JPH0846291A

JPH0846291A - 半導体レーザおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH0846291A
Application number: JP18333694A
Authority: JP
Inventors: Hideto Adachi; 秀人足立; Toshiya Fukuhisa; 敏哉福久; Isao Kidoguchi; 勲木戸口; Seiji Onaka; 清司大仲
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-08-04
Filing date: 1994-08-04
Publication date: 1996-02-16
Anticipated expiration: 2017-01-15
Also published as: JP3246207B2

Abstract

(57)【要約】【目的】素子抵抗の低い面発光レーザを提供する。特
に格子不整合系において、欠陥の少ない活性層を有する
面発光レーザを提供する。【構成】サファイア基板１０１上にＭＯＣＶＤ法によ
りｎ型ＧａＮ／ＡｌＮ半導体多層膜からなる第１の反射
器１０２を積層する。次に第１の絶縁膜１０３をＣＶＤ
法により約４０００オングストローム堆積する。直径１
０μｍの円形部分を残してレジストエッチングマスクを
形成する。ドライエッチングにより前記第１の反射器１
０２が露出するまで前記第１の絶縁膜１０３をエッチン
グする。続いてＭＯＣＶＤ法によりＩｎＧａＮからなる
活性層１０４を選択成長する。活性層１０４は微小領域
に成長されるのでサファイア基板との格子不整合による
応力歪みが外部へ拡散され、欠陥の少ない結晶を積層す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板に対して垂直方向
にレーザ光を放射する機能を有し、高集積化が可能で光
ファイバなどの光伝送路との光学結合が容易な面発光型
半導体レーザの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体結晶成長における膜厚制御
性が向上したことなどからレーザ共振器の反射器に半導
体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザの開発が盛
んに行われている。垂直共振器型面発光レーザは従来の
半導体レーザのように共振器を形成するために結晶のへ
き開面を利用する必要がないため製造工程が簡素化され
大量生産、大規模集積化が容易であるという特徴を備え
ている。さらにメサの直径を制御することにより出射光
の広がり角度を小さくすることができるため、光ファイ
バなどの光伝送路との光学結合が容易となるなど、さま
ざまな特徴を備えている。例えば、エレクトロニクスレ
ターズの１９８９年８月第２５巻１１２３ページに示さ
れる構成が一般的である。図８は垂直共振器型面発光レ
ーザの断面構造を示している。製造方法は、ｎ型のＧａ
Ａｓ半導体からなる基板８０５上にｎ型のＧａＡｓとＡ
ｌＡｓの多層膜からなる第１の反射器８０４とＩｎＧａ
Ａｓ量子井戸層を含む活性層８０３と、ｐ型のＧａＡｓ
とＡｌＡｓの多層膜からなる第２の反射器８０２を積層
し、電流狭窄のためにエッチングによってメサ構造を作
製する。その後、ｎ側ｐ側にそれぞれ電極を形成する。
この材料系の場合、出力光が基板８０５に対して透明で
あるため上方下方のどちらにでも出力することができ
る。図８は下方出力の場合を示しているが、上方出力の
場合は、第２の反射器８０２側の電極に窓を設ければよ
い。

【０００３】一方、このような垂直共振器型面発光レー
ザの問題点として、素子抵抗が挙げられる。反射器が電
流経路として利用されるが、反射器として用いる半導体
多層膜は２つの異なる屈折率を有する材料を交互に積層
したものであり、それぞれの界面はヘテロ接合となる。
これは高い障壁を有しその層数も多数となることから、
特にｐ型伝導型層において素子抵抗を増加させる原因と
なる。アプライドフィジックスレターズの１９９１年９
月第５９巻１１４７ページに示される例について説明す
る。図９は、抵抗を低減するためにｐ型の反射器の電流
経路面積を大きくした垂直共振器型面発光レーザの断面
構造図である。ここでは前記従来例における構成の他に
選択エッチングが可能なアンダーカット層９０５を設け
ている。ｐ型反射器９０９のメサエッチングを行う際に
その面積を大きくとり、アンダーカット層にサイドエッ
チングを行うことにより電流狭窄構造を作製している。

