JPS5923585A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS5923585A JPS5923585A JP13392782A JP13392782A JPS5923585A JP S5923585 A JPS5923585 A JP S5923585A JP 13392782 A JP13392782 A JP 13392782A JP 13392782 A JP13392782 A JP 13392782A JP S5923585 A JPS5923585 A JP S5923585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- groove
- type
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は半導体レーザ素子に関するもので、特（こレー
ザ発振の横モード制御に有効な構造を有する半導体レー
ザの素子構造に関するものである。
ザ発振の横モード制御に有効な構造を有する半導体レー
ザの素子構造に関するものである。
〈従来の技術〉
半導体レーザ素子は一般にＧａＡｓのような直接遷移形
の材料を用いた発光ダイオードを基本とするもので、ホ
モ接合型、単一へテロ接合型、ダブルヘテロ接合型等種
々のタイプのものが製作されている。これらの半導体レ
ーザは多重反射を行なわせる光共振器を構成し、これを
こ充分なキャリアの注入を行なって反転分布状態を形成
すること（こより、誘導放射の条件を満たしレーザ発振
を行なわしめるものである。半導体レーザのレーザ発振
には非常番こ高密度の電流が必要となる。しかじながら
初期の半導体レーザはその構造がホモ接合型であったた
め光は誘導放射の起きている部分だけでなく、隣接した
領域をこまで放散され、このため光の損失が大きくなり
室温での発振が低いデユーティ比でのパルス発振に限ら
れていた。レーザ発振動作に於ける室温連続発振は半導
体レーザ（こ課せられた課題の一つであったがその後の
継続研究の結果ダブルへテロ接合型の半導体レーザが開
発＼ ヂれることにより、実現されることとなった。ダブルペ
テロ接合型半導体レーザはＧａＡｓの領域と、ＧａＡｓ
中のＧａを一部Ａｔで置き換えたＧａ１−ＸＡｔＸＡｓ
の領域で前記ＧａＡｓの領域をサンドインチした２つの
へテロ接合部を有する単結晶で製作されているものが一
般的である。ダブルへテロ接合型半導体レーザ（以下Ｄ
Ｈレーザと称す）では、電子、ホール、光が全て２つの
へテロ接合の間の非常に薄い領域（約０．１μｍ）に閉
じ込められている。即ち、電子はｐ−ｐヘテロ接合の伝
導帯の障壁をこよって、ホールはｐ−ｎへテロ接合の価
電子帯の障壁によって反射され、またへテロ接合界面物
質の屈折率の違いにより光の閉じ込めが行なわれる。
の材料を用いた発光ダイオードを基本とするもので、ホ
モ接合型、単一へテロ接合型、ダブルヘテロ接合型等種
々のタイプのものが製作されている。これらの半導体レ
ーザは多重反射を行なわせる光共振器を構成し、これを
こ充分なキャリアの注入を行なって反転分布状態を形成
すること（こより、誘導放射の条件を満たしレーザ発振
を行なわしめるものである。半導体レーザのレーザ発振
には非常番こ高密度の電流が必要となる。しかじながら
初期の半導体レーザはその構造がホモ接合型であったた
め光は誘導放射の起きている部分だけでなく、隣接した
領域をこまで放散され、このため光の損失が大きくなり
室温での発振が低いデユーティ比でのパルス発振に限ら
れていた。レーザ発振動作に於ける室温連続発振は半導
体レーザ（こ課せられた課題の一つであったがその後の
継続研究の結果ダブルへテロ接合型の半導体レーザが開
発＼ ヂれることにより、実現されることとなった。ダブルペ
テロ接合型半導体レーザはＧａＡｓの領域と、ＧａＡｓ
中のＧａを一部Ａｔで置き換えたＧａ１−ＸＡｔＸＡｓ
の領域で前記ＧａＡｓの領域をサンドインチした２つの
へテロ接合部を有する単結晶で製作されているものが一
般的である。ダブルへテロ接合型半導体レーザ（以下Ｄ
Ｈレーザと称す）では、電子、ホール、光が全て２つの
へテロ接合の間の非常に薄い領域（約０．１μｍ）に閉
じ込められている。即ち、電子はｐ−ｐヘテロ接合の伝
導帯の障壁をこよって、ホールはｐ−ｎへテロ接合の価
電子帯の障壁によって反射され、またへテロ接合界面物
質の屈折率の違いにより光の閉じ込めが行なわれる。
発振開始電流値はｐ−ｎ接合とｐ−ｐヘテロ接合（こは
さまれた活性層の厚みに依存する。即ち電子、ホーノペ
光の閉じ込められた活性層が薄くなれば励起電子の総数
がそれだけ少なくて済み発振開始電流値は低下すること
となる。
さまれた活性層の厚みに依存する。即ち電子、ホーノペ
光の閉じ込められた活性層が薄くなれば励起電子の総数
