JP2001094206A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ｐ型クラッド層から活性層へのＺｎ拡散を抑
制することができる端面非注入型の窓構造半導体レーザ
及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 窓構造を形成するための不純物を含有し
た半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層
することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」
とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成すること
が可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の
拡散・侵入を防ぐことができる。また、窓領域を形成す
るための不純物を含有する半導体層とその上に積層させ
たＳｉなどをドープした半導体層とをそのまま残して半
導体レーザを形成することにより、上述した効果に加え
て、確実な電流非注入効果も得ることができる。その結
果として、ＣＯＤの発生を大幅に抑制した高出力高性能
の半導体レーザを実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ及び
その製造方法に関する。より詳細には、本発明は、高出
力動作をする半導体レーザ、特に光ディスクや光磁気デ
ィスクなどの光情報処理機器の光源として用いられる可
視光光源に適用して好適な半導体レーザ及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＭＯ（Magnetic-Optical）ディス
クやＤＶＤ（Digital-Versatile-DISK）などの光ディス
クなどの書き込み用光源として、３０ｍＷ以上の光出力
の可視光半導体レーザが要求されている。このような高
出力の半導体レーザでは、レーザ光の出射面での光出力
密度が上がることにより、半導体結晶が熔融し欠陥が増
殖する光学損傷（Catastrophic Optical Damage (COD))
が起こり易い。

【０００３】ＣＯＤは、半導体レーザの出射端面でレー
ザ光が吸収されてキャリアが生成され、このキャリアが
再結合する際に発熱を起こすというサイクルが促進され
るために発生する。したがって、半導体レーザの端面に
レーザ光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギー
が大きい半導体層を形成すれば、レーザ光に対して出射
端面部は透明になり、出射端面での光吸収は起こらなく
なるのでＣＯＤの発生を防ぐことができる。このような
レーザは「窓構造」と呼ばれ、高出力半導体レーザを作
製する場合に必要な構造である。

【０００４】図９〜図１１は、従来の窓構造の半導体レ
ーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【０００５】まず、図９（ａ）に示すように、有機金属
化学気相成長（Metal-Organic Chemical Vapor Deposit
ion：ＭＯＣＶＤ）法により、例えば、成長温度Ｔｇ＝
７１０℃で、ｎ型ＧａＡｓ（ｎ型ＧａＡｓ）基板１０１
上にＳｉ（シリコン）をドーピングした０．５μｍのｎ
型ＧａＡｓバッファ層１０２、層厚１．０μｍのＳｉド
ープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）
_０．５ Ｐクラッド層１０３（ｎ＝２〜５×１０^１７ｃ
ｍ^−３）、ＭＱＷ構造部１０４、層厚１．７μｍのＺｎ
ドープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）
_０．５ Ｐクラッド層（ｐ＝１．０×１０^１８ｃ
ｍ^−３）１０５、層厚６ｎｍのＺｎドープＩｎ_０．５
Ｇａ_０．５ Ｐ通電容易層１０６、層厚５μｍのＳｉド
ープＧａＡｓキャップ層１０７を順次形成する。

【０００６】ここで、ＭＱＷ構造部１０４は、例えば、
層厚５０ｎｍのＩｎ_０．５ （Ｇａ _０．５ Ａｌ
_０．５ ）_０．５ Ｐ光ガイド層と、厚さ６ｎｍのＩｎ
_０．５ Ｇａ_０．５ Ｐ井戸層と層厚４ｎｍのＩｎ
_０．５ （Ｇａ_０．５ Ａｓ_０．５ ） _０．５ Ｐ障壁
層とを交互に積層してなるＭＱＷ活性層と、層厚５０ｎ
ｍのＩｎ _０．５ （Ｇａ_０．５ Ａｓ_０．５ ）
_０．５ Ｐ光ガイド層とを積層した構造を有する。

【０００７】次に、半導体レーザの共振器端面に平行に
例えば端面から２０μｍの開口部を持つようにストライ
プ状のＳｉＯ２層１０８を例えば層厚２００ｎｍとなる
ように堆積し、このストライプ状のＳｉＯ２層１０８を
マスクとして、ウエットエッチングにより、Ｓｉドープ
ＧａＡｓキャップ層１０７及びＺｎドープＩｎ_０．５ Ｇ
ａ_０．５ Ｐ通電容易層１０６をエッチングする。

【０００８】次に、図９（ｂ）に示すように、Ｚｎ拡散
領域１１０を形成する。具体的には、高濃度にＺｎがド
ーピングされたＧａＡｓ１０９をＳｉＯ２層１０８の開
口部に選択的に成長し、その成長温度に保ったまま、Ａ
ｓＨ３雰囲気＋ＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）の空流し状態
にてアニールを約３０分間施す。このアニールにより、
開口部のＭＱＷ層にＺｎが拡散して、Ｚｎ拡散領域１１
０が形成され、この領域のバンドギャップが増大して窓
構造を形成することができる。

【０００９】続いて図９（ｃ）に示したように、ｐ型Ｇ
ａＡｓ１０９をエッチングにより除去し、ＳｉＯ２層１
０８の開口部にＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３
Ａｓ _０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層１０５のＺｎ拡散
領域を１１０を露出させる。

【００１０】この後、図９（ｄ）に示したようにＳｉＯ
２層１０８を取り除き、ＳｉドープＧａＡｓ１０７を露
出させた後、共振器となるリッジストライプ形成すべく
ストライプ状ＳｉＯ２層１１１を端面に対して直交する
ように形成する。ＳｉＯ２層１１１の寸法は、例えば幅
４．５μｍで厚さ２００ｎｍとすることができる。