【０００４】ここで、電流経路面積が素子抵抗に及ぼす
影響について簡単に述べておく。図１０に、ベリリウム
を５×１０18（ｃｍー3）ドーピングしたｐ型ＧａＡｓ／
ＡｌＡｓ層１２ペアに垂直方向に電圧を印加した場合の
電流電圧特性を示す。熱電子放出理論を用い、円形メサ
の直径が１０、１００、２００、５００μｍのものにつ
いて計算を行った。また、直径１０μｍのメサについて
は実験データを添えている。これより、通常面発光レー
ザに用いられているメササイズ（直径１０μｍ）を１０
０μｍ程度にまで増加すると効果的な素子抵抗の低減が
はかれることが分かる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】第１の課題はＡｌＧａ
Ｎ系の材料では劈開面を得ることが非常に困難であるこ
とが挙げられる。ＡｌＧａＮ系の結晶は硬度が高く、と
くに基板にサファイアを用いた場合には劈開が不可能で
ある。従って、通常の端面発光型半導体レーザを作製す
る場合端面の形成を他の方法、例えばウエットエッチン
グなどを用いて行う必要がある。これは、レーザ特性の
みならず歩留まり、量産性にも大きな悪影響を与える。
本発明の第１の目的は劈開による端面形成を行うことな
く歩留まりの良い半導体レーザを提供することにある。

【０００６】第２の課題は面発光レーザにおいては素子
抵抗が大きいことであり、それを解決した前記第２の従
来例の場合にも製造工程が複雑で非常に不安定であるこ
とが課題となっている。とくに、ウエットエッチングを
用いてサイドエッチング量を制御することは困難であ
り、活性層８０６での発光領域が一定の大きさにならな
い。これは実用上それを用いた光学系を設計する場合な
どに非常に大きな問題となる。さらにｐ型反射器８０９
が微小領域のアンダーカット層８０５だけで支えられた
構造となっており、信頼性の悪いものとなってしまう。
また、メサの直径を大きくとってしまうと電流の狭窄効
果があらわれずしきい値電流が増加してしまう。本発明
の第２の目的は、安定な製造工程を用いて電流経路面積
が大きく抵抗の低い垂直共振器型面発光レーザを提供す
ることにある。

【０００７】第３の課題は、例えばサファイア基板上の
ＡｌＧａＮ系の場合のように基板に対して格子定数が整
合していない場合、１度の成長で必要な層を積層すると
活性層領域にまで欠陥が生じ特性を悪化させてしまう。
本発明の第３の目的はサファイア基板上のＡｌＧａＮ系
のように格子不整合な場合でも欠陥の少ない活性層を積
層し、発光特性の良好な面発光レーザを提供することに
ある。

【０００８】第４の課題は、成長を中断し表面が大気に
さらされた後再成長する場合に、表面が汚染され次に成
長される層の結晶性が劣化したり、デバイスの信頼性を
低下させたりすることである。本発明の第４の目的はＡ
ｌＧａＮ系において大気にふれた後の再成長時でも結晶
性のよい層を成長する方法を提供することにある。

【０００９】第５の課題は、偏光方向の安定性である。
従来の垂直共振器型面発光レーザでは共振器内における
伝搬光のＴＥモードとＴＭモードの伝送損失がほぼ等し
いため両偏光方向の発振光が観測される。したがって垂
直共振器型面発光レーザを大きい偏光比が要求されるシ
ステムに応用する場合には偏光子の挿入等の必要が生じ
る。本発明の第５の目的は素子単体で偏光比の大きなレ
ーザ光を出力することのできる面発光レーザを提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記第１第２および第３
の課題を解決するために、基板上に多層膜からなり第１
の伝導型を有する第１の反射器を積層する工程と、前記
第１の反射器上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記
第１の絶縁膜の一部を除去し前記第１の反射器の表面を
露出する工程と、前記第１の反射器の露出した部分に半
導体結晶からなる活性層を選択成長する工程と、前記第
１の絶縁膜を除去する工程と、前記活性層上に第２の絶
縁膜を積層する工程と、前記第１の反射器の露出した表
面に第２の伝導型を有する半導体層と第１の伝導型を有
する半導体層からなる電流ブロック層を選択成長する工
程と、前記第２の絶縁膜を除去する工程と、半導体多層
膜からなり第２の伝導型を有する第２の反射器を積層す
る工程で半導体レーザの製造方法を構成し、前記第４の
課題を解決するために、チャンバー内にて基板上にＡｌ
ＧａＮを含む第１の結晶を成長する工程と、前記第１の
結晶上にＩｎＮからなる薄膜を成長する工程と、前記基
板をチャンバーの外に取り出す工程と、前記基板を加工
する工程と、前記基板を前記チャンバー内に戻す工程
と、ＮＨ３の雰囲気中で高温状態に保ち前記ＩｎＮから
なる薄膜を除去する工程と、前記基板状にＡｌＧａＮを
含む第２の結晶を成長する工程で半導体レーザの製造方
法を構成し、前記第５の課題を解決するために、前記基
板と前記基板の表面に作製された垂直共振器を有する面
発光レーザと、交互に配置された絶縁体と金属のストラ
イプ構造を有する構造で面発光レーザを構成する。

