JP3109481B2 - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素
子、更に詳細には、デジタルバーサタイルディスク（Ｄ
ＶＤ）、光磁気（ＭＯ）ディスク等の光ディスク装置の
光源等として用いられるＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体
レーザ素子及びその製造方法に関するものである。
子、更に詳細には、デジタルバーサタイルディスク（Ｄ
ＶＤ）、光磁気（ＭＯ）ディスク等の光ディスク装置の
光源等として用いられるＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体
レーザ素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素
子のレーザ特性を高い信頼性で維持するには、共振器端
面の劣化を防止することが重要である。この端面劣化の
防止策として、端面に保護膜を形成する方法が広く用い
られている。
子のレーザ特性を高い信頼性で維持するには、共振器端
面の劣化を防止することが重要である。この端面劣化の
防止策として、端面に保護膜を形成する方法が広く用い
られている。
【０００３】ここで、図６及び図７を参照して、従来の
典型的なＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の構
成を説明する。図６はＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子の構成を示す斜視図、図７は線Ａ−Ｂでの図６
のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の層構造を
示す断面図である。従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ素子は、図６及び図７に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０と、ｎ−Ｇa Ａs 基板２１０上に形成さ
れた積層構造と、積層構造上に形成され、上層にｐ−Ｇ
a ＩｎＰヘテロバッファ層１６０を有するリッジストラ
イプ状のｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０のリッジ
型の光導波路とを備えている。更に、リッジストライプ
の両側を挟むように埋め込んだｎ−Ｇa Ａs 電流ブロッ
ク層１９０と、ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０
及びｎ−Ｇa Ａs 電流ブロック層１９０上に成膜された
ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００とを有する。積層構造
は、ｎ−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１２０、及びｐ−Ｇa ＩｎＰエッチ
ング停止層１４０から構成されている。更に、レーザ素
子は、コンタクト層２００上にｐ側電極２２０及び基板
２１０裏面にｎ電極２３０を有し、共振器構造の両端面
には端面保護膜２６０を備えている。
典型的なＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の構
成を説明する。図６はＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子の構成を示す斜視図、図７は線Ａ−Ｂでの図６
のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の層構造を
示す断面図である。従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ素子は、図６及び図７に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０と、ｎ−Ｇa Ａs 基板２１０上に形成さ
れた積層構造と、積層構造上に形成され、上層にｐ−Ｇ
a ＩｎＰヘテロバッファ層１６０を有するリッジストラ
イプ状のｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０のリッジ
型の光導波路とを備えている。更に、リッジストライプ
の両側を挟むように埋め込んだｎ−Ｇa Ａs 電流ブロッ
ク層１９０と、ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０
及びｎ−Ｇa Ａs 電流ブロック層１９０上に成膜された
ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００とを有する。積層構造
は、ｎ−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１２０、及びｐ−Ｇa ＩｎＰエッチ
ング停止層１４０から構成されている。更に、レーザ素
子は、コンタクト層２００上にｐ側電極２２０及び基板
２１０裏面にｎ電極２３０を有し、共振器構造の両端面
には端面保護膜２６０を備えている。
【０００４】電流は、電流ブロック層１９０によってリ
ッジ型導波路に狭窄されて活性層１１０に注入される。
共振器の長手方向には電流狭窄構造は設けてなく、共振
器内部と同等の高密度の電流注入が行われる。共振器端
面では、高密度の表面準位が存在しているため、端面に
電流が流れると、その準位を介してキャリアが非発光に
再結合する。そのため共振器内部に比較して局所的に温
度が上昇し、劣化の進行が速くなる。そこで共振器端面
には端面保護膜２６０が形成され、端面結晶が雰囲気中
の酸素と反応して酸化し、急速劣化するのを防止する。
ッジ型導波路に狭窄されて活性層１１０に注入される。
共振器の長手方向には電流狭窄構造は設けてなく、共振
器内部と同等の高密度の電流注入が行われる。共振器端
面では、高密度の表面準位が存在しているため、端面に
電流が流れると、その準位を介してキャリアが非発光に
再結合する。そのため共振器内部に比較して局所的に温
度が上昇し、劣化の進行が速くなる。そこで共振器端面
には端面保護膜２６０が形成され、端面結晶が雰囲気中
の酸素と反応して酸化し、急速劣化するのを防止する。
【０００５】更に、図８から図１０を参照して、従来の
ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の製造方法を
説明する。図８から図１０は従来のＡｌＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザ素子を製造する際の工程毎の層構造を
示す斜視図である。先ず、図８に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０上に、ＭＯＶＰＥ法等により、順次、ｎ
