JPH03253089A - 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法 - Google Patents

半導体ダイオードレーザ及びその製造方法

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JPH03253089A
JPH03253089A JP2409848A JP40984890A JPH03253089A JP H03253089 A JPH03253089 A JP H03253089A JP 2409848 A JP2409848 A JP 2409848A JP 40984890 A JP40984890 A JP 40984890A JP H03253089 A JPH03253089 A JP H03253089A
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layer
radiation
diode laser
radiation guide
semiconductor
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JP2409848A
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Jan Opschoor
ヤン オプスホール
Hubertus P M M Ambrosius
フベルタス ペトラス メヒティルダス マリア アンブロシウス
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • HELECTRICITY
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[0001]
【産業上の利用分野】
本発明は、第1導電型の半導体基板を有する半導体本体
を具える半導体ダイオードレーザであって、半導体基板
上には少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、放射
放出活性層と、第2導電型の第2クラッド層とが順次 
に配置されており、前記の半導体基板及び第2クラッド
層には活性領域内で電流供給手段が設けられており、活
性領域は前記の放射放出活性層の一部を形成するととも
に細条状領域の下側に位置しており、この活性領域の長
手方向はこの活性領域の外部に位置するミラー面に対し
ほぼ垂直であり、活性領域内では順方向で充分に高い電
流強度でコヒレント電磁放射が生ぜしめられ且つミラー
面と活性領域との間に位置する中間領域内には、活性領
域をミラー面に光学的に結合する放射ガイドが配置され
、この放射ガイドは第3クラッド層と第4クラッド層と
の間に位置する放射ガイド層中に存在するようにした半
導体ダイオードレーザに関するものである。 本発明は更に、半導体基板上に少なくとも第1導電型の
第1クラッド層と、放射放出活性層と、第2導電型の第
2クラッド層とを順次に配置した上述した半導体ダイオ
ードレーザを製造する方法に関するものである。 いわゆるNAM(Non−Absorbing Mir
ror:非吸収ミラー)型である上述したような半導体
ダイオードレーザは特に、高出力半導体ダイオードレー
ザとして用いるのに適している。その理由は、高出力の
放射が発生する場合でも、ミラー面(反射面)の劣化が
低い為である。このようなレーザは、特にGaAs/A
lGaAs材料系で製造した場合に、DOR(Digi
tal 0ptical Recording:デジタ
ル光記録)のような光記録システムで書込みレーザとし
て用いるのに極めて適している。
【従来の技術】
このような半導体ダイオードレーザ及びその製造方法は
米国のボストンで1988年8月29日から1988年
9月1日まで開催された第11回1. E、 E、 E
、国際半導体レーザ会議で発行された学会誌L−2の第
150〜151頁に記載された論文” High 1y
reliable CV! operation of
 100mW GaAlAs Buried Twin
 Ridge 5ubsrate Laserswit
h Non−absorbing Mirrors”(
H,Nalto氏等著)から既知である。コノ論文には
放射ガイドが実効屈折率に関する段部により中間領域中
に横方向で形成され、発生された電磁放射の一部の吸収
がこの放射の増幅部内に位置する放射吸収層中で放射ガ
イドの両側に生じるようにした半導体ダイオードレーザ
が開示されている。放射ガイドは吸収層中の溝を充填す
る第3クラッド層上に位置する放射ガイド層中に形成さ
れている。既知の方法は特に第3クラッド層を形成する
のにLPE(Liquid Phase Epitax
y:液相エピタキシ)を用いている。この既知の半導体
ダイオードレーザの欠点は、実際に確かめられているよ
うに、光出力が極めて高いとミラーの劣化が依然として
生じうるということである。このことは特に、レーザか
ら高出力を放出することを望む前述した分野に対しては
、ミラーの劣化を更に抑圧すればより一層適した半導体
ダイオードレーザが可能となるということを意味する。 これにより、レーザを用いうる寿命及び出力が好ましい
ものとなる。 [0003]
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は特に、いかなるミラー劣化も全く或いは
殆ど呈さす、従って極めて高い出力を生じることができ
且つ寿命を長くしうる半導体ダイオードレーザを提供せ
んとするにある。 [0004] 本発明の他の目的は、課せられた条件を満足する半導体
ダイオードレーザを製造しうる方法を提供せんとするに
ある。 [0005] 本発明は特に、既知のレーザでは発生する電磁放射の一
部の吸収がミラー面の近傍で放射ガイドの両側に生じる
という事実の認識を基に成したものである。 [0006]
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1導電型の半導体基板を有する半導体本体
を具える半導体ダイオードレーザであって、半導体基板
上には少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、放射
放出活性層と、第2導電型の第2クラッド層とが順次 
に配置されており、前記の半導体基板及び第2クラッド
層には活性領域内で電流供給手段が設けられており、活