【００１１】次に、図１０（ａ）に示したように、スト
ライプ状のＳｉＯ２層１１１をマスクにしてＳｉドープ
ＧａＡｓ１０７とＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ
_０．３ Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐ層１０６をエッチン
グ除去して取り除く。

【００１２】さらに、図１０（ｂ）に示したように、ス
トライプ状ＳｉＯ２層１１１をマスクにして、ｐ型Ｉｎ
_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラ
ッド層１０５をリッジストライプ状に形成する。リッジ
の寸法は、例えば、幅約５μｍ、厚さ１．７μｍ、リッ
ジ両サイドの厚さ０．２５μｍ程度とすることができ
る。

【００１３】次に、図１０（ｃ）に示したようにＳｉド
ープＧａＡｓ電流ブロック層１１２を約１μｍ上記リッ
ジの側面に選択成長させる。

【００１４】そして、図１０（ｄ）に示したように、、
ストライプ状のＳｉＯ２層１１１をエッチングにより取
り除き、図１１（ａ）に示したようにＳｉドープＧａＡ
ｓ１０７をエッチングにより取り除くことにより、ｐ型
Ｉｎ_０．５ （Ｇａ_０．３Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐク
ラッド層１０５のリッジストライプ上部には、Ｚｎ拡散
領域１１０を開口部とするｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ
_０．５ Ｐ通電容易層１０６が露出した形となる。

【００１５】この後、図１１（ｂ）に示したようにｐ型
ＧａＡｓコンタクト層（ｎ＝２×１０^１８ｃｍ^−３）１
１３を３μｍ程度形成し、ｐ側電極１１４としてＡｕＺ
ｎ／Ａｕをｎ側電極１１５としてＡｕＧｅ／Ａｕをそれ
ぞれ形成する。

【００１６】図１１（ｃ）は、このようにして作成した
半導体レーザの斜視図である。レーザの光出力端面には
Ｚｎ拡散による窓領域１１０が形成され、この直上で
は、ｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ_０．５ Ｐ通電容易層１０６
を介さずに、ＺｎドープＩｎ_{０ ．５} （Ｇａ_０．３ Ａ
ｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層１０５とｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１１３とが接している。このため、この
部分では両層のバンドギャップ差が大きいためヘテロ障
壁により電流が抑制される。

【００１７】これに対して、Ｚｎ拡散領域１１０以外の
リッジストライプ上には、ＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇ
ａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層１０５
とｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１３の間に中間バンドギ
ャップエネルギーを持つｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ_０．５
Ｐ通電容易層１０６が存在することにより、電流が容易
に流れる構造になる。このようにして、光出射端面に
は、Ｚｎ拡散による窓構造が形成される。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した半導
体レーザにおいては、Ｚｎ拡散工程において窓領域以外
の活性層にもＺｎが拡散し、特性が劣化すという問題が
あった。すなわち、このように作成された端面非注入構
造の赤色半導体レーザでは、図９（ｂ）に表したように
ｐ^＋ ＧａＮ層１０９をＳｉＯ２層１０８の開口部に選
択的に成長し、活性層領域に選択的にＺｎ拡散させてＭ
ＱＷ層を混晶化してバンドギャップを増大して窓構造を
形成する。しかし、ｐ型ＧａＡｓ層１０９の成長とＺｎ
拡散のためのアニールの際に、高温に保持する結果とし
て、ＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ _０．３ Ａｌ
_０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層１０５に含有されるＺ
ｎが、ＭＱＷ活性層１０４中に拡散する。このため、レ
ーザ発振時のしきい値電流の増大、波長の短波長化、動
作電流の増大などの問題が起こっていた。

【００１９】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものであり、その目的は、ｐ型クラッド層から活
性層へのＺｎ拡散を抑制し、さらに確実な端面非注入効
果も得られる窓構造の半導体レーザ及びその製造方法を
提供するものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】窓構造の半導体レーザを
作成するにあたっては、Ｚｎ拡散により半導体レーザの
端面出射領域の活性層を無秩序化し平均のバンドギャッ
プを大きくさせることによって窓領域を形成する。この
Ｚｎ拡散は、高濃度ｐ型ＧａＡｓ層を成長させアニール
することにより行う。本発明では、Ｚｎを含有したｐ型
ＧａＡｓ層の上にＳｉを含むｎ型の層を成長すること
で、ｎ型層のＺｎの「ブロック効果」により、低温でも
活性層端面領域へのＺｎ拡散を効果的に行なうことがで
きる。その結果として、ＤＨ（double-hetero）構造に
おいてｐ型クラッド層から活性層への無用なＺｎ拡散を
抑制できる。また、窓構造を形成する場合には複数の工
程を必要とするが、成長する工程と成長層をエッチング
除去する工程を一つの装置で行うことも可能である。

【００２１】さらに、Ｚｎ拡散のために形成するｐ型Ｇ
ａＡｓ層とＳｉドープＧａＡｓ層をそのまま残して半導
体レーザを完成させると、端面において逆方向のｐｎ接
合が形成され、極めて効果的な電流非注入構造を容易に
実現することができる。

【００２２】すなわち、本発明の半導体レーザは、端面
からレーザ光を放出する半導体レーザであって、前記端
面の前記レーザ光を放出する部分に第１導電型の不純物
が選択的に導入されてなる窓領域と、前記窓領域に隣接
して前記端面付近のみに選択的に設けられ前記第１導電
型の不純物を含有する第１の半導体層と、前記第１の半
導体層に隣接して前記窓領域とは反対側において前記端
面付近のみに選択的に設けられ第２導電型の不純物を含
有する第２の半導体層と、を備えたことを特徴とする。

