JPS618985A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPS618985A JPS618985A JP13041084A JP13041084A JPS618985A JP S618985 A JPS618985 A JP S618985A JP 13041084 A JP13041084 A JP 13041084A JP 13041084 A JP13041084 A JP 13041084A JP S618985 A JPS618985 A JP S618985A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2202—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure by making a groove in the upper laser structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は情報処理用又は通信用ＡＱＧａＡｓ／ＧａＡ
ｇ系半導体発光素子の製造方法に関する。
ｇ系半導体発光素子の製造方法に関する。
（従来の技術）
この種のＡＱ ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体発光素子は
種々の構造のものが提案されている０文献（Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｂｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４０（５） 、
（１１１８２） 、 ｐ、３７２〜３７４）にその−例
としてＶ溝付き半導体レーザ素子が開示されている。第
２図にその臂開端面を路線的に示す、この構造において
、２０はｐ −ＧａＡｓ基板であり、２１はｎ −Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層、２２はｐ−ＡＱＧａＡｓ下部クラッド
層り２３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、２４はｎ−ＭＧａ
Ａｓ上部クラッドり、２５はｎ −ＣｉａＡｇオーミッ
ク接触層（又はキャップ層ともいう）であり、これら各
層は基板２０上に液相エピタキシャル成長により形成さ
れている。
種々の構造のものが提案されている０文献（Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｂｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４０（５） 、
（１１１８２） 、 ｐ、３７２〜３７４）にその−例
としてＶ溝付き半導体レーザ素子が開示されている。第
２図にその臂開端面を路線的に示す、この構造において
、２０はｐ −ＧａＡｓ基板であり、２１はｎ −Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層、２２はｐ−ＡＱＧａＡｓ下部クラッド
層り２３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、２４はｎ−ＭＧａ
Ａｓ上部クラッドり、２５はｎ −ＣｉａＡｇオーミッ
ク接触層（又はキャップ層ともいう）であり、これら各
層は基板２０上に液相エピタキシャル成長により形成さ
れている。
ところで、この液相エピタキシャル成長を行う際、低し
きい値、高出力動作可能で、しかも、戻り光雑音を少な
くするために、以下の条件をみたすことが必要である。
きい値、高出力動作可能で、しかも、戻り光雑音を少な
くするために、以下の条件をみたすことが必要である。
（１）活性層２３を平担−にすること。活性層２３がＶ
溝２６側粁湾曲する劣屈折率導波効果によつ、て男り光
雑音を強く誘起してしまうからである。
溝２６側粁湾曲する劣屈折率導波効果によつ、て男り光
雑音を強く誘起してしまうからである。
（２）■溝？Ｂ外の電流狭窄層２１上の下部クラッド層
の厚さｄｌを薄く（例えば、発振波長を７８０ｎ■とす
るときには０．３−ｐ−１程度とするのが適当である）
すること。これはＶ溝の外側に漏れ出た光が電流狭窄層
