JPH0443691A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0443691A JPH0443691A JP14999690A JP14999690A JPH0443691A JP H0443691 A JPH0443691 A JP H0443691A JP 14999690 A JP14999690 A JP 14999690A JP 14999690 A JP14999690 A JP 14999690A JP H0443691 A JPH0443691 A JP H0443691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- type
- semiconductor laser
- stripe
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザビームプリンタや光ディスク等の情報端
末用し〜ザの構造に係り、特に高出力あるいは短波長動
作に好適なＡＲＧａＩｎＰ系屈折率導波形赤外半導体レ
ーザの構造に関する。
末用し〜ザの構造に係り、特に高出力あるいは短波長動
作に好適なＡＲＧａＩｎＰ系屈折率導波形赤外半導体レ
ーザの構造に関する。
従来、波長０．６μｍ帯の赤色域で動作するＡＱＧａ
Ｉ ｎＰ系屈折率導波形レーザについては。
Ｉ ｎＰ系屈折率導波形レーザについては。
ブロシーデインダス・オブ・エスビーアイイー８９８巻
、８４頁から８８頁（１９８８年）（Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ ｏｆ ５ＰＩＥ、 Ｖｏ１２８９８ （］
９８８）ＰＰ８４−８８）において論じられている０本
レーザはリッジ形の屈折率導波構造を有し、ＧａＡｓの
（１００）面を基板結晶とし、＜０１１＞方向にリッジ
ストライプを形成した、いわゆる順メサのリッジ構造を
有する。
、８４頁から８８頁（１９８８年）（Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ ｏｆ ５ＰＩＥ、 Ｖｏ１２８９８ （］
９８８）ＰＰ８４−８８）において論じられている０本
レーザはリッジ形の屈折率導波構造を有し、ＧａＡｓの
（１００）面を基板結晶とし、＜０１１＞方向にリッジ
ストライプを形成した、いわゆる順メサのリッジ構造を
有する。
一方、リッジストライプの方向を（０１１，）方向とす
るか、もしくはドライエッチを用いるなどの方法により
、リッジ側面の基板表面に対する角度を１００度以下と
するリッジ構造半導体レーザについては、特開昭６２−
５４９８７において論じられている。
るか、もしくはドライエッチを用いるなどの方法により
、リッジ側面の基板表面に対する角度を１００度以下と
するリッジ構造半導体レーザについては、特開昭６２−
５４９８７において論じられている。
上記従来技術前者の技術はリッジストライプ方向が＜０
１１＞方向で、第２図に示すように、いわゆる順メサ構
造となっているため、電流通路となるリッジストライプ
の最狭部の幅が発光ストライプより１．２μｍ程度狭い
、このため、後述するように、順メサ構造のＡ Ｑ Ｇ
ａ Ｉ ｎ Ｐ系リッジ形半導体レーザの直列抵抗は
８〜Ｊ２Ωと高く、通電によってジュール熱が発生し、
素子の高出力高信頼動作化や短波長高信頼度動作化時の
問題となっていた。
１１＞方向で、第２図に示すように、いわゆる順メサ構
造となっているため、電流通路となるリッジストライプ
の最狭部の幅が発光ストライプより１．２μｍ程度狭い
、このため、後述するように、順メサ構造のＡ Ｑ Ｇ
ａ Ｉ ｎ Ｐ系リッジ形半導体レーザの直列抵抗は
８〜Ｊ２Ωと高く、通電によってジュール熱が発生し、
素子の高出力高信頼動作化や短波長高信頼度動作化時の
問題となっていた。
一方５後者の従来技術においては、リッジ側面の基板表
面に対する角度を１００度以下とする構造が論じられて
いるものの、その目的は再成長時の段差の発生を抑制し
、段差上への成長に伴なう結晶欠陥の発生を抑制するこ
とにあった。また、その実施例ではＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ
ｓ系レーザの例のみが論じられており、Ａ Ｑ Ｇ
ａ Ａ ｓ系レーザに固有の直列抵抗の問題に関しては
配慮がなされていなかった。
面に対する角度を１００度以下とする構造が論じられて
いるものの、その目的は再成長時の段差の発生を抑制し
、段差上への成長に伴なう結晶欠陥の発生を抑制するこ