【００２３】上記構成によれば、窓領域へのＺｎの拡散
を低温で行い、且つ端面付近において逆接合を形成する
ことにより確実な電流非注入効果も得ることができる。

【００２４】または、本発明の半導体レーザは、端面の
レーザ光を放出する部分に第１導電型の不純物が選択的
に導入されてなる窓領域を備えた半導体レーザであっ
て、活性層を含んだ積層構造体の端面となるべき部分の
上に、前記第１導電型の不純物を含有する第１の半導体
層を選択的に積層させ、前記第１の半導体層の上に第２
導電型の不純物を含有する第２の半導体層を選択的に積
層させ、前記第１の半導体層から前記第１導電型の不純
物を前記端面付近の前記活性層の周囲に導入させること
によって前記窓領域を形成したことを特徴とする。

【００２５】上記構成によっても、窓領域へのＺｎの拡
散を低温で行い、且つ端面付近において逆接合を形成す
ることにより確実な電流非注入効果も得ることができ
る。

【００２６】または、本発明の半導体レーザは、基板
と、前記基板上に設けられた第２導電型のクラッド層
と、前記第２導電型のクラッド層の上に設けられた活性
層と、前記活性層の上に設けられた第１導電型のクラッ
ド層と、端面の近傍のみにおいて前記第１導電型のクラ
ッド層の上に選択的に設けられ第１導電型の不純物を含
有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に選
択的に設けられ第２導電型の不純物を含有する第２の半
導体層と、前記第１の半導体層から前記第１導電型の不
純物を前記端面付近の前記活性層の周囲に拡散させるこ
とによって形成した窓領域と、を備えたことを特徴とす
る。

【００２７】上記構成によっても、窓領域へのＺｎの拡
散を低温で行い、且つ端面付近において逆接合を形成す
ることにより確実な電流非注入効果も得ることができ
る。

【００２８】ここで、これらの半導体レーザにおいて、
前記第１導電型の不純物は、Ｚｎ（亜鉛）、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｄ（カドミウム）
及びＨｇ（水銀）の少なくともいずれかを含み、前記第
２導電型の不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｓｎ（す
ず）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）及びＴｅ（テ
ルル）の少なくともいずれかを含むものとすれば、窓領
域の形成と、「ブロック効果」とを確実に実現すること
ができる。

【００２９】また、前記活性層は、ＭＱＷ構造のような
ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる積層構造を有
し、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、
ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及びＺｎＳよりなる群から選択さ
れたいずれかからなるものとすれば、可視光領域の高出
力型且つ高性能の半導体レーザを実現することができ
る。

【００３０】一方、本発明の半導体レーザの製造方法
は、活性層を含む端面に選択的に不純物を導入し、前記
活性層の端面における平均的なバンドギャップエネルギ
ーが端面を除く活性層の平均的なバンドギャップエネル
ギーより大きくされてなる窓領域を有する半導体レーザ
装置の製造方法であって、ｐ型クラッド層と活性層とｎ
型クラッド層とからなる積層体を第１の成長温度におい
て成長する工程と、第１導電型の不純物を含有する第１
の半導体層と、第２導電型の不純物を含有する第２の半
導体層とを第２の成長温度において堆積する工程と、第
３の温度においてアニール処理することにより前記第１
の半導体層に含有される前記第１導電型の不純物を前記
活性層付近に拡散させて前記窓領域を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。

【００３１】上記構成によれば、窓領域へのＺｎの拡散
を低温で行い、且つ端面付近において逆接合を形成する
ことにより確実な電流非注入効果も得ることが可能であ
る。

【００３２】ここで、前記第２の成長温度は、前記第１
の成長温度よりも低いものとしても、窓領域の形成は確
実に行い且つｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡
散を防ぐことができる。

【００３３】また、前記第３の温度は、前記第２の成長
温度と同一またはそれより低いものとすれば、窓領域の
形成は確実に行いつつｐ型クラッド層から活性層への不
純物の拡散を効果的に防ぐことができる。

【００３４】また、前記窓領域を形成する前記工程の後
に、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層を除去す
る工程をさらに備えた場合には、従来の方法と同様の窓
構造型半導体レーザを形成することができる。

【００３５】また、前記第１導電型の不純物は、Ｚｎ
（亜鉛）、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウ
ム）、Ｃｄ（カドミウム）及びＨｇ（水銀）の少なくと
もいずれかを含み、前記第２導電型の不純物は、Ｓｉ
（シリコン）、Ｓｎ（すず）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲル
マニウム）及びＴｅ（テルル）の少なくともいずれかを
含むものとすれば、窓領域の形成と、「ブロック効果」
とを確実に実現することができる。

【００３６】また、前記活性層は、ＭＱＷ構造のような
ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる積層構造を有
し、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、
ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及びＺｎＳよりなる群から選択さ
れたいずれかからなるものとすれば、可視光領域の高出
力型且つ高性能の半導体レーザを実現することができ
る。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。

【００３８】（第１の実施の形態）まず、本発明の第１
の実施の形態について説明する。本実施形態において
は、Ｓｉをドープした半導体層を積層することにより、
従来よりも低温でＺｎを拡散させ、活性層へのＺｎの進
入を防ぐことができる。

【００３９】図１乃至図３は、本実施形態にかかる窓構
造の半導体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図であ
る。これらの斜視図は、図９（ａ）乃至図１１（ｃ）に
表した斜視図に概ね対応するものである。

【００４０】本実施形態の要点について、まず説明する
と以下の如くである。

【００４１】本実施形態のひとつの特徴点は、図１
（ｂ）に表されている。すなわち、本実施形態において
は、Ｚｎを拡散させるためのＺｎドープＧａＡｓ層９の
上に、ＳｉをドープしたＧａＡｓ層２０を積層させる。
そして、この状態でアニールすることによってＺｎを拡
散させて窓領域１０を形成する。