がそれだけ少なくて済み発振開始電流値は低下すること
となる。
連続発振を達成したものであるか、これらの閉じ込めを
さらに横方向にも行なったものかストライプ構造の半導
体レーザである。ストライプ構造とすることにより低電
流動作が可能となり、発振特性の制御が容易となる。ま
た通電時の発熱領域が帯状となるため熱拡散がよくなり
、室温がかなり高くても連続動作が可能となる。
さらに横方向にも行なったものかストライプ構造の半導
体レーザである。ストライプ構造とすることにより低電
流動作が可能となり、発振特性の制御が容易となる。ま
た通電時の発熱領域が帯状となるため熱拡散がよくなり
、室温がかなり高くても連続動作が可能となる。
しかしながら従来のストライプ構造半導体レーザ（こ於
いては現在まだ幾多の解決すべき問題点が残されている
。特（こ大きな問題点としては、活性層番こ平行（こ立
つ電磁波モード即ち横モードの不安定性及び駆動電流の
変化（こ伴なう横モードの変化があげられる。これはＤ
Ｈレーザにおいては活性層の厚みが約１０００Ａである
の（こ対し、ストライプ幅は数μｍ程度あり、きわめて
偏平な構造を持つこと及び活性層の横方向に対してはキ
ャリア及び光の閉じ込め構造となっていないことが原因
である。即ち、レーザ発振の閾値電流のわずか上の電流
領域ではストライプ直下の活性領域でのみ、ｉに必要な
利得が損失を上まわるので零次あるいは低次の横モード
で発振する。しかし駆動電流を増加していくと活性層へ
の注入キャリアはストライプ領域の両側にも拡がるため
、高利得領域が拡がり、横モードの拡がりと高次モード
が発生する。このような横モードの不安定性と駆動電流
依存性は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させパル
ス電流により変調を行なった場合、レーザ出力（こ不安
定な変動を生じ信号対雑音比を劣化させる。また出力光
の指向性を不安定にするのてレーザ出力を光ファイバ等
の他の光学系に効率よく安定（こ導くことを困難にする
など実用上多くの障害がある。この点に関し、横モード
を安定化させた半導体レーザ素子の構造が本出願人によ
り特願昭５５−７１２００号（特開昭５６−１６７３８
２号公報）（こて提唱されている。この半導体レーザ素
子の構成を第１図に示す。また第１図のＡＡ’断面（溝
部）及びＢＢ’断面（溝部以外）の屈折率分布をそれぞ
れ第２図及び第３図（こ示す。
いては現在まだ幾多の解決すべき問題点が残されている
。特（こ大きな問題点としては、活性層番こ平行（こ立
つ電磁波モード即ち横モードの不安定性及び駆動電流の
変化（こ伴なう横モードの変化があげられる。これはＤ
Ｈレーザにおいては活性層の厚みが約１０００Ａである
の（こ対し、ストライプ幅は数μｍ程度あり、きわめて
偏平な構造を持つこと及び活性層の横方向に対してはキ
ャリア及び光の閉じ込め構造となっていないことが原因
である。即ち、レーザ発振の閾値電流のわずか上の電流
領域ではストライプ直下の活性領域でのみ、ｉに必要な
利得が損失を上まわるので零次あるいは低次の横モード
で発振する。しかし駆動電流を増加していくと活性層へ
の注入キャリアはストライプ領域の両側にも拡がるため
、高利得領域が拡がり、横モードの拡がりと高次モード
が発生する。このような横モードの不安定性と駆動電流
依存性は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させパル
ス電流により変調を行なった場合、レーザ出力（こ不安
定な変動を生じ信号対雑音比を劣化させる。また出力光
の指向性を不安定にするのてレーザ出力を光ファイバ等
の他の光学系に効率よく安定（こ導くことを困難にする
など実用上多くの障害がある。この点に関し、横モード
を安定化させた半導体レーザ素子の構造が本出願人によ
り特願昭５５−７１２００号（特開昭５６−１６７３８
２号公報）（こて提唱されている。この半導体レーザ素
子の構成を第１図に示す。また第１図のＡＡ’断面（溝
部）及びＢＢ’断面（溝部以外）の屈折率分布をそれぞ
れ第２図及び第３図（こ示す。
ｎ型ＧａＡｓ基板６（屈折率ｎ６）の成長面にストヲミ
イ、プ状の溝ＩＯを形成しこの溝１０内に屈折率ｎ、の
ｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第１層）１か埋設され、
その上に屈折率ｎ２のｎ−ＧａＡ４Ａｓクラッド層（第
２層）２、屈折率ｎ３のｎ−ＧａＡｔＡｓ活性層（第３
層）３、屈折率ｎ４のｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第
４層）４、ｐ−ＧａＡｓ キャップ層５が順次積層され
ている。キャップ層５上には酸化膜７を介してｐ側電極
８が形成されまたＧａＡｓ基板６裏面にはｎ側電極９が
形成されている。第２図及び第３図の符号は第１図（こ
