JPH10178200A - 半導体光集積素子 - Google Patents
半導体光集積素子Info
- Publication number
- JPH10178200A JPH10178200A JP33943796A JP33943796A JPH10178200A JP H10178200 A JPH10178200 A JP H10178200A JP 33943796 A JP33943796 A JP 33943796A JP 33943796 A JP33943796 A JP 33943796A JP H10178200 A JPH10178200 A JP H10178200A
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- JP
- Japan
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- mesa
- photodiode
- emitting diode
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードの量子効率が高く、発光ダ
イオードの動作が安定な半導体光集積素子を提供する。 【解決手段】 メサ型ストライプ構造を有するリッジ導
波路型の発光ダイオードと、発光ダイオードと同様の構
造を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光
軸が同軸になるように形成された半導体光集積素子にお
いて、フォトダイオードの活性層がメサエッチングされ
て二段のメサ型ストライプ構造が形成されたことによ
り、フォトダイオード部４の量子効率が高くなり、メサ
型ストライプの寸断部１１が、二段のメサ型ストライプ
構造となっている部分よりスーパールミネッセントダイ
オード部３側に形成されることにより、スーパールミネ
ッセントダイオード部３がレーザ発振することなく動作
が安定な半導体光集積素子が得られる。
イオードの動作が安定な半導体光集積素子を提供する。 【解決手段】 メサ型ストライプ構造を有するリッジ導
波路型の発光ダイオードと、発光ダイオードと同様の構
造を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光
軸が同軸になるように形成された半導体光集積素子にお
いて、フォトダイオードの活性層がメサエッチングされ
て二段のメサ型ストライプ構造が形成されたことによ
り、フォトダイオード部４の量子効率が高くなり、メサ
型ストライプの寸断部１１が、二段のメサ型ストライプ
構造となっている部分よりスーパールミネッセントダイ
オード部３側に形成されることにより、スーパールミネ
ッセントダイオード部３がレーザ発振することなく動作
が安定な半導体光集積素子が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光集積素子
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体光集積素子には、リッジ導波路型
の発光ダイオード（或いはスーパールミネセントダイオ
ード）と、発光ダイオードと同様の構造を有するリッジ
導波路型のフォトダイオードとを同一の半導体基板上に
モノリシックに集積したものがある。
の発光ダイオード（或いはスーパールミネセントダイオ
ード）と、発光ダイオードと同様の構造を有するリッジ
導波路型のフォトダイオードとを同一の半導体基板上に
モノリシックに集積したものがある。
【０００３】このようなリッジ導波路型光集積素子は以
下のようにして製造される。
下のようにして製造される。
【０００４】まず結晶成長により素子構造を形成する。
その後、フォトリソグラフィにより同一幅のメサ型スト
ライプ構造を有する発光ダイオードとフォトダイオード
とを同時に形成する。このとき、エッチングは活性層ま
で行わずにその上部の適当なところで停止する。これ
は、活性層の材料や構造によって活性層までエッチング
しないほうが発光ダイオードの特性や信頼性の面で良い
場合があるためである。
その後、フォトリソグラフィにより同一幅のメサ型スト
ライプ構造を有する発光ダイオードとフォトダイオード
とを同時に形成する。このとき、エッチングは活性層ま
で行わずにその上部の適当なところで停止する。これ
は、活性層の材料や構造によって活性層までエッチング
しないほうが発光ダイオードの特性や信頼性の面で良い
場合があるためである。
【０００５】一方、フォトダイオードについては活性層
を貫通してエッチングしたメサ型ストライプ構造とした
方が良いため、エッチング後、発光ダイオードをマスク
してフォトダイオードのみ活性層を貫通するように追加
のメサエッチングを行う。
を貫通してエッチングしたメサ型ストライプ構造とした
方が良いため、エッチング後、発光ダイオードをマスク
してフォトダイオードのみ活性層を貫通するように追加
のメサエッチングを行う。
【０００６】さらに両ダイオードの電気的なアイソレー
ションをとるために、両ダイオードの境界部でメサ型ス
トライプ構造を寸断し、その後で電極等を形成すること
によりリッジ導波路型光集積素子が得られる。
ションをとるために、両ダイオードの境界部でメサ型ス
トライプ構造を寸断し、その後で電極等を形成すること
によりリッジ導波路型光集積素子が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、両ダイオー
ドの境界部でメサ型ストライプ構造を寸断する際の寸断
位置に関しての検討は特にされておらず、フォトダイオ
ード側に形成されるのが一般的であった。
ドの境界部でメサ型ストライプ構造を寸断する際の寸断