−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１２０、及びｐ−ＧaＩｎＰエッチング停
止層１４０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０、ｐ
−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０、及びｐ−Ｇa Ａ
s キャップ層１８０を成膜する。
ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の製造方法を
説明する。図８から図１０は従来のＡｌＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザ素子を製造する際の工程毎の層構造を
示す斜視図である。先ず、図８に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０上に、ＭＯＶＰＥ法等により、順次、ｎ
−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１２０、及びｐ−ＧaＩｎＰエッチング停
止層１４０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０、ｐ
−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０、及びｐ−Ｇa Ａ
s キャップ層１８０を成膜する。
【０００６】次いで、図９に示すように、キャップ層１
８０上にＳｉＯ2 膜をストライプ状に形成する。
８０上にＳｉＯ2 膜をストライプ状に形成する。
【０００７】続いて、図１０に示すように、ＳｉＯ2 膜
２４０を使って、エッチング停止層１４０まで、キャッ
プ層１８０、ヘテロバッファ層１６０及びクラッド層１
５０をエッチングして、ストライプ状のリッジ構造を形
成する。更に、ｎ−Ｇa Ａs 電流ブロック層１９０をリ
ッジ構造の両側に成膜してリッジ構造を埋め込み、次い
で、ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００を成膜する。
２４０を使って、エッチング停止層１４０まで、キャッ
プ層１８０、ヘテロバッファ層１６０及びクラッド層１
５０をエッチングして、ストライプ状のリッジ構造を形
成する。更に、ｎ−Ｇa Ａs 電流ブロック層１９０をリ
ッジ構造の両側に成膜してリッジ構造を埋め込み、次い
で、ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００を成膜する。
【０００８】更に、コンタクト層２００上にｐ側電極２
２０及び基板２１０裏面にｎ電極２３０をそれぞれ形成
し、共振器構造の両端面には端面保護膜２６０を成膜す
る。これにより、図６に示す従来のＡｌＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザ素子を得ることができる。
２０及び基板２１０裏面にｎ電極２３０をそれぞれ形成
し、共振器構造の両端面には端面保護膜２６０を成膜す
る。これにより、図６に示す従来のＡｌＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザ素子を得ることができる。
【０００９】また、従来技術には、共振器端面部に電流
が流れないような構造を設けた端面非注入構造とよばれ
るＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子が多数報告
されている。そのなかで、庄野らは、第３８回応用物理
学関連連合講演会講演予稿集Ｐ１００１ ３０Ｐ−Ｄ−
１０において、端面近傍の光取り出し部上部にｎ−Ｇa
Ａs層を設けて端面非注入構造を形成する方法を述べて
いる。端面非注入構造によって、表面準位を介した非発
光再結合電流が流れるのを低減し高出力化を計るもので
ある。
が流れないような構造を設けた端面非注入構造とよばれ
るＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子が多数報告
されている。そのなかで、庄野らは、第３８回応用物理
学関連連合講演会講演予稿集Ｐ１００１ ３０Ｐ−Ｄ−
１０において、端面近傍の光取り出し部上部にｎ−Ｇa
Ａs層を設けて端面非注入構造を形成する方法を述べて
いる。端面非注入構造によって、表面準位を介した非発
光再結合電流が流れるのを低減し高出力化を計るもので
ある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、端面に
保護膜を形成する方法では、端面の結晶表面の酸化によ
る急速な劣化の防止には効果的であるが、端面近傍へも
高密度の電流注入が行われ、結晶欠陥の形成が加速され
る。このため長期的な端面劣化の防止は不十分であっ
た。さらに従来の端面非注入構造の半導体レーザ素子で
は、電流非注入領域を形成するために、余分な工程が必
要であり、且つ製造工程に高い技術が要求されるという
問題があった。また、前述の庄野らの方法では、n-Ｇa
Ａs 端面非注入層の厚さのため素子表面に凸凹ができ、
ヒートシンクへの融着と放熱が不均一になり、レーザ特
性の悪化や劣化を生じる原因となっていた。
保護膜を形成する方法では、端面の結晶表面の酸化によ
る急速な劣化の防止には効果的であるが、端面近傍へも
高密度の電流注入が行われ、結晶欠陥の形成が加速され
る。このため長期的な端面劣化の防止は不十分であっ
た。さらに従来の端面非注入構造の半導体レーザ素子で
は、電流非注入領域を形成するために、余分な工程が必
要であり、且つ製造工程に高い技術が要求されるという
問題があった。また、前述の庄野らの方法では、n-Ｇa
Ａs 端面非注入層の厚さのため素子表面に凸凹ができ、
ヒートシンクへの融着と放熱が不均一になり、レーザ特
性の悪化や劣化を生じる原因となっていた。
【００１１】本発明の目的は、従来構造の半導体レーザ
素子と同じ製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成
し、これらの問題を解決した高信頼なＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ素子を提供することにある。
素子と同じ製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成
し、これらの問題を解決した高信頼なＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体レーザ素子は、第１導電型クラ
ッド層、活性層および第２導電型クラッド層を少なくと
も含み、第１導電型の半導体基板上に形成されたダブル
ヘテロ構造と、第２導電型クラッド層によって形成され
て共振器方向に延伸し、ストライプ幅が共振器の少なく
とも一方の光取り出し部で共振器内部のストライプ幅よ
