KR101136161B1 - 레이저 다이오드 - Google Patents

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장영학
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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)의 구조에 관한 것으로서, 레이저 광이 출광되는 전면 미러(Mirror) 및 후면 미러 근처 상부 전극으로, 일반적인 전극으로 사용되는 금속에 비해 상대적으로 낮은 광 흡수율을 갖는 투명전극이 제 2 P-전극 패드의 상부 면과 일치하는 높이로 두껍게 형성시킨 구조를 갖도록 함으로써, 광 에너지의 흡수 및 횡 방향으로의 전기적 저항 차이로 인한 상부 전극 파괴 및 손상 문제를 방지할 수 있으며, 더불어, 금속보다 낮은 연성을 갖는 투명전극의 특성으로 인하여, 웨이퍼(Wafer) 단위의 레이저 다이오드 제작시 미러 스크라이빙(Mirror Scribing) 공정이 용이한 효과가 있어서, 열적, 전기적으로 안정적인 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.
레이저, 다이오드, 상부전극, 미러, 투명전극

Description

레이저 다이오드{Laser Diode}
도 1a 내지 도 1c는 종래기술에 따른 레이저 다이오드의 구조를 개략적으로 설명하기 위한 사시도 및 가로, 세로 방향의 단면도.
도 2a와 도 2b는 종래의 레이저 다이오드에서 미러(Mirror) 부근의 리지 상부에 형성된 전극 부분이 손상된 모습을 찍은 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM) 사진.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 바람직한 구조를 설명하기 위한 사시도와 세로 방향의 단면도.
도 4a와 도 4b는 참고적으로 레이저 다이오드의 전극 구조로써 부적절한 경우의 예를 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
10. N-전극 패드 20. 활성층
30. p-오믹 금속층 40. 제 1 P-전극 패드
41. 손상된 제 1 P-전극 패드 42. 천공된 리지(Ridge) 영역
50. 제 2 P-전극 패드 60. 투명전극
본 발명은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)의 구조에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 전, 후면 미러(Mirror) 면 근처 상부의 일부 영역에 투명전극을 구비하도록 함으로써, 열적, 전기적 안정성 및 신뢰성을 향상시킨 레이저 다이오드에 관한 것이다.
블루레이 디스크(Blueray Disk, BD)-RW 용이나 고밀도(High Density, HD)-RW용의 대용량 고속 저장장치의 픽업용으로 사용되는 고출력 레이저 다이오드(400nm 대 근자외선 파장의 레이저 다이오드)의 경우에, 데이터 저장 속도의 고속화에 따른 레이저 다이오드의 고출력화가 진행 중에 있다.
또한, 이러한 레이저 다이오드의 고출력화에 따른 레이저 소자의 신뢰성에 대한 문제도 중요하게 제기되고 있다.
이와 같은 레이저 다이오드의 신뢰성에 크게 영향을 미치는 부분 가운데 하나가 미러(Mirror)(또는 광학계) 부분인데, 이는 레이저 다이오드의 광이 출광되는 전면과 그 반대편의 후면에서 레이저 광을 공진시키는 역할을 하는 스크라이빙(Scribing) 벽개면을 말한다.
특히, 레이저 광의 지속적인 방출에 의한 미러(Mirror) 면의 손상과 미러 (Mirror) 상부에 근접하고 있는 P-전극 패드 영역의 레이저 에너지 흡수로 인한 손상 문제가 레이저 다이오드의 신뢰성과 안정성을 개선하는데 반드시 해결해야 할 문제점으로 대두되고 있다.
다시 말하자면, 레이저 다이오드에서 신뢰성이 가장 취약한 부분은 고출력의 광이 출광되는 전면 미러(Mirror) 부분이고, 그 다음으로 취약한 부분은 이러한 미러 근방에 위치하는 P-전극 패드 영역이다.
