JPH0245986A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0245986A JPH0245986A JP19676288A JP19676288A JPH0245986A JP H0245986 A JPH0245986 A JP H0245986A JP 19676288 A JP19676288 A JP 19676288A JP 19676288 A JP19676288 A JP 19676288A JP H0245986 A JPH0245986 A JP H0245986A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に係り、特にリ
ッジを有する半導体レーザ装置のりフジ上にセルファラ
インで位置精度良く加拡散領域を形成することのできる
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
ッジを有する半導体レーザ装置のりフジ上にセルファラ
インで位置精度良く加拡散領域を形成することのできる
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
第２図は半導体レーザ装置の一例を示す斜視断面図であ
る１図において（１）はｎ形ＧａＡｓ基板、（２）はｎ
形ＡＪＧａＩｎＰ第１クラッド層、（８）はＧａ１ｎＰ
活性層、（４）はＰ形ＡＪＧａｌｎＰ第２クラッド層、
（５）はＰ形ＧａＡｓキャップ層、（γ）はｎ形ＧａＡ
ｓ電流ブロック層、（９）はた拡散領域、輛はＰ側電極
、（１１）はｎ側電極、■は活性領域である。
る１図において（１）はｎ形ＧａＡｓ基板、（２）はｎ
形ＡＪＧａＩｎＰ第１クラッド層、（８）はＧａ１ｎＰ
活性層、（４）はＰ形ＡＪＧａｌｎＰ第２クラッド層、
（５）はＰ形ＧａＡｓキャップ層、（γ）はｎ形ＧａＡ
ｓ電流ブロック層、（９）はた拡散領域、輛はＰ側電極
、（１１）はｎ側電極、■は活性領域である。
次に動作について説明する。上記半導体レーザ装置にお
いて、Ｐ側電極（至）に正ｆ＋−１、ｎ側電極ａυに負
←１の電圧を印加すると、電流はＺｎ拡散領域（９）を
介してリッジ状のＰ形ＧａＡＳキャップ層（６）、Ｐ形
ＡｊＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）を通って、 Ｇａ
ＩｎＰ活性層（８） 、 ｎ形ＡｊＧａＩｎＰ第１クラ
ッド層（ｚ）＋ｎ形ＧａＡ３基板（１）へと流れる。ｈ
接合はＧａＩｎＰ活性層（８）内に形成されており、こ
こにＰ形ＡＪ（）ａＩｎＰ第２クラッド層（４）からホ
ールが、ｎ形ＡＪＧａＩｎＰ第１クラッド層（２）から
は電子がそれぞれ注入される。したがって、電流を発振
しきい値以上に充分増加させることでＧａ ＩｎＰ活性
層（８）のリッジの下に位置する部分を活性領域ωとし
てレーザ発振が生じる。
いて、Ｐ側電極（至）に正ｆ＋−１、ｎ側電極ａυに負
←１の電圧を印加すると、電流はＺｎ拡散領域（９）を
介してリッジ状のＰ形ＧａＡＳキャップ層（６）、Ｐ形
ＡｊＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）を通って、 Ｇａ
ＩｎＰ活性層（８） 、 ｎ形ＡｊＧａＩｎＰ第１クラ
ッド層（ｚ）＋ｎ形ＧａＡ３基板（１）へと流れる。ｈ
接合はＧａＩｎＰ活性層（８）内に形成されており、こ
こにＰ形ＡＪ（）ａＩｎＰ第２クラッド層（４）からホ
ールが、ｎ形ＡＪＧａＩｎＰ第１クラッド層（２）から
は電子がそれぞれ注入される。したがって、電流を発振
しきい値以上に充分増加させることでＧａ ＩｎＰ活性
層（８）のリッジの下に位置する部分を活性領域ωとし
てレーザ発振が生じる。
次に、第２図に示した半導体レーザ装置の従来の製造方