【００１１】

【作用】本発明の半導体レーザの製造方法では、活性層
を成長する際に基板上において部分的に選択成長するこ
とによって電流狭窄構造を作製し、その後さらに選択成
長によって電流ブロック層を成長し、絶縁膜を除去し反
射器を積層する。上記の構成では、電流狭窄領域は絶縁
膜のパターン化精度で決定できるため非常に安定した制
御を行うことができる。また、有機材料などで埋め込む
必要がなく、全て結晶で埋め込むため長期信頼性を確保
できる。さらに、活性層を微小領域への選択成長によっ
て成長するため、基板に対して格子不整合な材料系の場
合でも歪みを緩和し欠陥の少ない良質の結晶を得ること
ができる。

【００１２】また、本発明の半導体レーザの製造方法で
は、再成長されるべき基板表面上にＩｎＮの薄膜をあら
かじめ形成しておき、大気にさらされた後再びチャンハ゛
ー内に導入する。その後、高温に保つことによってＩｎ
を含む窒化物とＩｎを含まない窒化物の蒸気圧の違いを
利用して前記ＩｎＮ薄膜を除去し、良好な表面を露出し
再成長を行う。その結果再成長表面を大気にさらすこと
なく良好な再成長結晶を得ることができる。

【００１３】また、本発明の半導体レーザの構成では、
絶縁体と金属がストライプ状に形成された基板は、基板
に垂直に入射する光に対して偏光子の役割を果たす。こ
の構造を垂直共振器型面発光レーザの基板に直接形成す
ることにより、偏光制御可能な面発光レーザを得ること
ができる。

【００１４】

【実施例】本発明の第１の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１は第１の実施例における製造工程
断面図である。サファイアで構成される基板１０１上に
ｎ型ＧａＮ／ＡｌＮからなる第１の反射器１０２を積層
する。ここでＧａＮとＡｌＮの厚さはそれぞれ発振波長
の４分の１光路長となるように設計する。面発光レーザ
の場合第１及び第２の反射器の反射率は９９％以上とな
る必要があり厚さの精度としては２から３モノレイヤー
が必要となる。そのため成長方法としてはＭＢＥ法また
は高精度ＭＯＣＶＤ法が必要となる。ここではＭＯＣＶ
Ｄ法を用いた。次に酸化膜からなる第１の絶縁膜１０３
をＣＶＤ法により約４０００オングストローム堆積す
る。ホトリソグラフィー技術により活性層１０４の領域
として設計された大きさのパターンを残してレジストエ
ッチングマスクを形成する。ここでは活性層領域を直径
１０μｍの円形とした。四フッ化炭素を用いたドライエ
ッチングにより前記第１の反射器１０２が露出するまで
前記第１の絶縁膜１０３をエッチングする。続いてＭＯ
ＣＶＤ法によりＩｎＧａＮからなる活性層１０４を選択
成長する。その際、ＩｎＧａＮは絶縁膜上には成長せ
ず、直径１０μｍの円形パターン上に積層される。ここ
で、ＡｌＧａＮクラッド層を同時に成長しても良い。活
性層１０４は微小領域に成長されるのでサファイア基板
との格子不整合による応力歪みが外部へ拡散され、欠陥
の少ない結晶を積層することができる。次に、第１の絶
縁膜１０３をフッ酸により除去し、先ほどと同様の方法
で活性層１０４上に酸化膜からなる第２の絶縁膜１０５
を形成する。そして、ｐ型のＧａＮ、ｎ型のＧａＮを順
次選択成長する。これは電流狭窄を行うための電流ブロ
ック層１０６となる。再び酸化膜を除去し、最後にｐ型
のＧａＮ／ＡｌＮからなる第２の反射器１０７を積層す
る。この後、電極形成、実装工程と経るがここでは省略
する。