２１に吸収されることにより、活性層２３のＶ溝２８の
外側部での屈折率がＶ溝２Ｂの上側に位置する中央部よ
り小さくなるようにし、実効的な屈折率導波を行わせる
ようにするためである。 。
の厚さｄｌを薄く（例えば、発振波長を７８０ｎ■とす
るときには０．３−ｐ−１程度とするのが適当である）
すること。これはＶ溝の外側に漏れ出た光が電流狭窄層
２１に吸収されることにより、活性層２３のＶ溝２８の
外側部での屈折率がＶ溝２Ｂの上側に位置する中央部よ
り小さくなるようにし、実効的な屈折率導波を行わせる
ようにするためである。 。
（３）活性層２３の厚みｄ２をＯ，，０７ｐ層程度とす
ること、これは、光を上下に〜充分漏れ出るようにして
上述の実効的な屈折率溝−の効果を効率良く引き起すこ
が出来るようにすると共に、発光スポットを円形に近く
するためである。
ること、これは、光を上下に〜充分漏れ出るようにして
上述の実効的な屈折率溝−の効果を効率良く引き起すこ
が出来るようにすると共に、発光スポットを円形に近く
するためである。
、 （発明が解決しようとする問
題点）しかしながら、上述したような三つの条件を満た
すようにするためには、液相エピタキシャル成長におい
て層厚を薄く制御する必要があり、その゛ため、超精密
な温度制御、過冷却度制御、成長時間、制御がｉ要とな
るので製造歩留まりが向上しないという欠点があった。
題点）しかしながら、上述したような三つの条件を満た
すようにするためには、液相エピタキシャル成長におい
て層厚を薄く制御する必要があり、その゛ため、超精密
な温度制御、過冷却度制御、成長時間、制御がｉ要とな
るので製造歩留まりが向上しないという欠点があった。
さらに、活性層が光を吸収する構造となっているため、
光吸収の結果高電流動作時にターン・オ′ンするという
欠点があった。
光吸収の結果高電流動作時にターン・オ′ンするという
欠点があった。
このへ発明の目的は下部クラ−２ド層及び活性層を薄く
制御出来、活性層を平担にし、しかも、高出力動作を可
能にした半導体発光素子の製造方法を提供することにあ
る。
制御出来、活性層を平担にし、しかも、高出力動作を可
能にした半導体発光素子の製造方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るた−め、この発明によれば、
− ＧａＡｓ基板上にＡＱＧａＡｓ電流極窄層と、ダブルヘ
テロ構造を形成しそれぞれＡＱＧａＡｇから成る下部ク
ラッド層、活性層及び上部クラッド層とを具える”°°
”′°°”′″＊ｉ＃″ｉ″ｓ“ｔｍ！ｔ６＜ｉ
、グリ。
− ＧａＡｓ基板上にＡＱＧａＡｓ電流極窄層と、ダブルヘ
テロ構造を形成しそれぞれＡＱＧａＡｇから成る下部ク
ラッド層、活性層及び上部クラッド層とを具える”°°
”′°°”′″＊ｉ＃″ｉ″ｓ“ｔｍ！ｔ６＜ｉ
、グリ。
基板平担面上に下部クラッド層、活性層、上部クラッド
層、ＧａＡｓ光吸収層、該活性層のエネルギーギャップ
より大きなエネルギーギャップを有する電流狭、９層及
びＧａＡｓ表面′表面層保護層にエピタキシャル成長さ
せる工程と、 該表面保護層から前記光吸収層に達する溝を形成した後
、ＡＱＧａＡｓとＧａＡｇとのメルトエッチ速度差を利
用して前記表面保護層を除去しかつ前記溝の底部の光吸
収層を前記上部クラッド層まで除去する工程と を具えること、を特徴とする。
層、ＧａＡｓ光吸収層、該活性層のエネルギーギャップ
より大きなエネルギーギャップを有する電流狭、９層及
びＧａＡｓ表面′表面層保護層にエピタキシャル成長さ
せる工程と、 該表面保護層から前記光吸収層に達する溝を形成した後
、ＡＱＧａＡｓとＧａＡｇとのメルトエッチ速度差を利
用して前記表面保護層を除去しかつ前記溝の底部の光吸
収層を前記上部クラッド層まで除去する工程と を具えること、を特徴とする。
（作用）
このように、この発明によ・れば、平担な基板面上に、
下部クラッド層及び活性層をエピタキシャル成長させる
ため、これらの層厚を簡単かつ容易に薄く平担に制御出
来る。
下部クラッド層及び活性層をエピタキシャル成長させる
ため、これらの層厚を簡単かつ容易に薄く平担に制御出
来る。
さらに、電流狭窄層と、光吸収層ｋをそれぞれ別の層と
して構成しかつ電流狭窄層のエネルギーギャップを活性
層のエネルギーギャップよりも大きくしたので、ターン
