JPH0634426B2 - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPH0634426B2 JPH0634426B2 JP31509786A JP31509786A JPH0634426B2 JP H0634426 B2 JPH0634426 B2 JP H0634426B2 JP 31509786 A JP31509786 A JP 31509786A JP 31509786 A JP31509786 A JP 31509786A JP H0634426 B2 JPH0634426 B2 JP H0634426B2
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高性能，高出力かつ高信頼度化を可能にす
るＮＡＭ（Nonabsorbing Mirror）構造の半導体レーザ
装置の製造方法に関するものである。
るＮＡＭ（Nonabsorbing Mirror）構造の半導体レーザ
装置の製造方法に関するものである。
第５図は、例えば特開昭６０−１０１９８９号公報に示
された従来の半導体レーザ装置の製造方法によって得ら
れた半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、この
図において、１２はｎ形ＧａAsからなる基板、１３はｎ
形ＡｌｘGa1-xAs からなる下クラッド層、１４はＡｌ
ｙGa1-yAs−ＧａAsからなる超格子層、１５はｐ形Ａｌ
ｘGa1-XAsからなる上クラッド層、１６はｐ形ＧａAsか
らなるコンタクト層、１７は超格子が無秩序化された混
晶領域、１８はＺｎよりなる拡散領域、１９ａ，１９ｂ
はオーミック電極、２０は劈開面である。
された従来の半導体レーザ装置の製造方法によって得ら
れた半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、この
図において、１２はｎ形ＧａAsからなる基板、１３はｎ
形ＡｌｘGa1-xAs からなる下クラッド層、１４はＡｌ
ｙGa1-yAs−ＧａAsからなる超格子層、１５はｐ形Ａｌ
ｘGa1-XAsからなる上クラッド層、１６はｐ形ＧａAsか
らなるコンタクト層、１７は超格子が無秩序化された混
晶領域、１８はＺｎよりなる拡散領域、１９ａ，１９ｂ
はオーミック電極、２０は劈開面である。
次にその動作について説明する。
オーミック電極１９ａ，１９ｂ間にｐｎ接合に対して順
方向となる電圧を印加すると、超格子層１４に電流が注
入されて発光する。光は超格子層１４と下クラッド層１
３および上クラッド層１５との間の屈折率差によって導
波され、対向している劈開面２０により構成される共振
器によってレーザに至る。
方向となる電圧を印加すると、超格子層１４に電流が注
入されて発光する。光は超格子層１４と下クラッド層１
３および上クラッド層１５との間の屈折率差によって導
波され、対向している劈開面２０により構成される共振
器によってレーザに至る。
この構成では、拡散によって無秩序化された混晶領域１
７の禁制帯幅が、超格子層１４の実効的禁制帯幅よりも
大きくなるので、超格子層１４から発光したレーザ光
が、無秩序化された混晶領域１７ではほとんど吸収され
ない、いわゆるＮＡＭ構造が構成される。このようなＮ
ＡＭ構造によって構成されたＡｌＧａAsを中心とする短
波長帯の半導体レーザ装置においては、最大光出力およ
び寿命を決定している劈開面２０における劣化が妨げら
れ高出力動作が可能である。
７の禁制帯幅が、超格子層１４の実効的禁制帯幅よりも
大きくなるので、超格子層１４から発光したレーザ光
が、無秩序化された混晶領域１７ではほとんど吸収され
ない、いわゆるＮＡＭ構造が構成される。このようなＮ
ＡＭ構造によって構成されたＡｌＧａAsを中心とする短
波長帯の半導体レーザ装置においては、最大光出力およ
び寿命を決定している劈開面２０における劣化が妨げら
れ高出力動作が可能である。
第６図(ａ)〜(ｃ)は従来の半導体レーザ装置の製造方法
を説明するための図である。この図において、第５図の
同一符号は同一部分を示し、２１はＳｉ3N4膜、２２は
ストライプ状の開口である。
を説明するための図である。この図において、第５図の
同一符号は同一部分を示し、２１はＳｉ3N4膜、２２は
ストライプ状の開口である。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第６図(ａ)に示すように、ｎ形ＧａAsからなる基
板１２上に、気相成長法によって下クラッド層１３から
コンタクト層１６までを順次成長させる。次に、第６図
(ｂ)に示すように、コンタクト層１６上にＳｉ3Ｎ４膜
２１を形成し、写真製版の手法を用いてストライプ状の
開口２２を形成する。さらにこの開口２２によりＺｎを
拡散させると、拡散領域１８内の超格子層１４は均一に
無秩序化された混晶領域１７となる。次に、第６図(ｃ)