【００４２】本発明者は、独自の試作検討の結果、この
ようにＺｎドープＧａＡｓ層９の上にＳｉをドープした
ＧａＡｓ層２０を積層させると、ＺｎドープＧａＡｓ層
９から下方に向かうＺｎの拡散が促進されるという現象
を見いだした。つまり、ＳｉドープＧａＡｓ層２０を積
層させることによって、Ｚｎの下方向への拡散を顕著に
生じさせ、従来よりも低温で窓領域１０を形成すること
ができる。その結果として、ｐ型クラッド層５から活性
層４へのＺｎの進入を解消し、特性の劣化を防ぐことが
できる。

【００４３】図４は、本発明のＺｎ拡散方法と従来の方
法とを比較したグラフ図である。すなわち、同図の横軸
は拡散温度であり、縦軸はＺｎの拡散量を表す。Ｚｎを
拡散源と考えた場合、ＺｎドープＧａＡｓ層のみを用い
てアニールをするような従来技術に比べて、Ｚｎドープ
ＧａＡｓ層の上にＳｉドープＧａＡｓ層を積層させてア
ニールする本発明によれば、Ｚｎの拡散が促進され、従
来よりも低い温度で所定の拡散量を得ることができる。

【００４４】このようにＺｎの拡散が促進されるひとつ
の理由は、ＳｉドープＧａＡｓ層２０を積層させること
によって、Ｚｎの上方への拡散をブロックすることがで
きる点にあると考えられる（ブロック効果）。すなわ
ち、ＳｉドープＧａＡｓ層２０を積層させずに表面を露
出させた状態でアニールを施すと、ＺｎドープＧａＡｓ
層９に含まれるＺｎは、下方に向かって拡散をすると同
時に、表面においても蒸発し消失する。Ｚｎの平衡蒸気
圧は７１０℃において約１０^２Ｔｏｒｒと極めて高いた
め、ＧａＡｓ層９の表面における昇華が急激に生ずる。
その結果として、ＧａＡｓ層９のＺｎ濃度が低下し、下
方への拡散速度も低下する。

【００４５】これに対して、本実施形態においては、Ｓ
ｉドープＧａＡｓ層２０を積層させることにより、Ｚｎ
の上方への拡散を効果的にブロックすることができる。
これは、不純物であるＺｎとＳｉとは、ＧａＡｓ中にお
いていずれもIII族サイトを占めるからであると考えら
れる。つまり、ＧａＡｓ層９に含有されるＺｎは、上方
に隣接するＧａＡｓ層２０のIII族サイトがＳｉによっ
て占められているために、拡散することができず、ブロ
ックされる。その結果として、Ｚｎ濃度の低下は起こら
ず、下方向へのＺｎ拡散を従来よりも顕著に生じさせる
ことができる。

【００４６】これに加えて、ＳｉドープＧａＡｓ層２０
を積層させることにより、Ｚｎを下方に押し出す効果も
得られると推測される（押し出し効果）。すなわち、Ｓ
ｉドープＧａＡｓ層２０を積層させた状態でアニールを
施すと、ＧａＡｓ層２０に含まれるＳｉが下側に隣接す
るＺｎドープＧａＡｓ層９に拡散進入しようとする。す
ると、Ｓｉと同一のIII族サイトを占めるＺｎは、Ｓｉ
に押される状態となり、下方への拡散が促進される。

【００４７】本発明者の実験によれば、ＳｉドープＧａ
Ａｓ層２０のＳｉの濃度が１０^１６ｃｍ^−３程度あるい
はそれよりも低い場合においても、上述したような「ブ
ロック効果」や「押し出し効果」がみられた。

【００４８】また、本発明者の検討の結果、Ｓｉ以外に
も、III族サイトを占めるドーパントとしてＳｎ（す
ず）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｔｅ（テル
ル）のいずれか、またはこれらを組み合わせて用いても
同様の効果が得られることがわかった。一方、窓領域１
０を形成するために拡散させる不純物としては、Ｚｎの
他にもＢｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃ
ｄ（カドミウム）、Ｈｇ（水銀）のいずれか、またはこ
れらを組み合わせて用いることができ、いずれの場合に
も、本発明における「ブロック効果」及び「押し出し効
果」を得ることができる。

【００４９】また、ＺｎドープＧａＡｓ層９とＳｉドー
プＧａＡｓ層２０は、必ずしも単結晶である必要はな
く、多結晶や非晶質状であっても良い。また、そのマト
リクス材料も、ＧａＡｓには限定されず、III−Ｖ族化
合物半導体を始めとする各種の材料を用いることが可能
である。

【００５０】特に、ＩｎＧａＡｌＰ、ＡｌＧａＡｓ、Ｚ
ｎＳＳｅ、またはＺｎＳｅを用いると、ＧａＡｓとほぼ
格子整合するという点で有利である。また、これら以外
にも、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓあるいはＺｎＳ
を用いた場合も、ＧａＡｓと格子定数のずれが小さくな
る条件を選択すれば良好な結果が得られる。

【００５１】以上説明したように、本発明によれば、Ｓ
ｉなどをドープしたＧａＡｓ層２０を積層させることに
より、「ブロック効果」と「押し出し効果」が生じて、
Ｚｎの下方への拡散を促進させることができる。本発明
者の実験によれば、同一の窓構造を形成するに際して、
例えば、従来は７１０℃でのアニールが必要であったも
のが、本発明によれば、６５０℃でのアニールで形成す
ることができる。その結果として、ｐクラッド層５から
活性層領域４へのＺｎの拡散進入を大幅に低減すること
ができる。