とにあった。また、その実施例ではＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ
ｓ系レーザの例のみが論じられており、Ａ Ｑ Ｇ
ａ Ａ ｓ系レーザに固有の直列抵抗の問題に関しては
配慮がなされていなかった。
本研究の目的は、直列抵抗が低く、高出力高信頼動作や
短波長高信頼動作が可能なＡＲＧａＩｎＰ系リッジ構造
半導体レーザを提供することにある。
短波長高信頼動作が可能なＡＲＧａＩｎＰ系リッジ構造
半導体レーザを提供することにある。
」１記目的は、Ａ Ｑ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系リッジ構
造半導体レーザにおいて、主にｐ形Ａ Ｑ Ｇ ａ Ｉ
ｎ Ｐクラッド層からなるストライプ方向を、＜０１
１＞方向とし、リッジ構造をいわゆる逆メサ構造とする
か、もしくは矩形状のリッジとすることにより、達成さ
れる。
造半導体レーザにおいて、主にｐ形Ａ Ｑ Ｇ ａ Ｉ
ｎ Ｐクラッド層からなるストライプ方向を、＜０１
１＞方向とし、リッジ構造をいわゆる逆メサ構造とする
か、もしくは矩形状のリッジとすることにより、達成さ
れる。
リッジの構造を逆メサ構造もしくは矩形状にすることに
より、リッジストライプの最狭部の幅を発光ストライブ
より１．２μｍ程度広げるか、もしくは同じとすること
ができる。ｎ形ＧａＡｓ（１００）面を基板結晶として
用いたＡｌＧａＩｎＰ系リッジ形レーすの場合、リッジ
はＰ形Ａ Ｑ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ層で形成されるが、
この層の正孔濃度は５ Ｘ １０１７ｃｓ−”以上にす
ることが難しく、かつ正孔の移動度が小さいため、レー
ザとした場合の直列抵抗は主にこの層の厚さおよびリッ
ジの幅により決定される。したがって、リッジ最狭部の
幅を広げることによって直列抵抗を約５Ω低減できる。
より、リッジストライプの最狭部の幅を発光ストライブ
より１．２μｍ程度広げるか、もしくは同じとすること
ができる。ｎ形ＧａＡｓ（１００）面を基板結晶として
用いたＡｌＧａＩｎＰ系リッジ形レーすの場合、リッジ
はＰ形Ａ Ｑ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ層で形成されるが、
この層の正孔濃度は５ Ｘ １０１７ｃｓ−”以上にす
ることが難しく、かつ正孔の移動度が小さいため、レー
ザとした場合の直列抵抗は主にこの層の厚さおよびリッ
ジの幅により決定される。したがって、リッジ最狭部の
幅を広げることによって直列抵抗を約５Ω低減できる。
直列抵抗の低減によって、通電によるジュール熱の発生
と、これに伴なう（ＡＱ）ＧａＩｎＰ活性層の温度上昇
が低減できる。このため、素子の温度特性が改善され、
動作電流が低減できる。
と、これに伴なう（ＡＱ）ＧａＩｎＰ活性層の温度上昇
が低減できる。このため、素子の温度特性が改善され、
動作電流が低減できる。
さらに高出力高信頼動作や、短波長高信頼動作ができる
ようになる。
ようになる。
上記の構造は特開昭６２−５４９８７に記載されている
が、その目的は再成長時の段差の発生と、段差りへの成
長に伴なう結晶欠陥の発生を抑生ずることにある。また
、実施例もＡ Ｑ ＣＥ ａ Ａ ｓ系レーザに限定さ
れており５本発明のＡＱ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系しザに
固有の問題であるＰ形りラソｊ−層の厚さや幅に起因す
る直列抵抗の問題に関しては配慮がなされていない。
が、その目的は再成長時の段差の発生と、段差りへの成
長に伴なう結晶欠陥の発生を抑生ずることにある。また
、実施例もＡ Ｑ ＣＥ ａ Ａ ｓ系レーザに限定さ
れており５本発明のＡＱ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系しザに
固有の問題であるＰ形りラソｊ−層の厚さや幅に起因す
る直列抵抗の問題に関しては配慮がなされていない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
「１形ＧａＡｓの（１００）面基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｒ】形の（Ａ Ｑｏ、７
Ｇ ａｏ、、）。、５ Ｉ ｒ１１１＋６ Ｐ クラ
ッドＭ（厚さ１μｍ）２．アンドープのＧａ、、、Ｉ
ｎ、５Ｐ活性Ｎ（厚さ０．０７μｍ）３．ｐ形の （Ａ Ｑｏ、７Ｇ ａ、、３）。、、Ｉｎ０．、Ｐ
クラッド層（厚さ１６３μｍ）４を連続成長させた。
