JPS637691A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
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- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分！［！？ ）
この発明は、光通信や光情報システムの光源として使用
される半導体レーザの構造に関するもので、特に安定な
横基本モードで、かつ低しきい値動作する屈折率ガイド
形の半導体レーザ装置に関するものである。
される半導体レーザの構造に関するもので、特に安定な
横基本モードで、かつ低しきい値動作する屈折率ガイド
形の半導体レーザ装置に関するものである。
第２図はＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置の一例の構
造を示す断面図である。この図において、１１はｐ形Ｇ
ａＡｓ基板結晶で、この上にＭＯＣＶＤ法によって、１
回目にｐ形Ａ ｌ ｙＧａ、−ｙＡ Ｓクラッド層１２
．ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層１３を成長させた後、ｎ
形ＧａＡｓ電流ブロック層１３の一部を選択的にエツチ
ングして逆台形のス）−ライブ状溝１４を形成し、次い
で２回目の成長で、ｐ形、Ａ Ｉ 、Ｇ ａ、−、Ａ
ｓクララド層１５．活性領域２１が形成されるＡ Ｉ
、Ｇ ａｌ−ｙＡ Ｓ活性層１６．ｎ形ＡｅｙＧ ａ、
−ｙＡ ｓクラッド層１７．ｎ形ＧａＡｓ：＋ンククト
層１８を順次成長させている。１９はｎ電極、２０はｐ
電極である。
造を示す断面図である。この図において、１１はｐ形Ｇ
ａＡｓ基板結晶で、この上にＭＯＣＶＤ法によって、１
回目にｐ形Ａ ｌ ｙＧａ、−ｙＡ Ｓクラッド層１２
．ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層１３を成長させた後、ｎ
形ＧａＡｓ電流ブロック層１３の一部を選択的にエツチ
ングして逆台形のス）−ライブ状溝１４を形成し、次い
で２回目の成長で、ｐ形、Ａ Ｉ 、Ｇ ａ、−、Ａ
ｓクララド層１５．活性領域２１が形成されるＡ Ｉ
、Ｇ ａｌ−ｙＡ Ｓ活性層１６．ｎ形ＡｅｙＧ ａ、
−ｙＡ ｓクラッド層１７．ｎ形ＧａＡｓ：＋ンククト
層１８を順次成長させている。１９はｎ電極、２０はｐ
電極である。
そして、レーザ発振をさせるためには、ｎ電（餉１９と
ｐ電極２０間に順電圧を印加し、活性領域２１にしきい
値以上の順方向電流を流してやる必要がある。この構造
の半導体レーザ装置では、ｎ形Ｇ ａ Ａ ３．３流ブ
ロック層１３によって電流パスを溝１４近所に制限して
活性領域２１に電流を集中させているうえ、縦方向のダ
ブルへテロ接合に加えＡ Ｉ 、Ｇ ａ、−ｘＡ ｓ活
性層１６を折り曲げて横方向にも屈折率分布をもたせた
構造上の特長のため、電流、キャリア、光は効率よくほ
とんど活性領域内に閉し込められることになる。
ｐ電極２０間に順電圧を印加し、活性領域２１にしきい
値以上の順方向電流を流してやる必要がある。この構造
の半導体レーザ装置では、ｎ形Ｇ ａ Ａ ３．３流ブ
ロック層１３によって電流パスを溝１４近所に制限して
活性領域２１に電流を集中させているうえ、縦方向のダ
ブルへテロ接合に加えＡ Ｉ 、Ｇ ａ、−ｘＡ ｓ活
性層１６を折り曲げて横方向にも屈折率分布をもたせた
構造上の特長のため、電流、キャリア、光は効率よくほ
とんど活性領域内に閉し込められることになる。
ちなみに、この半導体レーザ装置は、例えば室温ＣＷで
の発振しきい値電圧が約３０ｍＡと低く、安定な横基本
モード、滑らかな形状で安定な放射パターンを持ち、９
０℃以上の高温での動作、非点収差が小さいなどの極め
て闇れた性能をもっことが確認されている。
の発振しきい値電圧が約３０ｍＡと低く、安定な横基本
モード、滑らかな形状で安定な放射パターンを持ち、９
０℃以上の高温での動作、非点収差が小さいなどの極め
て闇れた性能をもっことが確認されている。
上記のような従来の半導体レーザ装置は、前述した手順
の結晶成長を行わねば実現不可能である。
の結晶成長を行わねば実現不可能である。