対応する。このように、溝部にクラッド層を埋め込み、
溝部では４層、溝部以外では３層の導波路を形成し、溝
部以外で０次モードを遮断して、溝部にのみ光を導波し
て横モードの安定化を行なっていた。しかしながら、実
際に結晶を通常の液相エピタキシャル法により成長させ
るとＧａＡｓ基板６の溝部以外の部分にもクラッド層ｌ
が成長することが多く、クラッド層ｌを完全に溝部に埋
め込むにはクラッド層ｌの成長後エツチング（こより溝
部以外に成長したクラッド層１を除去する必要があり、
エラチンに介して２回の成長を行なわなけれはならない
欠点があった。
イ、プ状の溝ＩＯを形成しこの溝１０内に屈折率ｎ、の
ｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第１層）１か埋設され、
その上に屈折率ｎ２のｎ−ＧａＡ４Ａｓクラッド層（第
２層）２、屈折率ｎ３のｎ−ＧａＡｔＡｓ活性層（第３
層）３、屈折率ｎ４のｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第
４層）４、ｐ−ＧａＡｓ キャップ層５が順次積層され
ている。キャップ層５上には酸化膜７を介してｐ側電極
８が形成されまたＧａＡｓ基板６裏面にはｎ側電極９が
形成されている。第２図及び第３図の符号は第１図（こ
対応する。このように、溝部にクラッド層を埋め込み、
溝部では４層、溝部以外では３層の導波路を形成し、溝
部以外で０次モードを遮断して、溝部にのみ光を導波し
て横モードの安定化を行なっていた。しかしながら、実
際に結晶を通常の液相エピタキシャル法により成長させ
るとＧａＡｓ基板６の溝部以外の部分にもクラッド層ｌ
が成長することが多く、クラッド層ｌを完全に溝部に埋
め込むにはクラッド層ｌの成長後エツチング（こより溝
部以外に成長したクラッド層１を除去する必要があり、
エラチンに介して２回の成長を行なわなけれはならない
欠点があった。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、技術的手段を駆使するこ
とにより活性層に平行な方向のモードを制御可能とする
製作の容易な半導体レーザ素子及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
とにより活性層に平行な方向のモードを制御可能とする
製作の容易な半導体レーザ素子及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
Ｄ Ｈレーザの横モードの不安定性は活性層が層厚方向
（こはＧ、ａｌ−ＸＡｔＸＡＳて囲まれているか横方向
番こはこの囲いがないため横方向でのキャリアと光の閉
じ込め効果がなされないため番こ生じる。本発明はスト
ライプ以外の部分では全ての伝搬モードを遮断し、スト
ライプ部のみて光を導波させることによって横モードを
安定させ、また溝部以外にクラッド層１が成長した場合
でもクラッド層の層厚か薄い場合には完全にクラッド層
として働かないため０次モードが遮断されることを利用
してモードを安定化したものである。
（こはＧ、ａｌ−ＸＡｔＸＡＳて囲まれているか横方向
番こはこの囲いがないため横方向でのキャリアと光の閉
じ込め効果がなされないため番こ生じる。本発明はスト
ライプ以外の部分では全ての伝搬モードを遮断し、スト
ライプ部のみて光を導波させることによって横モードを
安定させ、また溝部以外にクラッド層１が成長した場合
でもクラッド層の層厚か薄い場合には完全にクラッド層
として働かないため０次モードが遮断されることを利用
してモードを安定化したものである。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例（こ従って図面を参照しながら詳
述する。
述する。
第４図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の断
面構成図である。
面構成図である。
ｎ型ＧａＡｓ基板（屈折率ｎ。）６上にストライプ状の
溝ｌＯを形成し、この上にｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層
（屈折率ｒｚ）１− ｎ−ＧａＡｔＡｓ層（屈折率ｎ２
）２、ｎ−ＧａＡＡＡｓ活性層（屈折率ｎ ａ ） ３
、ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（屈折率ｎ４）４、ｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層５を順次エピタキシャル成
長法で積層する。次に溝１０の近傍のみに通電するため
番こ酸化膜ストライプ７をキャップ層５上に分配した後
電極８，９を形成する。以上により半導体レーザ素子が
作製される。