りも狭くなっているリッジストライプと、共振器の少な
くとも一方の光取り出し部ではリッジストライプの側面
及び上面を覆うＡｌＩｎＰからなる第１の電流ブロック
層と、リッジストライプの両側を埋める第２の電流ブロ
ック層とを備えることを特徴としている。
に、本発明に係る半導体レーザ素子は、第１導電型クラ
ッド層、活性層および第２導電型クラッド層を少なくと
も含み、第１導電型の半導体基板上に形成されたダブル
ヘテロ構造と、第２導電型クラッド層によって形成され
て共振器方向に延伸し、ストライプ幅が共振器の少なく
とも一方の光取り出し部で共振器内部のストライプ幅よ
りも狭くなっているリッジストライプと、共振器の少な
くとも一方の光取り出し部ではリッジストライプの側面
及び上面を覆うＡｌＩｎＰからなる第１の電流ブロック
層と、リッジストライプの両側を埋める第２の電流ブロ
ック層とを備えることを特徴としている。
【００１３】好適には、第２導電型クラッド層上に第２
導電型ヘテロバッファ層を有する。
導電型ヘテロバッファ層を有する。
【００１４】具体的には、半導体基板がＧa Ａs 、Ｇa
ＡｓＰ、及びＧａＰのいずれかである。第１及び第２導
電型クラッド層がＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧa Ａs のいず
れかである。活性層がＧa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰを
含む。更に、第２の電流ブロック層がＧa Ａs で形成さ
れている。
ＡｓＰ、及びＧａＰのいずれかである。第１及び第２導
電型クラッド層がＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧa Ａs のいず
れかである。活性層がＧa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰを
含む。更に、第２の電流ブロック層がＧa Ａs で形成さ
れている。
【００１５】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法
は、第１導電型の半導体基板上に第１導電型クラッド
層、活性層および第２導電型クラッド層を少なくとも含
むダブルヘテロ構造の積層構造を形成する工程と、共振
器方向に延伸するマスクであって、少なくとも一方の光
取り出し部のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅
よりも狭くなるようなストライプ状のマスクを形成し、
次いで、そのマスクを使って第２導電型クラッド層をエ
ッチングしてリッジストライプを形成する工程と、前記
マスクを使用した選択エピタキシャル成長法により、リ
ッジストライプを挟んで、ＡｌＩｎＰからなる第１の電
流ブロック層を選択成長させ、ストライプ幅が共振器内
部のストライプ幅よりも狭い共振器の少なくとも一方の
光取り出し部では、第１の電流ブロック層がリッジスト
ライプ側面及び上面を覆うようにする工程とを特徴とし
ている。
は、第１導電型の半導体基板上に第１導電型クラッド
層、活性層および第２導電型クラッド層を少なくとも含
むダブルヘテロ構造の積層構造を形成する工程と、共振
器方向に延伸するマスクであって、少なくとも一方の光
取り出し部のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅
よりも狭くなるようなストライプ状のマスクを形成し、
次いで、そのマスクを使って第２導電型クラッド層をエ
ッチングしてリッジストライプを形成する工程と、前記
マスクを使用した選択エピタキシャル成長法により、リ
ッジストライプを挟んで、ＡｌＩｎＰからなる第１の電
流ブロック層を選択成長させ、ストライプ幅が共振器内
部のストライプ幅よりも狭い共振器の少なくとも一方の
光取り出し部では、第１の電流ブロック層がリッジスト
ライプ側面及び上面を覆うようにする工程とを特徴とし
ている。
【００１６】好適には、第２導電型のエッチング停止層
を成膜し、その上に第２導電型クラッド層を成膜する。
具体的には、半導体基板としてＧa Ａs 、Ｇa ＡｓＰ、
及びＧａＰのいずれかを使用し、第１及び第２導電型ク
ラッド層としてＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧa Ａsのいずれ
かを使用し、Ｇa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰを含む活性
層を形成し、第２の電流ブロックとしてＧa Ａs を使用
する。
を成膜し、その上に第２導電型クラッド層を成膜する。
具体的には、半導体基板としてＧa Ａs 、Ｇa ＡｓＰ、
及びＧａＰのいずれかを使用し、第１及び第２導電型ク
ラッド層としてＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧa Ａsのいずれ
かを使用し、Ｇa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰを含む活性
層を形成し、第２の電流ブロックとしてＧa Ａs を使用
する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明をＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ素子に適用した、本発明に係る半導体レーザ素
子の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のＡ
ｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の構成を示す斜
視図、図２は線Ａ−Ｂでの図１の層構造を示す断面図で
ある。本実施形態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子１０は、図１に示すように、ｎ−Ｇa Ａs 基板
２１０と、ｎ−Ｇa Ａs 基板２１０上に、形成された積
層構造と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０及びｐ
−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０によって積層構造
上に形成されて共振器方向に延伸し、ストライプ幅が共
振器の光取り出し部で共振器内部のストライプ幅よりも
狭くなっているリッジストライプ構造と、共振器の少な
くとも一方の光取り出し部ではリッジストライプの側面
及び上面を覆うｎ−ＡｌＩｎＰからなる第１の電流ブロ
ック層２５０と、リッジ構造の両側を埋め込む第２のｎ
−ＧａＡs 電流ブロック層１９０と、ｐ−Ｇa Ａs コン
タクト層２００とを備えている。積層構造は、ｎ−Ｇa
Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１２０、及びｐ−Ｇa ＩｎＰエッチングストッパ