法を説明する。第３図（ａｌ〜（１）は第２図に示した
半導体レーザ装置の従来の製造方法を示す断面図である
。まず、第３図（ａｌに示すように、ｎ形ＧａＡＳ基板
（１）上にｎ形Ａ／ＧａＩｎＰ第１クラッド層（２）
、 ＧａＩｎＰ活性層（ｓ）、ｐ形Ａ４ＧａｒｎＰ第２
クラッド層（４）、Ｐ形ＧａＡｓキャップ層（５）を順
次エピタキシャル成長により形成する。次に、第３図（
ｂｌに示すように、Ｐ形ＧａＡｓキャップ層（５）上に
ストライプ状のリッジ形成・埋込成長用マスク（６）を
形成する。
法を説明する。第３図（ａｌ〜（１）は第２図に示した
半導体レーザ装置の従来の製造方法を示す断面図である
。まず、第３図（ａｌに示すように、ｎ形ＧａＡＳ基板
（１）上にｎ形Ａ／ＧａＩｎＰ第１クラッド層（２）
、 ＧａＩｎＰ活性層（ｓ）、ｐ形Ａ４ＧａｒｎＰ第２
クラッド層（４）、Ｐ形ＧａＡｓキャップ層（５）を順
次エピタキシャル成長により形成する。次に、第３図（
ｂｌに示すように、Ｐ形ＧａＡｓキャップ層（５）上に
ストライプ状のリッジ形成・埋込成長用マスク（６）を
形成する。
リッジ形成・埋込成長用マスク（６）の材質は、例えば
５ｉＯｚ 、 ＳｉＮ等である。次に、第３図（Ｃ１に
示すように、５１０２あるいはＳｉＮ等からなるリッジ
形成。
５ｉＯｚ 、 ＳｉＮ等である。次に、第３図（Ｃ１に
示すように、５１０２あるいはＳｉＮ等からなるリッジ
形成。
埋込成長用マスク（６）をエツチング用マスクとしてＰ
形ＧａＡｓキャップＩＩ（５）を貫通してＰ形１ＧａＩ
ｎＰ第２クラッド層（４）をＧａｒｎＰ活性層（８）近
くまでエツチングしてリッジ部を形成する。このときＰ
形ＧａＡｓキャップＩＶ？（５）のエツチングには、例
えばＨ２ＳＯ４−）−Ｈ２Ｏ２系のエツチング液を、ま
た、Ｐ形ＡｌＧａ ＩｎＰ第２クラッド層（４）のエツ
チングには、例えば、濃Ｈ２ＳＯ４、あるいは濃ＨＣｊ
１等のエツチング液を用いる。次に、第３図（ｄ）に示
すように、３ｉ０ｚ。
形ＧａＡｓキャップＩＩ（５）を貫通してＰ形１ＧａＩ
ｎＰ第２クラッド層（４）をＧａｒｎＰ活性層（８）近
くまでエツチングしてリッジ部を形成する。このときＰ
形ＧａＡｓキャップＩＶ？（５）のエツチングには、例
えばＨ２ＳＯ４−）−Ｈ２Ｏ２系のエツチング液を、ま
た、Ｐ形ＡｌＧａ ＩｎＰ第２クラッド層（４）のエツ
チングには、例えば、濃Ｈ２ＳＯ４、あるいは濃ＨＣｊ
１等のエツチング液を用いる。次に、第３図（ｄ）に示
すように、３ｉ０ｚ。
あるいはＳｉＮ等からなるリッジ形成・埋込成長用マス
ク（６）が付いたリッジ部頂上以外を選択的にｎ形Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層（γ）で埋め込んだ後、第３図（ｅ
ｌに示すように、リッジ形成・埋込成長用マスク（６）
を除去する。次に第３図（ｆ）に示すように、ウェハ全
体に拡散用マスク（８）としてＳｉＯ２あるいはＳｉＮ
を形成した後、第３図（ｇｌに示すように、所望の拡散
領域に相当する位置の拡散用マスク（８）を写真製版と
例えばフッ酸系エツチング液によるウェットエツチング
、あるいはＯＦＪ系反応ガスによるドライエツチングに
よって除去して拡散用開口部（８０）を形成する。次に
第３図（ｈｌに示すように拡散用開口部（８０）から気
相拡散法により加を拡散させ、Ｚｎ拡散領域（９）を形
成する。この時、た拡散領域（９）の深さはＰ形ＧａＡ
ｓキャップ層（５）に達しているならばＰ形ＧａＡｓ
キャップ層（５）とＰ形Ａｊ！ＧａＩｎＰ第２クラッド
層（４）との界面よりも浅い深さ、あるいは、Ｐ形Ｇａ
ＡＳキャップ層（５）とＰ形ＡＡ！Ｇａ工ｎＰ第２クラ
ッド層（４）との界面より深く、Ｐ形ＡｊＧａＩｎＰ第
２クラッド層（４）の途中まで至る深さの何れでもよい
。加拡散が終わったならば第３図（１）に示すように、