位置に関しての検討は特にされておらず、フォトダイオ
ード側に形成されるのが一般的であった。
【０００８】発光ダイオードとフォトダイオードとを同
時に同一幅のメサ型ストライプ構造を形成する従来の半
導体光集積素子では、発光ダイオード部及びフォトダイ
オードのストライプ幅は基本的に等しい。
時に同一幅のメサ型ストライプ構造を形成する従来の半
導体光集積素子では、発光ダイオード部及びフォトダイ
オードのストライプ幅は基本的に等しい。
【０００９】しかしながら、発光ダイオードでの光のエ
ネルギー分布はストライプ幅よりも広くなっているの
で、発光ダイオードと同一のストライプ幅のフォトダイ
オードでは発光ダイオード後端からの光を高効率で受光
することができない。
ネルギー分布はストライプ幅よりも広くなっているの
で、発光ダイオードと同一のストライプ幅のフォトダイ
オードでは発光ダイオード後端からの光を高効率で受光
することができない。
【００１０】また、従来の半導体光集積素子ではフォト
ダイオードの追加エッチングの際のサイドエッチングに
より、フォトダイオードのストライプ幅が発光ダイオー
ドのストライプ幅よりも細くなるため、光の損失が大き
くなり、量子効率が低下する等の問題があった。
ダイオードの追加エッチングの際のサイドエッチングに
より、フォトダイオードのストライプ幅が発光ダイオー
ドのストライプ幅よりも細くなるため、光の損失が大き
くなり、量子効率が低下する等の問題があった。
【００１１】さらに、フォトダイオードの活性層が歪量
子井戸構造を有する場合、活性層を貫通してエッチング
する際に、活性層のメサ側面で歪量子井戸構造がその歪
のために乱れ、この乱れが受光領域に含まれていると受
光特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
子井戸構造を有する場合、活性層を貫通してエッチング
する際に、活性層のメサ側面で歪量子井戸構造がその歪
のために乱れ、この乱れが受光領域に含まれていると受
光特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
【００１２】しかも、メサ型ストライプの寸断部がフォ
トダイオード側に位置していると、追加エッチングを行
った領域と、そうでない領域との境界線が、発光ダイオ
ードの後端部と略一致するので、境界部の段差面で光の
反射が生じて発光ダイオードがレーザ発振して動作が不
安定になることがある。
トダイオード側に位置していると、追加エッチングを行
った領域と、そうでない領域との境界線が、発光ダイオ
ードの後端部と略一致するので、境界部の段差面で光の
反射が生じて発光ダイオードがレーザ発振して動作が不
安定になることがある。
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、フォトダイオードの量子効率が高く、発光ダイオー
ドの動作が安定な半導体光集積素子を提供することにあ
る。
し、フォトダイオードの量子効率が高く、発光ダイオー
ドの動作が安定な半導体光集積素子を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、メサ型ストライプ構造を有するリッジ導波
路型の発光ダイオードと、発光ダイオードと同様の構造
を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光軸
が同軸になるように形成された半導体光集積素子におい
て、フォトダイオードの活性層がメサエッチングされて
二段のメサ型ストライプ構造が形成されたものである。
に本発明は、メサ型ストライプ構造を有するリッジ導波
路型の発光ダイオードと、発光ダイオードと同様の構造
を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光軸
が同軸になるように形成された半導体光集積素子におい
て、フォトダイオードの活性層がメサエッチングされて
二段のメサ型ストライプ構造が形成されたものである。
【００１５】上記構成に加え本発明は、発光ダイオード
とフォトダイオードとの境界部に電気的アイソレーショ
ンをとるためのメサ型ストライプの寸断部が、二段のメ
サ型ストライプ構造となっている部分より発光ダイオー
ド側に形成されるのが好ましい。
とフォトダイオードとの境界部に電気的アイソレーショ
ンをとるためのメサ型ストライプの寸断部が、二段のメ
サ型ストライプ構造となっている部分より発光ダイオー
ド側に形成されるのが好ましい。
【００１６】本発明によれば、発光ダイオードからフォ
トダイオード側へ出射される光が効率よくフォトダイオ
ード内に取り込まれるので、フォトダイオードの量子効
率が向上する。また、フォトダイオードの活性層が歪量
子井戸構造を有する場合には、追加エッチングによるメ
サ型ストライプの側面を受光領域外に形成することによ
り、メサ型ストライプの側面での歪量子井戸構造の乱れ
による悪影響も回避できる。
トダイオード側へ出射される光が効率よくフォトダイオ
ード内に取り込まれるので、フォトダイオードの量子効
率が向上する。また、フォトダイオードの活性層が歪量
子井戸構造を有する場合には、追加エッチングによるメ
サ型ストライプの側面を受光領域外に形成することによ
り、メサ型ストライプの側面での歪量子井戸構造の乱れ
による悪影響も回避できる。
【００１７】また、メサ型ストライプの寸断部を、二段
のメサ型ストライプ構造となっている部分より発光ダイ
オード側に形成することにより、発光ダイオードに対し
て実質的に窓構造を付加したことになり、発光ダイオー
ドのフォトダイオード側での反射率が低減する。この結
果レーザ発振が抑制される。
のメサ型ストライプ構造となっている部分より発光ダイ
オード側に形成することにより、発光ダイオードに対し