도 1a는 상기한 바와 같은 종래의 레이저 다이오드 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
종래의 레이저 다이오드는 개략적으로 도면에 도시된 바와 같이, N-전극 패드(10), 활성층(20), p-오믹 금속층(30), 제 1 P-전극 패드(40), 제 2 P-전극 패드(50)을 포함하여 이루어진다.
도면에는 도시하지 않았으나, 상기 N-전극 패드(10)와 활성층(20) 사이에는 n 타입 불순물이 도핑된 n-도전성 기판, n-클래드층, n-웨이브가이드층을 포함하며 이루어진다.
그리고, 상기 활성층(20)과 상기 p-오믹 금속층(30) 사이에도 전자 방지층(Electron Blocking Layer, EBL), p-웨이브가이드층, p-클래드층을 포함하고 있으며, 상기 p-클래드층은 상부 중심 영역에 직선 형상의 돌출부를 갖는 리지(Ridge) 구조로 이루어진다.
이때, 상기 p-오믹 금속층(30)은 상기 p-클래드층 상부의 직선 형상의 돌출 부 상부면에 형성되어 있다.
한편, 상기 제 1 P-전극 패드(40)는 상기 p-클래드층과 상기 p-클래드층 상부의 직선 형상의 돌출부 상부면에 형성된 상기 p-오믹 금속층(30)의 노출된 상부를 모두 감싸며 형성되어 있다.
마지막으로, 상기 제 2 P-전극 패드(50)는 상기 제 1 P-전극 패드(40)의 상부를 감싸며 형성되되, 레이저 광을 방출하는 전면 미러(Mirror) 면에 근접한 제 1 P-전극 패드(40)의 일부 영역(A)과 전면 미러(Mirror) 면의 반대편인 후면 미러(Mirror) 면에 근접한 제 1 P-전극 패드(40)의 일부 영역(B)이 노출되도록 제 1 P-전극 패드(40)의 중심 영역에 형성되어 있다.
이때, 상기 제 2 P-전극 패드(50)는 일반적으로 제 1 P-전극 패드(40)보다 두꺼운 것이 특징이다.
도 1b는 도 1a에 도시한 종래의 레이저 다이오드를 가로 방향으로 잘랐을 때의 I-I 단면도를 나타낸다.
종래의 레이저 다이오드는 앞에서 이미 설명한 바와 같이, N-전극 패드(10), n 타입 불순물이 도핑된 도전성 기판, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층(20), 전자 방지층(Electron Blocking Layer, EBL), p-웨이브 가이드층, p-클래드층, p-오믹 금속층(30), 제 1 P-전극 패드(40), 제 2 P-전극 패드(50)이 순차적으로 적층되어 있는 구조인데, 도면에 도시된 바와 같이, p-클래드층은 돌출부 형상을 갖는 리지(Ridge) 구조를 갖고 있으며, 상기 리지(Ridge) 상부면에 상기 p-오믹 금속층(30)이 형성되어 있고, 제 1 P-전극 패드(40)와 제 2 P-전극 패드(50)가 순차적으로 형성된다.
도 1c는 도 1a에 도시한 종래의 레이저 다이오드를 세로 방향으로 잘랐을 때의 II-II 단면도를 나타낸다.
이와 같이, 제 2 P-전극 패드(50)를 제 1 P-전극 패드(40)의 중심 영역에만 형성하는 이유는, 미러(Mirror) 단면의 스크라이빙(Sciribing)시 공정이 용이하고, 균일하고 우수한 미러(Mirror) 단면을 확보하기 위해서이다.
구체적으로, 웨이퍼(Wafer) 단위로 레이저 다이오드 제작시, 제 1 P-전극 패드(40)의 상부 전면에 제 2 P-전극 패드(50)를 형성하게 되면, 금속 자체의 연성으로 인하여 레이저 다이오드들의 사이를 분리시키는데 어려움이 있다.
또한, 분리가 되더라도 자연 벽개면을 통해 미러(Mirror)가 만들어지는데, 균일하며 우수한 미러(Mirror) 단면을 확보하기가 어렵다.