ＳｉＯ２，あるいはＳｉＮからなる拡散用マスク（８）
をフッ酸系エツチング液によるウェットエツチング、あ
るいは、ＣｔＦ４系反応ガスによるドライエツチングを
用いて除去する。最後に、Ｐ側電極叫。
ク（６）が付いたリッジ部頂上以外を選択的にｎ形Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層（γ）で埋め込んだ後、第３図（ｅ
ｌに示すように、リッジ形成・埋込成長用マスク（６）
を除去する。次に第３図（ｆ）に示すように、ウェハ全
体に拡散用マスク（８）としてＳｉＯ２あるいはＳｉＮ
を形成した後、第３図（ｇｌに示すように、所望の拡散
領域に相当する位置の拡散用マスク（８）を写真製版と
例えばフッ酸系エツチング液によるウェットエツチング
、あるいはＯＦＪ系反応ガスによるドライエツチングに
よって除去して拡散用開口部（８０）を形成する。次に
第３図（ｈｌに示すように拡散用開口部（８０）から気
相拡散法により加を拡散させ、Ｚｎ拡散領域（９）を形
成する。この時、た拡散領域（９）の深さはＰ形ＧａＡ
ｓキャップ層（５）に達しているならばＰ形ＧａＡｓ
キャップ層（５）とＰ形Ａｊ！ＧａＩｎＰ第２クラッド
層（４）との界面よりも浅い深さ、あるいは、Ｐ形Ｇａ
ＡＳキャップ層（５）とＰ形ＡＡ！Ｇａ工ｎＰ第２クラ
ッド層（４）との界面より深く、Ｐ形ＡｊＧａＩｎＰ第
２クラッド層（４）の途中まで至る深さの何れでもよい
。加拡散が終わったならば第３図（１）に示すように、
ＳｉＯ２，あるいはＳｉＮからなる拡散用マスク（８）
をフッ酸系エツチング液によるウェットエツチング、あ
るいは、ＣｔＦ４系反応ガスによるドライエツチングを
用いて除去する。最後に、Ｐ側電極叫。
ｎ側電極０υを形成して第２図に示す半導体レーザ装置
が完成する。
が完成する。
従来の半導体レーザ装置の製造方法ではりッジ部の埋込
成長に用いたリッジ形成・埋込成長用マスクを−たん除
去した後、改めて拡散用マスクの形成及び拡散用開口部
形成のためのパターニングを行っている。このため、従
来の製造方法では工程数カー多い上に、拡散用開口部を
リッジの上に位置合わせして形成するのが極めて困難で
ある結果、加拡散領域かりッジ頂上の位置からずれて形
成され、これが原因でオーミック特性などのレーザの電
気的特性に不良を生じる原因となっていた。
成長に用いたリッジ形成・埋込成長用マスクを−たん除
去した後、改めて拡散用マスクの形成及び拡散用開口部
形成のためのパターニングを行っている。このため、従
来の製造方法では工程数カー多い上に、拡散用開口部を
リッジの上に位置合わせして形成するのが極めて困難で
ある結果、加拡散領域かりッジ頂上の位置からずれて形
成され、これが原因でオーミック特性などのレーザの電
気的特性に不良を生じる原因となっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加拡散領域とりッジとの位置合わせをセルフ
ァラインで行うことができるとともに、工程数も大幅に
減らすことができる半導体レーザ装置の製造方法を提供
することを目的としている。
たもので、加拡散領域とりッジとの位置合わせをセルフ
ァラインで行うことができるとともに、工程数も大幅に
減らすことができる半導体レーザ装置の製造方法を提供
することを目的としている。
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は５ｉＯｚ
、 ＳｉＮ等から成る埋込成長用マスクの下層にドー
プトオキサイド（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）を固相拡散源
として形成したものである。
、 ＳｉＮ等から成る埋込成長用マスクの下層にドー