すなわち、１回目にｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａｌ□Ａｓクラ
ッド層１２．層形２ａＡｓ電流ブロック層１３を成長さ
せた後、成長炉から取り出して、電流パスとなろストラ
イプ状溝１４の形成を行い、しかる後、ｐ形Ａ １ 、
Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓクラッド層１５からｆｌ形Ｇ ａ
Ａ ｓコンクト層１８まで順次成長させるので、製作途
中で１度ウェハが大気にさらされる。この時、水分や酸
素を含む大気にさらされた結晶表面には、当然酸化など
の変質が生じ、２回目の結晶成長時に成長不良を起し、
高品質な結晶を成長させられないため、優れた特性をも
つ半導体レーザ装置を再現性よく実現させろことは難し
くなる。これを解決するため、通常、２回目の成長直前
に酸化膜などの除去のためのエツチングをして、結晶表
面のクリーニングを行っているが、完全に清浄にずろこ
とは困難で、多少の変質であれば比較的成長させ易いＭ
ＯＣＶＤ法においても度々問題を生じていた。
ッド層１２．層形２ａＡｓ電流ブロック層１３を成長さ
せた後、成長炉から取り出して、電流パスとなろストラ
イプ状溝１４の形成を行い、しかる後、ｐ形Ａ １ 、
Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓクラッド層１５からｆｌ形Ｇ ａ
Ａ ｓコンクト層１８まで順次成長させるので、製作途
中で１度ウェハが大気にさらされる。この時、水分や酸
素を含む大気にさらされた結晶表面には、当然酸化など
の変質が生じ、２回目の結晶成長時に成長不良を起し、
高品質な結晶を成長させられないため、優れた特性をも
つ半導体レーザ装置を再現性よく実現させろことは難し
くなる。これを解決するため、通常、２回目の成長直前
に酸化膜などの除去のためのエツチングをして、結晶表
面のクリーニングを行っているが、完全に清浄にずろこ
とは困難で、多少の変質であれば比較的成長させ易いＭ
ＯＣＶＤ法においても度々問題を生じていた。
また例示した構造のものに限らず、電流ブロック層や屈
折率ガイドをつけた構造の従来のほとんどの半導体Ｌ・
−ザ装置では、ＭＯＣＶＤ、Ｌｌ）Ｅなどの何れかの結
晶成長法を用いても少なくとも２回の結晶成長を行う必
要があり、優れた特性をもつ半導体レーザ装置を再現性
よく実現できないという問題点があった。
折率ガイドをつけた構造の従来のほとんどの半導体Ｌ・
−ザ装置では、ＭＯＣＶＤ、Ｌｌ）Ｅなどの何れかの結
晶成長法を用いても少なくとも２回の結晶成長を行う必
要があり、優れた特性をもつ半導体レーザ装置を再現性
よく実現できないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、ただ１回の結晶成長によってウェハを大気にさら
すことなく製作でき、安定な横基本モード、低しきい値
などの際れな特性を再現性よく、容易に実現できる崖導
体レーザ装置を得ることを目的とする。
ので、ただ１回の結晶成長によってウェハを大気にさら
すことなく製作でき、安定な横基本モード、低しきい値
などの際れな特性を再現性よく、容易に実現できる崖導
体レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、底部の幅がその上
部より広いストライプ状の溝が形成された第１導電形の
半導体基板結晶と、この半導体基板結晶上にｔ７１￥の
側壁部で不連続になるように形成した第２導電形の電流
ブロック層と、この電流ブロック層および溝の側壁部を
被覆する第１導電形の下側クラッド層と、この下側クラ
ッド層上に形成した禁制帯幅が下側クラッド層より小さ
く屈折率が大きい活性層と、この活性層上に形成した禁
制帯幅が活性層より大きく屈折率が小さい第２導を形の
上側クラッド層と、この上側クララ１：層上に形成した
第２導電形のコンタクト層とから構成したものである。
部より広いストライプ状の溝が形成された第１導電形の
半導体基板結晶と、この半導体基板結晶上にｔ７１￥の
側壁部で不連続になるように形成した第２導電形の電流
ブロック層と、この電流ブロック層および溝の側壁部を
