JP2794743B2 - 量子井戸型半導体レーザ素子 - Google Patents
量子井戸型半導体レーザ素子Info
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- JP2794743B2 JP2794743B2 JP1009329A JP932989A JP2794743B2 JP 2794743 B2 JP2794743 B2 JP 2794743B2 JP 1009329 A JP1009329 A JP 1009329A JP 932989 A JP932989 A JP 932989A JP 2794743 B2 JP2794743 B2 JP 2794743B2
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- quantum
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光ディスク等の光源として最適な情報処理用
半導体レーザに関する。
半導体レーザに関する。
（従来の技術） 活性層に量子井戸構造を用いた半導体レーザは、２次
元的な状態密度が形成されるため発振しきい値電流の低
減、外部微分効率の向上、温度特性の向上等高出力レー
ザとして極めて有効な特性を持つ。第８図、第９図は従
来のAlGaAs/GaAs量子井戸能高出力半導体レーザの構造
例を示す。図において１はｎ−GaAs基板、13はｎ−Al
0.4Ga0.6Asクラッド層、14はGRIN−SCH活性層、15はｐ
−Al0.4Ga0.6Asクラッド層、16はSiO2絶縁膜、17はAlXG
a1-XAsガイド層、18はGaAs量子井戸層をそれぞれ示す。
電流狭窄はｐ側に形成したSiO2絶縁膜で行なっている。
光及び注入キャリヤはテーパ状のAlXGa1-XAsガイド層17
で有効に閉じ込められるため、低しきい値で高効率な量
子井戸型半導体レーザが実現できる。（アプライド・フ
ィジックス・レター（A.P.L.）vol.49,p16〜18 1986） （発明が解決しようとする課題） しかし従来の構造では、発光層が50Åと極めて薄い１
層の量子井戸構造から形成されているため、GRIN−SCH
構造で光の閉じ込め率を高くしても、量子井戸層での局
所的な発振しきい値利得は2000cm-1以上と極めて大きく
なる。量子井戸構造は一般に光学利得が1000cm-1を越え
ると障壁層へのオーバーフロー電流の増大、Γ点からＬ
点へのキャリヤリークの増大等により、注入電流密度に
対する利得の関係が飽和傾向を示すことが知られてい
る。利得曲線が飽和傾向を示す点でレーザ動作を行なう
ことは、十分な量子効果を活用できないことを意味す
る。さらに共振器長、及び端面反射率の変化による発振
しきい値利得の変化によって発振しきい値、温度特性等
が急激に変化することになる。実験的には、250μｍ以
下の共振器長では発振しきい値電流密度の増加、温度特
性の低下が急激に発生する。（エレクトロニクスレター
（Elect.Lett.）vol.22,p475〜476 1986）従って、従来
の構造では短共振器による低しきい値化、および端面反
射率制御による高出力化を行なう場合には大きな障害と
なる。また利得飽和の生じている領域では良好な信頼性
を維持することは困難であり、従来の単一量子井戸構造
では600μｍ以上の長共振器構造としなければ信頼性を
確保することができない。（アプライド・フィジックス
・レター（A.P.L.）vol.52,P179〜181 1988）以上のよ
うに、共振器長、端面反射率に対する制約、及び信頼性
が従来の技術の問題点であった。
元的な状態密度が形成されるため発振しきい値電流の低
減、外部微分効率の向上、温度特性の向上等高出力レー
ザとして極めて有効な特性を持つ。第８図、第９図は従
来のAlGaAs/GaAs量子井戸能高出力半導体レーザの構造
例を示す。図において１はｎ−GaAs基板、13はｎ−Al
0.4Ga0.6Asクラッド層、14はGRIN−SCH活性層、15はｐ
