５０℃の範囲で、特性温度として１２０に
の値を得た。本レーザを環境温度７０℃において光出力
５ｍＷで定光出力動作させた結果、５０００時間以上安
定に動作することを確認した。
本発明によれば、ストライプ構造形成のための再成長時
にｐ形りラッド層のｐ形不純物（ＺｎおよびＭｇ）が活
性層へ拡散しない、このため、Ｐ形りラッド層の正孔濃
度が減少せず、従来の半導体レーザで生じていたキャリ
アオーバフローによる温度特性の劣化が生じない。この
結果、低しきい値電流で良好な温度特性を持つ素子が再
現性良く得られた。温度特性の向上、低しきい値電流動
作の結果、素子の信頼性も向上できた。さらに、活性層
へｌＸｌ０”／ａ＋？以上のＺｎあるいはＭｇを添加し
た素子では、活性層が無秩序化し、禁制帯幅が増大した
ため、１０〜２０ｎｍ発振波長を短波長化できた。
にｐ形りラッド層のｐ形不純物（ＺｎおよびＭｇ）が活
性層へ拡散しない、このため、Ｐ形りラッド層の正孔濃
度が減少せず、従来の半導体レーザで生じていたキャリ
アオーバフローによる温度特性の劣化が生じない。この
結果、低しきい値電流で良好な温度特性を持つ素子が再
現性良く得られた。温度特性の向上、低しきい値電流動
作の結果、素子の信頼性も向上できた。さらに、活性層
へｌＸｌ０”／ａ＋？以上のＺｎあるいはＭｇを添加し
た素子では、活性層が無秩序化し、禁制帯幅が増大した
ため、１０〜２０ｎｍ発振波長を短波長化できた。
第１図は本発明の一実施例のＡＱＧａ ｒｎＰ系利得導
波形レーザのレーザ呂射面方向から見た断面の模式図、
第２図は本発明の第２の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系屈折
率導波形レーザのレーザ出射面方向から見た断面の模式
図である。 ′１・・・ｎ形ＧａＡｓ基板結晶、２・・・ｎ形（Ａ
Ｑ 、７Ｇ ａ 、、）、、 Ｉ ｎ 、、 Ｐクラッ
ド層、３−ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、ｓＰ活性層、４ ・ｐ形
（ＡＣ１７Ｇａ、、）、、Ｉ ｎ、、Ｐクラッド層、５
・ｐ形Ｇ ａ、、 Ｉ ｎ’＊５Ｐ層、６− ｎ形Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層。 ７・・・ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、８・・・ｐ
側電極、９− ｎ側電極、１３−・・形（Ａ Ｑ 、□
Ｇａ、ｇ）−ｓ Ｉ ｎ＋、Ｐ活性層、Ｌ ４ ・−ｐ
形（Ａ Ｑ 、７Ｇａ、、）、、 Ｉ ｎ＋５ Ｐ第一
クラッド層、ｌ ５ ・＝ ｐ形（Ａ Ｑ 、７Ｇａ、
Ｊ）、ｆＩ ｎ、ＳＰ第二クラッド層、１６−ｐ形Ｇａ
、、Ｉｎ、、Ｐ層、１７− ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ層、１
８−＝ ｐ形ＧａＡｓコンｖ、’ｌ 国 ／、’７を彰１ｒａ−Ａｓ茎籾 ＬＦ杉〃６７Ｊ’１ ５閉ム１１ ６ ’ｌ’ｆｌ＆Ａｓ電；０６４ ７ 電相０６４ ７ Ｆ４契り電Ａ鷹■虻 ｑｎイ契り１イ￥）に
波形レーザのレーザ呂射面方向から見た断面の模式図、
第２図は本発明の第２の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系屈折
率導波形レーザのレーザ出射面方向から見た断面の模式
図である。 ′１・・・ｎ形ＧａＡｓ基板結晶、２・・・ｎ形（Ａ
Ｑ 、７Ｇ ａ 、、）、、 Ｉ ｎ 、、 Ｐクラッ
ド層、３−ｐ形Ｇａ、、Ｉｎ、ｓＰ活性層、４ ・ｐ形
（ＡＣ１７Ｇａ、、）、、Ｉ ｎ、、Ｐクラッド層、５
・ｐ形Ｇ ａ、、 Ｉ ｎ’＊５Ｐ層、６− ｎ形Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層。 ７・・・ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、８・・・ｐ
側電極、９− ｎ側電極、１３−・・形（Ａ Ｑ 、□
Ｇａ、ｇ）−ｓ Ｉ ｎ＋、Ｐ活性層、Ｌ ４ ・−ｐ
形（Ａ Ｑ 、７Ｇａ、、）、、 Ｉ ｎ＋５ Ｐ第一
クラッド層、ｌ ５ ・＝ ｐ形（Ａ Ｑ 、７Ｇａ、
Ｊ）、ｆＩ ｎ、ＳＰ第二クラッド層、１６−ｐ形Ｇａ
、、Ｉｎ、、Ｐ層、１７− ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ層、１
８−＝ ｐ形ＧａＡｓコンｖ、’ｌ 国 ／、’７を彰１ｒａ−Ａｓ茎籾 ＬＦ杉〃６７Ｊ’１ ５閉ム１１ ６ ’ｌ’ｆｌ＆Ａｓ電；０６４ ７ 電相０６４ ７ Ｆ４契り電Ａ鷹■虻 ｑｎイ契り１イ￥）に
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＡｌＧａＩｎＰ系ダブルヘテロ構造レーザにおいて
、活性層に少なくとも５×１０＾１＾７／ｃｍ＾３のｐ
形不純物を添加したことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ。 ２、少なくともダブルヘテロ構造形成のための結晶成長
と、ストライプ構造形成のための再成長からなるＡｌＧ
ａＩｎＰ系ダブルヘテロ構造レーザの作製工程において
、ダブルヘテロ構造形成のための結晶成長時に活性層に
少なくとも５×１０＾１＾７／ｃｍ＾３のｐ形不純物を
添加することを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザの製造方法。 ３、特許請求範囲第１項、第２項記載のＡｌＧａＩｎＰ
系ダブルヘテロ構造レーザにおいてｐ形不純物がＺｎで
あることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ。 ４、特許請求範囲第１項、第２項記載のＡｌＧａＩｎＰ
系ダブルヘテロ構造レーザにおいてｐ形不純物がＭｇで
あることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911090A JPH04206585A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911090A JPH04206585A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206585A true JPH04206585A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18217725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32911090A Pending JPH04206585A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0767502A2 (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| KR100272791B1 (ko) * | 1996-05-22 | 2000-12-01 | 고타니 고이치 | 반도체발광소자 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32911090A patent/JPH04206585A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0767502A2 (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| EP0767502A3 (en) * | 1995-10-02 | 1997-10-15 | Sharp Kk | Semiconductor light emitting device |
| US5789773A (en) * | 1995-10-02 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| KR100272791B1 (ko) * | 1996-05-22 | 2000-12-01 | 고타니 고이치 | 반도체발광소자 |
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