被覆する第１導電形の下側クラッド層と、この下側クラ
ッド層上に形成した禁制帯幅が下側クラッド層より小さ
く屈折率が大きい活性層と、この活性層上に形成した禁
制帯幅が活性層より大きく屈折率が小さい第２導を形の
上側クラッド層と、この上側クララ１：層上に形成した
第２導電形のコンタクト層とから構成したものである。
この発明においては、溝内に形成された活性層が活性領
域となるとともに、電流ブロック層の形成されない溝の
側壁部が電流パスとなり、活性領域に光およびキャリア
が集中する。
域となるとともに、電流ブロック層の形成されない溝の
側壁部が電流パスとなり、活性領域に光およびキャリア
が集中する。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例の構造
を示す断面図である。この図において、１はｐ形ＧａＡ
ｓ基板結晶（以下基板結晶という）、２はストライプ状
の台形溝で、通常の写真製版技術とエツチング技術によ
って基板結晶１上の一部に形成されている。３ばｎ形Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層で、台形溝２を形成した基板結晶
１上に、例えばＭＯＣＶＤ結晶成長技術によって形成−
され、台形溝２の側壁部で基板結晶１が露出するような
不連続な層となっている。４は前記台形溝２の全部とｎ
形ＧａＡｓ電流ブロック層３表面を全て覆うように形成
したｐ形Ａ Ｉ ＹＧａｌ−ｙＡ ｓ下側クラッドＪ凶
、５は活性領域１０が形成されるｐ形Ａｊ’ＸＧａ１−
ｘＡｓ活性層で、ｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａｌ−、Ａ ｓ下
側クラッド層４上に台形溝２の形状に沿って湾曲して形
成されている（ｙ＞ｘ）。６，７は前記ｐ形Ａ ｌ 、
Ｇ ａｌ−。
を示す断面図である。この図において、１はｐ形ＧａＡ
ｓ基板結晶（以下基板結晶という）、２はストライプ状
の台形溝で、通常の写真製版技術とエツチング技術によ
って基板結晶１上の一部に形成されている。３ばｎ形Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層で、台形溝２を形成した基板結晶
１上に、例えばＭＯＣＶＤ結晶成長技術によって形成−
され、台形溝２の側壁部で基板結晶１が露出するような
不連続な層となっている。４は前記台形溝２の全部とｎ
形ＧａＡｓ電流ブロック層３表面を全て覆うように形成
したｐ形Ａ Ｉ ＹＧａｌ−ｙＡ ｓ下側クラッドＪ凶
、５は活性領域１０が形成されるｐ形Ａｊ’ＸＧａ１−
ｘＡｓ活性層で、ｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａｌ−、Ａ ｓ下
側クラッド層４上に台形溝２の形状に沿って湾曲して形
成されている（ｙ＞ｘ）。６，７は前記ｐ形Ａ ｌ 、
Ｇ ａｌ−。
Ａｓ５上に形成されたｎ形Ａ Ｉ ｙＧ ａｌ−ｙＡ
ｓ上側クラッド層およびｎ形ＧａＡｓコンタクト層、８
はｎ電極、９はｐ電極である。
ｓ上側クラッド層およびｎ形ＧａＡｓコンタクト層、８
はｎ電極、９はｐ電極である。
この半導体レーザ装置は、ｎ電極８．ｐ電極９間に順電
圧を印加すると、電圧印加によって、順方向電流がｐ形
Ａ Ｉ ＸＧ ａｌ−ｘＡ ｓ活性層５− ｎ形Ａ ｌ
、Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓ上側クラッド層６界面のｐｎ接
合を横切って両電極間を流れる。この際、基板結晶１上
に設けた台形溝２とこの側壁部で不連続に成長させたｎ
形ＧａＡｓ電流ブロックＨ３の作用によって、すなわち
ｐ−ｎ−ｐの逆バイアス層の存在により、台形溝２の側
壁部のみに制限され、電流は台形溝２の近傍、すなわら
活性領域１０にほとんどが集中することになる。活性領
域１ｏにキャリアが注入され、電子とホールの再結合に
よって発光した光は、さらに電流を増していくと、レー
ザ共振器内で反射、増巾され、しきい値電流値まて増す
とレーザ発振が起きる。ところで、第１図に示したｐ形
Ａ ｌ 、Ｇ ａｌ−ｘＡ ｓ活性層５は、台形溝２に
沿って形成されているため、活性領域１０の両側で折れ
