JP2006128295A - 半導体レーザ素子およびこれを用いた半導体レーザアレイ、並びに半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびこれを用いた半導体レーザアレイ、並びに半導体レーザ素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 窓領域30を含む端面近傍領域30Aにおける突条部20の幅W1を、端面近傍領域30A以外の素子内部領域30Bにおける幅W2よりも大きくする。窓構造30を含む端面近傍領域30Aでは突条部20が延在しておらず、p型第3クラッド層17が残存している。高出力化のために窓領域30を設けた場合においても、窓領域30を含む端面近傍領域30Aにおいて突条部20の形状精度を高くすることができ、水平横モードを安定させることができると共に横方向のビーム放射角を小さくすることができる。
【選択図】 図3
Description
図24は上記実施の形態に係る半導体レーザ素子10の製造方法の変形例を表すものであり、図25ないし図29はその工程を表すものである。この変形例は、材料による亜鉛(Zn)拡散速度の相違を考慮し、窓領域30を形成する前にコンタクト層18の一部を除去し、拡散制御を容易にすると共に拡散時間を短縮するようにしたものである。なお、上記実施の形態の製造方法と同一の工程についてはその図面を参照し同一の符号を用いて説明する。
図30は上記実施の形態に係る半導体レーザ素子10の製造方法の他の変形例を表すものであり、図31はその工程を表すものである。この変形例は、突条部20を形成する工程において、コンタクト層18およびp型第3クラッド層をエッチング除去する際に、複数回に分けて異なるエッチャントを用いて行うようにしたものである。なお、上記実施の形態の製造方法と同一の工程についてはその図面を参照し同一の符号を用いて説明する。
Claims (22)
- 基板上に活性層を含む半導体層を備え、前記半導体層の一部に前記活性層のストライプ領域を制限するための突条部を有すると共に前記半導体層の側面に前記突条部の延長方向に対向する一対の共振器端面を備えた半導体レーザ素子であって、
前記共振器端面の少なくとも一方に、前記活性層で発生した光に対する吸収を抑制するための窓領域が形成されており、前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1は、前記端面近傍領域以外の領域における幅W2よりも大きい
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1は、前記窓領域の幅W3以上である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体層は前記基板側から順に第1クラッド層, 前記活性層, 第2クラッド層,エッチングストップ層,第3クラッド層およびコンタクト層を有し、前記第3クラッド層および前記コンタクト層が前記突条部とされている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記コンタクト層は、前記窓領域を含む端面近傍領域を回避して設けられている
ことを特徴とする請求項3記載の半導体レーザ素子。 - 前記突条部の両側に電流阻止層が形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記突条部の上面および両側に電極が形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記第1クラッド層, 前記活性層, 第2クラッド層,エッチングストップ層および第3クラッド層は、3B族元素のうちの少なくともアルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)と5B族元素のうちの少なくともヒ素(As)とを含むIII−V族化合物半導体により構成され、前記コンタクト層はGaAsにより構成されている
ことを特徴とする請求項3記載の半導体レーザ素子。 - 前記エッチングストップ層および前記第3クラッド層はAlGaAs混晶により構成され、且つ前記第3クラッド層に含まれるアルミニウム組成は、前記エッチングストップ層に含まれるアルミニウム組成よりも低く、その差が0.025以上である
ことを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ素子。 - 前記窓領域は、不純物としてシリコン(Si)または亜鉛(Zn)を含む
ことを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ素子。 - 複数の半導体レーザ素子を並列配置した半導体レーザアレイであって、
前記半導体レーザ素子は、
基板上に活性層を含む半導体層を備え、前記半導体層の一部に前記活性層のストライプ領域を制限するための突条部を有すると共に前記半導体層の側面に前記突条部の延長方向に対向する一対の共振器端面を備え、
前記共振器端面の少なくとも一方に、前記活性層で発生した光に対する吸収を抑制するための窓領域が形成されており、前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1は、前記端面近傍領域以外の領域における幅W2よりも大きい
ことを特徴とする半導体レーザアレイ。 - 前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1は、前記窓領域の幅W3以上である
ことを特徴とする請求項10記載の半導体レーザアレイ。 - 基板上に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層における一対の共振器端面の形成予定位置の少なくとも一方に不純物を拡散させることにより、前記活性層で発生した光に対する吸収を抑制するための窓領域を形成する工程と、
前記半導体層の一部をエッチング除去することにより前記活性層のストライプ領域を制限するための突条部を形成すると共に、前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1を、前記端面近傍領域以外の領域における幅W2よりも大きくする工程と、
前記半導体層の側面に前記突条部の延長方向に対向する一対の共振器端面を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記窓領域を含む端面近傍領域における前記突条部の幅W1を、前記窓領域の幅W3以上とする
ことを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記半導体層を形成する工程において、前記基板上に、第1クラッド層, 前記活性層, 第2クラッド層,エッチングストップ層,第3クラッド層およびコンタクト層を順に形成し、前記突条部を形成する工程において、前記コンタクト層および前記第3クラッド層の一部をエッチング除去することにより前記突条部を形成する
ことを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記突条部を形成したのち、前記窓領域を含む端面近傍領域の前記コンタクト層を除去する
ことを特徴とする請求項14記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記半導体層を形成したのち、前記共振器端面の形成予定位置の少なくとも一方およびその近傍の前記コンタクト層を除去し、その後、前記窓領域を形成する
ことを特徴とする請求項14記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記突条部を形成したのち、前記突条部の両側に電流阻止層を形成する
ことを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記突条部を形成したのち、前記突条部の上面および両側に電極を形成する
ことを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第1クラッド層, 前記活性層, 第2クラッド層,エッチングストップ層および第3クラッド層を、3B族元素のうちの少なくともアルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)と5B族元素のうちの少なくともヒ素(As)とを含むIII−V族化合物半導体により構成し、前記コンタクト層をGaAsにより構成する
ことを特徴とする請求項14記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記突条部を形成する工程において、前記半導体層の一部をエッチング除去する際に、複数回に分けて異なるエッチャントを用いて行う
ことを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記半導体層の一部をエッチング除去する際に、少なくとも最後の工程は、エッチャントとしてクエン酸水溶液と過酸化水素水との混合液を用いて行う
ことを特徴とする請求項20記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記半導体層の一部をエッチング除去する際に、少なくとも最後の工程とその直前の工程との間に、前記半導体層の残部をクエン酸水溶液で洗浄する
ことを特徴とする請求項21記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004312625A JP4904682B2 (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | ブロードストライプ型半導体レーザ素子およびこれを用いたブロードストライプ型半導体レーザアレイ、並びにブロードストライプ型半導体レーザ素子の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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---|---|
JP2006128295A true JP2006128295A (ja) | 2006-05-18 |
JP4904682B2 JP4904682B2 (ja) | 2012-03-28 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4904682B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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JP2014029941A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
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JP4904682B2 (ja) | 2012-03-28 |
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