溝ｌＯを形成し、この上にｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層
（屈折率ｒｚ）１− ｎ−ＧａＡｔＡｓ層（屈折率ｎ２
）２、ｎ−ＧａＡＡＡｓ活性層（屈折率ｎ ａ ） ３
、ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層（屈折率ｎ４）４、ｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層５を順次エピタキシャル成
長法で積層する。次に溝１０の近傍のみに通電するため
番こ酸化膜ストライプ７をキャップ層５上に分配した後
電極８，９を形成する。以上により半導体レーザ素子が
作製される。
第４図のＡＡ’断面（溝部）及びＢＢ’断面（溝部以外
）の屈折率分布をそれぞれ第５図及び第６図（こ示す。
）の屈折率分布をそれぞれ第５図及び第６図（こ示す。
このような屈折率分布を設けた場合、ｎ型りラッド層ｌ
の層厚を溝部以外で約０．１μｍと薄くすると、溝部以
外では零次モードが遮断され、光は導波されなくなる。
の層厚を溝部以外で約０．１μｍと薄くすると、溝部以
外では零次モードが遮断され、光は導波されなくなる。
溝部１０内ではｎ型クラッド層１０層厚を１μｍ程度に
厚くできるので、通常の４層導波路として光を安定に導
波することができる。
厚くできるので、通常の４層導波路として光を安定に導
波することができる。
本発明の他の実施例を第７図番こ示す。この実施例の場
合はｐ型ＧａＡｓ基板１６上にｎ−ＧａＡｓ層２Ｉを０
８μｍ成長させた後、基板にＶ字形でストライプ状の溝
２０を形成し、更にｐ型ＧａＡ７Ａｓクラッド層ｚ（屈
折率ｎ 、）、Ｉ）ｍＧａＡｔＡｓ層１２（Ａｓ率ｎ２
）ｎ型ＧａＡＡＡｓ活性層１３（屈折率ｎ３）ｎ型Ｇａ
ＡｔＡｓクラッド層１４（屈折率ｎ４）、ｎ型ＧａＡｓ
キャップ層１５を順次積層する。その後、電極１８．１
９を形成する。この構造では内部電流狭窄により発振領
域に有効な電流注入を行なうことができる。
合はｐ型ＧａＡｓ基板１６上にｎ−ＧａＡｓ層２Ｉを０
８μｍ成長させた後、基板にＶ字形でストライプ状の溝
２０を形成し、更にｐ型ＧａＡ７Ａｓクラッド層ｚ（屈
折率ｎ 、）、Ｉ）ｍＧａＡｔＡｓ層１２（Ａｓ率ｎ２
）ｎ型ＧａＡＡＡｓ活性層１３（屈折率ｎ３）ｎ型Ｇａ
ＡｔＡｓクラッド層１４（屈折率ｎ４）、ｎ型ＧａＡｓ
キャップ層１５を順次積層する。その後、電極１８．１
９を形成する。この構造では内部電流狭窄により発振領
域に有効な電流注入を行なうことができる。
以下、上記構造を有する半導体レーザの製作例について
説明する。
説明する。
（１００）面をもつｐ−ＧａＡｓ基板（Ｚｎ ドープ
、５Ｘ Ｉ Ｑ１８ｃｍ ” ）に通常のフォトリング
ラフィ法と化学エツチングにより幅６μｍ、深さ６μｍ
（７）Ｖ字溝を形成する。次にこの基板上に連続液相エ
ピタキシャ少成長法（こより、ｐ型Ｇａｏ、、５Ａｔｏ
、４５Ａｓクラッド層（溝部以外での層厚０．１μｍ）
、ｐ型Ｇ ａｏ、６５”０．３５ Ａ ８層（０，５μ
ｍ ）、ｎ型Ｇａｏ０ｇ５Ａｔｏ、＋５Ａｓ活性層、ｎ
型Ｇａｏ、３Ａｔｏ、７ＡＳクラッド層（１７ｚｍ）ｎ
型ＧａＡｓキャップ層（３μｍ）を連続的に成長させた
後、ｐ側にＡｕ−Ｚｎｎ側にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを被着し
て電極とする。このレーザ素子は約７８０胴で発振し２
０℃における閾値電流は５０〜８０ｍＡであった。ＣＷ
（連続）動作時に２０ｍＷ以上まで基本横モードで発振
し、極めて安定した特性を示した。
、５Ｘ Ｉ Ｑ１８ｃｍ ” ）に通常のフォトリング
ラフィ法と化学エツチングにより幅６μｍ、深さ６μｍ
（７）Ｖ字溝を形成する。次にこの基板上に連続液相エ
ピタキシャ少成長法（こより、ｐ型Ｇａｏ、、５Ａｔｏ
、４５Ａｓクラッド層（溝部以外での層厚０．１μｍ）
、ｐ型Ｇ ａｏ、６５”０．３５ Ａ ８層（０，５μ
ｍ ）、ｎ型Ｇａｏ０ｇ５Ａｔｏ、＋５Ａｓ活性層、ｎ
型Ｇａｏ、３Ａｔｏ、７ＡＳクラッド層（１７ｚｍ）ｎ
型ＧａＡｓキャップ層（３μｍ）を連続的に成長させた
後、ｐ側にＡｕ−Ｚｎｎ側にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを被着し
て電極とする。このレーザ素子は約７８０胴で発振し２
０℃における閾値電流は５０〜８０ｍＡであった。ＣＷ
（連続）動作時に２０ｍＷ以上まで基本横モードで発振
し、極めて安定した特性を示した。
以上、本発明の実施例をＧａＡ７Ａｓ系レーザについて
示したが、本発明は他の混晶を用いた半導体レーザにつ
いても適用することができる。
示したが、本発明は他の混晶を用いた半導体レーザにつ
いても適用することができる。
第１図は従来の半導体レーザめ構成を示す断面構成図で
ある。第２図は第１図の半導体レーザの溝部Ａ −Ａ’
の屈折率分布を示す説明図である。第３図は第１図の半
導体レーザの溝以外の部分Ｂ−Ｂ′の屈折率分布を示す
説明図である。第４図は本発動、す１施例を示す半導体
レーザの断面構成図である。第５図は第４図の実施例の
溝部Ａ−ｘの屈折率分布を示す説明図である。第６図は
第４図の実施例の溝以外の部分Ｂ −Ｂ’の屈折率分布
を示す説明図である。第７図は本発明の他の実施例を示
す半導体レーザの断面構成図である。 １・・・第１層、２・・・第２層、３・・・第３層（活
性層）４・・・第４層（クラッド層）、５−第５層（キ
ャップ層）、６・・基板、７・・・酸化膜、８．９・・
・電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１′Ｗ
ｉ 第２図 第３図
ある。第２図は第１図の半導体レーザの溝部Ａ −Ａ’
の屈折率分布を示す説明図である。第３図は第１図の半
導体レーザの溝以外の部分Ｂ−Ｂ′の屈折率分布を示す
説明図である。第４図は本発動、す１施例を示す半導体
レーザの断面構成図である。第５図は第４図の実施例の
溝部Ａ−ｘの屈折率分布を示す説明図である。第６図は
第４図の実施例の溝以外の部分Ｂ −Ｂ’の屈折率分布
を示す説明図である。第７図は本発明の他の実施例を示
す半導体レーザの断面構成図である。 １・・・第１層、２・・・第２層、３・・・第３層（活
性層）４・・・第４層（クラッド層）、５−第５層（キ
ャップ層）、６・・基板、７・・・酸化膜、８．９・・
・電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１′Ｗ
ｉ 第２図 第３図
Claims (1)
- １、基板表面（こストライプ状の溝を設け、前記基板表
面全体に成長層表面が平坦となるまで屈折率ｎ１を有す
る第１の半導体を積層し、次いで屈折率ｎ２を有する第
２の半導体、屈折率ｎ３を有する第３の半導体、屈折率
ｎ４を有する第４の半導体を順次積層してレーザ動作用
多層結晶構造部を構成し、前記各層の屈折率をｎａ＞ｎ
２ ＞ ｎ １）ｎ ４に設定して溝部以外の部分で
零次モードがカットオフとなるよう番こ、各層の屈折率
および層厚を定めたことを特徴とする半導体レーザ素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13392782A JPS5923585A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13392782A JPS5923585A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923585A true JPS5923585A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15116330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13392782A Pending JPS5923585A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113586A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH08213696A (ja) * | 1995-10-23 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167382A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
| JPS5795689A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nec Corp | Stripe shaped type double hetero junction laser element |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13392782A patent/JPS5923585A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167382A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
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| JPH08213696A (ja) * | 1995-10-23 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
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