層１４０で構成されている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明をＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ素子に適用した、本発明に係る半導体レーザ素
子の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のＡ
ｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の構成を示す斜
視図、図２は線Ａ−Ｂでの図１の層構造を示す断面図で
ある。本実施形態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子１０は、図１に示すように、ｎ−Ｇa Ａs 基板
２１０と、ｎ−Ｇa Ａs 基板２１０上に、形成された積
層構造と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５０及びｐ
−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６０によって積層構造
上に形成されて共振器方向に延伸し、ストライプ幅が共
振器の光取り出し部で共振器内部のストライプ幅よりも
狭くなっているリッジストライプ構造と、共振器の少な
くとも一方の光取り出し部ではリッジストライプの側面
及び上面を覆うｎ−ＡｌＩｎＰからなる第１の電流ブロ
ック層２５０と、リッジ構造の両側を埋め込む第２のｎ
−ＧａＡs 電流ブロック層１９０と、ｐ−Ｇa Ａs コン
タクト層２００とを備えている。積層構造は、ｎ−Ｇa
Ａs バッファ層１７０、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１３０、ＭＱＷ活性層１１０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１２０、及びｐ−Ｇa ＩｎＰエッチングストッパ
層１４０で構成されている。
【００１８】更に、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レー
ザ素子１０は、コンタクト層２００上にｐ側電極２２０
を及び基板２１０裏面にｎ電極２３０をそれぞれ有し、
共振器構造の両端面には端面保護膜２６０を備えてい
る。
ザ素子１０は、コンタクト層２００上にｐ側電極２２０
を及び基板２１０裏面にｎ電極２３０をそれぞれ有し、
共振器構造の両端面には端面保護膜２６０を備えてい
る。
【００１９】次に、図３から図５を参照して、本実施形
態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子１０の
製造方法を説明する。図３から図５はＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ素子１０を製造する際の工程毎の層
構造を示す斜視図である。図３に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）
法等により、順次、ｎ−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ
−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１
０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２０、ｐ−Ｇa Ｉ
ｎＰエッチング停止層１４０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１５０、ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６
０、及びｐ−Ｇa Ａs キャップ層１８０を成膜する。
態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子１０の
製造方法を説明する。図３から図５はＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ素子１０を製造する際の工程毎の層
構造を示す斜視図である。図３に示すように、ｎ−Ｇa
Ａs 基板２１０上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）
法等により、順次、ｎ−Ｇa Ａs バッファ層１７０、ｎ
−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１
０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２０、ｐ−Ｇa Ｉ
ｎＰエッチング停止層１４０、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１５０、ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層１６
０、及びｐ−Ｇa Ａs キャップ層１８０を成膜する。
【００２０】次いで、ＳｉＯ2 膜を全面に形成する。次
いで、共振器方向に延伸したストライプの光取り出し部
のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅よりも狭い
ガラスマスクを形成し、このマスクを使用してＳｉＯ2
膜をパターンニングして、図４に示すように、ＳｉＯ2
膜２４０を形成する。次に、このＳｉＯ2 膜２４０を利
用してウェットエッチングによりリッジ導波路を形成す
る。この際、ウエットエッチングの特性であるサイドエ
ッチングにより光取り出し部のストライプ幅が狭い部分
ではｐ−ＡｌＩｎＰブロック層１５０上面もエッチング
されるようになる。この後、ＳｉＯ2 膜をマスクとした
選択成長法によって、ＡｌＩｎＰブロック層２５０を選
択成長し、その上にｎ−Ｇa Ａs ブロック層１９０を選
択成長する。次にＳｉＯ2 膜２４０を除去し、図５に示
すように、ウェハ全面にｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２０
０を成長させる。尚、図５で、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１８０は、組成が同じｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００
と一体化して図示されている。
いで、共振器方向に延伸したストライプの光取り出し部
のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅よりも狭い
ガラスマスクを形成し、このマスクを使用してＳｉＯ2
膜をパターンニングして、図４に示すように、ＳｉＯ2
膜２４０を形成する。次に、このＳｉＯ2 膜２４０を利