プトオキサイド（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）を固相拡散源
として形成したものである。
この発明における半導体レーザ装置の製造方法は、下層
が固相拡散源としての（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）上層が
埋込成長用マスクとしての８１０２又はＳｉＮから成る
２１１構造のマスクを用いてリッジ形成及び埋込成長が
行われる。したがって、埋込成長の間に成長温度によっ
て（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）から加がリッジ部に固相拡
散することによってＺｎ拡散領域が形成されるため、Ｚ
ｎ拡散領域とりッジとの位置合わせを別工程で行う必要
はなく、セルファラインで位置合わせすることができる
。
が固相拡散源としての（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）上層が
埋込成長用マスクとしての８１０２又はＳｉＮから成る
２１１構造のマスクを用いてリッジ形成及び埋込成長が
行われる。したがって、埋込成長の間に成長温度によっ
て（ＺｎＯ： ５ｉＯｚ ）から加がリッジ部に固相拡
散することによってＺｎ拡散領域が形成されるため、Ｚ
ｎ拡散領域とりッジとの位置合わせを別工程で行う必要
はなく、セルファラインで位置合わせすることができる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａｌ〜＋８１はこの発明の一実施例による半導
体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
図において、（１）〜（’） ｌ （７） 、（９）は
従来例の第２図に示したものと同等であるので説明を省
略する。
従来例の第２図に示したものと同等であるので説明を省
略する。
（６ａ）は（ＺｎＯ： ５ｉＯ２）から成る固相拡散源
、（６ｂ）は埋込成長用マスクである。
、（６ｂ）は埋込成長用マスクである。
次に動作について説明する。
まず、従来と同様、第１図（ａｌに示すように、ｎ形Ｇ
ａＡｓ基板（１）上にｎ形ＡｊＧａＩｎＰ第１クラッド
層（２） 、 ＧａＩｎＰ活性層（８１，Ｐ形１’Ｇａ
１ｎＰ第２クラッド層（４）、Ｐ形ＧａＡ ｓキャップ
層（６）を順次エピタキシャル成長により形成する。次
に第３図（ｂｌに示すように、Ｐ形ＧａＡ！キャップ層
（５）上に、ストライプ状の（ＺｎＯ： ５ｉＣ）ｚ
）から成る固相拡散源（６ａ）、及び５ｉＯｚ 、ある
いはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）を形成
する。このストライプ状の（ＺｎＯ：５ｉｎ２）から成
る固相拡散源（６ａ）及び５ｉＯｚ、あるいはＳｉＮ等
から成る埋込成長用マスク（６ｂ）はスパッタ等の方法
でウェハ全面に連続的に形成した後、写真製版と例えば
フッ酸系エツチング液等によるエツチングを組み合わせ
ることによって形成することができる。次に、第１図（
０１に示すように、ストライプ状の（ＺｎＯ： ８１０
２ ）から成る固相拡散源（６ａ）及び５ｉＯｚあるい
はＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）の２層を
エツチング用マスクとしてＰ形ＧａＡｓキャップ層（５
）を貫通してＰ形Ａ／ＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）
をＧａＩｎＰ活性層（８）近くまでエツチングしてリッ
ジ部を形成する。このときエツチングに用いるエツチン
グ液は従来と同様で、Ｐ形ＧａＡ ｓキャップ層（５）
のエツチングには例えばＨ２８０４＋ Ｈ２Ｏ２系のエ
ツチング液を、また、Ｐ形ＡＡ！Ｇａ１ｎＰ第２クラッ