【００１５】図２に、完成した面発光レーザの断面構造
図を示す。サファイア基板２０７は絶縁体であるので、
電極は第１第２ともに反射器側に形成されている。電流
経路は太線矢印で示されるように第２の反射器２０３に
おいては広がっており経路面積としては非常に大きくな
っていることが分かる。その後、電流ブロック層２０５
によって狭窄され活性層２０４を流れ、第２の電極２０
８へと達する。ここで、第１の電極２０２は全面に蒸着
されており出力光２０９は基板２０７裏面から取り出す
構成となっている。また、基板２０７裏面に無反射コー
ティングを施すと出力光２０９の損失が低減できること
は言うまでもない。第１の電極２０２を活性層２０４上
に窓を設けた構造とし、出力光を上方に取り出す構成と
することも可能である。このときは第１の反射器２０６
の反射率を増加させる必要がある。図３に改善された電
流電圧特性と第１の従来例の特性を示す。本発明の方法
を用いると、第１の従来例よりも電流経路面積を大きく
形成することができ抵抗特性が大きく改善されているこ
とが分かる。第２の従来例では、サイドエッチングを利
用しているために電流経路面積をある程度大きく取るこ
とはできるが非常に不安定な製造工程を必要とし量産化
も困難である。それに比べ、この方法によると安定な製
造工程で量産化にも対応が可能である。

【００１６】次に、本発明の第２の実施例について述べ
る。図４は面発光レーザの第２の実施例における製造工
程の断面図であり、以下に順を追って説明する。はじめ
に第１の実施例と同様に基板４０１上に第１の反射器４
０２を成長する。次に約５０ÅのＩｎＮ結晶薄膜を成長
する（Ａ）。このとき成長温度は若干低下させる必要が
ある。一旦チャンバーの外に出した後、第１の絶縁膜４
０４を堆積し、ホトリソグラフィ、ドライエッチングを
用いてパターン化する（Ｂ）。チャンバー内に導入した
後、ＮＨ３の雰囲気中で約８００℃に保つ。ＩｎＮと第
１の反射器を構成するＡｌＧａＮとの蒸気圧の差によ
り、パターン化され露出した部分のＩｎＮ結晶薄膜のみ
が昇華されＡｌＧａＮの表面が現れる（Ｃ）。その後、
活性層４０５、前記第１のＩｎＮ結晶薄膜４０３と同様
の第２のＩｎＮ結晶薄膜を選択成長する（Ｄ）。再度チ
ャンバー外に取り出し、前記第２のＩｎＮ結晶薄膜上に
第２の絶縁膜４０７を堆積、パターン化し、チャンバー
内に戻す（Ｅ）。ここで先ほどと同様の高温状態に保つ
ことによって第１のＩｎＮ結晶薄膜を除去し（Ｆ）電流
ブロック層４０８を積層する（Ｇ）。再びチャンバー外
にて第２の絶縁膜を除去する（Ｈ）。最後に、チャンバ
ー内に導入し、高温状態に保ち第２のＩｎＮ結晶薄膜４
０６を除去し、第２の反射器４０９を成長する。以上の
方法によって前記活性層およびその両側のヘテロ界面は
大気にさらされることなく面発光レーザを作製すること
が可能となる。

【００１７】次に、本発明の第３の実施例について述べ
る。図５は偏光制御が可能な垂直共振器型面発光レーザ
の断面図である。材料系はＡｌＧａＮ系である。基本的
構成は第１の従来例と同様であるが、第１第２の電極を
ともに基板５０６の表側に配置している。サファイアか
らなる基板５０６裏面には酸化膜からなる絶縁膜と金か
らなる金属のストライプから構成される偏光子が形成さ
れている。絶縁体と金属がストライプ状に形成される基
板は、基板に垂直に入射する光に対して偏光子の役割を
果たす。従来の垂直共振器型面発光レーザでは共振器内
における伝搬光のＴＥモードとＴＭモードの伝送損失が
ほぼ等しいため両偏光方向の発振光が観測されていた
が、本発明の構成を用いることによって、単一素子で偏
光方向の制御された出力光を得ることができる。図６に
出力光６０５の偏光の様子を示す。前記ストライプ構造
を作製していない面発光レーザ６０１を用いた場合、図
６（Ａ）で表されるように互いに垂直な偏光方向（６０
３第１の偏光方向、６０４第２の偏光方向）ともにほぼ
同じ強度で出力される。しかしながら、図６（Ｂ）のよ
うに前記ストライプ構造を作製してある場合はその偏光
子としての作用により基板側から出射される互いに垂直
な偏光方向をもつ光のうち、ストライプ構造６０６の方
向に平行に振動する偏光モードがスポイルされるため、
この素子からの出射光を外部で観測するとストライプ方
向に垂直に振動する第２の偏光方向６０４のモードの出
力光６０５のみが観測される。この実施例に示す構成を
用いることにより得られる効果は、光学系を構成する場
合に、通常用いなければならない偏光ビームスプリッタ
を使う必要が無くなることである。半導体レーザの出力
光は２つの偏光モードを有するため、必要でない偏光モ
ードを除去するためにいくつかの光学部品を導入する必
要があり、多くのスペースと費用を有していた。この実
施例に示す構成では一方の偏光モードをほぼ完全に除去
することができるため、余分な光学部品が不必要となり
大きな効果が期待される。

