JPH02114690A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH02114690A JPH02114690A JP26902288A JP26902288A JPH02114690A JP H02114690 A JPH02114690 A JP H02114690A JP 26902288 A JP26902288 A JP 26902288A JP 26902288 A JP26902288 A JP 26902288A JP H02114690 A JPH02114690 A JP H02114690A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ガイド層を有する半導体レーザ素子に関する
。
。
平坦な活性層と凸部をもつクラッド層を備え、水平横モ
ード制御に有利な通称リプ導波路型レーザは、Ｃ３Ｐレ
ーザ、ＶＩＳＩＳレーザ等とじて広く用いられており、
これらは液相成長法で製造される。それは気相成長法で
は素子の溝部や段差上への成長層が平坦に形成されにく
いからである。
ード制御に有利な通称リプ導波路型レーザは、Ｃ３Ｐレ
ーザ、ＶＩＳＩＳレーザ等とじて広く用いられており、
これらは液相成長法で製造される。それは気相成長法で
は素子の溝部や段差上への成長層が平坦に形成されにく
いからである。
しかし、高品質の薄膜の形成が容易で大面積の素子を得
るのには、気相成長法を用いるのが有利であり、その場
合の基本的な素子構成は第６図の正面からみた模式断面
図のようになる。第６図は基板ｌ上に第１クラッド層２
．活性層３．ストライプ状メサを有する第２クラッド層
４が順次積層され、この第２クラツロ１のメサ部両側面
に光吸収Ｊ！１５を埋め込んだものである。６．７はそ
れぞれ電極を表わす。
るのには、気相成長法を用いるのが有利であり、その場
合の基本的な素子構成は第６図の正面からみた模式断面
図のようになる。第６図は基板ｌ上に第１クラッド層２
．活性層３．ストライプ状メサを有する第２クラッド層
４が順次積層され、この第２クラツロ１のメサ部両側面
に光吸収Ｊ！１５を埋め込んだものである。６．７はそ
れぞれ電極を表わす。
一方、この半導体レーザ素子を高出力とするために、活
性層３と第２クラッド層４の中間の屈折率を有する光ガ
イド層を活性層３に接して設け、光スポツト径を拡大す
る試みもなされているが、光ガイド層を設けるには次の
ような問題がある。
性層３と第２クラッド層４の中間の屈折率を有する光ガ
イド層を活性層３に接して設け、光スポツト径を拡大す
る試みもなされているが、光ガイド層を設けるには次の
ような問題がある。
気相成長法で作製する第６図の半導体レーザ素子を高出
力とするために、活性Ｎ３に接する光ガイド層を付加す
る場合、その光ガイド層に関しては二つの制約がある。
力とするために、活性Ｎ３に接する光ガイド層を付加す
る場合、その光ガイド層に関しては二つの制約がある。
その一つは、接合個所におけるリーク電流が増加するの
を抑制するために、光ガイド層の組成が制約されること
、他の一つは、光の滲み出しを大きくするために、光ガ
イド層を厚くすると、しきい値電流の上昇や高次モード
の発生をもたらすことから、光ガイド層の膜厚が制約さ
れることである。さらに第６図に示した素子構造では、
しきい値電流や横モード特性は第２クラッド層４のメサ
部以外の領域の厚さに依存するので、その寸法を精度よ
く制御する必要がある。
を抑制するために、光ガイド層の組成が制約されること
、他の一つは、光の滲み出しを大きくするために、光ガ
イド層を厚くすると、しきい値電流の上昇や高次モード
の発生をもたらすことから、光ガイド層の膜厚が制約さ
れることである。さらに第６図に示した素子構造では、