ド層（４）のエツチングには例えば、濃Ｈ２８０４、あ
るいは濃Ｈａｇ等のエツチング液を用いる。
ａＡｓ基板（１）上にｎ形ＡｊＧａＩｎＰ第１クラッド
層（２） 、 ＧａＩｎＰ活性層（８１，Ｐ形１’Ｇａ
１ｎＰ第２クラッド層（４）、Ｐ形ＧａＡ ｓキャップ
層（６）を順次エピタキシャル成長により形成する。次
に第３図（ｂｌに示すように、Ｐ形ＧａＡ！キャップ層
（５）上に、ストライプ状の（ＺｎＯ： ５ｉＣ）ｚ
）から成る固相拡散源（６ａ）、及び５ｉＯｚ 、ある
いはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）を形成
する。このストライプ状の（ＺｎＯ：５ｉｎ２）から成
る固相拡散源（６ａ）及び５ｉＯｚ、あるいはＳｉＮ等
から成る埋込成長用マスク（６ｂ）はスパッタ等の方法
でウェハ全面に連続的に形成した後、写真製版と例えば
フッ酸系エツチング液等によるエツチングを組み合わせ
ることによって形成することができる。次に、第１図（
０１に示すように、ストライプ状の（ＺｎＯ： ８１０
２ ）から成る固相拡散源（６ａ）及び５ｉＯｚあるい
はＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）の２層を
エツチング用マスクとしてＰ形ＧａＡｓキャップ層（５
）を貫通してＰ形Ａ／ＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）
をＧａＩｎＰ活性層（８）近くまでエツチングしてリッ
ジ部を形成する。このときエツチングに用いるエツチン
グ液は従来と同様で、Ｐ形ＧａＡ ｓキャップ層（５）
のエツチングには例えばＨ２８０４＋ Ｈ２Ｏ２系のエ
ツチング液を、また、Ｐ形ＡＡ！Ｇａ１ｎＰ第２クラッ
ド層（４）のエツチングには例えば、濃Ｈ２８０４、あ
るいは濃Ｈａｇ等のエツチング液を用いる。
次に、第１図（ｄｌに示すように、（ＺｎＯ： ５ｉＯ
ｚ ） カら成る固相拡散源（６ａ）及び、５ｉｏ２あ
るいはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）が付
いたりッジ部頂上以外を選択的にｎ形ＧａＡｓ電流ブロ
ック層（ア）で埋め込む。この埋込成長時の成長温度は
、例えば６５０〜７５０’Ｏに保持されるので、埋込成
長の間に成長温度によって（ＺｎＯ： ＳｉＯ＋ ）か
ら成る固相拡散源（６ａ）から加がリッジ部に面相拡散
することによって、Ｚｎ拡散領域（９）が形成される。
ｚ ） カら成る固相拡散源（６ａ）及び、５ｉｏ２あ
るいはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスク（６ｂ）が付
いたりッジ部頂上以外を選択的にｎ形ＧａＡｓ電流ブロ
ック層（ア）で埋め込む。この埋込成長時の成長温度は
、例えば６５０〜７５０’Ｏに保持されるので、埋込成
長の間に成長温度によって（ＺｎＯ： ＳｉＯ＋ ）か
ら成る固相拡散源（６ａ）から加がリッジ部に面相拡散
することによって、Ｚｎ拡散領域（９）が形成される。
埋込成長とＺｎの固相拡散が終わったならば、第１図（
ｅｌに示すようにＳｉｏ２あるいはＳｉＮ等から成る埋
込成長用マスク（６ｂ）及び（ＺｎＯ：５ｉＯ２） カ
ラｆｒル固相拡散源（６Ｆ））を例えば、フッ酸系エツ
チング液によるウェットエツチング等により除去する。
ｅｌに示すようにＳｉｏ２あるいはＳｉＮ等から成る埋
込成長用マスク（６ｂ）及び（ＺｎＯ：５ｉＯ２） カ
ラｆｒル固相拡散源（６Ｆ））を例えば、フッ酸系エツ
チング液によるウェットエツチング等により除去する。
最後にＰ側電極αの、ｎ側電極αυを形成して第２図に
示す半導体レーザ装置が完成する。
示す半導体レーザ装置が完成する。
上記のように、この発明による半導体レーザ装置の製造