−Al0.4Ga0.6Asクラッド層、16はSiO2絶縁膜、17はAlXG
a1-XAsガイド層、18はGaAs量子井戸層をそれぞれ示す。
電流狭窄はｐ側に形成したSiO2絶縁膜で行なっている。
光及び注入キャリヤはテーパ状のAlXGa1-XAsガイド層17
で有効に閉じ込められるため、低しきい値で高効率な量
子井戸型半導体レーザが実現できる。（アプライド・フ
ィジックス・レター（A.P.L.）vol.49,p16〜18 1986） （発明が解決しようとする課題） しかし従来の構造では、発光層が50Åと極めて薄い１
層の量子井戸構造から形成されているため、GRIN−SCH
構造で光の閉じ込め率を高くしても、量子井戸層での局
所的な発振しきい値利得は2000cm-1以上と極めて大きく
なる。量子井戸構造は一般に光学利得が1000cm-1を越え
ると障壁層へのオーバーフロー電流の増大、Γ点からＬ
点へのキャリヤリークの増大等により、注入電流密度に
対する利得の関係が飽和傾向を示すことが知られてい
る。利得曲線が飽和傾向を示す点でレーザ動作を行なう
ことは、十分な量子効果を活用できないことを意味す
る。さらに共振器長、及び端面反射率の変化による発振
しきい値利得の変化によって発振しきい値、温度特性等
が急激に変化することになる。実験的には、250μｍ以
下の共振器長では発振しきい値電流密度の増加、温度特
性の低下が急激に発生する。（エレクトロニクスレター
（Elect.Lett.）vol.22,p475〜476 1986）従って、従来
の構造では短共振器による低しきい値化、および端面反
射率制御による高出力化を行なう場合には大きな障害と
なる。また利得飽和の生じている領域では良好な信頼性
を維持することは困難であり、従来の単一量子井戸構造
では600μｍ以上の長共振器構造としなければ信頼性を
確保することができない。（アプライド・フィジックス
・レター（A.P.L.）vol.52,P179〜181 1988）以上のよ
うに、共振器長、端面反射率に対する制約、及び信頼性
が従来の技術の問題点であった。
（課題を解決するための手段） 本発明の量子井戸型半導体レーザは、活性層に多重量
子井戸構造用いた横モード制御型半導体レーザにおい
て、量子井戸の個数をｎ、量子井戸層厚をLZ、一層の量
子井戸への光閉じ込め率をΓとした時、ｎ＊Γ＞0.04で
かつ、LZ/Γ＞0.3μｍであることに特徴がある。
子井戸構造用いた横モード制御型半導体レーザにおい
て、量子井戸の個数をｎ、量子井戸層厚をLZ、一層の量
子井戸への光閉じ込め率をΓとした時、ｎ＊Γ＞0.04で
かつ、LZ/Γ＞0.3μｍであることに特徴がある。
この量子井戸型半導体レーザにおいて、pn接合に垂直
方向の屈折率分布が前記量子井戸を中心にして非対称で
あると更に好ましい。
方向の屈折率分布が前記量子井戸を中心にして非対称で
あると更に好ましい。
本発明の量子井戸型半導体レーザを実現するには例え
ば、第一導伝型の基板上に、発光部では少なくとも第一
導伝型のクラッド層、量子井戸型活性層、第２導伝型の
クラッド層を順次積層した構造を有し、非発光部では前
記第二導伝型クラッド層上に第一導伝型の電流ブロック
層を有し、かつ前記電流ブロック層の光吸収効果により
pn接合に平行な方向の屈折率分布を形成する。
ば、第一導伝型の基板上に、発光部では少なくとも第一
導伝型のクラッド層、量子井戸型活性層、第２導伝型の
クラッド層を順次積層した構造を有し、非発光部では前
記第二導伝型クラッド層上に第一導伝型の電流ブロック
層を有し、かつ前記電流ブロック層の光吸収効果により
pn接合に平行な方向の屈折率分布を形成する。
（作用） 本発明の構造では２層以上の量子井戸を用いるため、
量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する結果、量子
井戸内の局所的な発振しきい値利得が低減する。従って
利得曲線上の直線性のよい領域でレーザ動作を行なうこ
とができ、量子効果を十分活用した低しきい値で、高信
頼の半導体レーザを実現することができる。さらに量子