用してウェットエッチングによりリッジ導波路を形成す
る。この際、ウエットエッチングの特性であるサイドエ
ッチングにより光取り出し部のストライプ幅が狭い部分
ではｐ−ＡｌＩｎＰブロック層１５０上面もエッチング
されるようになる。この後、ＳｉＯ2 膜をマスクとした
選択成長法によって、ＡｌＩｎＰブロック層２５０を選
択成長し、その上にｎ−Ｇa Ａs ブロック層１９０を選
択成長する。次にＳｉＯ2 膜２４０を除去し、図５に示
すように、ウェハ全面にｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２０
０を成長させる。尚、図５で、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１８０は、組成が同じｐ−Ｇa Ａs コンタクト層２００
と一体化して図示されている。
【００２１】このようにして作製された半導体レーザ素
子の端面近傍のストライプ幅が狭い部分では、エッチン
グによりマスクのＳｉＯ2 膜２４０とｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１５０との間に隙間が生じているので、選
択成長の際、図１に示すように、ＡｌＩｎＰブロック層
２５０がストライプ上面を覆うようになる。
子の端面近傍のストライプ幅が狭い部分では、エッチン
グによりマスクのＳｉＯ2 膜２４０とｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１５０との間に隙間が生じているので、選
択成長の際、図１に示すように、ＡｌＩｎＰブロック層
２５０がストライプ上面を覆うようになる。
【００２２】本発明では、共振器端面近傍部のストライ
プ幅の調節を行い、ｎ−ＡｌＩｎＰブロック層２５０が
ストライプ上面を覆うようにしている。ＡｌＩｎＰブロ
ック層２５０がストライプ上面を覆うようにするための
エッチング後のストライプ端面近傍部メサ底幅は、（１
１５)A (１５．８°オフ)基板の場合、リッジ型の光導
波路が形成されている上部ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層厚をＡとすると、Ｂ＝Ａ／ tan３９．２°＋Ａ／ tan
７０．８°で求めたＢ以下の幅が必要である。
プ幅の調節を行い、ｎ−ＡｌＩｎＰブロック層２５０が
ストライプ上面を覆うようにしている。ＡｌＩｎＰブロ
ック層２５０がストライプ上面を覆うようにするための
エッチング後のストライプ端面近傍部メサ底幅は、（１
１５)A (１５．８°オフ)基板の場合、リッジ型の光導
波路が形成されている上部ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層厚をＡとすると、Ｂ＝Ａ／ tan３９．２°＋Ａ／ tan
７０．８°で求めたＢ以下の幅が必要である。
【００２３】本実施形態例の場合、リッジ型の光導波路
が形成されている上部ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド厚は
１．２μm、エッチング後の端面近傍部メサ底幅は１．
５μmであった。
が形成されている上部ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド厚は
１．２μm、エッチング後の端面近傍部メサ底幅は１．
５μmであった。
【００２４】このような構造を作製した場合、ＡｌＩｎ
Ｐは高抵抗な材料であるから、ｐ−Ｇa Ａs コンタクト
層２００から注入された電流は、ＡｌＩｎＰブロック層
２５０がストライプ上面を覆った端面部を流れない。一
方、ストライプ幅が広い中央部では、図２に示すよう
に、ＡｌＩｎＰブロック層２５０がストライプ上面を覆
わず電流が注入される。したがって、端面非注入構造が
形成され、表面準位を介した非発光再結合電流が流れる
のが抑制され、高信頼性を計ることができる。
Ｐは高抵抗な材料であるから、ｐ−Ｇa Ａs コンタクト
層２００から注入された電流は、ＡｌＩｎＰブロック層
２５０がストライプ上面を覆った端面部を流れない。一
方、ストライプ幅が広い中央部では、図２に示すよう
に、ＡｌＩｎＰブロック層２５０がストライプ上面を覆
わず電流が注入される。したがって、端面非注入構造が
形成され、表面準位を介した非発光再結合電流が流れる
のが抑制され、高信頼性を計ることができる。
【００２５】また本発明では、ブロック層にＡｌＩｎＰ
を用いているため、光吸収が少ない。特にストライプ幅
が狭い所でも、光吸収が起こらず、レーザ素子特性とし
てしきい値電流が小さくなり、効率が上昇する。さら
に、実屈折率導波型となるため、メサ底幅が小さくなっ
たことによる最大光出力の低下は、従来のＧa Ａs ブロ
ック層を用いた場合（図６参照）に比べ起こりにくい。
を用いているため、光吸収が少ない。特にストライプ幅
が狭い所でも、光吸収が起こらず、レーザ素子特性とし
てしきい値電流が小さくなり、効率が上昇する。さら
に、実屈折率導波型となるため、メサ底幅が小さくなっ
たことによる最大光出力の低下は、従来のＧa Ａs ブロ
ック層を用いた場合（図６参照）に比べ起こりにくい。
【００２６】本発明の場合、非注入領域の長さにも注意
が必要である。非注入領域の長さが短い時には、レーザ
素子端面近傍に残っているｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１５０を通して、励起領域から端面近傍の電流非注入
領域のＭＱＷ活性層１１０に流れる漏れ電流が大きくな
り、端面非注入効果がなくなる。更には、非注入領域の
長さが短ければ、へき開に高度な技術と精度が要求され
る。一方、非注入領域の長さが長すぎると、電流注入部
から発振した光が広がった際に上下面のＧa Ａs で吸収
されしきい値、効率が低下してしまう。本実施形態例の
半導体レーザ素子では、非注入領域の長さが１０μmか
ら３０μmの時に良好な特性が得られた。
が必要である。非注入領域の長さが短い時には、レーザ
素子端面近傍に残っているｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１５０を通して、励起領域から端面近傍の電流非注入
領域のＭＱＷ活性層１１０に流れる漏れ電流が大きくな
り、端面非注入効果がなくなる。更には、非注入領域の
長さが短ければ、へき開に高度な技術と精度が要求され
る。一方、非注入領域の長さが長すぎると、電流注入部
から発振した光が広がった際に上下面のＧa Ａs で吸収
されしきい値、効率が低下してしまう。本実施形態例の
半導体レーザ素子では、非注入領域の長さが１０μmか
ら３０μmの時に良好な特性が得られた。
【００２７】
【実施例】以下、本実施形態例の半導体レーザ素子の製
造方法とそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法を更
に具体的に説明する。図３から図５を参照して、本実施