【００１８】次に本発明の第４の実施例である偏光子の
製造方法を図７を用いて説明する。本発明の実施例１で
述べた方法で面発光レーザを作製した後、金７０４の薄
膜４０００Åを基板７０３の裏面の全面に蒸着する。次
にレジストを基板の両面に塗布する（Ａ）。表面側には
以降の工程中、面発光レーザ７０２を保護する目的で第
１のレジスト７０１が塗布されている。裏面側のみフォ
トリソグラフィ技術によって出射光の波長程度の幅およ
び間隔のピッチを有するストライプパターンに転写する
（Ｂ）。次に基板裏面をヨウ化カリウムに浸し金７０４
を第２のレジスト７０５のストライプパターン状に形成
する（Ｃ）。最後に絶縁膜７０６を基板裏面に堆積し
（Ｄ）、金７０４に付着しているレジストを用いてレジ
スト上に堆積している絶縁膜７０６と共にリフトオフす
る。同時に基板表面に塗布された第１のレジストも除去
される。以上のようにして基板裏面に偏光子が形成され
る。

【００１９】

【発明の効果】本発明によれば、選択成長を利用した製
造工程の導入により安定した工程で安定した構造の低抵
抗面発光レーザを作製することができる。

【００２０】また、本発明によれば、活性層を微小領域
へ選択成長するため、格子不整合な材料系の場合でも応
力歪みを外部へ拡散し、欠陥の少ない良質の結晶を得る
ことができる。

【００２１】また、本発明によれば、基板をチャンバー
外に出したときに、再成長される基板表面を大気にさら
すことなく保てるため結晶性の良好な再成長結晶を得る
ことができる。

【００２２】また、本発明によれば、面発光レーザと同
一基板上に偏光子が作製されるため、余分な部品を使う
ことなく偏光方向が制御された面発光レーザを作製する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における面発光レーザの
製造工程断面図

【図２】本発明の第１の実施例における面発光レーザの
断面図

【図３】本発明の第１の実施例における電流電圧特性図

【図４】本発明の第２の実施例における面発光レーザの
断面図

【図５】本発明の第３の実施例における面発光レーザの
断面図

【図６】本発明の第３の実施例における面発光レーザの
偏光図

【図７】本発明の第４の実施例における面発光レーザの
製造工程断面図

【図８】第１の従来例における面発光レーザの断面図

【図９】第２の従来例における面発光レーザの断面図

【図１０】ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ半導体多層膜の電流電圧
特性の電流経路面積依存性図