性領域は前記の放射放出活性層の一部を形成するととも
に細条状領域の下側に位置しており、この活性領域の長
手方向はこの活性領域の外部に位置するミラー面に対し
ほぼ垂直であり、活性領域内では順方向で充分に高い電
流強度でコヒレント電磁放射が生ぜしめられ且つミラー
面と活性領域との間に位置する中間領域内には、活性領
域をミラー面に光学的に結合する放射ガイドが配置され
、この放射ガイドは第3クラッド層と第4クラッド層と
の間に位置する放射ガイド層中に存在するようにした半
導体ダイオードレーザにおいて、前記の放射ガイドは前
記の放射ガイド層中に配置した手段により横方向で画成
され、この手段により放射ガイドの両側に実効屈折率に
関する段部を形成し、放射ガイドの増幅部内に位置する
層の部分がすべて活性層の禁止帯幅よりも大きな禁止帯
幅を有していることを特徴とする。実効屈折率に関する
段部を形成する前記の手段が放射ガイド層中に存在する
為に、電磁放射の横方向での囲みが放射ガイド中に生じ
る。放射ガイドの増幅部分内に位置する層の部分、すな
わち放射ガイド層、第3及び第4クラッド層の部分はす
べてが活性層よりも大きな禁止帯幅を有しているという
事実の為に、発生する電磁放射の吸収は本発明による半
導体ダイオードレーザでは中間領域中に全く或いは殆ど
生じない。その結果、ミラー付近での吸収が回避され、
温度の増大の為の或いは放射の吸収により生じる反応の
為のミラー劣化が生じなくなる。従って、本発明の半導
体ダイオードレーザによれば高出力を生ぜしめることが
でき、一方、ミラー劣化が抑えられるという事実の為に
寿命が長くなる。 [0007] 本発明は、半導体基板上に少なくとも、第1導電型の第
1クラッド層と、放射′放出活性層と、第2導電型の第
2クラッド層とを順次に設けた請求項1〜14のいずれ
か−項に記載の半導体ダイオードレーザを製造する方法
において、細条状中間領域内で、少なくとも前記の活性
層とその上側の層とをエッチングにより除去し、前記の
細条状中間領域内に少なくとも放射ガイド層と第4クラ
ッド層とをこの放射ガイド層が活性領域に光学的に結合
されるように設け、且つ第4クラッド層を設ける前に、
放射ガイドの両側に実効屈折率に関する段部を形成する
手段を放射ガイド層中に設けることにより放射ガイドを
横方向に形成することを特徴とする。本発明の方法によ
れば、課せられた条件を完全に満足する半導体ダイオー
ドレーザが得られる。 [0008] 本発明による半導体ダイオードレーザの第1の実施態様
では、放射ガイドの両側での屈折率に関する段部を約0
.01よりも小さくする。実効屈折率に関するこのよう
な比較的小さな段部により、放射ガイドを実際に望まし
い約1μmと7μmとの間にし放射ガイド層及び第3及
び第4クラッド層の厚さ及び組成を計算により決定しう
る極めて望ましい実際に使用されている値にした場合に
、この放射ガイド層中の基本横モードが好ましいものと
なる。活性領域の両側に屈折率に関する段部を形成し、
本来の位置に存在する吸収領域により生せしめられる電
磁放射の一部の吸収により基本横モードを比較的好まし
いものとすることができる。活性領域の側方で生じる吸
収はミラー面に隣接する中間領域に全く或いは殆ど影響
を及ぼさず、従ってこの吸収はミラー劣化に関係しない
。 [0009] 本発明による半導体ダイオードレーザの他の実施態様で
は、前記の手段を、前記の放射ガイド層を放射ガイドの
両側で薄肉とすることにより形成する。好ましい変形例
では、放射ガイド層を断面で見て段部付形状とし、この
層の下側面をほぼ平坦とし、この層の上面に位置する段
部の高さを放射ガイド層の厚さに比べて小さくする。放
射ガイド層の厚さが、例えば0.10〜0.40μmの
範囲にある場合、段部の高さは0.02〜0.10μm
の範囲にするのが好ましい。放射ガイド層が例えばAl
o、 31GaO,69ASの組成及び0.30 p 
mの厚さを有し、クラッド層がAlo、 41Ga0.
59ASの組成を有し、放射ガイドが約4μmの幅を有
する場合、段部の高さが0.10μmの場合実効屈折率
に関する段部が約4・10−3となり、段部の高さが0
.01μmの場合実効屈折率に関する段部が約8・10
−3となる。このような段部形状は、放射ガイド層上に
細条状マスクを形成し、湿式の化学的エッチング手段に
よりこのマスクの外部に位置する放射ガイド層の一部を
エッチング除去することにより形成しうる。本発明によ
る方法の第1実施態様では、この放射ガイド層をこの細
条状マスクの外部で陽極酸化を用いてその厚さの一部に
亘って半導体材料の酸化物を有する層に変換し、これと
同時に又はその後に半導体材料の酸化物を有するこの層
を放射ガイド層に対して選択性のある腐食剤によるエッ
チング工程で分解する。 このようにすることにより、場合に応じ数回の陽極酸化
工程及びエッチング工程で放射ガイド層を極めて正確に
薄肉にすることができる。本発明による半導体ダイオー
ドレーザの好適な変形例では、他の放射ガイド層を活性
層と第1及び第2クラッド層のうちの一方との間に配置
する。これによりいわゆるLOC(Large 0pt
ical Cavity:火元容量)型の半導体ダイオ
ードレーザが得られ、従って活性領域で生ぜしめられる
電磁放射が前記の他の放射ガイド層の隣接部分に部分的
に存在するようになる。この他の放射ガイド層は活性層
の下側に位置するのが特に好ましい。この場合、この他
の放射ガイド層も同時に中間領域における放射ガイド層
として作用しうる。従って、本発明による半導体ダイオ
ードレーザの装置が簡単となる。すなわち中間領域には
少数の層を除去し且つ設ければ足りる。更に、極めて良
好な光接続、すなわち低損失接続が放射ガイドと活性領
域との間に得られる。更に、エッチング後に中間領域に
層を設ける工程に1回のみの成長処理しか必要としない
という大きな利点が得られる。その理由は、放射ガイド
層が既に存在しており、別の成長処理で設ける必要がな
い為である。 [0010] 本発明による半導体ダイオードレーザの他の実施態様で
は、前記の手段は、放射ガイドの両側における放射ガイ
ド層の組成をこの放射ガイド層の厚さの少なくとも一部
に亘って変え、これにより放射ガイドの両側に実効屈折
率に関する段部を形成するようにして構成する。この実
施態様でも、発生する電磁放射の吸収が全く或いは殆ど
生ぜず、一方、実効屈折率に関する段部により放射の横
方向の案内が行われるようにする。この段部は、基本横
モードが最も安定なモードを構成する程度に小さくする
のが好ましい。この目的の為に必要とする組成の変更は