形態例のＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ素子１０の
製造方法を、素子製造工程順に、順次、説明する。本実
施形態例では、成長方法としてＭＯＶＰＥ法、結晶材料
としてＡｌＧａＩｎＰ系を用いて説明するが、他の結晶
成長方法、結晶材料についても同様に適用できる。また
基板として（１１５)A (１５．８°オフ)基板を例とし
てあげるが、他の方位についても同様な効果が得られ
る。
造方法とそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法を更
に具体的に説明する。図３から図５を参照して、本実施
形態例のＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ素子１０の
製造方法を、素子製造工程順に、順次、説明する。本実
施形態例では、成長方法としてＭＯＶＰＥ法、結晶材料
としてＡｌＧａＩｎＰ系を用いて説明するが、他の結晶
成長方法、結晶材料についても同様に適用できる。また
基板として（１１５)A (１５．８°オフ)基板を例とし
てあげるが、他の方位についても同様な効果が得られ
る。
【００２８】基板として、（１１５)A (１５．８°オ
フ)基板ｎ−Ｇa Ａs基板２１０を用い、この基板２１０
上に、順次、ＭＯＶＰＥ法により、図３に示すように、
以下のダブルヘテロ構造を結晶成長させる。ダブルヘテ
ロ構造は、厚さ０．３μmのｎ−Ｇa Ａs バッファ層１
７０、厚さ１．５μmのｎ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０（ＭＱ
Ｗは、Ｇa ＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰの多層構造)、厚さ
０．３μmのｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層１２０、厚さ０．０１μmのｐ− Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5Pエッチングストッパ層１４０、厚さ１．２μmの
ｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１５
０、ｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐヘテロバッファ層１６０、
及びｐ−Ｇa Ａs キャップ層１８０で構成されている。
フ)基板ｎ−Ｇa Ａs基板２１０を用い、この基板２１０
上に、順次、ＭＯＶＰＥ法により、図３に示すように、
以下のダブルヘテロ構造を結晶成長させる。ダブルヘテ
ロ構造は、厚さ０．３μmのｎ−Ｇa Ａs バッファ層１
７０、厚さ１．５μmのｎ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層１３０、ＭＱＷ活性層１１０（ＭＱ
Ｗは、Ｇa ＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰの多層構造)、厚さ
０．３μmのｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層１２０、厚さ０．０１μmのｐ− Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5Pエッチングストッパ層１４０、厚さ１．２μmの
ｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１５
０、ｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐヘテロバッファ層１６０、
及びｐ−Ｇa Ａs キャップ層１８０で構成されている。
【００２９】次に、図４に示すように、ＳｉＯ2 膜２４
０をＣＶＤ法によって基板全面に形成する。その後、横
モード制御のための導波路を形成するために［−００
１］方向で、共振器中央部のストライプ幅が５μm、電
流非注入領域に相当する共振器端面部相当部のストライ
プ幅が２．５μmで、長さが２０μmのマスクを用いて、
図４に示すように、ＳｉＯ2 膜２４０をパターンニング
する。
０をＣＶＤ法によって基板全面に形成する。その後、横
モード制御のための導波路を形成するために［−００
１］方向で、共振器中央部のストライプ幅が５μm、電
流非注入領域に相当する共振器端面部相当部のストライ
プ幅が２．５μmで、長さが２０μmのマスクを用いて、
図４に示すように、ＳｉＯ2 膜２４０をパターンニング
する。
【００３０】ＳｉＯ2 膜２４０をマスクにして、ｐ−Ｇ
a Ａs キャップ層１８０、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層１６０、ｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１５０をエッチングする。次いで、ＳｉＯ
2 膜２４０をマスクとして膜厚０．３μmのＡｌＩｎP
ブロック層２５０を、続いて膜厚０．９μmのｎ−Ｇa
Ａs ブロック層１９０を選択成長する。最後に、ＳｉＯ
2 膜２４０を除去し、全面に厚さ３μm のｐ−Ｇa Ａs
コンタクト層２００を成長する。このようにして図５に
示すようなレーザ素子構造を作製することができる。そ
の後、電極工程、研磨工程、へき開工程、素子化工程、
及び端面保護膜形成工程を経て、本実施例のＡｌＧａＩ
ｎＰ系可視光半導体レーザ素子を作製することができ
る。
a Ａs キャップ層１８０、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバ
ッファ層１６０、ｐ−( Ａｌ0.7 Ｇａ0.3)0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１５０をエッチングする。次いで、ＳｉＯ
2 膜２４０をマスクとして膜厚０．３μmのＡｌＩｎP
ブロック層２５０を、続いて膜厚０．９μmのｎ−Ｇa
Ａs ブロック層１９０を選択成長する。最後に、ＳｉＯ
2 膜２４０を除去し、全面に厚さ３μm のｐ−Ｇa Ａs
コンタクト層２００を成長する。このようにして図５に
示すようなレーザ素子構造を作製することができる。そ
の後、電極工程、研磨工程、へき開工程、素子化工程、
及び端面保護膜形成工程を経て、本実施例のＡｌＧａＩ
ｎＰ系可視光半導体レーザ素子を作製することができ
る。
【００３１】作製した本実施例の端面非注入構造のＡｌ
ＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子を評価したとこ
ろ、波長６５０ｎｍ帯域で、しきい値電流４０ｍＡ、最
高光出力１５０ｍＷが得られた。その結果、７０℃、３
０ｍＷの寿命試験において、寿命試験での光出力に比
べ、最高光出力が十分に高いため、寿命試験中の最高光