井戸での利得に余裕があるため、共振器長の低下、端面
反射率の低減を行なっても発振しきい値電流密度、温度
特性に大きな変化は生じない。かつ300μｍ程度の共振
器長でも良好な信頼性を確保することが可能となる。第
３図は対称SCH構造において、発振しきい値利得gth、及
びLZ/Γ（LZ:量子井戸層厚、Γ：光閉じ込め率）のガイ
ド厚層dg依存性を示す。LZ/Γは垂直方向のスポットサ
イズを示すパラメータであり、この値が大きいほと端面
破壊出力が高くなる。量子井戸層数を1,2,4と増加する
につれて、量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する
結果、発振しきい値利得gthが急激に低減することがわ
かる。
量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する結果、量子
井戸内の局所的な発振しきい値利得が低減する。従って
利得曲線上の直線性のよい領域でレーザ動作を行なうこ
とができ、量子効果を十分活用した低しきい値で、高信
頼の半導体レーザを実現することができる。さらに量子
井戸での利得に余裕があるため、共振器長の低下、端面
反射率の低減を行なっても発振しきい値電流密度、温度
特性に大きな変化は生じない。かつ300μｍ程度の共振
器長でも良好な信頼性を確保することが可能となる。第
３図は対称SCH構造において、発振しきい値利得gth、及
びLZ/Γ（LZ:量子井戸層厚、Γ：光閉じ込め率）のガイ
ド厚層dg依存性を示す。LZ/Γは垂直方向のスポットサ
イズを示すパラメータであり、この値が大きいほと端面
破壊出力が高くなる。量子井戸層数を1,2,4と増加する
につれて、量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する
結果、発振しきい値利得gthが急激に低減することがわ
かる。
しかし４層の量子井戸構造ではガイド層厚dgを薄くし
ても、単一量子井戸で実現できるような高いLZ/Γを得
ることはできない。これは対称SCH構造では４層の量子
井戸構造にすると高い端面破壊出力を得られないことを
意味する。そこで本発明の第２項に記載した非対称SCH
構造を用いれば、量子井戸を４層以上としても高い端面
破壊出力を維持することができる。第５図には４層の非
対称SCH構造において、発振しきい値利得gth、LZ/Γ値
のガイド層厚dg依存性を示す。ガイド層厚dgを0.5μｍ
程度とすることにより発振しきい値利得gthを1500cm-1
以下に維持したまま、Lz/Γを0.9μｍ以上と極めて高い
値とすることが可能となる。
ても、単一量子井戸で実現できるような高いLZ/Γを得
ることはできない。これは対称SCH構造では４層の量子
井戸構造にすると高い端面破壊出力を得られないことを
意味する。そこで本発明の第２項に記載した非対称SCH
構造を用いれば、量子井戸を４層以上としても高い端面
破壊出力を維持することができる。第５図には４層の非
対称SCH構造において、発振しきい値利得gth、LZ/Γ値
のガイド層厚dg依存性を示す。ガイド層厚dgを0.5μｍ
程度とすることにより発振しきい値利得gthを1500cm-1
以下に維持したまま、Lz/Γを0.9μｍ以上と極めて高い
値とすることが可能となる。
以上本発明の構造によれば、共振器長及び端面反射率
に対する自由度の大きい、高信頼な高出力半導体レーザ
を再現性よく実現することができる。
に対する自由度の大きい、高信頼な高出力半導体レーザ
を再現性よく実現することができる。
（実施例） 以下図を用いて本発明の一実施例を詳しく説明する。
第1,2,3図において、１はGaAs基板、２はｎ−Al0.5Ga
0.5Asクラッド層、３は量子井戸活性層、４はｐ−Al0.5
Ga0.5Asクラッド層、５はｐ−GaAsキャップ層、６はｎ
−GaAs電流ブロック層、７はｎ電極、８はｐ電極、９は
Al0.3Ga0.7Asガイド層、10はGaAs量子井戸層、11はAl
0.3Ga0.7Asガイド層、10はGaAs量子井戸層、11はAl0.3G