그렇기 때문에, 상기 제 2 P-전극 패드(50)는 도 1a 과 도 1c에 도시된 바와 같이 A 영역과 B 영역의 제 1 P-전극 패드(40)를 노출시킨 상태로 중심 영역에만 형성시킨 구조를 갖도록 한다.
도 2a와 도 2b는 종래의 레이저 다이오드에서 미러(Mirror)면 근처의 제 1 P-전극 패드 부분(41)이 손상되어 있는 모습을 찍은 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM) 사진이다.
도 2a의 사진에서 보여지는 가로방향의 선은 상기한 도 1a 내지 도 1c에서 제 2 P-전극 패드와 노출되어 있는 제 1 P-전극 패드의 경계를 보여주고 있고, 두툼한 폭을 갖는 세로 방향의 선은 돌출되어 있는 리지(Ridge) 구조의 상부를 보여주고 있다.
여기서, 들떠진 제 1 P-전극 패드 부분(41)이 사진과 같이 파손 및 손상되는 것은 미러(Mirror) 부근의 외부로 방출되는 여분의 광을 흡수하며 생긴 에너지에 의한 영향과 더불어, 노출된 상태로 형성되는 제 1 P-전극 패드의 얇은 두께로 인해 발생하는 횡 방향으로의 전기적인 저항 차이를 가장 큰 원인으로 한다.
도 2b는 노출되어 있는 제 1 P-전극 패드가 파손되면서 리지(Ridge) 구조물 상부로부터 질화갈륨(GaN) 반도체 내부에 전기적 충격에 의해 구멍(42)을 뚫어놓은 모습을 보여주고 있는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
앞에서도 언급했지만 다시 정리하자면, 상기와 같은 종래의 레이저 다이오드 제 1 P-전극 패드의 문제점은 크게 다음과 같은 두 가지 원인이 있다.
첫 번째로, 제 2 P-전극 패드에 비하여 얇은 두께로 외부에 노출되어지며 형성되는 제 1 P-전극 패드로 인하여, 횡 방향으로의 전기적 저항 차이에 의한 전기적 불안정성을 갖게 되었기 때문이다.
두 번째로, 레이저 다이오드에 발생된 광은 100% 모두 미러(Mirror)를 통해 출광되는 것이 아니라, 여분의 광은 미러(Mirror) 주변을 통해 외부로 방출되게 되는데, 이때, 얇은 금속으로 이루어지는 제 1 P-전극 패드가 광을 투과시키기보다는 흡수를 많이 하여, 열적으로 매우 불안정한 상태로 되기 때문이다.
특히, 종래의 레이저 다이오드들은 고출력 동작시 제 1 P-전극 패드의 파괴 및 손상되는 현상이 심심치 않게 발생한다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 레이저 다이오드의 전면 미러(Mirror) 면 및 후면 미러(Mirror) 면에 근접하는 상부의 일부 영역에 각각 종래의 금속으로 이루어진 제 1 P-전극 패드에 비해 광이 잘 투과되지만 반면에 흡수는 줄일 수 있는 투명전극을 제 2 P-전극 패드의 상부 면과 일치하는 높이로 두껍게 형성시킨 구조를 갖도록 함으로써, 종래의 레이저 다이오드에서 고출력 동작시 상부 전극의 파괴 및 손상 현상을 방지할 수 있으며, 열적, 전기적 안정성을 향상시킬 수 있는 전극 구조를 가지는 레이저 다이오드를 구현하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 레이저 다이오드는, n 타입 불순물이 도핑된 도전성 기판; 도전성 기판 하부에 형성되어 있는 N-전극 패드; 도전성 기판 상부에 형성되어 있으며, n-클래드층, n-웨이브가이드층, 활성층, 전자방지층, p-웨이브가이드층이 순차적으로 적층되어 이루어진 박막 구조물; p-웨이브가이드층 상부에 형성되며, 상부 중앙이 스트라이프(Stripe) 형상의 리지(Ridge)로 돌출되어진 p-클래드층; p-클래드층의 리지(Ridge) 상부에 형성된 p-오믹 금속층; p-클래드층 상부의 일부 영역에 형성된 투명전극; p-클래드층에서 투명전극이 형성되지 않은 나머지 영역에 형성된 제 1 P-전극 패드 및; 제 1 P-전극 패드 상부에 형성되어있는 제 2 P-전극 패드;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 바람직한 구조에 대해서 상세히 설명한다.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 바람직한 구조를 설명하기 위한 사시도와 세로 방향의 단면도이다.