III−V族生導体材料の場合約1原子%であって、埋
込みへテロ型の放射ガイドで再現的に得られる変更より
も小さい。この実施態様の好適な変形例では、放射ガイ
ドの両側における放射ガイド層の組成をドーパントの存
在により変更する。ドーパントは充分に低い濃度で簡単
に加えることができる。この目的の為に、例えば拡散又
はイオン注入を放射ガイド層に局部的に行うことができ
る。活性層の下側に配置するのが好ましい他の放射ガイ
ド層の存在につき前述した実施態様で述べたことはこの
実施態様にも当てはまることである。 [0011] クラッド層の1つが細条状領域内で、放射吸収層が位置
しているこの細条状領域の外部よりも肉厚となっており
、この放射吸収層の禁止帯幅が活性層の禁止帯幅にほぼ
等しく、この放射吸収層が第1導電型であり隣接のクラ
ッド層とで電流阻止用のp−n接合を形成し、この放射
吸収層が他の放射ガイド層又は活性層の増幅部内に位置
している本発明による半導体ダイオードレーザの重要な
実施態様では、第1クラッド層がほぼ均一な厚さであり
、第2クラッド層が細条状領域内でその両側におけるよ
りも肉厚となっており、放射吸収層が細条状領域の両側
で第2クラッド層上に位置し且つこの第2クラッド層と
で電流阻止用のp−n接合を形成しているようにする。 このような半導体ダイオードレーザでは、横モードの安
定化が放射放出領域内に生じ、基本横モードが好ましい
ものとなる。このような半導体ダイオードレーザには更
に、第1クラッド層、活性層、放射案内層、放射吸収層
及び第2クラッド層を成長技術としてのMOVPE(M
etal−Organic Vapour Phase
 Epitaxy:金属−有機気相エピタキシ)によっ
て設けることができるという大きな利点がある。中間領
域における半導体層もMOVERによって設けることが
できる為、半導体ダイオードレーザにはこれを成長技術
としてMOVPEのみを用いて製造しうるという大きな
利点がある。この利点は、MOVPEが半導体ダイオー
ドレーザを工業的な規模で製造するのに適した成長技術
である為に極めて重要なことである。この実施態様内で
の第1の変形例では、第2クラッド層を第2導電型の半
導体層を以って構成し、この半導体層中で細条状領域の
区域にこの半導体層の厚さの一部に亘ってメサを形成し
、このメサの両側に放射吸収層を位置させる。本発明に
よれば、この変形例を、第3クラッド層までの層(第3
クラッド層を含む)を設けた後に細条状マスクを用い、
このマスクの外部で第3クラッド層をその厚さの一部に
亘って除去することによりこの第3クラッド層にメサを
形成し、メサの両側に第2導電型の放射吸収層を設け、
次に中間領域中の層を、マスクを用いたエッチングによ
り活性層まで(活性層を含む)除去し、放射ガイドを放
射ガイド層に形成した後第4クラッド層を中間領域に設
けるように構成する。この実施態様内での第2の変形例
では、第2クラッド層を第2導電型の2つの半導体層を
以って構成し、これら半導体層を細条状領域内で互いに
隣接させるとともにこの細条状領域の両側で放射吸収層
によって互いに分離する。この変形例は、本発明によれ
ば、これらの2つの半導体層のうちの第1の半導体層(
この場合厚さを比較的薄く選択する)を設けた後、その
上に放射吸収層を設け、次にマスクにより放射吸収層を
細条状領域内で除去し、マスクを除去した後これら2つ
の半導体層のうち第2の半導体層を設け、その後活性層
(これを含む)までの中間領域中の層をマスクを用いた
エッチングにより除去し、放射ガイドを放射ガイド層中
に形成した後第4クラッド層を中間領域中に設けること
により製造する。 [0012] 本発明による半導体ダイオードレーザの他の実施態様で
は、第4クラ・ノド層を第2導電型とし、この第4クラ
ッド層上には少なくとも第1導電型の他のクラッド層を
配置し、この他のクラッド層が少なくとも中間領域中で
第4クラッド層とで電流阻止用のp−n接合を形成する
ようにする。このような半導体ダイオードレーザには、
電荷キャリアが中間領域で放射ガイド付近に達すること
が殆どできず、その結果半導体ダイオードレーザに電流
が流れることにより放射ガイドを形成する実効屈折率に
関する段部が変化することを回避するという利点がある
。前記の実施態様の第1変形例の場合、第4及び他のク
ラッド層を細条状領域の両側で放射吸収層の頂部上に設
けることもできる。このようにすることにより、この変
形例の製造をより一層複雑にすることなく細条状領域の
両側に追加の電流阻止用p−n接合が存在するという利
点が得られる。 [0013] 本発明による半導体ダイオードレーザは特に発生する電
磁放射をできるだけ対称的とするとともに高出力が存在
するビームを得るのに特に適している。この目的の為に
、本発明による半導体ダイオードレーザでは、放射ガイ
ドの幅を活性領域の幅よりも狭くする。放射ガイドの厚
さはあまり厚くしてはならない為、今までのところ放射
ガイドの幅を比較的小さく選択することにより比較的対
称的なビームを得ることができる。放射ガイドの厚さは
既にその幅よりも多数倍も小さくなっている為、放射ガ
イドに対し直角のビームの放出角は放射ガイドに対し平
行な放出角よりも数倍大きいことに注意すべきである。 放射ガイドの幅を減少させると、放射ガイドに対し平行
な放出角が大きくなる。 [0014]
【実施例】
図1は、本発明による半導体ダイオードレーザの第1実
施例を部分的に斜視図で且つ部分的に断面図で示してい
る。図2及び図3は、図1の2−2線及び3−3線上を
それぞれ断面として示す断面図である。この半導体ダイ
オードレーザは接続導体11が設けられた基板領域10
を有する半導体本体30を具えており、基板領域は第1
導電型、この場合n導電型で単結晶砒化ガリウムより成
っている。更に細条状領域13内に、厚さがほぼ均一の
第1導電型、この場合n導電型の第1クラッド層1と、
本例では放射ガイド層2′ と一致する第1導電型、こ
の場合n導電型の他の放射ガイド層2と、活性層3と、
第2導電型、この場合p導電型の第2クラッド層4と、
接続導体21が設けられたp導電型の接点層20とが順
次に配置されている。活性層3内には領域13の下方に
活性領域13′が配置され、この活性領域13′ 中で
は、充分大きな電流強度で、細条状共振空洞内で第1ク
ラッド層1と第2クラッド層4との間に形成されたp−
n接合の順方向で緩衝電磁放射が生ぜしめられる。この
共振空洞はミラー面(反射面) 35.36間に形成さ
れ、本例では活性領域13′  と、その下側にある放