【００５２】以下、図１乃至図３を参照しつつ、本実施
形態にかかる製造方法の具体例について説明する。

【００５３】まず、図１（ａ）に示すように、有機金属
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、例えば成長温度７１
０℃でｎ型ＧａＡｓ基板１上に例えばＳｉをドーピング
したＳｉドープＧａＡｓバッファ層２、層厚１．７μｍ
のＳｉドープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａ
ｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層３、活性層領域４、
層厚１．７μｍのＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ
_０．３ Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラッド層（ｐ＝
１．０×１０^１８ｃｍ^−３）５、層厚５０ｎｍのＺｎド
ープＩｎ_{０ ．５} Ｇａ_０．５ Ｐ通電容易層６、厚さ
０．５μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層７を形成する。

【００５４】ここで、活性層領域４は、例えば５０ｎｍ
のＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．５ Ａｌ _０．５ ）_５ Ｐ光
ガイド層と、厚さ６ｎｍのＩｎ_０．５ Ｇａ_０．５ Ｐ
井戸層と厚さ４ｎｍのＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．５ Ａｓ
_０．５ ）_０．５ Ｐ障壁層を交互に積層してなるＭＱ
Ｗ活性層と、層厚５０ｎｍのＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．
５ Ａｌ_０．５ ）_０．５ Ｐ第２光ガイド層とからな
るものとすることができる。

【００５５】さらに、半導体レーザの共振器端面に平行
に例えば端面から２０μｍの開口部を持つようにストラ
イプ状のＳｉＯ２膜８を例えば層厚２００ｎｍとなるよ
うに堆積する。そして、このストライプ状のＳｉＯ２膜
８をマスクとして、例えば硫酸系エッチャントでウエッ
トエッチングにより、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７をエッ
チングする。さらに、Ｂｒ（ブロム）系エッチェントに
て層厚５０ｎｍのＺｎドープＩｎ_０．５ Ｇａ_０．５
Ｐ通電容易層６を選択的に除去する。

【００５６】次に、図１（ｂ）に示すように、例えばＭ
ＯＣＶＤ法により、前記ＭＯＣＶＤ成長したウエーハ
に、Ｚｎを５×１０^１９ｃｍ^−３以上ドーピングしたｐ
型ＧａＡｓ層９とＳｉを５×１０^１８ｃｍ^−３以上ドー
ピングしたｎ型ＧａＡｓ層２０を選択成長する。この
時、前記ＭＯＣＶＤ成長した温度より低い温度、例えば
Ｔｇ_２ ＝６５０℃にて連続してＳｉＯ_２マスク８のス
トライプ状開口部に選択成長させる。

【００５７】その後、成長温度と同じアニール温度にて
Ｚｎをｐ型ＧａＡｓ層９から前記活性層領域４に拡散さ
せ、混晶化させる。混晶化した活性層領域４は、混晶化
していない活性層領域よりも平均のバンドギャップが大
きくなるために、レーザ光に対して吸収率が低下した窓
領域となる。この場合、従来の方法ではｐ型ＧａＡｓ層
９のみを成長し、アニールしＺｎを活性層領域に拡散す
る場合温度が成長温度と同程度に高くないと、Ｚｎ拡散
が十分発生しにくかった。ところが、温度が高いと、Ｚ
ｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）
_０．５ Ｐクラッド層（ｐ＝１．０×１０^１８ｃ
ｍ^−３）５からＺｎがＭＱＷ活性層４に拡散してしま
い、しきい値電流を上昇させる等の問題が発生する。

【００５８】本発明においては、ＳｉドープＧａＡｓ層
２０をＺｎドープＧａＡｓ層９の上に積層させることに
よって、Ｚｎの上方への拡散に対する「ブロック効果」
と下方への拡散を促進させる「押し出し効果」とが得ら
れる。したがって、従来よりも低温のアニールでｐ型Ｇ
ａＡｓ層９のＺｎを拡散させて窓領域１０を形成でき、
Ｐクラッド層５から活性層４へのＺｎの拡散は大幅に抑
制することができる。

【００５９】続いて、図１（ｃ）に示すように、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層９とｎ型ＧａＡｓ層２０をエッチングにより除
去し、ＺｎドープＩｎ_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ
_０．７）_０．５ Ｐクラッド層５のＺｎ拡散領域１０を
露出させる。

【００６０】次に、図１（ｄ）に示したように、ＳｉＯ
_２マスク８を取り除き、ｐ型ＧａＡｓ層７を露出させた
後、共振器となるリッジストライプを形成すべく例え
ば、幅４．５μｍで厚さ２００ｎｍのストライプ状Ｓｉ
Ｏ２層１１をＳｉドープＧａＡｓ層のストライプ状の開
口部に対して直交するように形成する。そして、このＳ
ｉＯ_２層１１をマスクとして、ＧａＡｓ層７とＺｎドー
プＩｎ_０．５ Ｇａ_{０． ５} Ｐ通電容易層８をエッチン
グして取り除く。

【００６１】次に、図２（ａ）に示すように、ストライ
プ状ＳｉＯ_２層１１をマスクにして、ＺｎドープＩｎ
_０．５ （Ｇａ_０．３ Ａｌ_０．７ ）_０．５ Ｐクラ
ッド層５をリッジストライプ状にエッチングする。その
寸法は、例えば、リッジ幅５μｍ、リッジの厚さ１．７
μｍ、リッジ両サイドの厚さ０．２５μｍとすることが
できる。

【００６２】次に、図２（ｂ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ａｓ（ｎ＝２×１０^１８ｃｍ^−３）電流ブロック層１２
を上記リッジの側面に約１μｍの層厚に選択成長させ
る。