曲っており、台形溝２の幅と深さおよびｎ形ＧａＡｓ電
流ブロック層ａ ｙ Ｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａ、−。
圧を印加すると、電圧印加によって、順方向電流がｐ形
Ａ Ｉ ＸＧ ａｌ−ｘＡ ｓ活性層５− ｎ形Ａ ｌ
、Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓ上側クラッド層６界面のｐｎ接
合を横切って両電極間を流れる。この際、基板結晶１上
に設けた台形溝２とこの側壁部で不連続に成長させたｎ
形ＧａＡｓ電流ブロックＨ３の作用によって、すなわち
ｐ−ｎ−ｐの逆バイアス層の存在により、台形溝２の側
壁部のみに制限され、電流は台形溝２の近傍、すなわら
活性領域１０にほとんどが集中することになる。活性領
域１ｏにキャリアが注入され、電子とホールの再結合に
よって発光した光は、さらに電流を増していくと、レー
ザ共振器内で反射、増巾され、しきい値電流値まて増す
とレーザ発振が起きる。ところで、第１図に示したｐ形
Ａ ｌ 、Ｇ ａｌ−ｘＡ ｓ活性層５は、台形溝２に
沿って形成されているため、活性領域１０の両側で折れ
曲っており、台形溝２の幅と深さおよびｎ形ＧａＡｓ電
流ブロック層ａ ｙ Ｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａ、−。
Ａｓ下側クラッド層４の厚さを制御ずろことによって活
性領域１０の位置を自動的にアライメントできるととも
に、その幅も制御できろ。活性領域１０は両側で屈折率
が小さいｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａＩ−ｙＡ ｓ下側クラッ
ド層４と接し、横方向に屈折率差をもった構造となるう
え、近接した禁制帯幅の大きいｐ形Ａ ｌ 、Ｇ Ｊ−
ｙＡ ｓ下側クラッド層４の効果によって、キャリアと
光は平坦な活性領域１０にほとんど閉じ込められること
になる。そのため、レーザは極めて低いしきい値電圧で
発振できるとともに、横基本モードで安定し゛Ｃ動作す
る。また横方向に設けた屈折率ガイド構造のため、非点
収差が小さいなどの応用上極めて優れた特性をもつ。そ
して、例えば台形溝２の幅を４〜５μｍ、深さを＝２μ
ｎＸｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層３ ＋ Ｐ形ＡＩ。
性領域１０の位置を自動的にアライメントできるととも
に、その幅も制御できろ。活性領域１０は両側で屈折率
が小さいｐ形Ａ ｌ ｙＧ ａＩ−ｙＡ ｓ下側クラッ
ド層４と接し、横方向に屈折率差をもった構造となるう
え、近接した禁制帯幅の大きいｐ形Ａ ｌ 、Ｇ Ｊ−
ｙＡ ｓ下側クラッド層４の効果によって、キャリアと
光は平坦な活性領域１０にほとんど閉じ込められること
になる。そのため、レーザは極めて低いしきい値電圧で
発振できるとともに、横基本モードで安定し゛Ｃ動作す
る。また横方向に設けた屈折率ガイド構造のため、非点
収差が小さいなどの応用上極めて優れた特性をもつ。そ
して、例えば台形溝２の幅を４〜５μｍ、深さを＝２μ
ｎＸｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層３ ＋ Ｐ形ＡＩ。
Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓ下側クラッド層４の厚さを各々＝１
μ扉にした場合、活性領域１ｏの幅は２〜３μｍとなり
、Ｉ）形Ａ ｌ ｘＧ ＋１１−、Ａ ｓ活性層５の厚
さを４０．１７１ｍとすることにより上述した良好な一
特性の半導体レーザ装置が得られる。
μ扉にした場合、活性領域１ｏの幅は２〜３μｍとなり
、Ｉ）形Ａ ｌ ｘＧ ＋１１−、Ａ ｓ活性層５の厚
さを４０．１７１ｍとすることにより上述した良好な一
特性の半導体レーザ装置が得られる。
一方、この半導体し・−ザ装置の製造工程は、まず、基
板結晶１に台形溝２を形成した後、口形ＧａＡｓ電流ブ
ロック層３を成長させるが、この際、台形溝２の側壁に
は！１形ＧａＡｓｔ流ブロック層３が成長せず、後に電
流パスとなる部分が形成されろ。したがって、この後順