【符号の説明】

１０１基板１０２第１の反射器１０３第１の絶縁膜１０４活性層１０５第２の絶縁膜１０６電流ブロック層１０７第２の反射器２０１電流経路２０２第１の電極２０３第２の反射器２０４活性層２０５電流ブロック層２０６第１の反射器２０７基板２０８第２の電極２０９出力光４０１基板４０２第１の反射器４０３第１のＩｎＮ結晶薄膜４０４第１の絶縁膜４０５活性層４０６第２のＩｎＮ結晶薄膜４０７第２の絶縁膜４０８電流ブロック層４０９第２の反射器５０６基板６０１面発光レーザ６０３第１の偏光方向６０４第２の偏光方向６０５出力光６０６ストライプ構造７０１第１のレジスト７０２面発光レーザ７０３基板７０４金７０５第２のレジスト７０６絶縁膜８０２第２の反射器８０３活性層８０４第１の反射器８０５基板９０５アンダーカット層９０６活性層９０９ｐ型反射器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大仲清司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、半導体多層膜で構成され第１の
伝導型を有する第１の反射器を積層する工程と、前記第
１の反射器上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記第
１の絶縁膜の一部を除去し前記第１の反射器の表面を露
出する工程と、前記第１の反射器の露出した部分に半導
体結晶からなる活性層を選択成長する工程と、半導体多
層膜で構成され第２の伝導型を有する第２の反射器を積
層する工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
【請求項２】前記第１および第２の反射器が第１のＡｌ
ＧａＩｎＮ系の材料と組成の異なる第２のＡｌＧａＩｎ
Ｎ系の材料の多層膜からなり、前記活性層が第３のＡｌ
ＧａＩｎＮ系の材料を含むことを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】前記活性層がＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ
≦１）からなる量子井戸層とＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦
ｘ≦１）からなるスペーサ層で構成されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】前記スペーサ層がＩｎを含むことを特徴と
する請求項３記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項５】基板上に、半導体多層膜で構成され第１の
伝導型を有する第１の反射器を積層する工程と、前記第
１の反射器上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記第
１の絶縁膜の一部を除去し前記第１の反射器の表面を露
出する工程と、前記第１の反射器の露出した部分に半導
体結晶で構成された活性層を選択成長する工程と、前記
第１の絶縁膜を除去する工程と、前記活性層上に第２の
絶縁膜を積層する工程と、前記第１の反射器の露出した
表面に少なくとも第１の伝導型を有する半導体層からな
る電流ブロック層を選択成長する工程と、前記第２の絶
縁膜を除去する工程と、半導体多層膜で構成され第２の
伝導型を有する第２の反射器を積層する工程を備えたこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項６】前記第１および第２の反射器が第１のＡｌ
ＧａＩｎＮ系の材料と組成の異なる第２のＡｌＧａＩｎ
Ｎ系の材料の多層膜からなり、前記活性層が第３のＡｌ
ＧａＩｎＮ系の材料を含むことを特徴とする請求項５記
載の半導体レーザの製造方法。
【請求項７】前記活性層がＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ
≦１）からなる量子井戸層とＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦
ｘ≦１）からなるスペーサ層で構成されていることを特
徴とする請求項５記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項８】基板上にＡｌＧａＩｎＮを含む第１の結晶
を成長する工程と、前記第１の結晶上にＩｎＮからなる
結晶薄膜を成長する工程と、前記結晶薄膜上に絶縁膜を
堆積する工程と、前記絶縁膜をパターン化する工程と、
ＮＨ３の雰囲気中で高温状態に保ち前記ＩｎＮからなる
結晶薄膜を除去する工程と、前記基板上にＡｌＧａＩｎ
Ｎを含む第２の結晶を成長する工程を備えたことを特徴
とする結晶成長方法。
【請求項９】基板上に第１のＡｌＧａＩｎＮと第２のＡ
ｌＧａＩｎＮの多層膜からなる第１の反射器を積層する
工程と、前記第１の反射器上にＩｎＮからなる結晶薄膜
を積層する工程と、前記結晶薄膜上に絶縁膜を堆積する
工程と、前記絶縁膜の一部を除去し前記薄膜の表面を露
出する工程と、ＮＨ３の雰囲気中で高温状態に保ち前記
ＩｎＮからなる結晶薄膜を除去する工程と、前記第１の
反射器上に第３のＡｌＧａＩｎＮを含む活性層を積層す
る工程と前記第１の絶縁膜を除去する工程と、前記活性
層上に第２の絶縁膜を積層する工程と、前記第１の反射
器の露出した表面に少なくとも第１の伝導型を有する半
導体層からなる電流ブロック層を選択成長する工程と、
前記第２の絶縁膜を除去する工程と、半導体多層膜で構
成され第２の伝導型を有する第２の反射器を積層する工
程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項１０】全ての再成長時にＩｎＮからなる前記結
晶薄膜の成長および除去を伴うことを特徴とする請求項
９記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１１】基板と、面発光レーザと、前記基板ある
いは前記面発光レーザに接し縞状に交互に配置された絶
縁体と金属のストライプ構造を備えたことを特徴とする
半導体レーザ。
【請求項１２】前記面発光レーザが前記基板を通して発
光する下方発光型であり、前記ストライプ構造が前記基
板の前記面発光レーザに対して対向の表面に形成された
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ。
【請求項１３】前記面発光レーザが上方発光型であり、
前記ストライプ構造が前記面発光レーザの表面に形成さ
れたことを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ。
【請求項１４】前記結晶薄膜を成長する成長室が、前記
絶縁膜を堆積する工程とは異なる成長室であることを特
徴とする請求項８記載の結晶成長方法。