射ガイド層2と、領域14の下側にある2つの放射ガイ
ド15とを有している。細条状領域13の両側の各々に
おいて、それ自体で厚さを減少させた第2クラッド層4
上に順次に、第1導電型、この場合n導電型の放射吸収
層9と、第2導電型、この場合p導電型の第4クラッド
層6と、それぞれ第1導電型、この場合n導電型及び第
2導電型、この場合p導電型の2つの他のクラッド層7
,8と、接続導体21とが設けられている。放射吸収層
9は活性領域13′  における基本横モードに比較的
好ましいように影響を及ぼし、この放射吸収層と第2ク
ラッド層4との間に形成されるp−n接合25及びクラ
ッド層67間に形成されるp−n接合26は電流が活性
領域13′ の両側に広がるのを防止する。放射ガイド
15は、領域18とミラー面35.36との間の中間領
域17.19内で、本例ではクラッド層1に一致する第
3クラッド層1′ と第4クラッド層6との間に位置す
る放射ガイド層2′中に位置する。本例では、第3クラ
ッド層1′の厚さがほぼ均一である。本発明による本例
の半導体ダイオードレーザには、放射ガイド15と活性
領域13′  との間の光結合が良好になり、製造方法
が簡単となり(エッチングしたり成長させたりする層の
個数が少なくて足りる) 成長技術としてMOVPEを
用いることができるようになるという優れた利点がある
。また、中間領域17.19においては屈折率が電荷キ
ャリアにより影響を受けることが、第2クラッド層6と
他のクラッド層7との間に形成される電流阻止用のp−
n接合26により防止される。更に、この電流阻止によ
り中間領域における再結合を防止し、その結果ミラー劣
化が防止される。本例では、活性層3の下側に他の放射
ガイド層2が位置しており、本発明によるこの構成によ
り、中間層17.19において、活性層3を除去する場
合に他の放射ガイド層2を除去する必要がなく放射ガイ
ド層2としても作用しうるという利点が得られる。本発
明によれば、放射ガイド15には、放射ガイド層2′ 
内に位置する手段12を形成し、これにより放射ガイド
15の両側に実効屈折率に関する段部を形成し、この部
分で、発生する電磁放射の一部が散都されるようにする
。中間領域17.19では発生する放射が吸収されない
という事実の為に、本発明によればミラー劣化の発生が
防止される。本例では、前記の手段12は、放射ガイド
15の両側で放射ガイド層2′の厚さを減少させること
により形成する。形成する段部の高さは400Aとする
。このような段部は、マスクを用いたエッチングにより
、且つ好ましくはこのエッチングの前又はこのエッチン
グ中に陽極酸化を用いて簡単に形成することができ、こ
の場合形成された酸化物を分解し、半導体材料を分解し
ない選択性腐食剤を用いる。放射ガイド15の幅は3μ
mとし、中間領域17.19の幅に相当するこの放射ガ
イドの長さは約10μmとし、細条状領域13の長さ及
び幅はそれぞれ300μm及び4μmとする。放射ガイ
ド15の幅を細条状領域の幅よりも小さく選択すること
により、本発明によれば対称性が比較的大きく、出力が
大きく、基本横モードで動作する放射ビームを発生せし
めることができる。半導体本体の寸法は約300 X3
20μm2とする。本例では、細条状領域13内の第2
クラッド層4を、放射吸収層9が位置しているこの第2
クラッド層の両側よりも肉厚にする。このように局部的
に肉厚にするのは、細条状領域14の領域で第2クラッ
ド層4にメサを形成することにより得られる。 このことは、第2クラッド層4を最初は平坦な層として
設けることができることを意味し、これは例えばMOV
PEにより達成することもでき有利なことである。放射
吸収層9はMOVPEによっても設けうる。活性領域1
3′ 内では、この領域の幅が比較的広い為且つ他の放
射ガイド層2が存在する為高出力の放射を生せしめるこ
とができる。本例の半導体層の特性に関しては以下の表
を参照しうる。接続導体は金属又は通常GaAs/Al
GaAsのような金属合金を有し、その厚さは通常の厚
さとする。 [0015] 層      半導体     導電型10     
 GaAs (基板)    Nドーピング濃度  厚
さ (原子/cm3)(μm) 2×1018350 2.2′ Alo、3Gao、 7As 2X10180.3 9GaAs2×1017 NO04 206aAs2×1018 [0016] 次に、前述した半導体ダイオードレーザを本発明により
いかに製造するかを図4及び図5につき説明する。図4
は、製造に順次に用いるマスク40.41.42を示す
。これらマスク40.41.42の寸法は、形成すべき
半導体ダイオードレーザの及びこのレーザ内にある領域
の寸法に応じて選択する。図5は、図1の半導体装置オ
ードを順次の製造段階で示す断面図であり、断面図の位
置は図4に破線で示しである。(001)GaAs基板
10を研摩しエッチラング処理した後、成長技術として
のMOVPEによりこの基板上に順次に、第1クラッド
層1、放射ガイド層2,2′活性層3、第2クラッド層
4及び接点層20を設ける。各層の厚さ、組成及び導電
型は上記の通りに選択する。使用するn型ドーピング源
は5IH4どし、使用するn型ドーピング源はDEZn
 (ジエチル亜鉛)とする。次に、スパッタリングによ
り、0.7μmの厚さの5102層60を被着する(図
5a参照)。この層中には、形成すべき半導体本体30
に相当する領域内に細条状マスク40を形成する(図4
a参照)。次に通常の腐食剤により半導体層20及び8
をマスク40の外部で除去するか或いはその厚さを減少
させる。次に、MOVPEにより放射吸収層9をマスク
40の外部に設ける。図5b及び図5cはそれぞれ領域
18及び17内の結果構造を、図4aに示す通りに断面
として示す断面図である。次に、ホトレジスト及び写真
食刻技術を用いて、図4bに示すようにマスク41を形
成する。領域17及び19においてこのマスクの外部を
エッチングすることにより、放射吸収層9、第2クラッ
ド層4、及び活性層を除去する。これらの領域における
この結果の構造の断面を図5dに示す。次に、新たなホ
トレジストマスク41.42 (図40参照)を設ける
。このマスクは中間領域17.19中に位置する細条状
領域42を有する。次に、陽極酸化により、マスクの外
部の放射ガイド層2の小部分(約400 A)を半導体
材料の酸化物を有する層に変換し、次にこの層を、水で
希釈したアンモニウム溶液中で除去する(図5e参照)
。ホトレジストマスクを除去し、清浄処理を行った後、