【００６３】次に、図２（ｃ）に示したようにストライ
プ状のＳｉＯ_２層１１をエッチングにより取り除き、さ
らに、ＳｉドープＧａＡｓ７をエッチングにより取り除
くことにより、図２（ｄ）に示したように、Ｐクラッド
層５のリッジストライプ上には、Ｚｎ拡散領域１０を開
口部とするｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ_０．５ Ｐ通電容易層
６が露出した状態となる。

【００６４】この後、図３（ａ）に示したようにｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層（ｎ＝２×１０ ^１８ｃｍ^−３）１３
を３μｍ形成し、ｐ側電極１４としてＡｕＺｎ／Ａｕ、
ｎ側電極１５としてＡｕＧｅ／Ａｕをそれぞれ形成す
る。

【００６５】以上説明したようにして作成した半導体レ
ーザは、図３（ｂ）に示したように、レーザの光出射端
面にはＺｎ拡散による窓領域１０が形成されており、こ
の直上では、ｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ_０．５ Ｐ通電容易
層６がなくＰクラッド層５とＺｎドープＧａＡｓコンタ
クト層１３が接している。このため、この部分では両層
のバンドギャップ差が大きいため価電子帯のヘテロ障壁
により電流が抑制される。これに対して、Ｚｎ拡散領域
１０以外のリッジストライプ上には、Ｐクラッド層５と
ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層１３との間に中間バン
ドギャップエネルギーを持つｐ型Ｉｎ_０．５ Ｇａ
_０．５ Ｐ通電容易層６が存在することにより、電流が
容易に流れる構造になる。このようにして、光出射端面
には、Ｚｎの拡散による窓構造が形成され、しかも、こ
の窓領域には電流が流れにくい端面非注入型の窓構造が
得られる。

【００６６】さらに、本実施形態によれば、従来よりも
低温でＺｎを拡散させて窓領域１０を形成したため、ク
ラッド層５から活性層領域４へのＺｎの拡散を大幅に抑
制することができる。

【００６７】図５は、本発明の半導体レーザと従来の方
法による半導体レーザについて活性層領域付近のＺｎの
濃度を測定した結果を表すグラフ図である。同図からわ
かるように、従来の方法による半導体レーザの場合に
は、ｐ型クラッド層から活性層領域へＺｎが拡散してい
るのに対して、本発明による半導体レーザの場合は、活
性層領域４へのＺｎの浸みだしは、殆どない。

【００６８】その結果として、本発明によれば、従来の
レーザにおいて問題となっていたＩｔｈやＩｏｐの増
大、波長の短波長化、ライフの短寿命化、ＣＯＤの低下
などを解消することが可能となる。

【００６９】本発明により得られた端面非注入型窓構造
半導体レーザは、共振器長８００μｍ、ストライプ幅５
μｍ、前面反射率１０％、裏面反射率９０％にて、発振
波長は設計値通りの６８０ｎｍで発振し、２５０ｍＷま
でＣＯＤの発生のないことが確認された。

【００７０】また、比較例として、従来の方法に従い、
ＳｉドープＧａＡｓ層２０を設けずに同様の構造の半導
体レーザを形成したところ、得られたレーザの発振波長
は、設計値に対して８〜５ｎｍ程度短波長側にずれた。
これは、窓領域の形成に際して活性層にＺｎが拡散した
ためであると考えられる。

【００７１】以下に、本発明の半導体レーザと比較例の
半導体レーザについて得られた評価結果をまとめる。

【００７２】 本発明 比較例 発振しきい値 ４０ｍＡ以下 ５０ｍＡ 動作電流（@70℃、50mW） １８０ｍＡ ２００ｍＡ 最大出力 ２５０ｍＷ ２００ｍＷ 以上の結果から本発明の半導体レーザは、従来のものと
比較して、しきい値、動作電流が低く、且つ最大出力も
改善されていることがわかる。

【００７３】なお、本実施例ではＳｉＯ_２マスク８の開
口部にＺｎを２×１０^１８ｃｍ^−３以上ドーピングした
ｐ型ＧａＡｓ層９を選択成長し、その後アニール処理を
加えて、Ｚｎをｐ型ＧａＡｓ層９からｎ型クラッド層３
の途中まで拡散させて、Ｚｎ拡散領域１０を形成した後
に、ＳｉＯ_２層１１の開口部分のｐ型通電容易層６をエ
ッチングしたが、この順序は逆であっても差し支えな
い。

【００７４】また、本実施形態においては、ＭＯＣＶＤ
成長する工程、ＳｉＯ_２を形成しパターニングする工
程、拡散領域に選択的に拡散源を設けて成長する工程、
拡散源を選択的に除去する工程、ＳｉＯ_２パターンを取
り除く工程を全く別々の製造設備によって実施しても良
い。

【００７５】しかし、これらのうちで、ｐ型ＧａＡｓ層
９を成長し、その上にｎ型ＧａＡｓ層２０を連続的に成
長したあとアニールし、これらの成長層９、２０をエッ
チングにより除去する一連の工程は、同じＭＯＣＶＤ装
置において結晶成長ガスやエッチングガス種を適宜切り
替えることで、実施可能となる。この際に、エッチング
ガスとしては、ＢＣｌ_３やＣｌ_２を始めとする各種のガ
スを用いることができる。

【００７６】したがって、ＭＯＣＶＤ装置に成長だけで
なく、エッチング機能をもたせて、同一または連結した
チャンバ内で連続して工程を実施することも可能とな
る。

【００７７】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。本実施形態において
は、Ｚｎを拡散させるためのＺｎドープＧａＡｓ層と、
その上に積層させるＳｉをドープした半導体層とを除去
せずに、そのまま残して半導体レーザを形成する。この
ようにすれば、Ｓｉの「ブロック効果」及び「押し出し
効果」を得られると同時に、窓領域の上部に逆接合が形
成され、非注入効果を容易且つ確実に得ることができ
る。