成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｒ】形の（Ａ Ｑｏ、７
Ｇ ａｏ、、）。、５ Ｉ ｒ１１１＋６ Ｐ クラ
ッドＭ（厚さ１μｍ）２．アンドープのＧａ、、、Ｉ
ｎ、５Ｐ活性Ｎ（厚さ０．０７μｍ）３．ｐ形の （Ａ Ｑｏ、７Ｇ ａ、、３）。、、Ｉｎ０．、Ｐ
クラッド層（厚さ１６３μｍ）４を連続成長させた。
その後、ＣＶＤ膜を形成した後ウェハを２分割した。ホ
トレジス１へ工程を経て、分割してウェハ（７） １
５には＜０１１．＞方向に幅約７．４μｍのストライプ
を形成した。また、残りのウェハには＜０１１＞方向に
幅約５μｍのストライプタ形成した。その後、反応律速
の化学エツチング液を用いて、約１μｍエツチングを行
ない、逆メサおよび順メサ構造のリッジストライブを形
成した。両構造共にリッジの活性層３側の幅は約５μｍ
、リッジの薄い領域の厚さは約０．３μｍである。
トレジス１へ工程を経て、分割してウェハ（７） １
５には＜０１１．＞方向に幅約７．４μｍのストライプ
を形成した。また、残りのウェハには＜０１１＞方向に
幅約５μｍのストライプタ形成した。その後、反応律速
の化学エツチング液を用いて、約１μｍエツチングを行
ない、逆メサおよび順メサ構造のリッジストライブを形
成した。両構造共にリッジの活性層３側の幅は約５μｍ
、リッジの薄い領域の厚さは約０．３μｍである。
その後、第２回目のＭＯＣＶＤ法により、リッジの底面
および側面にＤ形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を選択成
長させた。スｊ・ライブマスクを除去した後にＰ形Ｇ
ａ Ａ ｓ層６をＭＯＣＶＤ法により形成し、Ｐ側電極
７．ｎ側電極８を形成した。
および側面にＤ形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を選択成
長させた。スｊ・ライブマスクを除去した後にＰ形Ｇ
ａ Ａ ｓ層６をＭＯＣＶＤ法により形成し、Ｐ側電極
７．ｎ側電極８を形成した。
このようにして作製したウェハから、共振器長３３００
μｍ、チップ間隔３００μｍのレーザチップを形成し、
ｐ −ｎ接合側を下にしてパッケージに実装した。
μｍ、チップ間隔３００μｍのレーザチップを形成し、
ｐ −ｎ接合側を下にしてパッケージに実装した。
試作した素子は両構造共に室温連続動作下において、し
きい値電流約３０ｍＡで発振した。逆メサ構造の素子は
発振波長約６７０ｎｍにおいて光出力２０ｍＷまで安定
な横基本モードで動作した。
きい値電流約３０ｍＡで発振した。逆メサ構造の素子は
発振波長約６７０ｎｍにおいて光出力２０ｍＷまで安定
な横基本モードで動作した。
素子の直列抵抗は約５Ωであった。
一方、順メサ構造の素子は、発振波長が約６７５ｎ ｍ
で、光出力１２ｍＷ以上で発熱による光出力飽和が生じ
た。順メサ構造の場合は、直列抵抗が、約１−〇Ωと高
く、通電により余分のジュール熱が発生したため、発振
波長の長波長化を光出力の熱的飽和が生じた。
で、光出力１２ｍＷ以上で発熱による光出力飽和が生じ
た。順メサ構造の場合は、直列抵抗が、約１−〇Ωと高
く、通電により余分のジュール熱が発生したため、発振
波長の長波長化を光出力の熱的飽和が生じた。
両構造のレーザ端面に、反射率約３０％の酸化防止膜を
形成し、５０℃、１０ｍＷにおいて定光出力下での寿命
試験を行なった。その結果、逆メサ構造では５０００時
間以上にわたって安定に動作したが、順メサ構造では５
００時間程度で半数に素子が劣化した。
形成し、５０℃、１０ｍＷにおいて定光出力下での寿命
試験を行なった。その結果、逆メサ構造では５０００時
間以上にわたって安定に動作したが、順メサ構造では５
００時間程度で半数に素子が劣化した。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
実施例１と同様に第１回目のＭ ＯＣＶ Ｉ）法により
Ｇ ａ Ａ ｓ基板］の（１，００）面上にＡ Ｑ Ｇ
ａ Ｉ ｎ Ｆ）系のダブルヘテロ構造を形成した。
Ｇ ａ Ａ ｓ基板］の（１，００）面上にＡ Ｑ Ｇ
ａ Ｉ ｎ Ｆ）系のダブルヘテロ構造を形成した。
その後、ＣＶＤ 。
ホトレジスト工程を経て、（０１１）方向に幅約５．４
μｍのストライプを形成した。その後、ドライエツチン
グの手法を用いて、深さ１μｍのエツチングを実施し１
幅約５μｍの矩形状のリフジス１−ライブを形成した。
μｍのストライプを形成した。その後、ドライエツチン
グの手法を用いて、深さ１μｍのエツチングを実施し１