a0.7As障壁層、12はAl0.4Ga0.6Asクラッド層、をそれぞ
れ示す。まずGaAs基板１上にMOCVD気相成長法を用い
て、厚さ2.0μｍのｎ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層２、量
子井戸活性層３、厚さ1.5μｍのｐ−Al0.5Ga0.5Asクラ
ッド層４、厚さ1.0μｍのｐ−GaAsキャップ層５を順次
積層する。量子井戸活性層３は第２図に示すように、Al
0.3Ga0.7Asガイド層９、GaAs量子井戸層10、Al0.3Ga0.7
As障壁層11から構成された２層の量子井戸構造である。
それぞれ層厚は順に600Å、80Å、50Åとした。つぎにS
iO2をマスクとして、リン酸系のエッチングを用いて＜0
11＞に平行な逆メサストライプを形成する。ここでｐ−
Al0.5Ga0.5Asクラッド層の残り層厚0.3μｍ、メサスト
ライプ幅5.0μｍとした。さらにMOCVD気相成長法を用い
て、エッチングした領域にｎ−GaAs電流ブロック層６を
選択的に形成する。MOCVD法の特徴からSiO2マスク上に
は成長層が形成されず、第１図に示すようなセルフアラ
イン型のレーザ構造が実現される。非発光領域では量子
井戸活性層３に隣接してｎ−GaAs電流ブロック層６があ
るため、この光吸収効果により水平方向に等価的な屈折
率分布が形成される。最後にSiO2マスクを除去した後、
ｎ電極７、ｐ電極８を形成して本発明に係わる一実施例
のレーザ構造が実現される。
第1,2,3図において、１はGaAs基板、２はｎ−Al0.5Ga
0.5Asクラッド層、３は量子井戸活性層、４はｐ−Al0.5
Ga0.5Asクラッド層、５はｐ−GaAsキャップ層、６はｎ
−GaAs電流ブロック層、７はｎ電極、８はｐ電極、９は
Al0.3Ga0.7Asガイド層、10はGaAs量子井戸層、11はAl
0.3Ga0.7Asガイド層、10はGaAs量子井戸層、11はAl0.3G
a0.7As障壁層、12はAl0.4Ga0.6Asクラッド層、をそれぞ
れ示す。まずGaAs基板１上にMOCVD気相成長法を用い
て、厚さ2.0μｍのｎ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層２、量
子井戸活性層３、厚さ1.5μｍのｐ−Al0.5Ga0.5Asクラ
ッド層４、厚さ1.0μｍのｐ−GaAsキャップ層５を順次
積層する。量子井戸活性層３は第２図に示すように、Al
0.3Ga0.7Asガイド層９、GaAs量子井戸層10、Al0.3Ga0.7
As障壁層11から構成された２層の量子井戸構造である。
それぞれ層厚は順に600Å、80Å、50Åとした。つぎにS
iO2をマスクとして、リン酸系のエッチングを用いて＜0
11＞に平行な逆メサストライプを形成する。ここでｐ−
Al0.5Ga0.5Asクラッド層の残り層厚0.3μｍ、メサスト
ライプ幅5.0μｍとした。さらにMOCVD気相成長法を用い
て、エッチングした領域にｎ−GaAs電流ブロック層６を
選択的に形成する。MOCVD法の特徴からSiO2マスク上に
は成長層が形成されず、第１図に示すようなセルフアラ
イン型のレーザ構造が実現される。非発光領域では量子
井戸活性層３に隣接してｎ−GaAs電流ブロック層６があ
るため、この光吸収効果により水平方向に等価的な屈折
率分布が形成される。最後にSiO2マスクを除去した後、
ｎ電極７、ｐ電極８を形成して本発明に係わる一実施例
のレーザ構造が実現される。
第３図は本発明の別の実施例を示す。４層の量子井戸
を有し、垂直方向に非対称な屈折率分布が形成されてい
る。GaAs量子井戸層10、Al0.3Ga0.7As障壁層11、Al0.3G
a0.7Asガイド層９の層厚はそれぞれ80Å、50Å、5000Å
とした。非対称構造を導入することにより、垂直方向の
スポットサイズが増大し、端面破壊出力レベルを増大さ
せることが可能となる。この量子井戸構造を第１図と同
様な横モード制御構造とすることにより、本発明の別の
実施例のレーザ構造が実現される。