우선, 도 3a는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 구조의 바람직한 실시 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 레이저 다이오드는 도전성 기판(미도시); N-전극 패드(10); 박막 구조물; p-클래드층(미도시); p-오믹 금속층(30); 투명전극(60); 제 1 P-전극 패드(40) 및; 제 2 P-전극 패드(50);를 포함하는 구조로 이루어져 있다.
이때, 상기 도전성 기판은 n 타입 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN)계 기판인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 N-전극 패드(10)는 상기 도전성 기판 하부에 형성되어 있다.
한편, 상기 박막 구조물은 n-클래드(Clad)층, n-웨이브가이드(Waveguide)층, 활성층(20), 전자방지층(Electron Blocking Layer, EBL), p-웨이브가이드층이 순차 적으로 적층되어 이루어진 질화물계 반도체 구조물이며, 상기 도전성 기판 상부에 형성되어 있다.
여기서, 상기 p-클래드층은 상기 박막 구조물의 최상부를 이루고 있는 상기 p-웨이브가이드층 상부에 형성되며, 일직선으로 돌출된 리지(Ridge)가 상부에 형성되어 있다.
또한, 상기 p-오믹 금속층(30)은 상기 p-클래드층의 일직선으로 돌출된 상기 리지(Ridge)(A) 상부 면에만 형성되어 있다.
상기 제 1 P-전극 패드(40)는 p-오믹 금속층(30)과 상기 p-클래드층 상부의 중심 영역을 감싸며 형성되어 있다.
이어서, 상기 제 2 P-전극 패드(50)는 상기 제 1 P-전극 패드(40) 상부를 감싸며 형성되어 있다.
마지막으로, 상기 투명전극(60)은 제 1 및 제 2 P-전극 패드(40, 50)가 형성되어 있는 상기 p-오믹 금속층(30)과 상기 p-클래드층 상부의 중심 영역을 제외한 나머지 영역을 감싸며 형성되어 있다.
여기서, 상기 투명전극(60)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하는 것이 바람직하다.
도 3b는 도 3a에서 설명한 본 발명의 바람직한 레이저 다이오드 구조의 세로 방향의 단면도이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 레이저 다이오드는 상부 전극으로서 투 명전극(60)을 더 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 투명전극(60)은 도면에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드의 전면 미러(Mirror) 및 후면 미러(Mirror) 근처 각각 상부의 일부 영역에만 형성되어지는 구조인 것을 특징으로 한다.
다시 말해서, 상기 투명전극(60)은 제 1 P-전극 패드(40)와 제 2 P-전극 패드(50)가 형성된 중심부의 일부 영역을 제외한 나머지 영역의 p-클래드층과 p-오믹 금속층(30) 상부를 감싸며 형성되어진다.
본 발명의 레이저 다이오드는 상기와 같은 투명전극(60)을 사용함으로써 종래의 금속으로 이루어진 상부 전극에 비해서 광 흡수율이 낮고, 광의 흡수보다는 투과가 원활히 이루어지기 때문에, 레이저 다이오드 전극의 열적 안정성을 보다 향상시킬 수 있으며, 필름(Film) 형태로 두껍게 형성시키기 때문에, 종래와 같은 레이저 광 흡수 또는 열 에너지로 인한 상부 전극의 파괴 및 손상과 같은 문제점을 예방할 수 있다.
이때, 상기 투명전극(60)은 도면에 도시한 바와 같이 제 1, 제 2 P-전극 패드(40, 50)가 적층되어진 두께와 같은 두께로 형성되어진 것이 바람직하다.