に示すように、Ｓｉ3Ｎ４膜２１を除去した後、劈開し
易いように基版１２を研磨してウエハ厚を１００μｍ程
度にし、さらに表裏にオーミック電極１９ａ，１９ｂを
形成する。そして劈開によって共振器鏡として働く劈開
面２０を形成した後、各チップに分離する。
板１２上に、気相成長法によって下クラッド層１３から
コンタクト層１６までを順次成長させる。次に、第６図
(ｂ)に示すように、コンタクト層１６上にＳｉ3Ｎ４膜
２１を形成し、写真製版の手法を用いてストライプ状の
開口２２を形成する。さらにこの開口２２によりＺｎを
拡散させると、拡散領域１８内の超格子層１４は均一に
無秩序化された混晶領域１７となる。次に、第６図(ｃ)
に示すように、Ｓｉ3Ｎ４膜２１を除去した後、劈開し
易いように基版１２を研磨してウエハ厚を１００μｍ程
度にし、さらに表裏にオーミック電極１９ａ，１９ｂを
形成する。そして劈開によって共振器鏡として働く劈開
面２０を形成した後、各チップに分離する。
上記のような従来の半導体レーザ装置は、劈開によって
共振器鏡が形成されるので、無秩序化された混晶領域１
７の長さｌは劈開の機械的精度によって規定される。こ
の劈開による方法では劈開の精度上、混晶領域１７の長
さｌを通常は１０μｍ以上にする必要があり、これ以下
に制御するのは困難であった。このため、実効的反射率
が低下し、発振しきい値電流が増大するなどの問題点が
あった。
共振器鏡が形成されるので、無秩序化された混晶領域１
７の長さｌは劈開の機械的精度によって規定される。こ
の劈開による方法では劈開の精度上、混晶領域１７の長
さｌを通常は１０μｍ以上にする必要があり、これ以下
に制御するのは困難であった。このため、実効的反射率
が低下し、発振しきい値電流が増大するなどの問題点が
あった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、無秩序化された混晶領域の長さを数μｍ以下に制
御し、実効的反射率を上げて発振しきい値電流を小さく
できる半導体レーザ装置の製造方法を得ることを目的と
する。
ので、無秩序化された混晶領域の長さを数μｍ以下に制
御し、実効的反射率を上げて発振しきい値電流を小さく
できる半導体レーザ装置の製造方法を得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体
基板上に下クラッド層から上クラッド層までおよびその
上にコンタクト層を成長させた後、コンタクト層上に絶
縁膜を形成し、コンタクト層から少なくとも下クラッド
層までを部分的にエッチングを行って溝を形成し、その
溝の側面にエッチドミラー面を形成する。この後、エッ
チドミラー面より不純物拡散またはイオン注入を行い、
拡散または注入領域内の超格子層または多重量子井戸層
を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域を形成
し、絶縁膜を除去した後、溝より各チップに分離するも
のである。
基板上に下クラッド層から上クラッド層までおよびその
上にコンタクト層を成長させた後、コンタクト層上に絶
縁膜を形成し、コンタクト層から少なくとも下クラッド
層までを部分的にエッチングを行って溝を形成し、その
溝の側面にエッチドミラー面を形成する。この後、エッ
チドミラー面より不純物拡散またはイオン注入を行い、
拡散または注入領域内の超格子層または多重量子井戸層
を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域を形成
し、絶縁膜を除去した後、溝より各チップに分離するも
のである。
また、この発明の別の発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、半導体基板上に下クラッド層から上クラッド
層までおよびその上にコンタクト層を成長させた後、コ
ンタクト層上に絶縁膜を形成し、コンタクト層から超格
子層または多重量子井戸層の近傍までを部分的にエッチ
ングを行って溝を形成し、その溝の表面より不純物拡散
またはイオン注入を行い、拡散または注入領域内の超格
子層または多重量子井戸層を均一に無秩序化して無秩序
化された混晶領域を形成する。そして、溝から少なくと
も下クラッド層に達するまでをさらにエッチングを行っ
てエッチドミラー面を形成し、絶縁膜を除去した後、溝
より各チップに分離するものである。
造方法は、半導体基板上に下クラッド層から上クラッド
層までおよびその上にコンタクト層を成長させた後、コ
ンタクト層上に絶縁膜を形成し、コンタクト層から超格
子層または多重量子井戸層の近傍までを部分的にエッチ
ングを行って溝を形成し、その溝の表面より不純物拡散
またはイオン注入を行い、拡散または注入領域内の超格
子層または多重量子井戸層を均一に無秩序化して無秩序
化された混晶領域を形成する。そして、溝から少なくと
も下クラッド層に達するまでをさらにエッチングを行っ