・オン現象が起らず、従って、高出力動作が可能となる
。
して構成しかつ電流狭窄層のエネルギーギャップを活性
層のエネルギーギャップよりも大きくしたので、ターン
・オン現象が起らず、従って、高出力動作が可能となる
。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の実施例をＭＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子につき説明する。
／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子につき説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体レーザ素子の
製造方法を説明するた−めの製・造工程図である。尚、
各図はこの工程の主要製造段階でのウェハ構造の状態を
路線的に示している。
製造方法を説明するた−めの製・造工程図である。尚、
各図はこの工程の主要製造段階でのウェハ構造の状態を
路線的に示している。
先ず、第１図（Ａ）に示す工程では、（＋００）面方位
のｎ ＝ ＧａＡｓの、基板１を用意し、この基板１の
平担面上にｎ−ＡＱｘＧａｉ−ｘＡｇ下部クラッド層２
゜ＡＱ ２Ｇａ ｚ−ｙＡｓ活性層３、ｐ −ＡＱ ｚ
Ｇａ ／−２ＡＳ上部クラッド層４、ＧａＡｓ光吸収層
５、ｎ −ＭＪｗＧａｔ−ｗＡｓ電流狭窄層６、ＧａＡ
ｓ表面保護層７を順次に液相エピタキシャル成長させる
。この場合、活性層３．光吸収層５及び表面保護層７の
一導電型はｎ型でもｐ型でも或いはアンドープ型であっ
ても良い。さらに。
のｎ ＝ ＧａＡｓの、基板１を用意し、この基板１の
平担面上にｎ−ＡＱｘＧａｉ−ｘＡｇ下部クラッド層２
゜ＡＱ ２Ｇａ ｚ−ｙＡｓ活性層３、ｐ −ＡＱ ｚ
Ｇａ ／−２ＡＳ上部クラッド層４、ＧａＡｓ光吸収層
５、ｎ −ＭＪｗＧａｔ−ｗＡｓ電流狭窄層６、ＧａＡ
ｓ表面保護層７を順次に液相エピタキシャル成長させる
。この場合、活性層３．光吸収層５及び表面保護層７の
一導電型はｎ型でもｐ型でも或いはアンドープ型であっ
ても良い。さらに。
組成比はＸαｚ＞ｙ、ｗ＞ｙと設定して活性層３のエネ
ルギーギャップを電流狭窄層６のエネルギーギャップよ
りも小さくする。
ルギーギャップを電流狭窄層６のエネルギーギャップよ
りも小さくする。
ここで、各層の厚みと組成比ｘ −ｗを例示すると以下
のようになる。
のようになる。
例えば、発振波長を７８ｏｎ腸とすると、下部クラッド
層２の厚みは３ｐＬ＋ｉでｘ ＝ ０．４５．活性層３
の厚みは０．０？ ｐ、 ｔｓでｙ＝ｏ、ｔａ、上部ク
ラッド層４の厚みは０．３ ｐ−ｖａでｚ＝０．４５、
光吸収層５の厚みは１ＪＬＩ１．電流狭窄層６の厚みは
ｉｐ、ｍでｗ ＝ ０．４５７ｚｍ及び表面保護層７の
厚みは０．５ ＪＬ鵬である。
層２の厚みは３ｐＬ＋ｉでｘ ＝ ０．４５．活性層３
の厚みは０．０？ ｐ、 ｔｓでｙ＝ｏ、ｔａ、上部ク
ラッド層４の厚みは０．３ ｐ−ｖａでｚ＝０．４５、
光吸収層５の厚みは１ＪＬＩ１．電流狭窄層６の厚みは
ｉｐ、ｍでｗ ＝ ０．４５７ｚｍ及び表面保護層７の
厚みは０．５ ＪＬ鵬である。
この液相エピタキシャル成長法において、ＧａＡｓ光吸
収光吸収層表面保護層７をそれぞれの下側に位置するＡ
ＱＧａＡｓ上部クラッド層４及び電流狭窄層６の（１０
０）面上に設けているが、その理由は、液相エピタキシ
ャル成長が表面酸化により困難とならないように、各層
４及び６の表面が酸素−囲気に露出するのを防止するた
めである。
収光吸収層表面保護層７をそれぞれの下側に位置するＡ
ＱＧａＡｓ上部クラッド層４及び電流狭窄層６の（１０
０）面上に設けているが、その理由は、液相エピタキシ
ャル成長が表面酸化により困難とならないように、各層
４及び６の表面が酸素−囲気に露出するのを防止するた
めである。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、化学又はドライエツ
チングによって、表面保護層７の表面からｌ
光吸収層５に達する溝加工を行い、図に示すような
溝８、例えば、ストライプ状溝が形成されたウェハ構造
を得る。
チングによって、表面保護層７の表面からｌ
光吸収層５に達する溝加工を行い、図に示すような
溝８、例えば、ストライプ状溝が形成されたウェハ構造