한편, 이와 같이 제 1, 제 2 P-전극 패드(40,50)의 두께의 합과 동일한 두께로 형성시킨 상기 투명전극(60)은 종래의 미러(Mirror) 근처 상부의 일부 영역에만 얇게 형성시키던 제 1 P-전극 패드로 인해 발생하던 횡 방향으로의 전기적 저항 차이에 의한 전기적 불안정성을 해소시킬 수 있고, 따라서, 전기적인 안정성을 갖는 전극 특성을 구현할 수 있다.
도 4a와 도 4b는 참고적으로 레이저 다이오드의 전극 구조로써 부적절한 경우의 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a는 종래의 레이저 다이오드의 문제점을 보완하기 위해 도출된 전극 구조 가운데 첫 번째 구조이다.
도면에 도시된 바와 같이, 종래의 레이저 다이오드와 비교할 때, 구조적으로 가장 큰 차이점은 전면 미러(Mirror) 면에서 후면 미러(Mirror) 면까지 p-클래드층(미도시)의 리지(Ridge) 상부에 p-오믹 금속층(30)가 형성되어지고, 상기 p-오믹 금속층(30)을 모두 덮으며 상기 p-클래드층(미도시) 상부에 제 1 P-전극 패드(40)가 형성되어지며, 상기 제 1 P-전극 패드(40) 상부에 제 2 P-전극 패드(50)가 형성되어진 구조이다.
그러나, 이와 같은 전극 구조는 크게 다음과 같은 두 가지 문제점으로 인하여 적용하기가 곤란하다.
첫째로, 레이저 광을 공진시키는 역할을 하는 미러(Mirror) 면은 스크라이빙(Scribing) 또는 바 클리빙(Bar Cleaving) 공정을 통해 형성되어지는 자연 벽개면을 이용하게 되는데, 웨이퍼(Wafer) 단위의 레이저 다이오드 가공시, 벽개면이 만들어질 영역의 상부에 상기와 같은 두꺼운 금속으로 이루어진 제 2 P-전극 패드(50)가 형성되어 있으면, 금속 특유의 연성으로 인하여 분리(Cleavage)의 어려움이 있기 때문이다.
둘째로, 미러(Mirror) 면 부근의 영역은 레이저 다이오드에 있어서 광이 가 장 많이 집중되어지는 곳이기 때문에, 굴절 및 반사된 광에 의한 주변 영역의 광 흡수 또한 높은데, 상기와 같은 두꺼운 금속으로 이루어진 제 2 P-전극 패드(50)가 도시된 바와 같이 미러(Mirror) 부근 영역에까지 위치하게 되면, 출광되는 광에 의한 흡수가 보다 더 많이 일어나게 되고, 레이저 다이오드 전극의 열적 불안정성을 더욱 가중하기 때문이다.
도 4b는 종래의 레이저 다이오드의 문제점을 보완하기 위해 도출된 전극 구조 가운데 두 번째 구조이다.
여기서는, 종래의 레이저 다이오드 구조와 비교할 때, 도시된 바와 같이 p-오믹 금속층(30)이 전면 미러(Mirror) 면과 후면 미러(Mirror) 면 근처의 p-클래드층(미도시)과 리지(Ridge)의 일부 영역을 노출시킨 채로 중심 영역에만 상기 p-클래드층(미도시)의 리지(Ridge) 상부에 형성되어지고, 상기 p-오믹 금속층(30)과 중심 영역의 상기 p-클래드층(미도시) 상부를 덮으며 제 1 P-전극 패드(40)가 형성되어지며, 상기 제 1 P-전극 패드(40) 상부 전면에 제 2 P-전극 패드(50)가 형성되어진 구조라는 것이 가장 큰 차이점이다.
이와 같은 전극 구조 역시 다음과 같은 문제점으로 인하여 레이저 다이오드의 전극 구조로써 적용하는데 적합하지 못하다.