てエッチドミラー面を形成し、絶縁膜を除去した後、溝
より各チップに分離するものである。
この発明においては、コンタクト層から少なくとも下ク
ラッド層までを、エッチングを行って形成された溝の側
面にエッチドミラー面が形成され、このエッチドミラー
面より拡散された不純物または注入されたイオンによっ
て、拡散または注入領域内の超格子層または多重量子井
戸層が均一に無秩序化されて、無秩序化された混晶領域
が形成される。
ラッド層までを、エッチングを行って形成された溝の側
面にエッチドミラー面が形成され、このエッチドミラー
面より拡散された不純物または注入されたイオンによっ
て、拡散または注入領域内の超格子層または多重量子井
戸層が均一に無秩序化されて、無秩序化された混晶領域
が形成される。
また、この発明の別の発明においては、コンタクト層か
ら超格子層または多重量子井戸層の近傍までをエッチン
グして形成される溝の表面より拡散された不純物または
注入されたイオンによって、拡散または注入領域内の超
格子層または多重量子井戸層が均一に無秩序化されて、
無秩序化された混晶領域が形成される。また、この後、
この溝から少なくとも下クラッド層まで行われるエッチ
ングによってエッチドミラー面が形成される。
ら超格子層または多重量子井戸層の近傍までをエッチン
グして形成される溝の表面より拡散された不純物または
注入されたイオンによって、拡散または注入領域内の超
格子層または多重量子井戸層が均一に無秩序化されて、
無秩序化された混晶領域が形成される。また、この後、
この溝から少なくとも下クラッド層まで行われるエッチ
ングによってエッチドミラー面が形成される。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法によっ
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図である。
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図である。
この図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、２は
ｎ形ＡｌｘＧａ1-xAsからなる下クラッド層、３はＡｌ
ｙＧａ1-yAs−ＧａAsからなる超格子層、４はｐ形Ａｌ
ｘＧａ1-xAsからなる上クラッド層、５はｐ形ＧａAsか
らなるコンタクト層、６は超格子が無秩序化された混晶
領域、７はＺｎよりなる拡散領域、８ａ，８ｂはオーミ
ック電極、９はエッチドミラー面である。
ｎ形ＡｌｘＧａ1-xAsからなる下クラッド層、３はＡｌ
ｙＧａ1-yAs−ＧａAsからなる超格子層、４はｐ形Ａｌ
ｘＧａ1-xAsからなる上クラッド層、５はｐ形ＧａAsか
らなるコンタクト層、６は超格子が無秩序化された混晶
領域、７はＺｎよりなる拡散領域、８ａ，８ｂはオーミ
ック電極、９はエッチドミラー面である。
第２図(ａ)〜(ｄ)はこの発明の半導体レーザ装置の製造
方法の一実施例を説明するための図である。この図にお
いて、第１図と同一符号は同一部分を示し、１０はＳｉ
3Ｎ４膜、１１はストライプ状の開口である。
方法の一実施例を説明するための図である。この図にお
いて、第１図と同一符号は同一部分を示し、１０はＳｉ
3Ｎ４膜、１１はストライプ状の開口である。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第２図(ａ)に示すように、ｎ形ＧａAsからなる基
板１上に、気相成長法によって下クラッド層２から上ク
ラド層４までおよびその上にコンタクト層５を順次成長
させる。次に、第２図（ｂ）に示すように、コンタクト
層５上にＳｉ3Ｎ４膜１０を形成し、写真製版の手法を
用いてストライプ上の開口１１を形成する。次に、この
開口１１が形成されているＳｉ3Ｎ４膜１０をマスクと
して、Ｃｌ２ガスを用いたリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）法によって、コンタクト層５から少なくと
も下クラッド層２に達するまでを部分的にエッチングを
行って溝を形成し、その溝の側面にエッチドミラー面９
を形成する。次に、第２図（ｃ）に示すように、エッチ
ドミラー面９からＺｎを拡散させ、拡散領域７内の超格
子層３を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域６
を形成する。次に、第２図(ｄ)に示すように、Ｓｉ3Ｎ
４膜１０を除去し、オーミク電極８ａ，８ｂを形成した
後、各チップに分離する。
板１上に、気相成長法によって下クラッド層２から上ク
ラド層４までおよびその上にコンタクト層５を順次成長
させる。次に、第２図（ｂ）に示すように、コンタクト
層５上にＳｉ3Ｎ４膜１０を形成し、写真製版の手法を
用いてストライプ上の開口１１を形成する。次に、この
開口１１が形成されているＳｉ3Ｎ４膜１０をマスクと