て実質的に窓構造を付加したことになり、発光ダイオー
ドのフォトダイオード側での反射率が低減する。この結
果レーザ発振が抑制される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１９】図１は本発明の半導体光集積素子の一実施
の形態を示す外観斜視図であり、図２は図１に示した半
導体光集積素子のメサ型ストライプの形状を示す模式図
である。
の形態を示す外観斜視図であり、図２は図１に示した半
導体光集積素子のメサ型ストライプの形状を示す模式図
である。
【００２０】図１及び図２に示す半導体光集積素子１
は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に形成されたスーパールミネ
ッセントダイオード部３及びフォトダイオード部４から
なっている。
は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に形成されたスーパールミネ
ッセントダイオード部３及びフォトダイオード部４から
なっている。
【００２１】スーパールミネッセントダイオード部３及
びフォトダイオード部４において、ｎ型ＧａＡｓ基板上
２に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５と、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ光ガイド層６と、二重量子井戸構造の活性層７
と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層８と、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ上部クラッド層９と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０
とが順次形成され、かつ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層
６〜ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０がメサ形ストライプ
構造を形成している。両ダイオード部３，４は光軸が同
軸になるように形成されており、フォトダイオード部４
はその活性層７がメサエッチングされた二段のメサ型ス
トライプ構造を有している。
びフォトダイオード部４において、ｎ型ＧａＡｓ基板上
２に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５と、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ光ガイド層６と、二重量子井戸構造の活性層７
と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層８と、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ上部クラッド層９と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０
とが順次形成され、かつ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層
６〜ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０がメサ形ストライプ
構造を形成している。両ダイオード部３，４は光軸が同
軸になるように形成されており、フォトダイオード部４
はその活性層７がメサエッチングされた二段のメサ型ス
トライプ構造を有している。
【００２２】スーパールミネッセントダイオード部３と
フォトダイオード部４との境界部には、電気的アイソレ
ーションをとるためのメサ型ストライプの寸断部１１
が、二段のメサ型ストライプ構造となっている部分より
スーパールミネッセントダイオード部３側に形成されて
いる。
フォトダイオード部４との境界部には、電気的アイソレ
ーションをとるためのメサ型ストライプの寸断部１１
が、二段のメサ型ストライプ構造となっている部分より
スーパールミネッセントダイオード部３側に形成されて
いる。
【００２３】
【実施例】このような半導体光集積素子の製造方法につ
いて数値を挙げて説明するが限定されるものではない。
いて数値を挙げて説明するが限定されるものではない。
【００２４】図１において、ｎ形ＧａＡｓ基板２上に分
子線エピタキシー法を用いてｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
下部クラッド層（厚さ約１．５μｍ）５、ｎ−Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層（厚さ約０．１μｍ）６、ｕｎ
−Ｉｎ0.21Ｇａ0.79Ａｓ歪量子井戸層１２及びｕｎ−Ｇ
ａＡｓ障壁層１３からなる二重量子井戸構造の活性層
７、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層（厚さ約０．
１μｍ）８、ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ上部クラッド層
（厚さ約１．５μｍ）９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
（厚さ約０．２μｍ）１０を順次エピタキシャル成長に
よって形成する。
子線エピタキシー法を用いてｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