しきい値電流や横モード特性は第２クラッド層４のメサ
部以外の領域の厚さに依存するので、その寸法を精度よ
く制御する必要がある。
以上のように、第６図の構造をもつ半導体レーザ素子の
活性層３に接して光ガイド層を付加し、高出力を得るに
は種々の制約があることから、素子の量産化は容易では
ない。
活性層３に接して光ガイド層を付加し、高出力を得るに
は種々の制約があることから、素子の量産化は容易では
ない。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は気相成長法によって製造することができ、有効に光
ガイド層を設けたリブ導波路型の高出力半導体レーザ素
子を提供することにある。
的は気相成長法によって製造することができ、有効に光
ガイド層を設けたリブ導波路型の高出力半導体レーザ素
子を提供することにある。
本発明は基板上に気相成長法により積層形成される第１
クラッド層７活性層、第２クラッド層および第２クラッ
ド層のストライプ状メサ両側面に埋め込んだ光吸収層を
有する半導体レーザ素子の第２クラッド層の中に、活性
層と厚さ方向に所定の距離を保って、少くとも一つの光
ガイド層を設けたものである。すなわち、第２クラッド
層の中に、活性層と接することなく、互に接触しない光
ガイド層を少なくとも一つ形成したものである。
クラッド層７活性層、第２クラッド層および第２クラッ
ド層のストライプ状メサ両側面に埋め込んだ光吸収層を
有する半導体レーザ素子の第２クラッド層の中に、活性
層と厚さ方向に所定の距離を保って、少くとも一つの光
ガイド層を設けたものである。すなわち、第２クラッド
層の中に、活性層と接することなく、互に接触しない光
ガイド層を少なくとも一つ形成したものである。
ＡｔＧａＡｓ系半導体レーザ素子の活性層のＡＩＭｉ成
比０．０８． クラッド層のＡｔ組成比０．４５に対
して、これらの中間の屈折率をもつ光ガイド層のＡｔ組
成比０．１５．厚さを０．０５μｍとし、この光ガイド
層を第２クラッド層に接することなく形成するとき、活
性層からの距離が離れるにつれて、ニアフィールドパタ
ーンにおける光強度分布が拡がり、光ガイド層は活性層
に接して形成するより、離した方が高出力が得られる。
比０．０８． クラッド層のＡｔ組成比０．４５に対
して、これらの中間の屈折率をもつ光ガイド層のＡｔ組
成比０．１５．厚さを０．０５μｍとし、この光ガイド
層を第２クラッド層に接することなく形成するとき、活
性層からの距離が離れるにつれて、ニアフィールドパタ
ーンにおける光強度分布が拡がり、光ガイド層は活性層
に接して形成するより、離した方が高出力が得られる。
光ガイド層は、活性層に接しないようにすれば複数層あ
ってもよいから、光ガイド層の数によってパワーの最適
条件を定めることもできる。また光ガイド層の組成（屈
折率）を活性層の方に近づけることができるので、光ガ
イド層の厚さは、活性層に接して設ける場合より小さく
てよく、素子の製造に際しては、光ガイド層がエツチン
グストップ層として、活性層と光ガイド層との距離を制
御するのに役立つ。
ってもよいから、光ガイド層の数によってパワーの最適
条件を定めることもできる。また光ガイド層の組成（屈
折率）を活性層の方に近づけることができるので、光ガ
イド層の厚さは、活性層に接して設ける場合より小さく
てよく、素子の製造に際しては、光ガイド層がエツチン
グストップ層として、活性層と光ガイド層との距離を制
御するのに役立つ。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ素子の正面からみた模式
断面図であり、第６図に示した構造に光ガイド層８を設
けたものであるから、第６図と共通の部分は同じ符号で