を得る。
次に、この溝付きウェハを成長炉中にセットして二回目
の液相エピタキシャル成長を行い、第１図（Ｃ）に示す
よ′うに、前述の溝８をさらに上部クラッドＭ４にまで
堀下げ、溝９を形成する。この溝９は未飽和溶液例えば
未飽和度５℃のＧａ−ＧａＡｓメルトによって約３０秒
間メルトエッチして形成する。ＡＱＧａＡｓとＧａＡｓ
とのメルトエッチ速度差はＧａＡｓの方が数十倍大きい
ので、電流狭窄層６及び上部クラッド層４はほとんどメ
ル） 工＋７チされないが、表面保護層７は全体的にエ
ツチングされ及び光吸収層５は溝８の底部の部分のみが
エツチングされるため、第１図（Ｇ）に示すよに上部ク
ラッド層４の表面に達する溝９が形成されると共に、表
面保護層７は除去される。従って、このメルトエッチに
よって、反応炉中で、この溝９の底に対応する上部クラ
ッド層４の表面が露出すると共に、電流狭窄層７の表面
が露出する。
の液相エピタキシャル成長を行い、第１図（Ｃ）に示す
よ′うに、前述の溝８をさらに上部クラッドＭ４にまで
堀下げ、溝９を形成する。この溝９は未飽和溶液例えば
未飽和度５℃のＧａ−ＧａＡｓメルトによって約３０秒
間メルトエッチして形成する。ＡＱＧａＡｓとＧａＡｓ
とのメルトエッチ速度差はＧａＡｓの方が数十倍大きい
ので、電流狭窄層６及び上部クラッド層４はほとんどメ
ル） 工＋７チされないが、表面保護層７は全体的にエ
ツチングされ及び光吸収層５は溝８の底部の部分のみが
エツチングされるため、第１図（Ｇ）に示すよに上部ク
ラッド層４の表面に達する溝９が形成されると共に、表
面保護層７は除去される。従って、このメルトエッチに
よって、反応炉中で、この溝９の底に対応する上部クラ
ッド層４の表面が露出すると共に、電流狭窄層７の表面
が露出する。
と
次に・第１図（Ｄ）に示すように・溝９が形成さ
ｆれたウェハの全面に、この溝９を埋込むように
、ｐ −ＡＱ ｕＧａ ／−ｕＡｓ電流路形成層１０を
成長させ（ｕ＝ｚ）、その上にｐ −ＧａＡｇオーミッ
ク接触層１１を成長させる。その後、図示せずも、ウェ
ハの上下に電極を蒸着した後・、臂開により端面を形成
し、ファブリ・ベロー型半導体レーザ素子が完成する。
ｆれたウェハの全面に、この溝９を埋込むように
、ｐ −ＡＱ ｕＧａ ／−ｕＡｓ電流路形成層１０を
成長させ（ｕ＝ｚ）、その上にｐ −ＧａＡｇオーミッ
ク接触層１１を成長させる。その後、図示せずも、ウェ
ハの上下に電極を蒸着した後・、臂開により端面を形成
し、ファブリ・ベロー型半導体レーザ素子が完成する。
この半導体レーザ素子の電極間にバイアス電圧を印加し
て電流を注入すると、この電流は電流狭窄層６によって
、溝９の中央部にのみ狭窄され、活性層３の中央部に効
率良く集中する。また、光吸収層５により活性層３の溝
９の部分から漏れ出た光を吸収するので、光閉じ込めが
効果的に行われる。
て電流を注入すると、この電流は電流狭窄層６によって
、溝９の中央部にのみ狭窄され、活性層３の中央部に効
率良く集中する。また、光吸収層５により活性層３の溝
９の部分から漏れ出た光を吸収するので、光閉じ込めが
効果的に行われる。
尚、上述した実施例では基板の導電型をｎ型としたがｐ
型基板を用い、これに対応して各層の導電型を反転させ
た構造のレーザ素子を製造するこ′ とも出来る。
型基板を用い、これに対応して各層の導電型を反転させ
た構造のレーザ素子を製造するこ′ とも出来る。
また、溝８の形状を上述のストライプ状とは異なり、円
形状にすると、円形状の発光面を有する面発光型の発光
ダイオードを形成することが出来る。
形状にすると、円形状の発光面を有する面発光型の発光
ダイオードを形成することが出来る。
（発明の効果）
上述した実施例からも明らかなように、この発明によれ
ば、溝形成前に、基板の平担面上に活性層と両クラッド
層とを成長させるので、これらの層厚を簡単容易に薄く
制御出来ると共に、これら各層を平担に成長させること
が出来る。これがため、製造歩留まりが向上すると共に
、戻り光雑音を少なくして実効的な屈折率導波効果を高
めることが出来る。
ば、溝形成前に、基板の平担面上に活性層と両クラッド
層とを成長させるので、これらの層厚を簡単容易に薄く
制御出来ると共に、これら各層を平担に成長させること
が出来る。これがため、製造歩留まりが向上すると共に