下部クラッド層（厚さ約１．５μｍ）５、ｎ−Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層（厚さ約０．１μｍ）６、ｕｎ
−Ｉｎ0.21Ｇａ0.79Ａｓ歪量子井戸層１２及びｕｎ−Ｇ
ａＡｓ障壁層１３からなる二重量子井戸構造の活性層
７、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層（厚さ約０．
１μｍ）８、ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ上部クラッド層
（厚さ約１．５μｍ）９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
（厚さ約０．２μｍ）１０を順次エピタキシャル成長に
よって形成する。
【００２５】図２に示すようにスーパールミネッセント
ダイオード部３及びフォトダイオード部４にストライプ
幅５μｍの直線パターンを、フォトリソグラフィを用い
てフォトレジストにより形成する。このフォトレジスト
をマスクとして、ウエットエッチングによりメサを形成
する。エッチングはｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ上部クラ
ッド層９を０．２μｍ残した位置で停止し、リッジ型の
光導波路構造を形成する。尚、このとき両ダイオード部
３，４の境界部で電気的アイソレーションをとるために
１０μｍにわたってメサが除去される。
ダイオード部３及びフォトダイオード部４にストライプ
幅５μｍの直線パターンを、フォトリソグラフィを用い
てフォトレジストにより形成する。このフォトレジスト
をマスクとして、ウエットエッチングによりメサを形成
する。エッチングはｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ上部クラ
ッド層９を０．２μｍ残した位置で停止し、リッジ型の
光導波路構造を形成する。尚、このとき両ダイオード部
３，４の境界部で電気的アイソレーションをとるために
１０μｍにわたってメサが除去される。
【００２６】同様に、図２に示す追加エッチング領域４
ａ以外の領域をレジストでマスクし、活性層７の下、ｎ
−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ下部クラッド層５の途中までエ
ッチングを行う。この追加エッチング領域４ａは、上述
した１０μｍの寸断部１１がスーパールミネッセントダ
イオード部３側になるように設定されている。
ａ以外の領域をレジストでマスクし、活性層７の下、ｎ
−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ下部クラッド層５の途中までエ
ッチングを行う。この追加エッチング領域４ａは、上述
した１０μｍの寸断部１１がスーパールミネッセントダ
イオード部３側になるように設定されている。
【００２７】次にｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ上部クラッ
ド層９の上部全面にＳｉＯ2 膜１４を堆積し、メサ型ス
トライプ上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０まで達する
スルーホールを形成し、その上にｐ側電極１５，１６を
形成し、ｎ形ＧａＡｓ基板２の裏面にｎ側電極１７を形
成し、ｎ形ＧａＡｓ基板２の両端を劈開することにより
半導体光集積素子１が得られる。尚、スーパールミネッ
セントダイオード部３側の端面には低反射膜１８をコー
ティングした。
ド層９の上部全面にＳｉＯ2 膜１４を堆積し、メサ型ス
トライプ上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０まで達する
スルーホールを形成し、その上にｐ側電極１５，１６を
形成し、ｎ形ＧａＡｓ基板２の裏面にｎ側電極１７を形
成し、ｎ形ＧａＡｓ基板２の両端を劈開することにより
半導体光集積素子１が得られる。尚、スーパールミネッ
セントダイオード部３側の端面には低反射膜１８をコー
ティングした。
【００２８】このような半導体光集積素子１において、
スーパールミネッセントダイオード部３からフォトダイ
オード部４側へ出射される光が効率よくフォトダイオー
ド部４内に取り込まれるので、フォトダイオード部４の
量子効率が向上する。また、フォトダイオード部４の活
性層７が歪量子井戸構造を有する場合には、追加エッチ
ングによるメサ型ストライプの側面を受光領域外に形成
することにより、メサ型ストライプの側面での歪量子井
戸構造の乱れによる悪影響も回避できる。
スーパールミネッセントダイオード部３からフォトダイ
オード部４側へ出射される光が効率よくフォトダイオー
ド部４内に取り込まれるので、フォトダイオード部４の
量子効率が向上する。また、フォトダイオード部４の活
性層７が歪量子井戸構造を有する場合には、追加エッチ
ングによるメサ型ストライプの側面を受光領域外に形成
することにより、メサ型ストライプの側面での歪量子井
戸構造の乱れによる悪影響も回避できる。
【００２９】さらに、メサ型ストライプの寸断部１１
を、二段のメサ型ストライプ構造となっている部分より
スーパールミネッセントダイオード部３側に形成するこ
とにより、スーパールミネッセントダイオード部３に対
して実質的に窓構造を付加したことになり、スーパール
ミネッセントダイオード部３のフォトダイオード部４側
での反射率が低減する。この結果、スーパールミネッセ
ントダイオード部３がレーザ発振することが抑制され
る。
を、二段のメサ型ストライプ構造となっている部分より
スーパールミネッセントダイオード部３側に形成するこ
とにより、スーパールミネッセントダイオード部３に対