次ｐ形Ａ Ｉ 、Ｇａ１−ｙＡ ｓ下側クラッド層４〜
ｎ形ＧａＡｓコンククト層７の各層を成長させるたけて
よく、従来のように結晶成長工程を２回に分け、エツチ
ングによって電流バスとなる溝を形成しなくてもよいわ
けである。
板結晶１に台形溝２を形成した後、口形ＧａＡｓ電流ブ
ロック層３を成長させるが、この際、台形溝２の側壁に
は！１形ＧａＡｓｔ流ブロック層３が成長せず、後に電
流パスとなる部分が形成されろ。したがって、この後順
次ｐ形Ａ Ｉ 、Ｇａ１−ｙＡ ｓ下側クラッド層４〜
ｎ形ＧａＡｓコンククト層７の各層を成長させるたけて
よく、従来のように結晶成長工程を２回に分け、エツチ
ングによって電流バスとなる溝を形成しなくてもよいわ
けである。
このため、従来のように結晶成長工程間にウェハが大気
にさらされることがなくなり、ウェハが酸化する恐れも
なく、良好な結晶を安定に成長させることが可能となる
。
にさらされることがなくなり、ウェハが酸化する恐れも
なく、良好な結晶を安定に成長させることが可能となる
。
なお、上記実施例では基板結晶１にｐ形Ｇ ａＡ ｓを
用いた場合について述べたが、基板結晶１にはｎ形Ｇ
ａＡ ｓを用いてもよく、この場合にはｎ形ＧａＡＳＴ
ｉｉＡブロック層３以下ｎ形ＧａＡｓコンクク）・層７
までの各層の導電形を逆にすればよ（、また活性層の導
電形がどちらでもよいことはいうまてもない。
用いた場合について述べたが、基板結晶１にはｎ形Ｇ
ａＡ ｓを用いてもよく、この場合にはｎ形ＧａＡＳＴ
ｉｉＡブロック層３以下ｎ形ＧａＡｓコンクク）・層７
までの各層の導電形を逆にすればよ（、また活性層の導
電形がどちらでもよいことはいうまてもない。
また口形ＧａＡｓ電流ブロック層３をＧａＡｓ眉に限ら
ずＡ Ｉ！ｚａ ａｌ−２Ａ ５Ｆｆ１で構成してもよ
く、Ｘ〈Ｚの場合には、この電流ブロック層による吸収
ロスが減少するので、ｒ’形ＡＮｙＧａ□−ｙ Ａ ｓ
下側クラッド層４の厚さを薄くして活性領域１０の幅を
高精度で制御ずろことができろ。
ずＡ Ｉ！ｚａ ａｌ−２Ａ ５Ｆｆ１で構成してもよ
く、Ｘ〈Ｚの場合には、この電流ブロック層による吸収
ロスが減少するので、ｒ’形ＡＮｙＧａ□−ｙ Ａ ｓ
下側クラッド層４の厚さを薄くして活性領域１０の幅を
高精度で制御ずろことができろ。
さらに、第１図に示したし・−ザ構造を基本にして、Ａ
Ｉ −、Ｇ ａｌ−Ａ ｓ活性５５とｐ形Ａ ｅ ｙ
Ｇ ａ、−。
Ｉ −、Ｇ ａｌ−Ａ ｓ活性５５とｐ形Ａ ｅ ｙ
Ｇ ａ、−。
Ａｓ上側または下側クラッド層４または６ （上。
下どちらでもよい）の間にＡｒＡｓのモル比が両者の中
間にあるＡ Ｉ 、Ｇａ、−ｆＡｓ （ｘ＜ ｆ ＜
ｙ）ガイド層を設けた構造にすれば、光をＡ ｌ ｌｌ
Ｇ ａｔ−ｘＡｓ活性層５から光ガイド層中へ拡げられ
、その結果、Ａ ｌ ｚ Ｇ ａｌ−１１Ａ ｓ活性層
５内の光密度が減少し、実効的にレーザの光出力を増大
させる高出力化が容易に可能となる。
間にあるＡ Ｉ 、Ｇａ、−ｆＡｓ （ｘ＜ ｆ ＜
ｙ）ガイド層を設けた構造にすれば、光をＡ ｌ ｌｌ
Ｇ ａｔ−ｘＡｓ活性層５から光ガイド層中へ拡げられ
、その結果、Ａ ｌ ｚ Ｇ ａｌ−１１Ａ ｓ活性層
５内の光密度が減少し、実効的にレーザの光出力を増大
させる高出力化が容易に可能となる。
またさらに、この発明をＡ ＲＧａＡｓ／ ＧａＡｓ系
の半導体レーザ装置に限らず、Ｉ ｎＧ ａＡ ｓ系や
ＡｅＧａＩａＰ系などの他の材料を用いた半導体レーザ
装置に適用しても同様な効果をもち、有効であることは
明白である。
の半導体レーザ装置に限らず、Ｉ ｎＧ ａＡ ｓ系や
ＡｅＧａＩａＰ系などの他の材料を用いた半導体レーザ
装置に適用しても同様な効果をもち、有効であることは
明白である。
この発明は以上説明したとおり、底部の幅がその上部よ
り広いストライプ状の溝が形成された第１導電形の半導
体基板結晶と、この半導体基板結晶上に溝の側壁部で不
連続になるように形成した第２導電形の電流ブロック層
と、この電流ブロック層および溝の側壁部を被覆する第
１導電形の下側クラッド層と、この下側クラッド層上に
形成した禁制帯幅が下側クラッド層より小さく屈折率が
大きい活性層と、乙の活性層上に形成した禁制帯幅が活
性層より大きく屈折率が小さい第２導電形の上側クラッ