表わしである。すなわち、第１図が第６図と異なる所は
、両図の比較から明らかなように、第１図では、第２ク
ラッド層土を構成する４ａと４ｂの間に、光ガイド層８
を形成したことである。そして本発明では、光ガイド層
８をとくに活性層３に接しないように活性層３から離し
て第２クラッド層土の中に設けた構造とした所に特徴を
存する。
断面図であり、第６図に示した構造に光ガイド層８を設
けたものであるから、第６図と共通の部分は同じ符号で
表わしである。すなわち、第１図が第６図と異なる所は
、両図の比較から明らかなように、第１図では、第２ク
ラッド層土を構成する４ａと４ｂの間に、光ガイド層８
を形成したことである。そして本発明では、光ガイド層
８をとくに活性層３に接しないように活性層３から離し
て第２クラッド層土の中に設けた構造とした所に特徴を
存する。
この光ガイド層は第２クラッド層土中に複数個設けても
よく、第２図はその例を示した模式断面図であり、第２
クラッド層↓を構成する４ｃ、４ｄ、４ｅの間に光ガイ
ド層８ａと８ｂを形成したものであり、その他の構造は
第１図と同じである。
よく、第２図はその例を示した模式断面図であり、第２
クラッド層↓を構成する４ｃ、４ｄ、４ｅの間に光ガイ
ド層８ａと８ｂを形成したものであり、その他の構造は
第１図と同じである。
次に本発明の半導体レーザ素子の製造方法をＧａＡｓ／
ＡｊＧａＡｓ系材料を用いた第１図の構造について述べ
る。第３図（ａ）〜（ｃ）はその主な製造工程図を示し
たものである。まずｎ−ＧａＡｓ５Ｊ反１ （ｒ￥さｉ
ｏｏ μ！１．キャリア濃度４ Ｘ １０”／ ｃｄ
）上に、ｎＡｌｅ、 ４５ｃａＯ，ｓｓ八へ第１クラ・
ンド層２ （厚さ１．５ ｐ ｍキャリア濃度１×１０
目／ ｃｄ）、 Ｐ Ａｌｅ、 ｏｓＧａｏ１ｚＡｓ
活性層３ （厚さ０．０５ ｐ ｍ、 −％ ＋ ’Ｊ
７濃度Ｉ ＸＩＯ”／ｃｄ ） 、 ｐ ＡＬｏ
ｌｓＧａｏ、 ５ｓＡｓ第２クラッド層の一部４ａ（厚
す０．３ｔｔｍ、 キ＋ ’） ７ ？Ｉｔ度Ｉ ＸＩ
Ｏ”／ｃ＋（）。
ＡｊＧａＡｓ系材料を用いた第１図の構造について述べ
る。第３図（ａ）〜（ｃ）はその主な製造工程図を示し
たものである。まずｎ−ＧａＡｓ５Ｊ反１ （ｒ￥さｉ
ｏｏ μ！１．キャリア濃度４ Ｘ １０”／ ｃｄ
）上に、ｎＡｌｅ、 ４５ｃａＯ，ｓｓ八へ第１クラ・
ンド層２ （厚さ１．５ ｐ ｍキャリア濃度１×１０
目／ ｃｄ）、 Ｐ Ａｌｅ、 ｏｓＧａｏ１ｚＡｓ
活性層３ （厚さ０．０５ ｐ ｍ、 −％ ＋ ’Ｊ
７濃度Ｉ ＸＩＯ”／ｃｄ ） 、 ｐ ＡＬｏ
ｌｓＧａｏ、 ５ｓＡｓ第２クラッド層の一部４ａ（厚
す０．３ｔｔｍ、 キ＋ ’） ７ ？Ｉｔ度Ｉ ＸＩ
Ｏ”／ｃ＋（）。
Ｐ Ａｌｏ、＋５Ｇａａ、５ｓＡｓ光ガイド層８ （
厚さ０．０５ ｐ ｍキャリア濃度Ｉ ＸＩＯ”／ＣＩ
Ｊ） 、 ｐ ＡＬａ、ａｓＧａｏ、５ｓＡｓ第２
クラッド層の残部４ｂ（厚さ１．５μに、キャリア濃度
Ｉ Ｘ １０” ／ ｃｔｌ ）を常圧ＭＯＣＶＤ法ニ
より成長温度８００℃で順次形成する。ここでは第２ク
ラッド層４を形成する４ａと４ｂの間に、活性層３と第
２クラッド層４の中間の屈折率をもつ組成比の光ガイド
層８がはさみ込まれた形で積層形成された状態となる〔
第３図（ａ）） 、次に第２クラッド層４ｂの表面全面
に厚さ０．５μ−のＳ１０！膜をスパッタして被着後、
フォトエツチングにより幅７μ−のストライプ状エツチ
ングマスクとして５ｉ０２膜９を残し、Ｓｉｎｇ膜９で
保護されていない部分をＨｚＯ： Ｈ２ＳＯ４： Ｈｚ
Ｏの１：４：１溶液を用いて、表面から光ガイド層８ま
での深さにエツチング除去する〔第３図（ｂ））、この
とき光ガイド層８は、第２クラッド層４ａと組成比が異
なることからエンチングストップ層として作用する０次