、戻り光雑音を少なくして実効的な屈折率導波効果を高
めることが出来る。
また、光吸収層と電流狭窄層とをそれぞれ別の層として
形成し、電流狭窄層のエネルギーギャップを活性層のエ
ネルギーギャップよりも大きく形成するので、光吸収に
よるターン・オン現象の発生を抑えることが出来、従っ
て、高出方動作させることが出来る。
形成し、電流狭窄層のエネルギーギャップを活性層のエ
ネルギーギャップよりも大きく形成するので、光吸収に
よるターン・オン現象の発生を抑えることが出来、従っ
て、高出方動作させることが出来る。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明による半導体発光素子
の製造方法の一例を示す製造工程図。 第２図は従来の半導体発光素子の製造方法を説明するた
めの断面図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・下部クラッド層３
・・・活性層、 ４・・・上部クラッド層５
・・・光吸収層、 ６・・・電流狭窄層７・・・
表面保護層、 ８．９・・・溝１０・・・電流路形
成層、 １１・・・オーミック接触層。 特許出願人 沖電気工業株式会社第１図 ざ２ｑ 港
の製造方法の一例を示す製造工程図。 第２図は従来の半導体発光素子の製造方法を説明するた
めの断面図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・下部クラッド層３
・・・活性層、 ４・・・上部クラッド層５
・・・光吸収層、 ６・・・電流狭窄層７・・・
表面保護層、 ８．９・・・溝１０・・・電流路形
成層、 １１・・・オーミック接触層。 特許出願人 沖電気工業株式会社第１図 ざ２ｑ 港
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ電流狭窄層と、ダブルヘ
テロ構造を形成しそれぞれＡｌＧａＡｓから成る下部ク
ラッド層、活性層及び上部クラッド層とを具えるＡｌＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体発光素子を製造するに当り、
基板平担面上に下部クラッド層、活性層、上部クラッド
層、ＧａＡｓ光吸収層、該活性層のエネルギーギャップ
より大きなエネルギーギャップを有する電流狭窄層及び
ＧａＡｓ表面保護層を順次にエピタキシャル成長させる
工程と、該表面保護層から前記光吸収層に達する溝を形
成した後、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとのメルトエッチ速
度差を利用して前記表面保護層を除去しかつ前記溝の底
部の光吸収層部分を前記上部クラッド層まで除去する工
程とを具えることを特徴とする半導体発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13041084A JPS618985A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13041084A JPS618985A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618985A true JPS618985A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15033601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13041084A Pending JPS618985A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181486A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP13041084A patent/JPS618985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181486A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ |
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