ド層と、この上側クラ・ソド層上に形成した第２導電形
のコンタクト層とから構成したので、た／′ｌ！１回の
結晶成長工程で再現性よく高品質な結晶を容易に成長さ
せろことができ、横基本モードで安定して動作するとと
もに、しきい値電流が低く、非点収差が小さいという効
果をもつ。
り広いストライプ状の溝が形成された第１導電形の半導
体基板結晶と、この半導体基板結晶上に溝の側壁部で不
連続になるように形成した第２導電形の電流ブロック層
と、この電流ブロック層および溝の側壁部を被覆する第
１導電形の下側クラッド層と、この下側クラッド層上に
形成した禁制帯幅が下側クラッド層より小さく屈折率が
大きい活性層と、乙の活性層上に形成した禁制帯幅が活
性層より大きく屈折率が小さい第２導電形の上側クラッ
ド層と、この上側クラ・ソド層上に形成した第２導電形
のコンタクト層とから構成したので、た／′ｌ！１回の
結晶成長工程で再現性よく高品質な結晶を容易に成長さ
せろことができ、横基本モードで安定して動作するとと
もに、しきい値電流が低く、非点収差が小さいという効
果をもつ。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例の構造
を示す断面図、第２図は従来のＡ Ｉ Ｇ ａＡｓ系の
半導体レーザ装置の一例の構造を示す断面図である。 図において、１はｐ形ＧａＡｓ基板結晶、２は台形溝、
３はｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層、４はｐ形Ａ ｌ ｙ
Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓ下側クラッド層、５はｐ形Ａ１７ｘ
Ｇ ａｌ−Ｊ ｓ活性層、６はｎ形Ａ ｅ 、Ｇ ａｌ
−ｙＡ ｓ上側クラッド層、７はｎ形ＧａＡｓコンタク
ト層、８はｎ電極、９はｐ電極、１０は活性領域である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６１−１５１９５８号２、
発明の名称 半導体レーザ装置３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第６頁５〜６行の１″溝内に形成され
た活性層が」を、「台形溝２に沿って屈曲して形成され
た活性層が」と補正する。 （２）同じく第７頁５〜６行のＥｐ形Ａ Ｉ ＸＧ ａ
、−。 Ａｓ５Ｊを、「ｐ形Ａ Ｉ ＸＧ ａｌ−、Ａ Ｓ活性
層５゜１と補正する。 （３）同じく第７頁１３行の「両電極間」を、Ｅ画電極
８，９間」と補正する。 （４）同じく第１０頁１６行、２０行〜第１１頁１行、
２行のｒ Ａ Ｉ ＪＩＧ １ｌ−１１Ａ ｓ活性層５
」を、いずれも「ｐ形Ａ ｌ 、Ｇ ａｔ−ｘＡ ｓ活
性層５」と補正する。 （５）同じ（第１０員１６〜１７行のＥｐ形Ａｉｌ。 Ｇａ１−アＡ３上側または下側クラッド層４または６」
を、［ｎ形Ａ ｌ ｙＧ Ｊ−ｙＡ ｓ上側クラッド層
６またはｐ形Ａ ｌ 、Ｇ ＆、−アＡｓ下側クラッド
層４」と補正する。 以 上
を示す断面図、第２図は従来のＡ Ｉ Ｇ ａＡｓ系の
半導体レーザ装置の一例の構造を示す断面図である。 図において、１はｐ形ＧａＡｓ基板結晶、２は台形溝、
３はｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層、４はｐ形Ａ ｌ ｙ
Ｇ ａｌ−ｙＡ ｓ下側クラッド層、５はｐ形Ａ１７ｘ
Ｇ ａｌ−Ｊ ｓ活性層、６はｎ形Ａ ｅ 、Ｇ ａｌ
−ｙＡ ｓ上側クラッド層、７はｎ形ＧａＡｓコンタク
ト層、８はｎ電極、９はｐ電極、１０は活性領域である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６１−１５１９５８号２、
発明の名称 半導体レーザ装置３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第６頁５〜６行の１″溝内に形成され
た活性層が」を、「台形溝２に沿って屈曲して形成され
た活性層が」と補正する。 （２）同じく第７頁５〜６行のＥｐ形Ａ Ｉ ＸＧ ａ
、−。 Ａｓ５Ｊを、「ｐ形Ａ Ｉ ＸＧ ａｌ−、Ａ Ｓ活性
層５゜１と補正する。 （３）同じく第７頁１３行の「両電極間」を、Ｅ画電極