して、Ｃｌ２ガスを用いたリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）法によって、コンタクト層５から少なくと
も下クラッド層２に達するまでを部分的にエッチングを
行って溝を形成し、その溝の側面にエッチドミラー面９
を形成する。次に、第２図（ｃ）に示すように、エッチ
ドミラー面９からＺｎを拡散させ、拡散領域７内の超格
子層３を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域６
を形成する。次に、第２図(ｄ)に示すように、Ｓｉ3Ｎ
４膜１０を除去し、オーミク電極８ａ，８ｂを形成した
後、各チップに分離する。
すなわち、この発明によって得られる半導体レーザ装置
の動作は従来のものと同様である。しかし、その構造工
程において決定される超格子が無秩序化された混晶領域
６の長さｌは、エッチドミラー面９からのＺｎによる拡
散の深さによって決定され、この拡散の深さは温度と時
間によって１μｍ以下にでも容易に制御できる。
の動作は従来のものと同様である。しかし、その構造工
程において決定される超格子が無秩序化された混晶領域
６の長さｌは、エッチドミラー面９からのＺｎによる拡
散の深さによって決定され、この拡散の深さは温度と時
間によって１μｍ以下にでも容易に制御できる。
したがって、実効的反射率の低下を充分に防ぐことがで
き、高性能，高出力、かつ高信頼度の動作が可能にな
る。
き、高性能，高出力、かつ高信頼度の動作が可能にな
る。
第３図はこの発明の別の発明によって得られた半導体レ
ーザ装置の一実施例の構造を示す断面図、第４図(ａ)〜
(ｄ)はこの発明の別の発明の半導体レーザ装置の製造方
法の一実施例を説明するための図である。
ーザ装置の一実施例の構造を示す断面図、第４図(ａ)〜
(ｄ)はこの発明の別の発明の半導体レーザ装置の製造方
法の一実施例を説明するための図である。
これらの図において、第１図および第２図(ａ)〜(ｄ)と
同一符号は同一部分を示す。
同一符号は同一部分を示す。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第４図(ａ)に示すように、ｎ形ＧａAsからなる基
板１上に、気相成長法によって下クラッド層２から上ク
ラッド層４までおよびその上にコンタクト層５を順次成
長させる。そして、コンタクト層５上にＳｉ3Ｓ４膜１
０を形成し、写真製版の手法を用いてストライプ状の開
口１１を形成する。次に、第４図(ｂ)に示すように、こ
の開口１１が形成されるＳｉ3Ｎ４膜１０をマスクとし
て、ＲＩＥ法によって、コンタクト層５から超格子層３
の近傍までをエッチングを行って溝を形成する。そし
て、この表面よりＺｎを拡散させ、拡散領域７内の超格
子層３を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域６
を形成する。次に、第４図(ｃ)に示すように、さらにＲ
ＩＥ法によって溝から基板１までをエッチングし、エッ
チドミラー面９を形成する。次に、第４図(ｄ)に示すよ
うに、Ｓｉ3Ｎ４膜１０を除去し、オーミック電極８
ａ，８ｂを形成した後、各チップに分離する。
板１上に、気相成長法によって下クラッド層２から上ク
ラッド層４までおよびその上にコンタクト層５を順次成
長させる。そして、コンタクト層５上にＳｉ3Ｓ４膜１
０を形成し、写真製版の手法を用いてストライプ状の開
口１１を形成する。次に、第４図(ｂ)に示すように、こ
の開口１１が形成されるＳｉ3Ｎ４膜１０をマスクとし
て、ＲＩＥ法によって、コンタクト層５から超格子層３
の近傍までをエッチングを行って溝を形成する。そし
て、この表面よりＺｎを拡散させ、拡散領域７内の超格
子層３を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域６
を形成する。次に、第４図(ｃ)に示すように、さらにＲ
ＩＥ法によって溝から基板１までをエッチングし、エッ
チドミラー面９を形成する。次に、第４図(ｄ)に示すよ
うに、Ｓｉ3Ｎ４膜１０を除去し、オーミック電極８
ａ，８ｂを形成した後、各チップに分離する。
このようにして得られる第３図の半導体レーザ装置の動
作は、上記した第１図のものと同様である。
作は、上記した第１図のものと同様である。
しかし、第２図(ａ)〜(ｄ)に示した実施例では、拡散の
条件によっては拡散面が荒れてしまいレーザの特性に影
響を及ぼす場合があるのに対して、この実施例において
は、レーザ光が出射される領域を拡散を行った後に形成
しているので、拡散による面荒れの心配はなく、レーザ
の特性に影響を及ぼすことがなくなる。
条件によっては拡散面が荒れてしまいレーザの特性に影
響を及ぼす場合があるのに対して、この実施例において
は、レーザ光が出射される領域を拡散を行った後に形成
しているので、拡散による面荒れの心配はなく、レーザ
の特性に影響を及ぼすことがなくなる。