51O2を有するマスク40の外部にMOVPEにより
第4クラッド層6、他のクラッド層7及び他のクラッド
層8を順次に設ける。この結果の構造を第4a図に示す
破線に沿う断面で第5f及び5g図に示す。マスク層6
0を除去した後、通常のようにして接続導体を設け、ミ
ラー面を形成するクリーピング(襞間)処理後に図1の
半導体ダイオードレーザが得られる。 本発明による方法では、この場合放射ガイド層2と一致
する放射ガイド層2′内に手段12を設けるものであり
、この手段により、形成すべき放射ガイド15の両側に
実効屈折率に関する段部を形成し、これらの段部で、発
生する放射の一部を散乱させる。このような方法には、
MOVPEをこの場合成長技術として用いうるという利
点がある。放射ガイド層2,2′ が互いに一致すると
ともに、これら放射ガイド層が活性層3の下側に位置す
るという事実には、この方法が簡単化されるという利点
、すなわち一方ではエッチングすべき層の個数が少なく
なり、他方では設けるべき層の個数が全体で少なくなる
という利点がある。中間領域17.19内の第2放射ガ
イド層2′中に段部を形成する手段12を設ける工程は
簡単に行いうる処理工程である。この目的の為に、本発
明によって用いる陽極酸化であり、半導体材料の酸化物
を有する形成された層を第2放射ガイド層2′ に対す
る選択的なエッチングにより除去する陽極酸化には、放
射ガイド15を形成する実効屈折率に関する段部を正確
な制御で調整しうるという利点がある。本発明による方
法には更に、領域18内の半導体層もMOVPEにより
設けうるという利点がある。従って、本発明による方法
は、半導体層の成長技術としてMOVPEを用いるだけ
で本発明による半導体ダイオードレーザを製造しうる可
能性を提供する。このことは、MOVPEの前述した利
点の為に、本発明による方法が特に好ましい製造方法で
あるということを意味する。 [0017] 図6は、本発明による半導体ダイオードレーザの第2実
施例を部分的に斜視図で、部分的に断面図で示す線図で
ある。この半導体ダイオードレーザは、第1導電型、こ
の場合n導電型の基板領域10を有する半導体本体30
を具えており、この基板領域には接続導体11が設けら
れており、この基板領域は本例では単結晶砒化ガリウム
を以て構成されている。この基板領域上には細条状領域
13内で順次に、第1導電型、この場合n導電型の第1
クラッド層1と、第1導電型、この場合n導電型であり
本例では他の放射ガイド層2と一致する放射ガイド層2
′ と、放射放出活性層3と、第2導電型、この場合p
導電型で2つの半導体層4,8を有する第2クラッド層
と、接続導体21が設けられたp導電型の接点層20と
が設けられており、これらの層はすべて細条状領域13
の両側にも延在している。本例では、他の放射ガイド層
2を活性層3の下側に配置し、本発明によるこの配置に
より第1実施例につき説明した利点を得る。第1導電量
、この場合n導電型の放射吸収層9を半導体層4及び8
間で細条状領域13の両側に配置する。細条状の放射放
出活性領域13′  は活性層3中で領域13の下側に
位置させる。放射ガイド15は活性領域13′及びミラ
ー面35.36間に位置する中間領域17.19中に位
置し、この中間領域では放射ガイド層2′が、本例では
放射ガイド15の領域でほぼ均一の厚さとなっており且
つ第1クラッド層1と一致する第3クラッド層1′ と
、第4クラッド層6との間に位置する。放射ガイド15
は活性領域13′  をミラー面35.36に光学的に
接続するものであり、これら放射ガイド15には放射ガ
イド層2′中に位置する手段12が形成されており、こ
の手段により放射ガイド150両側に実効屈折率に関す
る段部を形成し、この段部により、発生する電磁放射の
一部を散乱させる。このようにすることにより第1実施
例につき前述した利点が得られる。本例の場合も、手段
12は放射ガイド15の両側で第2放射ガイド層2′の
厚さを減少させることにより形成する。形成する段部の
高さは400Aとする。本例における半導体ダイオード
レーザ及びこの中にある領域の寸法は第1実施例の場合
と同じである。 本例においても、細条状領域14内のクラッド層4は放
射吸収層9が位置しているその両側におけるよりも肉厚
となっており、放射吸収層9は第2クラッド層4とで電
流阻止間のp−n接合25を形成し、これにより第1実
施例につき説明した利点が得られる。このように厚さを
局部的に肉厚にするのは、第2クラッド層4゜8を、第
2導電型、この場合p導電型で細条状領域13の区域で
互いに隣接し且つこの区域の両側では放射吸収層9によ
り互いに分離されている2つの半導体層48を以て形成
することにより達成する。第2クラッド層及び放射吸収
層は例えば有利なMOVPEにより設けることができる
。細条状領域13内では、発生する放射の一部が吸収さ
れるこの放射を案内する屈折率が活性層3中に得られる
。この結果、大きな横モードが抑圧され且つ細条状領域
13の幅が比較的広い為に、高出力の放射を生ぜしめう
る。本発明によれば、本例においても、この場合第2導
電型すなわちp導電型とした第4クラッド層6に、この
第4クラッド層とで電流阻止用のp−n接合26を形成
する第1導電型この場合n導電型とした他のクラッド層
7を設け、第1実施例につき説明した利点をも得るもの
である。図7及び図8はそれぞれ図6の7−7線上を断
面とする断面図である。本例の半導体層の特性に関して
は前記の表を参照しうる。接続導体は第1実施例と同じ
である。 [0018] 上述した半導体ダイオードレーザを本発明によっていか
に製造するかを図9及び図10につき説明する。図9は
、製造中順次に用いるマスク41.42.50を平面図
で示す。これらマスクの寸法は第1実施例の場合と同じ
である。図10は、図7の半導体ダイオードレーザを順
次の製造工程で示す断面図であり、この断面の位置は必
要な限り図9に示しである。(001)GaAs基板1
0を研摩し且つ工・ンチング処理した後、成長技術とし
てのMOVPEによりこの基板上に順次に、第1クラッ
ド層1と、本例の場合他の放射ガイド層2と一致する放
射ガイド層2′ と活性層3と、第2導電型、この場合
p導電型で約0.3μmの厚さの半導体層4と、放射吸
収層9とを設ける。この場合、各層の厚さ、組成及び導
電型はここで説明しない限り第1実施例で示した表によ
って選択する。次に、0.3μmの3102層60をス
パッタリングにより被着する(図10a参照)。この層