도면에 도시된 바와 같은 전극 구조는 CD(Compact Disk)-RW 용이나 DVD(Digital Versatile Disk)-RW 용 레이저 다이오드 구조에 흔히 사용하는 구조이다.
그러나, 블루레이 디스크(Blueray Disk, BD)-RW 레이저 다이오드의 공진거리(Cavity Length)는 상대적으로 짧은 편이어서, 이와 같은 상부 전극 구조를 갖도록 레이저 다이오드를 제작하게 되면 활성층(20)에 전기적인 주입(Injection)이 잘 되지 않기 때문에, 펄세이션(Pulsation)이 발생하는 문제점이 있다.
다시 말하자면, 이와 같은 전극 구조의 레이저 다이오드는 저출력 특성이 불안정하다는 문제점이 있다.
그러나, 이러한 문제점은 윈도우(Window) 영역, 즉, 전, 후면 미러(Mirror) 면 근처의 두 영역인, 도면상의 p-클래드층(미도시)이 노출되어 있는 좌, 우 상부의 두 영역의 폭을 공진거리(Cavity Length)를 확보할 수 있도록 약 5 마이크로미터 정도로 좁게 형성시킨다면 해결할 수 있다.
하지만, 현재의 미러 클리빙(Mirror Cleaving) 또는 스크라이빙(Scribing)을 하기 위한 반도체 설비 또는 공정 기술 수준으로는 아직까지 이와 같은 구조를 구현하는데 한계가 있다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시 예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 레이저 다이오드의 구조에 따르면, 광이 방출되는 전면 미러(Mirror) 면과 반대편의 후면 미러(Mirror) 면과 근접하는 상부 전극의 일부 영역에, 일반적인 전극 용도로 사용하는 금속에 비해서 광에 의한 에너지 흡수율이 낮은 투명전극을 상부 면이 제 2 P-전극 패드의 상부 면과 일치하는 높이로 두껍게 형성함으로써, 광 에너지 흡수 및 횡 방향으로의 전기적 저항 차이를 줄일 수 있으며, 종래의 미러(Mirror) 면 부근 상부 전극의 파괴 및 손상 문제를 해결할 수 있는 장점이 있고, 결과적으로, 레이저 다이오드 상부 전극의 열적 안정성 및 전기적 안정성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 레이저 다이오드 구조에 따르면, 미러(Mirror) 면 부근의 상부 전극으로 금속에 비해 연성이 낮은 투명전극을 사용함으로써, 웨이퍼(Wafer) 단위의 레이저 다이오드 제작 공정 중 미러 스크라이빙(Mirror Scribing) 공정이 용이하며, 균일한 미러(Mirror) 면을 확보할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. n 타입 불순물이 도핑된 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 하부에 형성되어 있는 N-전극 패드;
    상기 도전성 기판 상부에 형성되어 있으며, n-클래드층, n-웨이브가이드층, 활성층, 전자방지층, p-웨이브가이드층이 순차적으로 적층되어 이루어진 박막 구조물;
    상기 p-웨이브가이드층 상부에 형성되며, 상부 중앙이 스트라이프(Stripe) 형상의 리지(Ridge)로 돌출되어진 p-클래드층;
    상기 p-클래드층의 리지(Ridge) 상부에 형성된 p-오믹 금속층;
    상기 p-클래드층 상부의 일부 영역에 형성된 투명전극;
    상기 p-클래드층 상부의 나머지 영역에 형성된 제 1 P-전극 패드 및;
    상기 제 1 P-전극 패드 상부에 형성되어있는 제 2 P-전극 패드;를 포함하는 레이저 다이오드.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 투명전극은,
    ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 투명전극이 형성된 상기 p-클래드층 상부의 일부 영역은,
    레이저 광이 출광되는 면과 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 투명전극이 형성된 상기 p-클래드층 상부의 일부 영역은,
    레이저 광이 출광되는 면과 반대 면에 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 투명전극은,
    상기 제 2 P-전극 패드 상부 면과 높이가 일치하도록 형성한 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
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