いで減圧（５０Ｔｏｒｒ） Ｍ ＯＣＶ Ｄ法により、
第３図（ｂ）でエツチング除去した部分のみに、選択的
にｎ −ＧａＡｓ光吸収層５を成長させた後、ＳｉＯ□
膜９を除去し、最後にエピタキシアル成長面側にＡ ｕ
Ｚ ｎ ／ Ａ ｕｔ基板側にＡｕＧｃ／Ａｕをスパ
ッタ形成し、Ｈｚ／Ｎｘ雰囲気中４５０°Ｃ，１０分間
のアニールを行ないオーミック電極６．７とする〔第３
図（Ｃ）］。すなわち、第１図の構造をもつ半導体レー
ザ素子が得られる。
厚さ０．０５ ｐ ｍキャリア濃度Ｉ ＸＩＯ”／ＣＩ
Ｊ） 、 ｐ ＡＬａ、ａｓＧａｏ、５ｓＡｓ第２
クラッド層の残部４ｂ（厚さ１．５μに、キャリア濃度
Ｉ Ｘ １０” ／ ｃｔｌ ）を常圧ＭＯＣＶＤ法ニ
より成長温度８００℃で順次形成する。ここでは第２ク
ラッド層４を形成する４ａと４ｂの間に、活性層３と第
２クラッド層４の中間の屈折率をもつ組成比の光ガイド
層８がはさみ込まれた形で積層形成された状態となる〔
第３図（ａ）） 、次に第２クラッド層４ｂの表面全面
に厚さ０．５μ−のＳ１０！膜をスパッタして被着後、
フォトエツチングにより幅７μ−のストライプ状エツチ
ングマスクとして５ｉ０２膜９を残し、Ｓｉｎｇ膜９で
保護されていない部分をＨｚＯ： Ｈ２ＳＯ４： Ｈｚ
Ｏの１：４：１溶液を用いて、表面から光ガイド層８ま
での深さにエツチング除去する〔第３図（ｂ））、この
とき光ガイド層８は、第２クラッド層４ａと組成比が異
なることからエンチングストップ層として作用する０次
いで減圧（５０Ｔｏｒｒ） Ｍ ＯＣＶ Ｄ法により、
第３図（ｂ）でエツチング除去した部分のみに、選択的
にｎ −ＧａＡｓ光吸収層５を成長させた後、ＳｉＯ□
膜９を除去し、最後にエピタキシアル成長面側にＡ ｕ
Ｚ ｎ ／ Ａ ｕｔ基板側にＡｕＧｃ／Ａｕをスパ
ッタ形成し、Ｈｚ／Ｎｘ雰囲気中４５０°Ｃ，１０分間
のアニールを行ないオーミック電極６．７とする〔第３
図（Ｃ）］。すなわち、第１図の構造をもつ半導体レー
ザ素子が得られる。
また第２図に示した複数個の光ガイド層９例えば８ａ、
８ｂを第２クラッド層土中に有する半導体レーザ素子を
製造する方法も第２クラッド層４を４ｃ、４ｄ、４ｅに
分割して行えばよく、基本的には第３図（ａ）〜（Ｃ）
に示した過程と同じであるから説明を省略する。
８ｂを第２クラッド層土中に有する半導体レーザ素子を
製造する方法も第２クラッド層４を４ｃ、４ｄ、４ｅに
分割して行えばよく、基本的には第３図（ａ）〜（Ｃ）
に示した過程と同じであるから説明を省略する。
以上のようにして得られた本発明の半導体レーザ素子（
第１図）について光ガイド層８を活性石３から離す距離
ｔをＯ（活性層３に接して設ける場合）、 ０．３μ−
１０，５μｍとしたときのそれぞれの光の強度分布をニ
アフィールドパターンで第４図に示した。第４図から光
ガイド層８は活性層３から離れる距離が大きくなるにつ
れて光分布が拡がり、活性ｊ！３に接して光ガイドＮ８
を形成するより、離した方が素子は高出力が得られるこ
とがわかる。また光ガイド層は活性層３に接触しないよ
うにすれば複数個あってもよいが、その数を増して行く
と、第４図のピークがずれ、パワーが低下するようにな
るが、第２クラッド層土との関係で最適パワーが得られ
るように定めればよい。
第１図）について光ガイド層８を活性石３から離す距離
ｔをＯ（活性層３に接して設ける場合）、 ０．３μ−
１０，５μｍとしたときのそれぞれの光の強度分布をニ
アフィールドパターンで第４図に示した。第４図から光
ガイド層８は活性層３から離れる距離が大きくなるにつ
れて光分布が拡がり、活性ｊ！３に接して光ガイドＮ８
を形成するより、離した方が素子は高出力が得られるこ
とがわかる。また光ガイド層は活性層３に接触しないよ
うにすれば複数個あってもよいが、その数を増して行く