中には半導体本体30に相当する領域内でマスク41を
形成する(図9a参照)。次に通常の腐食剤によりマス
ク41の各部の半導体層3,4及び9を除去する(図1
0b参照)。次に、ホトレジスト及び写真食刻技術によ
り図9bに示すようにマスク41.42を形成する。次
に、陽極酸化により、マスクの外部の放射ガイド層2′
の小部分(約40OA)を半導体材料の酸化物を有する
層に変換し、この後者の層を、次に、水で希釈したアン
モニウムの溶液中で除去する(図10c参照)。ホトレ
ジストを除去し、清浄処理をしだ後ド層7とを順次に設
ける。この結果中間領域17.19の区域において得ら
れる構造の断面を図10dに示す。マスク41.42を
除去した後、写真食刻及びエッチングにより図90に示
すマスク50をマスク層60中に形成する。腐食剤、例
えば選択性腐食剤により放散吸収層9を細条状領域13
内で除去する(図10c参照)。ホトレジスト及びマス
ク層60を除去し、清浄処理後、厚さが1μmで半導体
層4と相俟って第2クラツド相を形成する第2導電型の
半導体層8と、接点層20とをMOVPEにより順次に
設ける。この結果の構造を図90に示す位置での断面で
示すと図10f及び図10gの通りとなる。接続導体を
設け、クリーピング処理を行った後、図7の半導体ダイ
オードレーザが得られる。本発明による方法では、この
場合第1放射ガイド層2と一致する第2放射ガイド層2
′中で第2放射ガイド層2中に手段12を設け、これに
よりこの層中に形成すべき放射ガイド15の両側に実効
屈折率に関する段部を形成し、これらの段部で、発生せ
しめられた放射の一部を散乱させる。 かかる方法には第1実施例の半導体のダイオードレーザ
の製造につき説明した利点がある。この例の本発明によ
る方法も、領域18内の半導体層をMOVPEにより設
けうるという利点を有する。従って、本発明によるこの
方法によっても半導体層の成長技術としてMOVPEを
用いるだけでこの例の本発明による半導体ダイオードレ
ーザを得ることができる。 [0019] 図4及び図9に示すマスクでは、半導体ダイオードレー
ザの形成に必要とするパターンのみを示していることに
注意すべきである。実際には、パターンは繰り返されて
おり、隣接する半導体ダイオードレーザの二次元マトリ
ックスが得られるようになっている。 [0020] 本発明は上述した実施例に限定されず、本発明の範囲内
で種々の変更が可能であること勿論である。例えば、放
射ガイドを形成する段部形状は、放射ガイド層の下側に
存在させることもできる。更に、段部形状はこの放射ガ
イド層の上側及び下側の双方に存在させることができる
。可能な他の変更は、溝を充填し、電流阻止兼放射吸収
層の上に位置する第1クラッド層により放射を吸収する
ことにより細条状領域内に放射案内屈折率を得ることに
ある。この目的の為に必要とする溝は細条状領域中にの
み位置させる。この場合、例えば、放射ガイド層を第1
クラッド層上に存在させ、一方、放射吸収層は前記の放
射ガイド層の増幅部内で細条状領域の両側に位置させる
。この場合、放射ガイドは前述した例と同様に中間領域
内に形成する。他の変更は特に前述した例で述べたもの
と異なる半導体材料又は、組成を用いた場合に得られる
。例えば、活性領域の両側における放射吸収層を放射非
吸収層と置き換え、その半導体材料は、禁止帯幅が活性
層の禁止帯幅よりも大きくなり且つ実効屈折率に関する
段部が中間領域におけるのと同様に活性領域の両側に形
成されるように選択する。従って、活性領域の両側で吸
収が生じないという事実の為に、始動電流が小さく効率
が高い半導体ダイオードレーザが得られる。また実効屈
折率に関するこの段部を小さくすると、基本横モードで
動作するレーザが得られる。比較的狭い活性領域を通し
て比較的小さな始動電流が得られ、更に放射ガイドも比
較的狭くすると、活性領域から放射ガイドへの良好な結
合が得られる。更に、電流の阻止は電流阻止用のp−n
接合の代わりに1つ以上の高オーム抵抗性の半導体層に
よって実現できる。更に、第1クラッド層と半導体基板
との間にいわゆる緩衝層を設けることができる。少なく
とも個別の半導体ダイオードレーザに対しては、電流供
給手段は殆どが導電層が設けられた高ドープ層又は領域
より成っており、この導電層上に例えばワイヤの形態の
接続導体が設けられているがこれら電流供給手段は電子
ビーム等のような他の周知の電流供給手段を有するよう
にすることもできる。前述した実施例では、それぞれに
放射ガイドが位置している2つの中間領域が存在する。 しかし、1つの中間領域にのみ放射ガイドを形成するこ
ともできる。この場合、活性層及び第1放射ガイド層が
ミラー面の1つに隣接する。この場合には、ミラー劣化
を防止する為にこのミラー面にミラーコーティングを施
すような他の手段を講じることができる。 [0021] 本発明は上述した実施例に限定されるものではない。こ
の方法ではMOVPEを成長技術として用いうるが、本
発明による方法ではVPE(Vapour Phase
 Epitaxy :気相エピタキシ)  MBE(M
olecular Beam Epitaxy :分子
ビームエピタキシ)  CBE(Chemical B
eam Epitaxy :化学ビームエピタキシ)或
いは前述したLPE技術のような他の成長技術をも用い
ることができる。第1クラッド層が、溝を充填する半導
体層により細条状領域内に又そのそばに形成されている
前述した変形例では、LPEをも用いる必要がある。本
発明による方法では、前舵の手段を第2放射ガイド層中
に設けることもできる。このことは例えば、この層を成
長させる際に例えば放射ビームにより、形成すべき放射
ガイドの両側で組成を変えることにより行うことができ
る。この変形は例えば混合結晶を形成する元素又はドー
ピング元素に関するものとすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による半導体ダイオードレーザの第1実施例を部
分的に断面で示す斜視図である。
【図2】 図1の2−2線上を断面として図1の半導体ダイオード
レーザを示す断面図である。
【図3】 図1の3−3線上を断面として図1の半導体ダイオード
レーザを示す断面図である。
【図4】 図1に示す半導体ダイオードレーザの製造に用いうるマ
スクを示す平面図である。
【図5】 図1の半導体ダイオードレーザを図4に示す断面位置で
断面として示す断面図である。
【図6】 本発明による半導体ダイオードレーザの第2実施例を部
分的に断面として示す斜視図である。