を有し、垂直方向に非対称な屈折率分布が形成されてい
る。GaAs量子井戸層10、Al0.3Ga0.7As障壁層11、Al0.3G
a0.7Asガイド層９の層厚はそれぞれ80Å、50Å、5000Å
とした。非対称構造を導入することにより、垂直方向の
スポットサイズが増大し、端面破壊出力レベルを増大さ
せることが可能となる。この量子井戸構造を第１図と同
様な横モード制御構造とすることにより、本発明の別の
実施例のレーザ構造が実現される。
（発明の効果） 本発明の構造では２層以上の量子井戸を用いるため、
量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する結果、量子
井戸内の局所的な発振しきい値利得が低減する。従って
利得曲線上の直線性のよい領域でレーザ動作を行なうこ
とができ、量子効果を十分活用した低しきい値で、高信
頼の半導体レーザを実現することができる。さらに量子
井戸での利得に余裕があるため、共振器長の低下、端面
反射率の低減を行なっても発振しきい値電流密度、温度
特性に大きな変化は生じない。かつ300μｍ程度の共振
器長でも良好な信頼性を確保することが可能となる。第
６図、第７図は量子井戸を１層、２層とした時の発振し
きい値電流密度Jth、特性温度Toの共振器長依存性を示
している。単一量子井戸では、井戸層への光閉じ込め率
が2.3％と小さいため、Jth、Toともに共振器長依存性が
大きく、250μｍ以下の領域では、Jthが1KA/cm2以下、T
oが70K以下と特性が悪化する。一方２層の量子井戸構造
では、井戸層全体での光閉じ込め率が4.6％と大きくな
るため、共振器長依存性が鈍く、250μｍでもJth＝600A
/cm2、To＝110K程度を維持することができる。量子井戸
数を１層から２層としても垂直方向のスポットサイズは
変化しないため、端面破壊出力は低下しない。さらに高
出力化を達成するためには、本発明の第２項に記載した
非対称SCH構造を用いればよい。この構造を用いれば、
量子井戸活性層内の光閉じ込め率が低減するため、量子
井戸を４層以上としても高い端面破壊出力を維持するこ
とができる。第５図に示すような非対称SCH構造では、
ガイド厚層dgを0.5μｍ程度とすることにより発振しき
い値利得gthを1500cm-1以下に維持したまま、LZ/Γを0.
9μｍ以上と極めて高い値とすることが可能となる。
量子井戸層全体への光閉じ込め率が増加する結果、量子
井戸内の局所的な発振しきい値利得が低減する。従って
利得曲線上の直線性のよい領域でレーザ動作を行なうこ
とができ、量子効果を十分活用した低しきい値で、高信
頼の半導体レーザを実現することができる。さらに量子
井戸での利得に余裕があるため、共振器長の低下、端面
反射率の低減を行なっても発振しきい値電流密度、温度
特性に大きな変化は生じない。かつ300μｍ程度の共振
器長でも良好な信頼性を確保することが可能となる。第
６図、第７図は量子井戸を１層、２層とした時の発振し
きい値電流密度Jth、特性温度Toの共振器長依存性を示
している。単一量子井戸では、井戸層への光閉じ込め率
が2.3％と小さいため、Jth、Toともに共振器長依存性が
大きく、250μｍ以下の領域では、Jthが1KA/cm2以下、T
oが70K以下と特性が悪化する。一方２層の量子井戸構造
では、井戸層全体での光閉じ込め率が4.6％と大きくな
るため、共振器長依存性が鈍く、250μｍでもJth＝600A
/cm2、To＝110K程度を維持することができる。量子井戸
数を１層から２層としても垂直方向のスポットサイズは
変化しないため、端面破壊出力は低下しない。さらに高
出力化を達成するためには、本発明の第２項に記載した
非対称SCH構造を用いればよい。この構造を用いれば、
量子井戸活性層内の光閉じ込め率が低減するため、量子
井戸を４層以上としても高い端面破壊出力を維持するこ
とができる。第５図に示すような非対称SCH構造では、
ガイド厚層dgを0.5μｍ程度とすることにより発振しき
い値利得gthを1500cm-1以下に維持したまま、LZ/Γを0.