と、第４図のピークがずれ、パワーが低下するようにな
るが、第２クラッド層土との関係で最適パワーが得られ
るように定めればよい。
第５図は同様に以上のようにして得られた本発明の半導
体レーザ素子（第１図）について活性層３と光ガイド層
８との距離（１）に対するこの素子の最大光出力Ｐ０の
関係を示した線図である。第５図からも第４図と同様、
光ガイド層８を活性層３に接して設けるより、第２クラ
ンド層Ｊ−中に形成した方が高出力の素子が得られるこ
とがわかる。
体レーザ素子（第１図）について活性層３と光ガイド層
８との距離（１）に対するこの素子の最大光出力Ｐ０の
関係を示した線図である。第５図からも第４図と同様、
光ガイド層８を活性層３に接して設けるより、第２クラ
ンド層Ｊ−中に形成した方が高出力の素子が得られるこ
とがわかる。
本発明の素子はしきい値電流や横モード特性について悪
い影ツを及ぼすことはない。
い影ツを及ぼすことはない。
なお前述のように光ガイド層はエツチングストップ層と
しての作用ももっており、活性層からの光ガイ１′層の
距Ｎ＜ｔ、＞を制御するのに好都合であり、光ガイド層
の少なくとも一つはメサ部のみに形成することができる
から、メサ部の光のみを拡げて横モード発振を制御する
のに有効である。
しての作用ももっており、活性層からの光ガイ１′層の
距Ｎ＜ｔ、＞を制御するのに好都合であり、光ガイド層
の少なくとも一つはメサ部のみに形成することができる
から、メサ部の光のみを拡げて横モード発振を制御する
のに有効である。
また第１図、第２図に示した素子構造では、基板ｌと第
１クラッド層２との間にｎ−ＧａＡｓバッファ層（厚さ
０．５μ川、キャリア濃度４×１０１１１／Ｃ艷）を、
第２クランド層４上にｐ−ＧａＡｓキャップ層（厚さ０
．５μｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ／ ｃｔＡ
）を形成してもよく、前述と同様の効果が得られる。
１クラッド層２との間にｎ−ＧａＡｓバッファ層（厚さ
０．５μ川、キャリア濃度４×１０１１１／Ｃ艷）を、
第２クランド層４上にｐ−ＧａＡｓキャップ層（厚さ０
．５μｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ／ ｃｔＡ
）を形成してもよく、前述と同様の効果が得られる。
そのほか、本発明はＧａＡｓ ／ ＡＬＧａＡｓ系の半
導体レーザ素子について説明してきたが、その他の材料
系のものにおいても同様である。
導体レーザ素子について説明してきたが、その他の材料
系のものにおいても同様である。
〔発明の効果］
本発明は成膜が容易で大面積の素子を得るのに有利な気
相成長法を用いて製造されるリブ導波路型の半導体レー
ザ素子の出力を高めるために、実施例で述べたように、
光ガイド層を活性層に接することなく第２クラッド層の
中に形成する素子構成とし、活性層と第２クラッド層の
中間の屈折率を有する光ガイド層の組成比と厚さ、活性
層と光ガイド層との距離を適切に設定することにより、
しきい値電流、横モード特性を保持したまま、より高出
力動作が可能なリブ導波路型半導体レーザ素子を実現す
ることができたものであるゆ
相成長法を用いて製造されるリブ導波路型の半導体レー
ザ素子の出力を高めるために、実施例で述べたように、
光ガイド層を活性層に接することなく第２クラッド層の
中に形成する素子構成とし、活性層と第２クラッド層の
中間の屈折率を有する光ガイド層の組成比と厚さ、活性
層と光ガイド層との距離を適切に設定することにより、
しきい値電流、横モード特性を保持したまま、より高出
力動作が可能なリブ導波路型半導体レーザ素子を実現す
ることができたものであるゆ
第１図は本発明の半導体レーザ素子の構成を示す模式断