【図7】 図6の半導体ダイオードレーザをこの図6の7−7線上
を断面として示す断面図である。
【図8】 図6の半導体ダイオードレーザをこの図6の8−8線上
を断面として示す断面図である。
【図9】 図6に示す半導体ダイオードレーザの装置に用いうるマ
スクを示す平面図である。
【図101 図6の半導体ダイオードレーザの順次の製造工程を図9
に示す断面位置で断面として示す断面図である。 【符号の説明】 メ1クラッド層 1′ 第3クラッド層 2 2′ 放射ガイド 活性層 第2クラッド層 第4クラッド層 8 他のクラッド層 放射吸収層 基板領域 21  接続導体 手段 細条状領域 活性領域 領域 放射ガイド 19  中間領域 接点層 26p−n接合 半導体本体 36  ミラー面 41、42.50  マスク
【書類者】
図面
【図1】
【図2】
【図3】 招
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】 Ff6.90

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1導電型の半導体基板(10)を有する
    半導体本体(30)を具える半導体ダイオードレーザで
    あって、半導体基板上には少なくとも第1導電型の第1
    クラッド層(1)と、放射放出活性層(3)と、第2導
    電型の第2クラッド層(4)とが順次に配置されており
    、前記の半導体基板(10)及び第2クラッド層(4)
    には活性領域(13′)内で電流供給手段(8、11、
    21)が設けられており、活性領域(13′)は前記の
    放射放出活性層(3)の一部を形成するとともに細条状
    領域(13)の下側に位置しており、この活性領域(1
    3′)の長手方向はこの活性領域(13′)の外部に位
    置するミラー面(35、36)に対しほぼ垂直であり、
    活性領域内では、順方向で充分に高い電流強度でコヒレ
    ント電磁放射が生ぜしめられ且つミラー面(35、36
    )と活性領域(13′)との間に位置する中間領域(1
    7、19)内には、活性領域(13′)をミラー面(3
    5、36)に光学的に結合する放射ガイド(15)が配
    置され、この放射ガイドは第3クラッド層(1′)と第
    4クラッド層(6)との間に位置する放射ガイド層(2
    ′)中に存在するようにした半導体ダイオードレーザに
    おいて、前記の放射ガイド(15)は前記の放射ガイド
    層(2′)中に配置した手段(12)により横方向で画
    成され、この手段により放射ガイド(15)の両側に実
    効屈折率に関する段部を形成し、放射ガイド(15)の
    増幅部内に位置する層(1′、2′、6)の部分がすべ
    て活性層(3)の禁止帯幅よりも大きな禁止帯幅を有し
    ていることを特徴とする半導体ダイオードレーザ。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の半導体ダイオードレーザ
    において、放射ガイド(15)を形成する屈折率に関す
    る段部を約0.01よりも小さくしたことを特徴とする
    半導体ダイオードレーザ。
  3. 【請求項3】請求項1又は2に記載の半導体ダイオーレ
    ーザにおいて、前記の手段(12)は放射ガイド(15
    )の両側で放射ガイド層(2′)の厚さを減少させるこ
    とにより形成したことを特徴とする半導体ダイオードレ
    ーザ。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導
    体ダイオードレーザにおいて、第3クラッド層(1′)
    をほぼ均一の厚さとし、放射ガイド層(2′)を放射ガ
    イド(15)に対して交差する断面で見て段付形状とし
    、この放射ガイド層(2′)の下側面をほぼ平坦とし、
    この放射ガイド層(2′)の上側面上に位置する段部の
    高さをこの放射ガイド層(2′)の厚さよりも小さくし
    たことを特徴とする半導体ダイオードレーザ。
  5. 【請求項5】請求項3に記載の半導体ダイオードレーザ
    において、放射ガイド層(2′)の厚さを0.10μm
    〜0.40μmの範囲とし、段部の高さを0.01μm
    〜0.1μmの範囲とし、放射ガイド(15)の幅を1
    μm〜7μmの範囲としたことを特徴とする半導体ダイ
    オードレーザ。
  6. 【請求項6】請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導
    体ダイオードレーザにおいて、前記の手段(12)は、
    前記の放射ガイド(15)の両側における放射ガイド層
    (2′)の組成をこの放射ガイド層(2′)の厚さの少
    なくとも一部に亘って変え、これにより放射ガイド(1
    5)の両側に実効屈折率に関する段部を形成するように
    して構成したことを特徴とする半導体ダイオードレーザ
  7. 【請求項7】請求項6に記載の半導体ダイオードレーザ
    において、前記の手段(12)は、放射ガイド(15)
    の両側における或いはこの放射ガイドの領域における放
    射ガイド層(2′)の組成をドーピング元素を存在させ
    ることにより変えることを特徴とする半導体ダイオード
    レーザ。
  8. 【請求項8】請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導
    体ダイオードレーザにおいて、活性層(3)と第1クラ
    ッド層(1)及び第2クラッド層(4)のうちの一方と
    の間に他の放射ガイド層(2)を存在させたことを特徴
    とする半導体ダイオードレーザ。
  9. 【請求項9】請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導
    体ダイオードレーザにおいて、第1クラッド層(1)と
    活性層(3)との間に他の放射ガイド層(2)を配置し
    、放射ガイド層(2′)と前記の他の放射ガイド層(2
    )とが、又第1クラッド層(1)と第3クラッド層(1
    ′)とが互いに一致していることを特徴とする半導体ダ
    イオードレーザ。
  10. 【請求項10】クラッド層(1、4)の1つが細条状領
    域(13)内で、放射吸収層(9)が位置しているこの