なお、この発明の半導体レーザ装置の製造方法において
は、ＲＩＥ法によってエッチドミラー面９を形成した
が、例えば硫酸系エッチャント（１Ｈ２ＳＯ4：８Ｈ２
Ｏ2：１Ｈ２Ｏ）等を用いたウェットエッチングを適用
することもできる。
は、ＲＩＥ法によってエッチドミラー面９を形成した
が、例えば硫酸系エッチャント（１Ｈ２ＳＯ4：８Ｈ２
Ｏ2：１Ｈ２Ｏ）等を用いたウェットエッチングを適用
することもできる。
また、拡散にはＺｎを用いたがＢｅ，Ｍｇ等を用いても
よく、Ｓｉ等のｎ形ドーパントを拡散することもできる
ほか、超格子層３の無秩序化に、イオン注入と高温熱処
理を適用することもできる。
よく、Ｓｉ等のｎ形ドーパントを拡散することもできる
ほか、超格子層３の無秩序化に、イオン注入と高温熱処
理を適用することもできる。
さらに、上記実施例では超格子層を無秩序化する場合に
ついて説明したが、超格子層の代わりに多重量子井戸層
を用いて無秩序化する場合についても同様である。
ついて説明したが、超格子層の代わりに多重量子井戸層
を用いて無秩序化する場合についても同様である。
この発明は以上説明したとおり、半導体基板上に下クラ
ッド層から上クラッド層までおよびその上にコンタクト
層を成長させた後、コンタクト層上を絶縁膜を形成し、
コンタクト層から少なくとも下クラッド層までを部分的
にエッチングを行って溝を形成し、その溝の側面にエッ
チドミラー面を形成する。この後、エッチドミラー面よ
り不純物拡散またはイオン注入を行い、拡散または注入
領域内の超格子層または多重量子井戸層を均一に無秩序
化して無秩序化された混晶領域を形成し、絶縁膜を除去
した後、溝より各チップに分離するので、実効的反射率
の低下を充分に防ぐことができ、高性能，高出力、かす
高信頼度の半導体レーザ装置が得られるという効果があ
る。
ッド層から上クラッド層までおよびその上にコンタクト
層を成長させた後、コンタクト層上を絶縁膜を形成し、
コンタクト層から少なくとも下クラッド層までを部分的
にエッチングを行って溝を形成し、その溝の側面にエッ
チドミラー面を形成する。この後、エッチドミラー面よ
り不純物拡散またはイオン注入を行い、拡散または注入
領域内の超格子層または多重量子井戸層を均一に無秩序
化して無秩序化された混晶領域を形成し、絶縁膜を除去
した後、溝より各チップに分離するので、実効的反射率
の低下を充分に防ぐことができ、高性能，高出力、かす
高信頼度の半導体レーザ装置が得られるという効果があ
る。
また、この発明の別の発明は、半導体基板上に下クラッ
ド層から上クラッド層までおよびその上にコンタクト層
を成長させた後、コンタクト層上に絶縁膜を形成し、コ
ンタクト層から超格子層または多重量子井戸層の近傍ま
でを部分的にエッチングを行って溝を形成し、その溝の
表面より不純物拡散またはイオン注入を行い、拡散また
は注入領域内の超格子層または多重量子井戸層を均一に
無秩序化して無秩序化された混晶領域を形成する。そし
て、溝から少なくとも下クラッド層に達するまでをさら
にエッチングを行ってエッタドミラー面を形成し、絶縁
膜を除去した後、溝より各チップに分離するので、上記
発明の効果に加えて、拡散による面流れの防止を行える
という効果がある。
ド層から上クラッド層までおよびその上にコンタクト層
を成長させた後、コンタクト層上に絶縁膜を形成し、コ
ンタクト層から超格子層または多重量子井戸層の近傍ま
でを部分的にエッチングを行って溝を形成し、その溝の
表面より不純物拡散またはイオン注入を行い、拡散また
は注入領域内の超格子層または多重量子井戸層を均一に
無秩序化して無秩序化された混晶領域を形成する。そし
て、溝から少なくとも下クラッド層に達するまでをさら
にエッチングを行ってエッタドミラー面を形成し、絶縁
膜を除去した後、溝より各チップに分離するので、上記
発明の効果に加えて、拡散による面流れの防止を行える
という効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法によっ
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法
の一実施例を説明するための図、第３図はこの発明の別
の発明によって得られた半導体レーザ装置の一実施例の
構造を示す断面図、第４図はこの発明の別の発明の半導
体レーザ装置の製造方法の一実施例を説明するための
図、第５図は従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面
図、第６図は従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明
するための図である。 図において、１は基板、２は下クラッド層、３は超格子
層、４は上クラッド層、５はコンタクト層、６は無秩序
化された混晶領域、７は拡散領域、８ａ，８ｂはオーミ
ック電極、９はエッチドミラー面、１０はＳｉ3Ｎ
４膜、１１はストライプ状の開口である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法
の一実施例を説明するための図、第３図はこの発明の別
の発明によって得られた半導体レーザ装置の一実施例の
構造を示す断面図、第４図はこの発明の別の発明の半導
体レーザ装置の製造方法の一実施例を説明するための
図、第５図は従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面
図、第６図は従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明
するための図である。 図において、１は基板、２は下クラッド層、３は超格子
層、４は上クラッド層、５はコンタクト層、６は無秩序
化された混晶領域、７は拡散領域、８ａ，８ｂはオーミ
ック電極、９はエッチドミラー面、１０はＳｉ3Ｎ
４膜、１１はストライプ状の開口である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に少なくとも下クラッド層，
超格子層または多重量子井戸層および上クラッド層が順
次形成された積層構造を備える半導体レーザ装置の製造
方法において、前記下クラッド層までを部分的にエッチ
ングを行って溝を形成し、その溝の側面にエッチドミラ
ー面を形成する工程と、前記エッチドミラー面より不純
物拡散またはイオン注入を行い、拡散または注入領域内
の前記超格子層または前記多重量子井戸層を均一に無秩
序化して無秩序化された混晶領域を形成する工程とを含
むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板上に少なくとも下クラッド層，
超格子層または多重量子井戸層および上クラッド層が順
次形成された積層構造を備える半導体レーザ装置の製造
方法において、前記超格子層または前記多重量子井戸層
の近傍までを部分的にエッチングを行って溝を形成し、
その溝の表面より不純物拡散またはイオン注入を行い、
拡散または注入領域内の前記超格子層または前記多重量
子井戸層を均一に無秩序化して無秩序化された混晶領域
を形成する工程と、前記溝から少なくとも前記下クラッ
ド層に達するまでを、さらにエッチングを行ってエッチ
ドミラー面を形成する工程とを含むことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31509786A JPH0634426B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31509786A JPH0634426B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164288A JPS63164288A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0634426B2 true JPH0634426B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=18061376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31509786A Expired - Lifetime JPH0634426B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634426B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3462459B2 (ja) | 2000-09-18 | 2003-11-05 | 株式会社東芝 | 据え置き形電子機器 |
| DE20203912U1 (de) | 2002-03-11 | 2003-07-17 | 3M Innovative Properties Co | Anschlußmodul der Telekommunikationstechnik und Kombination mit einem Anschlußmodul |
| JP4545191B2 (ja) | 2005-05-31 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | 通信装置及び情報処理装置 |
| EP2216860A1 (en) | 2007-11-02 | 2010-08-11 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP31509786A patent/JPH0634426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164288A (ja) | 1988-07-07 |
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