【００７８】図６乃至図８は、本実施形態にかかる窓構
造の半導体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図であ
る。これらの斜視図は、図１（ａ）乃至図３（ｂ）に表
した斜視図にそれぞれ対応するものであり、同一の部分
には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【００７９】前述した第１実施形態との主な相違点につ
いて説明すると、本実施形態においては、まず、図６
（ｂ）に表したように、ＺｎドープＧａＡｓ層９の層厚
をやや薄くすることが望ましい。ＧａＡｓ層９を厚く成
長させると、ＳｉＯ_２マスク８の上部に張り出して成長
し、いわゆる「オーバーハング」が形成され、後の工程
（図８（ａ））におけるｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３
の埋め込み成長が難しくなるからである。従って、図６
（ｂ）に表したように、ＧａＡｓ層９の上面がマスク８
の上面と同一レベルとなるように成長させても良く、ま
たは、ＳｉドープＧａＡｓ層２０の上面がマスク８の上
面と同一レベルとなるように薄く成長させても良い。

【００８０】図６（ｂ）に表したようにＺｎドープＧａ
Ａｓ層９とＳｉドープＧａＡｓ層２０を成長させ、アニ
ールして窓領域１０を形成した後に、これらの層９、２
０をエッチング除去せずに工程を進める。すなわち、図
６（ｄ）に表したようにストライプ状のＳｉＯ_２層１１
をマスクとして、ＳｉドープＧａＡｓ層２０とＺｎドー
プＧａＡｓ層９もストライプ状にエッチングする。

【００８１】そして、図７（ａ）〜（ｄ）に表したよう
に、リッジストライプを形成し、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層１２を成長させ、ＳｉＯ_２層１１を除去する。

【００８２】さらに、図８（ａ）に表したように、ｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層１２を成長させ、ｐ側電極１４
とｎ側電極１５を形成して半導体レーザが完成する。

【００８３】以上説明したように、本実施形態において
も、ＺｎドープＧａＡｓ層９の上にＳｉドープＧａＡｓ
層２０を積層させることによって、「ブロック効果」と
「押し出し効果」が得られ、低温でＺｎを拡散させて活
性層へのＺｎの進入による特性の劣化を防ぐことができ
る。

【００８４】さらに、本実施形態によれば、図８（ｂ）
に表したように、レーザの端面において窓領域１０が形
成され、その上方においては、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ
層９とＳｉドープｎ型ＧａＡｓ層２０とが積層されてレ
ーザの動作バイアス方向に対して逆方向のｐｎ接合を形
成している。従って、端面近傍の領域への電流の注入を
極めて効果的に抑制することができる。

【００８５】本発明者の試作の結果によれば、第１実施
形態と同一の設計パラメータを用いた場合に本実施形態
の半導体レーザは、設計値通りの発振波長が得られ、波
長６８５ｎｍにおける発振しきい値は約３６ｍＡ、７０
℃５０ｍＷでの動作電流は１７０ｍＡ、最大出力は２８
０ｍＷであり、第１実施形態のレーザと比較してもさら
に、高効率且つ高出力の発振特性が得られた。また、レ
ーザの動作限界である２８０ｍＷに至るまでＣＯＤの発
生は認められなかった。

【００８６】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体
例に限定されるものではない。

【００８７】例えば、以上説明した具体例においては、
活性領域４は、ＭＱＷ活性層と光ガイド層により形成し
たが、ＭＱＷ活性層ではなく単層の活性層でもよい。ま
た、ガイド層は無くても良い。その材料についても、無
論、クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが小さ
い半導体層であればいずれの材料を用いても良い。

【００８８】また、各具体例として挙げた各層の組成、
キャリア濃度、ドーパント、層厚、成長温度などの構造
パラメータ及びプロセスパラメータは、あくまでも一例
に過ぎず、発振波長や、導波路内での光の伝播の仕方の
違いにより、適時最適化することができる。

【００８９】

【発明の効果】本発明は、以上説明した形態で実施さ
れ、以下に説明する効果を奏する。

【００９０】まず、本発明によれば、窓構造を形成する
ための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドー
プした半導体層を積層することにより、「ブロック効
果」と「押し出し効果」とを利用して、不純物の拡散を
促進させることができる。その結果として、従来よりも
低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッ
ド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことがで
きる。従来技術では、ｐクラッド層からのＺｎ拡散が抑
制できず、発振しきい値Ｉｔｈ、動作電流Ｉｏｐの増
大、波長の短波長化、ライフの短寿命化、ＣＯＤの低下
を招いていたのに対して、本発明によれば、Ｉｔｈ，Ｉ
ｏｐも十分小さく、波長も変化せず、ライフも問題な
く、ＣＯＤも低下しない。

【００９１】また、本発明によれば、窓領域を形成する
ための不純物を含有する半導体層とその上に積層させた
Ｓｉなどをドープした半導体層とをそのまま残して半導
体レーザを形成することにより、上述した効果に加え
て、確実な電流非注入効果も得ることができる。その結
果として、ＣＯＤの発生を大幅に抑制した高出力高性能
の半導体レーザを実現することができる。

【００９２】以上詳述したように、本発明によれば、簡
素な構成で、高出力、高性能、高信頼性を併せもつ可視
光半導体レーザなどを実現し、光記録システムなどの各
種の応用分野に対する貢献も大であり産業上のメリット
は多大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図４】本発明のＺｎ拡散方法と従来の方法とを比較し
たグラフ図である。

【図５】本発明の半導体レーザと従来の方法による半導
体レーザについて活性層領域付近のＺｎの濃度を測定し
た結果を表すグラフ図である。

【図６】本発明の第２の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図７】本発明の第２の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図８】本発明の第２の実施形態にかかる窓構造の半導
体レーザの製造方法を表す要部工程斜視図である。