幅約５μｍの矩形状のリフジス１−ライブを形成した。
その後、実施例１と同様に第２回および第３回目のＭ
ＯＣＶ Ｄ成長を実現し、矩形状のリッジストライプレ
ーザを作製し、実装した。
ＯＣＶ Ｄ成長を実現し、矩形状のリッジストライプレ
ーザを作製し、実装した。
試作した素子は室温連続動作下においてしきい値電流３
０ ｍ Ａ 、発振波長６７１ ｒｉ ｒｎで発振した
。
０ ｍ Ａ 、発振波長６７１ ｒｉ ｒｎで発振した
。
また、光出力１７ｍＷまで光出力の熱的飽和なく、安定
な横基本モードで動作した。素子の直列抵抗は６Ωであ
った。実施例］と同様に端面酸化防止膜を形成した後、
５０℃、１０ｍＷにおいて定光出力動作させた。その結
果、５０００時間以上にわたって安定に動作することが
確かめられた。
な横基本モードで動作した。素子の直列抵抗は６Ωであ
った。実施例］と同様に端面酸化防止膜を形成した後、
５０℃、１０ｍＷにおいて定光出力動作させた。その結
果、５０００時間以上にわたって安定に動作することが
確かめられた。
以上の実施例では波長６７０ ｎ ｍのＡ Ｑ Ｇ ａ
Ｉ ｎ Ｐ系レーザについて説明したが、活性層へＡ
Ｑを混入さぜた波長６５０ ｎ ｍ以下の短波長レーザ
では、本発明の効果が一層顕著となった。
Ｉ ｎ Ｐ系レーザについて説明したが、活性層へＡ
Ｑを混入さぜた波長６５０ ｎ ｍ以下の短波長レーザ
では、本発明の効果が一層顕著となった。
本発明によれば、０．６４ｍ＄で動作するＡＱ Ｇ ａ
Ｉ ｎ Ｐ系レーザの直列抵抗を５Ω程度低減できる
ので素子の活性層の温度１−）１を抑制でき、温度特竹
向−Ｌ、高出力化、短波長化および高信頼度化の点で大
きな効果が得られた。
Ｉ ｎ Ｐ系レーザの直列抵抗を５Ω程度低減できる
ので素子の活性層の温度１−）１を抑制でき、温度特竹
向−Ｌ、高出力化、短波長化および高信頼度化の点で大
きな効果が得られた。
第１図は本発明の一実施例の゛Ｌ導体レーザの共振器端
面から見た断面図、第２図は従来のＡＱＧａｌｎＰ系リ
ッジ構造半導体レーザの共振器端面から見た断面図であ
る。 １ Ｇ、ＪＡ ｓ基板結晶、２ ｎ形Ａ Ｑ Ｇ ａ
１ ｎ Ｐクラッド層、３−Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ活性
層、４− ｐ形Ａｌ２Ｇａ Ｉ ｎＰクラット層、５−
ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・１形ＧａＡｓ層
、７・・ｐ側電極。
面から見た断面図、第２図は従来のＡＱＧａｌｎＰ系リ
ッジ構造半導体レーザの共振器端面から見た断面図であ
る。 １ Ｇ、ＪＡ ｓ基板結晶、２ ｎ形Ａ Ｑ Ｇ ａ
１ ｎ Ｐクラッド層、３−Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ活性
層、４− ｐ形Ａｌ２Ｇａ Ｉ ｎＰクラット層、５−
ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・１形ＧａＡｓ層
、７・・ｐ側電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ形ＧａＡｓ結晶を基板結晶として用いたＡｌＧａ
ＩｎＰ系リッジ構造半導体レーザにおいて、リッジの形
状を、矩形もしくは逆台形としたことを特徴とする半導
体レーザ。 ２、ｎ形ＧａＡｓの（１００）面を主面とする結晶を基
板結晶として用いたＡｌＧａＩｎＰ系リッジ構造半導体
レーザにおいて、リッジストライプの主たる方向が＜０
１１＞方向であることを特徴とする半導体レーザ。 ３、ｎ形ＧａＡｓ結晶を基板結晶として用いたＡｌＧａ
ＩｎＰ系リッジ構造半導体レーザのリッジ部が主にｐ形
ＡｌＧａＩｎＰ層で構成されていることを特徴とする請
求項１もしくは２記載の半導体レーザ。 ４、ｎ形ＧａＡｓ結晶を基板結晶として用いたＡｌＧａ
ＩｎＰ系ダブルヘテロ構造半導体レーザにおいて、主と
してｐ形ＡｌＧａＩｎＰよりなるｐ形クラッド層のスト
ライプ状の部分を除いて、該クラッド層を活性層より発
生した光がしみ出るのに十分な深さまで光吸収のある半
導体層により置きかえ、かつ、該ｐ形クラッド層のスト
ライプ状の部分の表面および該光吸収半導体層の表面が
少なくともｐ形のＧａＡｓ層により覆われた構造を有し
、かつ、該ストライプの形状を矩形もしくは逆台形とし
たことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999690A JPH0443691A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999690A JPH0443691A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443691A true JPH0443691A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15487189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14999690A Pending JPH0443691A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0480983A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP14999690A patent/JPH0443691A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0480983A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5556804A (en) | Method of manufacturing semiconductor laser | |
| JP4295776B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2778178B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3183683B2 (ja) | 窓型半導体レーザ素子 | |
| JP2002094181A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| JP2929990B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH1140879A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| US20040101011A1 (en) | Self-pulsation type semiconductor laser | |
| JP2980302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0443691A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3472739B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH10209553A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH02116187A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3109481B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3119301B2 (ja) | 高出力半導体レーザ | |
| JPH065986A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2001053386A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001345518A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3078553B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2730683B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2636071B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| Mihashi et al. | A novel self-aligned AlGaAs laser with bent active layer grown by MOCVD | |
| JP2909133B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11284276A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |