JPH0353580A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH0353580A JPH0353580A JP18954889A JP18954889A JPH0353580A JP H0353580 A JPH0353580 A JP H0353580A JP 18954889 A JP18954889 A JP 18954889A JP 18954889 A JP18954889 A JP 18954889A JP H0353580 A JPH0353580 A JP H0353580A
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- resonator
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- laser element
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスク等の情報処理用光源として最適な半
導体レーザ素子に関するものである．（従来の技術） ０．７〜０．８μｍ帯のＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系横モ
ード制御型半導体レーザは、光ディスクの書き込み再生
用光源として、近年、需要が広がっている．光ディスク
用光源としては、３０ｍＷ以上の高出力と、２０００時
間以上の高い信頼性が必要とされる． 第４図には、Ｉ．Ｋｏｍａｚａｋｉ ｅｔ．ａｌ．に
よってエレクトロニクス レター（Ｆ，Ｉｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ．ｖｏｌ．２５、ｐ２９４．
（１９８９）に発表された従来の高出力半導体レーザ素
子の梢造例が示されている． この構造のレーザ素子を得るためには、まずＭＯＶＰＥ
気相成長法により製作したダブルへテロ構逍ウエハのｐ
Ａ ｌ ｏ４ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓクラッド
層４中に幅４μｍの逆メサを形或する．その後、Ｓ ｉ
０２をマスクとしてＭＯＶＰＥ成長法により、メサ周
辺部にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を形成する．図に
おいて、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ Ａ Ｉ Ｏ
． ４ＳＧ ａ ｏ． ｓｓＡ ｓクラッド層、３はＡ
Ｊ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ａｓＡ Ｓ活性層、５は
ｐ−Ｇ ａＡ ｓキャップ層、７はｎ−電極、８はｐ一
電極をそれぞれ示す． この構造では、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６により、
発光部に有効に電流が狭さくされるとともに、ｎ−Ｇａ
Ａｓの光吸収効果により水平方声の導波モードの安定化
を図っている．従って、但しきい値、高効率で高出力ま
で横モードの安定した高出力半導体レーザが実現できる
。
導体レーザ素子に関するものである．（従来の技術） ０．７〜０．８μｍ帯のＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系横モ
ード制御型半導体レーザは、光ディスクの書き込み再生
用光源として、近年、需要が広がっている．光ディスク
用光源としては、３０ｍＷ以上の高出力と、２０００時
間以上の高い信頼性が必要とされる． 第４図には、Ｉ．Ｋｏｍａｚａｋｉ ｅｔ．ａｌ．に
よってエレクトロニクス レター（Ｆ，Ｉｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ．ｖｏｌ．２５、ｐ２９４．
（１９８９）に発表された従来の高出力半導体レーザ素
子の梢造例が示されている． この構造のレーザ素子を得るためには、まずＭＯＶＰＥ
気相成長法により製作したダブルへテロ構逍ウエハのｐ
Ａ ｌ ｏ４ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓクラッド
層４中に幅４μｍの逆メサを形或する．その後、Ｓ ｉ
０２をマスクとしてＭＯＶＰＥ成長法により、メサ周
辺部にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を形成する．図に
おいて、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ Ａ Ｉ Ｏ
． ４ＳＧ ａ ｏ． ｓｓＡ ｓクラッド層、３はＡ
Ｊ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ａｓＡ Ｓ活性層、５は
ｐ−Ｇ ａＡ ｓキャップ層、７はｎ−電極、８はｐ一
電極をそれぞれ示す． この構造では、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６により、
発光部に有効に電流が狭さくされるとともに、ｎ−Ｇａ
Ａｓの光吸収効果により水平方声の導波モードの安定化
を図っている．従って、但しきい値、高効率で高出力ま
で横モードの安定した高出力半導体レーザが実現できる
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述の従来の梢迫では、共振各端面の光
学損傷により高出力特性が制限されてしまう．光学損傷
は、高出力時に、端面部分の活性層が溶融する現象であ
り、以下に示すメカニズムで発生する．ＧａＡｓ／ＡＩ
ＧａＡｓ系では、結晶表面に存在する界面準位が多く、
このため、共振器端面部では、界面準位を介して注入キ
ャリアが再結合してしまい、キャリアの欠乏が生じる．
従って、端面近傍は、発振光に対して吸収領域として作
用する．高出力になるにつれて、端面部の温度が上昇し
バンドギャップが縮小するため、さらに吸収層が増加し
ていく． この結果、ある光出力に達すると、光の吸収→温度上昇
→バンドギャップの縮小→光吸収の増加→温度上昇のサ
イクルが暴走状態となり、光学損傷が発生する，光学損
傷の起こる光密度は２〜４ｍ Ｗ ／ ｃ ｍ ２であ
り通常の４〜５μｍの単一ストライプ半導体レーザでは
非対称コーティングを行っても最大出力は〜１００ｍＷ
程度であるう従って、従来の梢達では信頼性を確保でき
る実用的な出力レベルは〜５０ｍＷ程度であり、高出力
特性の制限を受けていた． （課題を解決するための手段》 上述の課題を解決するために、本発明の半導体レーザ素
子は、横モード制御型の半導体レーザ累子において、共
振器端面近傍を前記共振器内部に比べて低抵抗とするこ
とにより、前記共振器端面近傍における活性層内の注入
キャリア密度を前記共振器内部の値より高めた． （作用） 本発明のレーザ素子構造では、共振器端面近傍はＺｎ拡
散等の手段により共振器内部に比べて低抵抗となってい
る．活性層厚は共振器全体にわたって均一であるため、
発振時の注入キャリア密度は、共振器端面近傍の方が共
振器内部に比べて高くなる．発振波長は大部分の面積を
占める共振器内部の注入キャリアに応じて決定される．
従って端面部で界面準位を介してキャリアが再結合して
も発振光に対して吸収となるほどキャリアの欠乏状態は
生じない．その結果、従来の構造に比べて光学損傷レベ
ルを高くすることができ、より高出力な半導体レーザを
実現することができる．｛実施例｝ 以下、図面を用いて、本発明の実施例を詳しく説明する
． 第１図は本発明の一実施例の構造図を示す．本実施例楕
遺を得るための製造工程を説明すると、まず、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１上にＭＯＶＰＥ成長法または、ＬＰＥ成長法
を用いて、２０μｍ層厚のｎ Ａ ｌ ｏ． ａｓＧ
ａ ｏ． ｓｓＡ ｓクラッドＮ２、０．０５μｍ層
厚のＡ １ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ａｓＡ ８活性
層３，１．５μｍ層厚のｐ Ａ １ ｏ． ４ｓＧ
ａ ｕ．．．ｊＡ ｓクラッド層４および１．０μｍ層
厚のｐ−ＧａＡｓキャップ層・５を順次形成する． 次に、Ｓ１０ｔをマスクとして、＜０１１＞方向に平行
な幅５μｍの逆メサストライプをリン酸系のウエットエ
ッチングを用いて形成する．メサの深さは例えば２．２
μｍとする．従ってメサ外部では、活性層３上に、０．
３μｍのＰ−クラッド層４が形成される． その後、Ｓｉｎ２をマスクとして、ＮＯＶＰＥ成長法を
用いてｎ−ＧａＡｓ電流ブロック図層６をメサ外部に形
成する．この電流ブロック層６の働きにより、発光部に
有効に電流が注入されるとともに水平方向のモードの安
定化を実現することができる． さらに、新たなＳ ｉ Ｏ．マスクを用いてメサストラ
イプ上に長さ５０μｍ，間隔３００μｍのＺｎ拡歇領域
９を形成する．拡散深さは、例えば、成長表面から〜２
．０μｍとする． 最後に、ｎ−＠極７、ｐ一電極８を形成した後、５０μ
ｍのＺｎ拡散領域の中間でへき開面を形成して３００μ
ｍ共振器長をもつ．レーザ素子を形成する． また、第３図（ａ）と（ｂ）には本発明の他の実施例の
！ＩＩＪ造図を示すための斜視図とＡ−Ａ断面図が示さ
れている． 本実施例ｍ逍のレーザ素子を得るためには、まず、ｎ−
ＧａＡｓ基板１にフォトリソグラフィーとアンモニア系
のエッチングを用いて、＜０１■〉方向に平行な幅５μ
ｍ、深さ２μｍのＶ字型の溝を形成する． その後、ＬＰＥ成兵法により０．２μｍ層厚のｎ Ａ
Ｉ ０． ４１Ｇ ａ ｏ． ｓ＊Ａ ＳクラッドＦ
１１４、０．２μｍ層厚のｎ Ａ ｌ ｏ． ｓｓＧ
ａ ｏ． ｂｓＡ ｓ光ガイド層１５、０．０７μｍ
層厚のＡ １ ｏ ｔ’ｓＧ ａ ０． １２Ａ Ｓ活
性層１６、０．３ａｍ層厚のＰ一Ａ １ ｏ．ｓ Ｇ
ａｏ．ｇ Ａ ｓ光反射層１７、１．２μｍ層厚のＰ
Ａ Ｉ ０． ４ １ Ｇ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓク
ラッド層１８および０、７μ層厚のｎ−ＧａＡｓキャッ
プ層１９を順次積層する．ＬＰＥ成長法の成長ａ′！Ｒ
により、光ガイド層ｌ５が，溝部で厚い平凸形状の構造
が形或される．この結果、溝内部で等価的に屈折率が高
くなり、水平方向のモードの安定化が実現される。
学損傷により高出力特性が制限されてしまう．光学損傷
は、高出力時に、端面部分の活性層が溶融する現象であ
り、以下に示すメカニズムで発生する．ＧａＡｓ／ＡＩ
ＧａＡｓ系では、結晶表面に存在する界面準位が多く、
このため、共振器端面部では、界面準位を介して注入キ
ャリアが再結合してしまい、キャリアの欠乏が生じる．
従って、端面近傍は、発振光に対して吸収領域として作
用する．高出力になるにつれて、端面部の温度が上昇し
バンドギャップが縮小するため、さらに吸収層が増加し
ていく． この結果、ある光出力に達すると、光の吸収→温度上昇
→バンドギャップの縮小→光吸収の増加→温度上昇のサ
イクルが暴走状態となり、光学損傷が発生する，光学損
傷の起こる光密度は２〜４ｍ Ｗ ／ ｃ ｍ ２であ
り通常の４〜５μｍの単一ストライプ半導体レーザでは
非対称コーティングを行っても最大出力は〜１００ｍＷ
程度であるう従って、従来の梢達では信頼性を確保でき
る実用的な出力レベルは〜５０ｍＷ程度であり、高出力
特性の制限を受けていた． （課題を解決するための手段》 上述の課題を解決するために、本発明の半導体レーザ素
子は、横モード制御型の半導体レーザ累子において、共
振器端面近傍を前記共振器内部に比べて低抵抗とするこ
とにより、前記共振器端面近傍における活性層内の注入
キャリア密度を前記共振器内部の値より高めた． （作用） 本発明のレーザ素子構造では、共振器端面近傍はＺｎ拡
散等の手段により共振器内部に比べて低抵抗となってい
る．活性層厚は共振器全体にわたって均一であるため、
発振時の注入キャリア密度は、共振器端面近傍の方が共
振器内部に比べて高くなる．発振波長は大部分の面積を
占める共振器内部の注入キャリアに応じて決定される．
従って端面部で界面準位を介してキャリアが再結合して
も発振光に対して吸収となるほどキャリアの欠乏状態は
生じない．その結果、従来の構造に比べて光学損傷レベ
ルを高くすることができ、より高出力な半導体レーザを
実現することができる．｛実施例｝ 以下、図面を用いて、本発明の実施例を詳しく説明する
． 第１図は本発明の一実施例の構造図を示す．本実施例楕
遺を得るための製造工程を説明すると、まず、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１上にＭＯＶＰＥ成長法または、ＬＰＥ成長法
を用いて、２０μｍ層厚のｎ Ａ ｌ ｏ． ａｓＧ
ａ ｏ． ｓｓＡ ｓクラッドＮ２、０．０５μｍ層
厚のＡ １ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ａｓＡ ８活性
層３，１．５μｍ層厚のｐ Ａ １ ｏ． ４ｓＧ
ａ ｕ．．．ｊＡ ｓクラッド層４および１．０μｍ層
厚のｐ−ＧａＡｓキャップ層・５を順次形成する． 次に、Ｓ１０ｔをマスクとして、＜０１１＞方向に平行
な幅５μｍの逆メサストライプをリン酸系のウエットエ
ッチングを用いて形成する．メサの深さは例えば２．２
μｍとする．従ってメサ外部では、活性層３上に、０．
３μｍのＰ−クラッド層４が形成される． その後、Ｓｉｎ２をマスクとして、ＮＯＶＰＥ成長法を
用いてｎ−ＧａＡｓ電流ブロック図層６をメサ外部に形
成する．この電流ブロック層６の働きにより、発光部に
有効に電流が注入されるとともに水平方向のモードの安
定化を実現することができる． さらに、新たなＳ ｉ Ｏ．マスクを用いてメサストラ
イプ上に長さ５０μｍ，間隔３００μｍのＺｎ拡歇領域
９を形成する．拡散深さは、例えば、成長表面から〜２
．０μｍとする． 最後に、ｎ−＠極７、ｐ一電極８を形成した後、５０μ
ｍのＺｎ拡散領域の中間でへき開面を形成して３００μ
ｍ共振器長をもつ．レーザ素子を形成する． また、第３図（ａ）と（ｂ）には本発明の他の実施例の
！ＩＩＪ造図を示すための斜視図とＡ−Ａ断面図が示さ
れている． 本実施例ｍ逍のレーザ素子を得るためには、まず、ｎ−
ＧａＡｓ基板１にフォトリソグラフィーとアンモニア系
のエッチングを用いて、＜０１■〉方向に平行な幅５μ
ｍ、深さ２μｍのＶ字型の溝を形成する． その後、ＬＰＥ成兵法により０．２μｍ層厚のｎ Ａ
Ｉ ０． ４１Ｇ ａ ｏ． ｓ＊Ａ ＳクラッドＦ
１１４、０．２μｍ層厚のｎ Ａ ｌ ｏ． ｓｓＧ
ａ ｏ． ｂｓＡ ｓ光ガイド層１５、０．０７μｍ
層厚のＡ １ ｏ ｔ’ｓＧ ａ ０． １２Ａ Ｓ活
性層１６、０．３ａｍ層厚のＰ一Ａ １ ｏ．ｓ Ｇ
ａｏ．ｇ Ａ ｓ光反射層１７、１．２μｍ層厚のＰ
Ａ Ｉ ０． ４ １ Ｇ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓク
ラッド層１８および０、７μ層厚のｎ−ＧａＡｓキャッ
プ層１９を順次積層する．ＬＰＥ成長法の成長ａ′！Ｒ
により、光ガイド層ｌ５が，溝部で厚い平凸形状の構造
が形或される．この結果、溝内部で等価的に屈折率が高
くなり、水平方向のモードの安定化が実現される。
次に、ＳｉＯ２をマスクとして溝の上部に、長さ５０μ
ｍ、間隔３００μｍのＺｎ拡散領域９を形成する．さら
に、新たなＳ１０２をマスクとして、湧全域にわたって
２回目のＺｎ拡散を行う，１回目のＺｎ拡散領域は、２
回目のＺｎ拡散により、さらに深く拡散される．この結
果、１回目に拡散した５０μｍの領域だけ拡散フロント
の深い第３図に示すような構造が形成される．！＆後に
、ｎ−電極７、ｐ一電極８を形或した後、拡散フロント
の深い領域の中間にへき開面を形成する．以上により、
本発明の構造をもつレーザ素子が実現できる． 以上において、結晶成長により、形成されるｐ〜クラッ
ド層４および１８のキャリア濃度は１×１ ０１７〜Ｉ
Ｘ １ ０”ｃｍ−’程度であるのに対して、Ｚｎ拡
散により、形成されるキャリア濃度は〜１ ０ ”ｃ
ｍ−’と高い．従って、本発明の構造によれば、共振器
端面近傍のｐ−クラッド層の抵抗率を共振器内部の値に
比べて１０分の１程度に低減することができる． 活性層厚は共振器全体にわたって均一であるため、発振
時の注入キャリア密度は、第２図に示すように、共振器
端面近傍の方が共振器内部に比べて高くなる．第２図に
おいて、１０は伝導帯、１１は価電帯、１２は電子、！
３は正孔を示す．発振波長は大部分の面積を占める共振
器内部の注入キャリアに応じて決定される．従って端面
部界面準位を介してキャリアが再結合しても発振光に対
して吸収となるほどキャリアの欠乏状態は生じない．す
なわち、共振器端面部での、光吸収量を従来の半導体レ
ーザに比べて十分に小さくすることができる．この結果
、高い光学損傷レベルが得られ、より高出力な半導体レ
ーザを実現することができる． 以上の実施例の説明では、ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系を
用いて説明を行ったがＡＩＧａｌｎＰ／ＧａｌｎＰ系の
０．６μｍ４ｆＦの半導体レーザに対しても全く同様な
４ｉｌ造を実現することができる．（発明の効果） 以上説明したように、本発明の半導体レーザ素子では共
振器端面近傍を共振器内部に比べて低抵抗とすることに
より共振器端面近傍の活性層内の注入キャリア密度を共
振器内部よりも高くしているので、共振器端面での光吸
収量を小さくでき、高い光学損傷レベルが得られて高出
力な半導体レーザ素子を実現できる．
ｍ、間隔３００μｍのＺｎ拡散領域９を形成する．さら
に、新たなＳ１０２をマスクとして、湧全域にわたって
２回目のＺｎ拡散を行う，１回目のＺｎ拡散領域は、２
回目のＺｎ拡散により、さらに深く拡散される．この結
果、１回目に拡散した５０μｍの領域だけ拡散フロント
の深い第３図に示すような構造が形成される．！＆後に
、ｎ−電極７、ｐ一電極８を形或した後、拡散フロント
の深い領域の中間にへき開面を形成する．以上により、
本発明の構造をもつレーザ素子が実現できる． 以上において、結晶成長により、形成されるｐ〜クラッ
ド層４および１８のキャリア濃度は１×１ ０１７〜Ｉ
Ｘ １ ０”ｃｍ−’程度であるのに対して、Ｚｎ拡
散により、形成されるキャリア濃度は〜１ ０ ”ｃ
ｍ−’と高い．従って、本発明の構造によれば、共振器
端面近傍のｐ−クラッド層の抵抗率を共振器内部の値に
比べて１０分の１程度に低減することができる． 活性層厚は共振器全体にわたって均一であるため、発振
時の注入キャリア密度は、第２図に示すように、共振器
端面近傍の方が共振器内部に比べて高くなる．第２図に
おいて、１０は伝導帯、１１は価電帯、１２は電子、！
３は正孔を示す．発振波長は大部分の面積を占める共振
器内部の注入キャリアに応じて決定される．従って端面
部界面準位を介してキャリアが再結合しても発振光に対
して吸収となるほどキャリアの欠乏状態は生じない．す
なわち、共振器端面部での、光吸収量を従来の半導体レ
ーザに比べて十分に小さくすることができる．この結果
、高い光学損傷レベルが得られ、より高出力な半導体レ
ーザを実現することができる． 以上の実施例の説明では、ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系を
用いて説明を行ったがＡＩＧａｌｎＰ／ＧａｌｎＰ系の
０．６μｍ４ｆＦの半導体レーザに対しても全く同様な
４ｉｌ造を実現することができる．（発明の効果） 以上説明したように、本発明の半導体レーザ素子では共
振器端面近傍を共振器内部に比べて低抵抗とすることに
より共振器端面近傍の活性層内の注入キャリア密度を共
振器内部よりも高くしているので、共振器端面での光吸
収量を小さくでき、高い光学損傷レベルが得られて高出
力な半導体レーザ素子を実現できる．
第１図は本発明の一実施例を示すＳ造図、第２図は本実
施例における発振時の注入キャリア密度を模式的に示す
図、第３図（ａ）と（ｂ）は本発明の他の実施例を示す
斜視図と断面図、第４図は従来の半導体レーザのＳ造図
である． １ −−− ｎ − Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・−ｎ
Ａｌｏ４ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓクラッド層、３
＝ Ａ ｌ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡｓ活性
層、４ ・” Ｐ Ａ ｌ ｏ． ａｓＧ ａ ｏ．
ｓｓＡ Ｓクラッド層、５・・・ｐ − Ｇ ａ Ａ
Ｓキャップ層、６・・・ｎ −ＧａＡｓ電流ブロック
層、７・・・ｎ−ｔ極、８・・・ｐ電極、９・・・Ｚｎ
拡散領域、１０・・・伝導帯、１１・・・価電帯、１２
・・・電子、１３・・・正孔、１４・・・ｎＡ Ｉ ０
． ４１Ｇ ａ ｏ． ｓ＊Ａ Ｓ活性層、１ ５ ・
ｎ −Ａ １ ｏ． ｓｓＧ ａ Ｏ． ６８Ａ Ｓ光
ガイド層、１ ６ −・・Ａ ｌ ｏ ｏｓＧ ａ Ｏ
． １２Ａ Ｓ活性層、１ ７ ・ｐ −Ａ １ ｏ．
ｓ Ｇ ａ ｏ．ｓ Ａ ｓ光反射層，１８−・−ｐ−
Ａ １ ６． ４１０ ａ ｏ． ｓ＊Ａ Ｓクラツド
層、１９・−ｎ−ＧａＡｓキャップ層．
施例における発振時の注入キャリア密度を模式的に示す
図、第３図（ａ）と（ｂ）は本発明の他の実施例を示す
斜視図と断面図、第４図は従来の半導体レーザのＳ造図
である． １ −−− ｎ − Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・−ｎ
Ａｌｏ４ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓクラッド層、３
＝ Ａ ｌ ｏ． ＋ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡｓ活性
層、４ ・” Ｐ Ａ ｌ ｏ． ａｓＧ ａ ｏ．
ｓｓＡ Ｓクラッド層、５・・・ｐ − Ｇ ａ Ａ
Ｓキャップ層、６・・・ｎ −ＧａＡｓ電流ブロック
層、７・・・ｎ−ｔ極、８・・・ｐ電極、９・・・Ｚｎ
拡散領域、１０・・・伝導帯、１１・・・価電帯、１２
・・・電子、１３・・・正孔、１４・・・ｎＡ Ｉ ０
． ４１Ｇ ａ ｏ． ｓ＊Ａ Ｓ活性層、１ ５ ・
ｎ −Ａ １ ｏ． ｓｓＧ ａ Ｏ． ６８Ａ Ｓ光
ガイド層、１ ６ −・・Ａ ｌ ｏ ｏｓＧ ａ Ｏ
． １２Ａ Ｓ活性層、１ ７ ・ｐ −Ａ １ ｏ．
ｓ Ｇ ａ ｏ．ｓ Ａ ｓ光反射層，１８−・−ｐ−
Ａ １ ６． ４１０ ａ ｏ． ｓ＊Ａ Ｓクラツド
層、１９・−ｎ−ＧａＡｓキャップ層．
Claims (1)
- 横モード制御型の半導体レーザ素子において、共振器端
面近傍を前記共振器内部に比べて低抵抗とすることによ
り、前記共振器端面近傍における活性層内の注入キャリ
ア密度を前記共振器内部の値より高めたことを特徴とす
る半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18954889A JPH0353580A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18954889A JPH0353580A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353580A true JPH0353580A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16243160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18954889A Pending JPH0353580A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101136161B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2012-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18954889A patent/JPH0353580A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101136161B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2012-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 |
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