【図９】従来の窓構造の半導体レーザの製造方法を表す
要部工程斜視図である。

【図１０】従来の窓構造の半導体レーザの製造方法を表
す要部工程斜視図である。

【図１１】従来の窓構造の半導体レーザの製造方法を表
す要部工程斜視図である。

【符号の説明】

１、１０１ 基板 ２、１０２ バッファ層 ３、１０３ ｎ型クラッド層 ４、１０４ 活性層領域 ５、１０５ ｐ型クラッド層 ６、１０６ 通電容易層 ７、１０７ キャップ層 ８、１０８ マスク ９、１０９ Ｚｎ含有層 １０、１１０ 窓領域 １１、１１１ マスク １２、１１２ ブロック層 １３、１１３ ｐ型コンタクト層 １４、１１４ ｐ側電極 １５、１１５ ｎ側電極 ２０ Ｓｉドープ層

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】端面からレーザ光を放出する半導体レーザ
   であって、 前記端面の前記レーザ光を放出する活性層部分に第１導
   電型の不純物が選択的に導入されてなる窓領域と、 前記窓領域に隣接して前記端面付近のみに選択的に設け
   られ前記第１導電型の不純物を含有する第１の半導体層
   と、 前記第１の半導体層に隣接して前記窓領域とは反対側に
   おいて前記端面付近のみに選択的に設けられ第２導電型
   の不純物を含有する第２の半導体層と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
2. 【請求項２】端面のレーザ光を放出する部分に第１導電
   型の不純物が選択的に導入されてなる窓領域を備えた半
   導体レーザであって、 活性層を含んだ積層構造体の端面となるべき部分の上
   に、前記第１導電型の不純物を含有する第１の半導体層
   を選択的に積層させ、前記第１の半導体層の上に第２導
   電型の不純物を含有する第２の半導体層を選択的に積層
   させ、前記第１の半導体層から前記第１導電型の不純物
   を前記端面付近の前記活性層の周囲に導入させることに
   よって前記窓領域を形成したことを特徴とする半導体レ
   ーザ。
3. 【請求項３】窓構造の半導体レーザであって、 第２導電型のクラッド層と、 前記第２導電型のクラッド層の上に設けられた活性層
   と、 前記活性層の上に設けられた第１導電型のクラッド層
   と、 端面の近傍のみにおいて前記第１導電型のクラッド層の
   上に選択的に設けられ第１導電型の不純物を含有する第
   １の半導体層と、 前記第１の半導体層の上に選択的に設けられ第２導電型
   の不純物を含有する第２の半導体層と、 前記第１の半導体層から前記第１導電型の不純物を前記
   端面付近の前記活性層の周囲に拡散させることによって
   形成した窓領域と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
4. 【請求項４】前記第１導電型の不純物は、Ｚｎ（亜
   鉛）、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃ
   ｄ（カドミウム）及びＨｇ（水銀）の少なくともいずれ
   かを含み、 前記第２導電型の不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｓｎ
   （すず）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）及びＴｅ
   （テルル）の少なくともいずれかを含むことを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ。
5. 【請求項５】前記活性層は、ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半
   導体の積層構造を有し、 前記第１の半導体層は、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ａ
   ｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及び
   ＺｎＳよりなる群から選択されたいずれかからなり、 前記第２の半導体層は、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ａ
   ｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及び
   ＺｎＳよりなる群から選択されたいずれかからなること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導
   体レーザ。
6. 【請求項６】活性層を含む端面に選択的に不純物を導入
   し、前記活性層の端面における平均的なバンドギャップ
   エネルギーが端面を除く活性層の平均的なバンドギャッ
   プエネルギーより大きくされてなる窓領域を有する半導
   体レーザ装置の製造方法であって、 ｐ型クラッド層と活性層とｎ型クラッド層とからなる積
   層体を第１の成長温度において成長する工程と、 第１導電型の不純物を含有する第１の半導体層と、第２
   導電型の不純物を含有する第２の半導体層とを第２の成
   長温度において堆積する工程と、 第３の温度においてアニール処理することにより前記第
   １の半導体層に含有される前記第１導電型の不純物を前
   記活性層付近に拡散させて前記窓領域を形成する工程
   と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
7. 【請求項７】前記第２の成長温度は、前記第１の成長温
   度よりも低いことを特徴とする請求項６記載の半導体レ
   ーザの製造方法。
8. 【請求項８】前記第３の温度は、前記第２の成長温度と
   同一またはそれより低いことを特徴とする請求項６また
   は７に記載の半導体レーザの製造方法。
9. 【請求項９】前記窓領域を形成する前記工程の後に、前
   記第１の半導体層と前記第２の半導体層を除去する工程
   をさらに備えたことを特徴とする請求項６〜８のいずれ
   か１つに記載の半導体レーザの製造方法。
10. 【請求項１０】前記第１導電型の不純物は、Ｚｎ（亜
    鉛）、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃ
    ｄ（カドミウム）及びＨｇ（水銀）の少なくともいずれ
    かを含み、 前記第２導電型の不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｓｎ
    （すず）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）及びＴｅ
    （テルル）の少なくともいずれかを含むことを特徴とす
    る請求項６〜９のいずれか１つに記載の半導体レーザの
    製造方法。
11. 【請求項１１】前記活性層は、ＩｎＧａＡｌＰ系化合物
    半導体の積層構造を有し、 前記第１の半導体層は、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ａ
    ｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及び
    ＺｎＳよりなる群から選択されたいずれかからなり、 前記第２の半導体層は、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ａ
    ｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅ及び
    ＺｎＳよりなる群から選択されたいずれかからなること
    を特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の半
    導体レーザの製造方法。