して実質的に窓構造を付加したことになり、スーパール
ミネッセントダイオード部３のフォトダイオード部４側
での反射率が低減する。この結果、スーパールミネッセ
ントダイオード部３がレーザ発振することが抑制され
る。
【００３０】本発明の半導体光集積素子におけるフォト
ダイオード部４の量子効率は約４５〜５５％であった
が、従来の半導体光集積素子のフォトダイオードの量子
効率は１０％未満であった。さらに本発明の半導体光集
積素子におけるスーパールミネッセントダイオード部３
がレーザ発振したものは皆無であったが、従来の半導体
光集積素子の発光ダイオードは２割程度がレーザ発振し
た。
ダイオード部４の量子効率は約４５〜５５％であった
が、従来の半導体光集積素子のフォトダイオードの量子
効率は１０％未満であった。さらに本発明の半導体光集
積素子におけるスーパールミネッセントダイオード部３
がレーザ発振したものは皆無であったが、従来の半導体
光集積素子の発光ダイオードは２割程度がレーザ発振し
た。
【００３１】尚、本実施の形態ではスーパールミネッセ
ントを用いた場合で説明したが、これに限定されず通常
の発光ダイオードを用いてもよい。
ントを用いた場合で説明したが、これに限定されず通常
の発光ダイオードを用いてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３３】フォトダイオードの活性層がメサエッチン
グされた二段のメサ型ストライプ構造を有することによ
り、フォトダイオードの量子効率が高くなり、メサ型ス
トライプの寸断部が、二段のメサ型ストライプ構造とな
っている部分より発光ダイオード側に形成されることに
より、発光ダイオードの動作が安定な半導体光集積素子
が得られる。
グされた二段のメサ型ストライプ構造を有することによ
り、フォトダイオードの量子効率が高くなり、メサ型ス
トライプの寸断部が、二段のメサ型ストライプ構造とな
っている部分より発光ダイオード側に形成されることに
より、発光ダイオードの動作が安定な半導体光集積素子
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体光集積素子の一実施の形態を示
す外観斜視図である。
す外観斜視図である。
【図２】図１に示した半導体光集積素子のメサ型ストラ
イプの形状を示す模式図である。
イプの形状を示す模式図である。
２ ｎ型ＧａＡｓ基板（基板） ３ スーパールミネッセントダイオード部（発光ダイオ
ード） ４ フォトダイオード部 １１ 寸断部
ード） ４ フォトダイオード部 １１ 寸断部
Claims (2)
- 【請求項１】 メサ型ストライプ構造を有するリッジ導
波路型の発光ダイオードと、該発光ダイオードと同様の
構造を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に
光軸が同軸になるように形成された半導体光集積素子に
おいて、上記フォトダイオードの活性層がメサエッチン
グされて二段のメサ型ストライプ構造が形成されたこと
を特徴とする半導体光集積素子。 - 【請求項２】 上記発光ダイオードと上記フォトダイオ
ードとの境界部に電気的アイソレーションをとるための
メサ型ストライプの寸断部が、上記二段のメサス型トラ
イプ構造となっている部分より上記発光ダイオード側に
形成された請求項１に記載の半導体光集積素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33943796A JPH10178200A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33943796A JPH10178200A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体光集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178200A true JPH10178200A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18327463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33943796A Pending JPH10178200A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体光集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10178200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564883B2 (en) | 2004-06-07 | 2009-07-21 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR20160115095A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP33943796A patent/JPH10178200A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564883B2 (en) | 2004-06-07 | 2009-07-21 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR20160115095A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
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