出力の低下による頓死が起こらず２０，０００時間以上
安定に動作するという高信頼性が得られた。一方、従来
のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子では、しき
い値電流５０ｍＡ、最高光出力５０ｍＷであり、７０
℃、３０ｍＷの寿命試験において、寿命試験における光
出力に比べ最高光出力が十分に高くないために：寿命試
験中の最高光出力の低下による頓死が生じた。
ＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子を評価したとこ
ろ、波長６５０ｎｍ帯域で、しきい値電流４０ｍＡ、最
高光出力１５０ｍＷが得られた。その結果、７０℃、３
０ｍＷの寿命試験において、寿命試験での光出力に比
べ、最高光出力が十分に高いため、寿命試験中の最高光
出力の低下による頓死が起こらず２０，０００時間以上
安定に動作するという高信頼性が得られた。一方、従来
のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子では、しき
い値電流５０ｍＡ、最高光出力５０ｍＷであり、７０
℃、３０ｍＷの寿命試験において、寿命試験における光
出力に比べ最高光出力が十分に高くないために：寿命試
験中の最高光出力の低下による頓死が生じた。
【００３２】以上のように：本発明のＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ素子では、図４に示す従来のＡｌＧ
ａＩｎＰ可視光半導体レーザ素子の製造工程と同じ工程
で端面非注入構造が作製することができる。
可視光半導体レーザ素子では、図４に示す従来のＡｌＧ
ａＩｎＰ可視光半導体レーザ素子の製造工程と同じ工程
で端面非注入構造が作製することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、端面近傍に電流非注入
構造を設けることによって端面部への電流注入を低減
し、高信頼な半導体レーザ素子を実現できる。本発明の
電流非注入構造は、従来構造の半導体レーザ素子と同じ
製造工程で作製でき、製造技術に高い技術が要求されな
い。さらに従来の端面非注入構造の半導体レーザ素子の
ような素子表面の凸凹を生じることもなく、特性や信頼
性への悪化も無い。またＡｌＩｎＰブロック層を用いる
ことにより、ストライプ幅を狭くしたところでも光吸収
をなくし、レーザ素子特性としてしきい値電流を小さく
し効率を上昇させることができる。
構造を設けることによって端面部への電流注入を低減
し、高信頼な半導体レーザ素子を実現できる。本発明の
電流非注入構造は、従来構造の半導体レーザ素子と同じ
製造工程で作製でき、製造技術に高い技術が要求されな
い。さらに従来の端面非注入構造の半導体レーザ素子の
ような素子表面の凸凹を生じることもなく、特性や信頼
性への悪化も無い。またＡｌＩｎＰブロック層を用いる
ことにより、ストライプ幅を狭くしたところでも光吸収
をなくし、レーザ素子特性としてしきい値電流を小さく
し効率を上昇させることができる。
【図１】実施形態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子の構成を示す斜視図である。
ーザ素子の構成を示す斜視図である。
【図２】線Ａ−Ｂでの図１の層構造を示す断面図であ
る。
る。
【図３】ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子を製
造する工程での層構造を示す斜視図である。
造する工程での層構造を示す斜視図である。
【図４】図３に続く、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図であ
る。
ーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図であ
る。
【図５】図４に続く、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図であ
る。
ーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図であ
る。
【図６】従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素
子の構成を示す斜視図である。
子の構成を示す斜視図である。
【図７】線Ａ−Ｂでの図６の層構造を示す断面図であ
る。
る。
【図８】従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素
子を製造する工程での層構造を示す斜視図である。
子を製造する工程での層構造を示す斜視図である。
【図９】図８に続く、従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半
導体レーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図
である。
導体レーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視図
である。
【図１０】図９に続く、従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光
半導体レーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視
図である。
半導体レーザ素子を製造する工程での層構造を示す斜視
図である。
１０ 本実施形態例のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子 １１０ ＭＱＷ活性層 １２０ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １３０ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １４０ ｐ−Ｇa ＩｎＰエッチングストッパ層 １５０ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １６０ ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層 １７０ ｎ−Ｇa Ａs バッファ層 １８０ ｐ−Ｇa Ａs キャップ層 １９０ ｎ−Ｇa Ａs ブロック層 ２００ ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層 ２１０ ｎ−Ｇa Ａs 基板 ２２０ ｐ側電極 ２３０ ｎ側電極 ２４０ ＳｉＯ2 膜 ２５０ ＡｌＩｎＰブロック層 ２６０ 端面保護膜