面図、第２図は第１図とは異なる実施例の素子構成を示
す模式断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第１図の素子の
主な製造工程図、第４図は本発明素子のニアフィールド
パターン線図、第５図は本発明素子の活性層と光ガイド
層間の距離に対する光出力の関係線図、第６図は気相成
長で製造される従来の半導体レーザ素子の模式断面図で
ある。 １・・・基板、２・・・第１クラッド層、３・・・活性
層、４、土、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ・＝第２ク
ラッド層、５・・・光吸収層、６．７・・・電極、８．
８ａ、８ｂ−・・光ガイド層、９ ・・−５ｉｏ！ｔｉ
ｌｅ図 ｔ（）ｔｍｌ １５５ 口
面図、第２図は第１図とは異なる実施例の素子構成を示
す模式断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第１図の素子の
主な製造工程図、第４図は本発明素子のニアフィールド
パターン線図、第５図は本発明素子の活性層と光ガイド
層間の距離に対する光出力の関係線図、第６図は気相成
長で製造される従来の半導体レーザ素子の模式断面図で
ある。 １・・・基板、２・・・第１クラッド層、３・・・活性
層、４、土、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ・＝第２ク
ラッド層、５・・・光吸収層、６．７・・・電極、８．
８ａ、８ｂ−・・光ガイド層、９ ・・−５ｉｏ！ｔｉ
ｌｅ図 ｔ（）ｔｍｌ １５５ 口
Claims (1)
- １）半導体基板の一主面上に気相成長法により積層形成
される第１クラッド層、活性層、ストライプ状メサ部を
有する第２クラッド層およびこの第２クラッド層のメサ
部のレーザ光進行方向と平行な両側面に、光吸収層を埋
め込んだ半導体レーザ素子であって、前記第２クラッド
層の中に、前記活性層と厚さ方向に所定の距離を保って
気相成長した少くとも一つの光ガイド層を備えたことを
特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26902288A JPH02114690A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26902288A JPH02114690A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114690A true JPH02114690A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17466586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26902288A Pending JPH02114690A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114690A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS63164290A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26902288A patent/JPH02114690A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS63164290A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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