８，９間」と補正する。 （４）同じく第１０頁１６行、２０行〜第１１頁１行、
２行のｒ Ａ Ｉ ＪＩＧ １ｌ−１１Ａ ｓ活性層５
」を、いずれも「ｐ形Ａ ｌ 、Ｇ ａｔ−ｘＡ ｓ活
性層５」と補正する。 （５）同じ（第１０員１６〜１７行のＥｐ形Ａｉｌ。 Ｇａ１−アＡ３上側または下側クラッド層４または６」
を、［ｎ形Ａ ｌ ｙＧ Ｊ−ｙＡ ｓ上側クラッド層
６またはｐ形Ａ ｌ 、Ｇ ＆、−アＡｓ下側クラッド
層４」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 底部の幅がその上部より広いストライプ状の溝が形成さ
れた第１導電形の半導体基板結晶と、この半導体基板結
晶上に前記溝の側壁部で不連続になるように形成した第
２導電形の電流ブロック層と、この電流ブロック層およ
び前記溝の側壁部を被覆する第１導電形の下側クラッド
層と、この下側クラッド層上に形成した禁制帯幅が下側
クラッド層より小さく屈折率が大きい活性層と、この活
性層上に形成した禁制帯幅が活性層より大きく屈折率が
小さい第２導電形の上側クラッド層と、この上側クラッ
ド層上に形成した第２導電形のコンタクト層とから構成
したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151958A JPS637691A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 半導体レ−ザ装置 |
| US07/030,897 US4750184A (en) | 1986-06-27 | 1987-03-25 | Semiconductor laser device of refractive index guide type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151958A JPS637691A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637691A true JPS637691A (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=15529928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61151958A Pending JPS637691A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4750184A (ja) |
| JP (1) | JPS637691A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362292A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS6373685A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
| JPS63198320A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶成長方法 |
| JP2804502B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1998-09-30 | 沖電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258988A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61151958A patent/JPS637691A/ja active Pending
-
1987
- 1987-03-25 US US07/030,897 patent/US4750184A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4750184A (en) | 1988-06-07 |
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