ーザ素子 １１０ ＭＱＷ活性層 １２０ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １３０ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １４０ ｐ−Ｇa ＩｎＰエッチングストッパ層 １５０ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １６０ ｐ−Ｇa ＩｎＰヘテロバッファ層 １７０ ｎ−Ｇa Ａs バッファ層 １８０ ｐ−Ｇa Ａs キャップ層 １９０ ｎ−Ｇa Ａs ブロック層 ２００ ｐ−Ｇa Ａs コンタクト層 ２１０ ｎ−Ｇa Ａs 基板 ２２０ ｐ側電極 ２３０ ｎ側電極 ２４０ ＳｉＯ2 膜 ２５０ ＡｌＩｎＰブロック層 ２６０ 端面保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00
Claims (10)
- 【請求項１】 第１導電型クラッド層、活性層および第
２導電型クラッド層を少なくとも含み、第１導電型の半
導体基板上に形成されたダブルヘテロ構造と、 第２導電型クラッド層によって形成されて共振器方向に
延伸し、ストライプ幅が共振器の少なくとも一方の光取
り出し部で共振器内部のストライプ幅よりも狭くなって
いるリッジストライプと、 共振器の少なくとも一方の光取り出し部ではリッジスト
ライプの側面及び上面を覆うＡｌＩｎＰからなる第１の
電流ブロック層と、 リッジストライプの両側を埋める第２の電流ブロック層
とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 第２導電型クラッド層上に第２導電型ヘ
テロバッファ層を有することを特徴とする請求項１に記
載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 半導体基板がＧa Ａs 、Ｇa ＡｓＰ、及
びＧａＰのいずれかであることを特徴とする請求項１又
は２に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 第１及び第２導電型クラッド層がＡｌＧ
ａＩｎＰ、ＡｌＧaＡs のいずれかであることを特徴と
する請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の半導
体レーザ素子。 - 【請求項５】 活性層がＧa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰ
を含むことを特徴とする請求項１から４のうちのいずれ
か１項に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 第２の電流ブロック層が、Ｇa Ａs で形
成されていることを特徴とする請求項１から５のうちの
いずれか１項に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 第１導電型の半導体基板上に第１導電型
クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層を少な
くとも含むダブルヘテロ構造の積層構造を形成する工程
と、 共振器方向に延伸するマスクであって、少なくとも一方
の光取り出し部のストライプ幅が共振器内部のストライ
プ幅よりも狭くなるようなストライプ状のマスクを形成
し、次いで、そのマスクを使って第２導電型クラッド層
をエッチングしてリッジストライプを形成する工程と、 前記マスクを使用した選択エピタキシャル成長法によ
り、リッジストライプを挟んで、ＡｌＩｎＰからなる第
１の電流ブロック層を選択成長させ、ストライプ幅が共
振器内部のストライプ幅よりも狭い共振器の少なくとも
一方の光取り出し部では、第１の電流ブロック層がリッ
ジストライプ側面及び上面を覆うようにする工程とを特
徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項８】 次いで、リッジストライプの両側を第２
の電流ブロック層で埋め込むことを特徴とする請求項７
に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項９】 第２導電型のエッチング停止層を成膜
し、その上に第２導電型クラッド層を成膜することを特
徴とする請求項７又は８に記載の半導体レーザ素子の製
造方法。 - 【請求項１０】 半導体基板としてＧa Ａs 、Ｇa Ａｓ
Ｐ、及びＧａＰのいずれかを使用し、第１及び第２導電
型クラッド層としてＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧa Ａs のい
ずれかを使用し、Ｇa ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰを含む
活性層を形成し、第２の電流ブロックとしてＧa Ａs を
使用することを特徴とする請求項７から９のうちのいず
れか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171623A JP3109481B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171623A JP3109481B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012953A JP2000012953A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3109481B2 true JP3109481B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15926618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10171623A Expired - Fee Related JP3109481B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109481B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5261857B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2013-08-14 | 日本電気株式会社 | 端面発光型半導体レーザおよび半導体レーザ・モジュール |
| JP7019821B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2022-02-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP10171623A patent/JP3109481B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000012953A (ja) | 2000-01-14 |
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