9μｍ以上と極めて高い値とすることが可能となる。
以上本発明の構造によれば、共振器長及び端面反射率
対する自由度の大きい、高信頼な高出力半導体レーザを
再現性よく実現することができる。
対する自由度の大きい、高信頼な高出力半導体レーザを
再現性よく実現することができる。
以上実施例では、ｎ型GaAs基板を用いた場合のみ説明
を行なったが、ｐ型GaAs基板を用いてもよく、またAlGa
InP/GaInP等の他の化合物半導体を用いても全く同様の
構造を実現することができる。
を行なったが、ｐ型GaAs基板を用いてもよく、またAlGa
InP/GaInP等の他の化合物半導体を用いても全く同様の
構造を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる構造断面図、第２
図、第３図は本発明の一実施例に係わるバンド構造図、
第４図、第５図、第６図、第７図は、発明の効果を示す
図、第８図、第９図はそれぞれ従来の量子井戸型半導体
レーザを示す図。 図において １はGaAs基板、２はｎ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層、３は
量子井戸活性層、４はｐ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層、５
はｐ−GaAsキャップ層、６はｎ−GaAs電流ブロック層、
７はｎ電極、８はｐ電極、９はAl0.3Ga0.7Asガイド層、
10はGaAs量子井戸層、11はAl0.3Ga0.7As障壁層、12はAl
0.4Ga0.6Asクラッド層、13はｎ−Al0.4Ga0.6Asクラッド
層、14はGRIN−SCH活性層、15はｐ−Al0.4Ga0.6Asクラ
ッド層、16はSiO2絶縁膜、17はAlXGa1-xAsガイド層、18
はGaAs量子井戸層をそれぞれ示す。
図、第３図は本発明の一実施例に係わるバンド構造図、
第４図、第５図、第６図、第７図は、発明の効果を示す
図、第８図、第９図はそれぞれ従来の量子井戸型半導体
レーザを示す図。 図において １はGaAs基板、２はｎ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層、３は
量子井戸活性層、４はｐ−Al0.5Ga0.5Asクラッド層、５
はｐ−GaAsキャップ層、６はｎ−GaAs電流ブロック層、
７はｎ電極、８はｐ電極、９はAl0.3Ga0.7Asガイド層、
10はGaAs量子井戸層、11はAl0.3Ga0.7As障壁層、12はAl
0.4Ga0.6Asクラッド層、13はｎ−Al0.4Ga0.6Asクラッド
層、14はGRIN−SCH活性層、15はｐ−Al0.4Ga0.6Asクラ
ッド層、16はSiO2絶縁膜、17はAlXGa1-xAsガイド層、18
はGaAs量子井戸層をそれぞれ示す。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (3)
- 【請求項１】活性層に多重量子井戸構造を用いた横モー
ド制御型半導体レーザにおいて、量子井戸の個数をｎ、
量子井戸層厚をLZ、一層の量子井戸への光閉じ込め率を
Γとした時、ｎ＊Γ＞0.04でかつ、LZ/Γ＞0.3μｍであ
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】請求項１記載の量子井戸型半導体レーザに
おいて、pn接合に垂直方向の屈折率分布が前記量子井戸
を中心にして非対称であることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項３】請求項１あるいは２記載の量子井戸型半導
体レーザにおいて、第一導伝型の基板上に、発光部では
少なくとも第一導伝型のクラッド層、量子井戸型活性
層、第２導伝型のクラッド層を順次積層した構造を有
し、非発光部では前記第二導伝型クラッド層上に第一導
伝型の電流ブロック層を有し、かつ前記電流ブロック層
の光吸収効果によりpn接合に平行な方向の屈折率分布を
形成することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009329A JP2794743B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 量子井戸型半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009329A JP2794743B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 量子井戸型半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188984A JPH02188984A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2794743B2 true JP2794743B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=11717433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009329A Expired - Lifetime JP2794743B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 量子井戸型半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794743B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8437375B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-05-07 | Optoenergy, Inc | Semiconductor laser element |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP1009329A patent/JP2794743B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| １９８８年（昭和６３年）秋季応物学会予稿集 ５ｐ−ＺＣ−２１ Ｐ．８６４ |
| １９８９年（平成元年）春季応物学会予稿集 ４ａ−ＺＣ−６ Ｐ．９５３ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．２５［２０］（１９８９）Ｐ．１３９８−１３９９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02188984A (ja) | 1990-07-25 |
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