    細条状領域の外部よりも肉厚となっており、この放射吸
    収層(9)の禁止帯幅が活性層(3)の禁止帯幅にほぼ
    等しく、この放射吸収層(9)が第1導電型であり隣接
    のクラッド層(1、4)とで電流阻止用のp−n接合(
    25)を形成し、この放射吸収層(9)が他の放射ガイ
    ド層(2)又は活性層(3)の増幅部内に位置している
    請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体ダイオード
    レーザにおいて、第1クラッド層(1)がほぼ均一な厚
    さであり、第2クラッド層(4)が細条状領域(13)
    内でその両側におけるよりも肉厚となっており、放射吸
    収層(9)が細条状領域の両側で第2クラッド層(4)
    上に位置し且つこの第2クラッド層とで電流阻止用のp
    −n接合(25)を形成していることを特徴とする半導
    体ダイオードレーザ。
  11. 【請求項11】請求項10に記載の半導体ダイオードレ
    ーザにおいて、第2クラッド層を第2導電型の半導体層
    (4)を以って構成し、この半導体層中で細条状領域(
    13)の区域にこの半導体層の厚さの一部に亘ってメサ
    を形成し、このメサの両側に放射吸収層(9)を位置さ
    せたことを特徴とすると半導体ダイオードレーザ。
  12. 【請求項12】請求項10に記載の半導体ダイオードレ
    ーザにおいて、第2クラッド層(4、8)を第2導電型
    の2つの半導体層(4)、(8)を以って構成し、これ
    ら半導体層を細条状領域(13)内で互いに隣接させる
    とともにこの細条状領域の両側で放射吸収層(9)によ
    って互いに分離したことを特徴とする半導体ダイオード
    レーザ。
  13. 【請求項13】請求項9〜12のいずれか一項に記載の
    半導体ダイオードレーザにおいて、第4クラッド層(6
    )を第2導電型とし、この第4クラッド層(6)に少な
    くとも第1導電型の他のクラッド層(7)を設け、この
    他のクラッド層により少なくとも中間領域(17、19
    )中で第4クラッド層と相俟って電流阻止用のp−n接
    合を形成したことを特徴とする半導体ダイオードレーザ
  14. 【請求項14】請求項1〜13のいずれか一項に記載の
    半導体ダイオードレーザにおいて、放射ガイド(15)
    の幅を活性領域(13′)の幅よりも狭くしたことを特
    徴とする半導体ダイオードレーザ。
  15. 【請求項15】半導体基板(10)上に少なくとも、第
    1導電型の第1クラッド層(1)と、放射放出活性層(
    3)と、第2導電型の第2クラッド層(4)とを順次に
    設けた請求項1〜14のいずれか一項に記載の半導体ダ
    イオードレーザを製造する方法において、細条状中間領
    域(17、19)内で少なくとも前記の活性層(3)と
    その上側の層(4、8)とをエッチングにより除去し、
    前記の細条状中間領域(17、19)内に少なくとも放
    射ガイド層(2′)と第4クラッド層(6)とをこの放
    射ガイド層(2′)が活性領域(13′)に光学的に結
    合されるように設け、且つ第4クラッド層(6)を設け
    る前に、放射ガイド(15)の両側に実効屈折率に関す
    る段部を形成する手段(12)を放射ガイド層(2′)
    中に設けることにより放射ガイド(15)を横方向に形
    成することを特徴とする半導体ダイオードレーザの製造
    方法。
  16. 【請求項16】請求項15に記載の半導体ダイオードレ
    ーザの製造方法において、前記の活性層(3)を設ける
    前に放射ガイド層(2、2′)を細条状中間領域(17
    、19)内に設け、活性層(3)及びその上側の層(4
    、8)をエッチングにより除去し、細条状中間領域(1
    7、19)中で放射ガイド(15)を放射ガイド層(2
    、2′)内に設けることを特徴とする半導体ダイオード
    レーザの製造方法。
  17. 【請求項17】請求項15又は16に記載の半導体ダイ
    オードレーザの製造方法において、前記の第1クラッド
    層(1)をほぼ均一な厚さで形成し、放射ガイド層(2
    ′)を細条状マスク(42)で被覆し、この放射ガイド
    層(2′)をこの細条状マスク(42)の外部で陽極酸
    化を用いてその厚さの一部に亘って半導体材料の酸化物
    を有する層に変換し、これと同時に又はその後に半導体
    材料の酸化物を有するこの層を放射ガイド層(2′)に
    対して選択性のある腐食剤によるエッチング工程で分解
    することを特徴とする半導体ダイオードレーザの製造方
    法。
  18. 【請求項18】請求項15〜17のいずれか一項に記載
    の半導体ダイオードレーザの製造方法において、前記の
    第2クラッド層(4)を半導体層(4)を設けることに
    より形成し、この半導体層(4)中でしかも放射ガイド
    (15)と整列させて配置した細条状領域(13)の区
    域に、この細条状領域(13)の両側で半導体層(4)
    をエッチッグにより薄肉にすることによりメサを形成し
    、このメサの両側における中間領域(17、19)中に
    層(2、3、4、9)をエッチングにより除去する前に
    第1導電型の放射吸収層(9)を設けることを特徴とす
    る半導体ダイオードレーザの製造方法。
  19. 【請求項19】請求項15〜17のいずれか一項に記載
    の半導体ダイオードレーザの製造方法において、第2導
    電型の2つの半導体層(4)、(8)を設けることによ
    り第2クラッド層(4、8)を形成し、一方、これらの
    半導体層(4)、(8)のうちの第1の半導体層(4)
    を設けた後に第1導電型の放射吸収層(9)を設け、放
    射ガイド(15)と整列して配置した細条状領域(13
    )の区域におけるマスク(50)により放射吸収層(9
    )をエッチング除去し、その後で前記マスク(50)を
    除去した後前記の半導体層(4)、(8)のうちの第2
    の半導体層(8)を設けることを特徴とする半導体ダイ
    オーレーザの製造方法。
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