方法では、リッジ形成用のマスク、を、下層が（ＺｎＯ
：５ｉＯ２）から成る固相拡散源（６ａ） 、上層がＳ
ｉｏ２あるいは８１Ｎ等から成る埋込成長用マスク（６
ｂ）の２層構造とし、これをマスクにしてリッジ形成、
埋込成長及び、埋込成長と同時に進行するＺｎの固有拡
散が行われる。このため、た拡散領域（９）とリッジと
の位置合ゎせを別工程で行う必要はなく、セルファライ
ンで位置合わせすることができる。また、Ｚｎの拡散用
マスク（８）を別工程で形成し直す必要もなく、り拡散
も埋込成長と同時に行うことができるので、工程を大幅
に減らすことができる。
方法では、リッジ形成用のマスク、を、下層が（ＺｎＯ
：５ｉＯ２）から成る固相拡散源（６ａ） 、上層がＳ
ｉｏ２あるいは８１Ｎ等から成る埋込成長用マスク（６
ｂ）の２層構造とし、これをマスクにしてリッジ形成、
埋込成長及び、埋込成長と同時に進行するＺｎの固有拡
散が行われる。このため、た拡散領域（９）とリッジと
の位置合ゎせを別工程で行う必要はなく、セルファライ
ンで位置合わせすることができる。また、Ｚｎの拡散用
マスク（８）を別工程で形成し直す必要もなく、り拡散
も埋込成長と同時に行うことができるので、工程を大幅
に減らすことができる。
なお、上記実施例ではｎ形ＡｊＧａＩｎＰ第１クラッド
層（２）、Ｐ形ＡＡ’ＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）
が共にＡｔＧａＩｎＰ 、 ＧａＩｎＰ活性層（８）が
ＧａＩｎＰで構成されたＡ！ＧａｒｎＰ系レーザについ
て説明したが、他の結晶材料を用いたレーザ、例えばＡ
ｊ ＧａＡ３１系レーザやＩｎ伽劾系レーザでもよい
。
層（２）、Ｐ形ＡＡ’ＧａＩｎＰ第２クラッド層（４）
が共にＡｔＧａＩｎＰ 、 ＧａＩｎＰ活性層（８）が
ＧａＩｎＰで構成されたＡ！ＧａｒｎＰ系レーザについ
て説明したが、他の結晶材料を用いたレーザ、例えばＡ
ｊ ＧａＡ３１系レーザやＩｎ伽劾系レーザでもよい
。
以上のようにこの発明によれば、下層が（ＺｎＯ： ５
ｉｎ２）から成る固相拡散源、上層が５ｉＯｚ 、ある
いはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスクの２層構造のマ
スクを用いてリッジ形成、埋込成長、及び固相拡散のす
べてを行うので、た拡散領域とりッジとの位置合わせを
別工程で行う必要がなく、セルファラインで位置合わせ
することができる。また、かの拡散用マスクを別工程で
形成し直１′必要もなく、Ｚｎ拡散も埋込成長と同時に
行うことができるので、工程を大幅に減らすことができ
る。
ｉｎ２）から成る固相拡散源、上層が５ｉＯｚ 、ある
いはＳｉＮ等から成る埋込成長用マスクの２層構造のマ
スクを用いてリッジ形成、埋込成長、及び固相拡散のす
べてを行うので、た拡散領域とりッジとの位置合わせを
別工程で行う必要がなく、セルファラインで位置合わせ
することができる。また、かの拡散用マスクを別工程で
形成し直１′必要もなく、Ｚｎ拡散も埋込成長と同時に
行うことができるので、工程を大幅に減らすことができ
る。
ザ装置の製造方法を示す断面図、第２図は半導体レーザ
装置の一例を示す斜視断面図、第３図（ａ）〜（１）は
第２図に示した半導体レーザ装置の従来の製造方法を示
す断面図である。
装置の一例を示す斜視断面図、第３図（ａ）〜（１）は
第２図に示した半導体レーザ装置の従来の製造方法を示
す断面図である。
図において、（１）はｎ形ＧａＡＳ基板、（２）はｎ形
ＡｔＧａＩｎＰ第１クラッド層、（Ｓ）はＧａＩｎＰ活
性層、（４）はＰ形ＡＪＧａＩｎＰ第２クラッド層、（
５）はＰ形ＧａＡｓキャップ層、（い）は（ＺｎＯ：
５ｉＯｚ ）から成る固相拡散源、（６ｂ）は埋込成長
用マスク、（ア）はｎ形ＧａＡｓ電流ブロックＪ―、（
９）はＺｎ拡散領域である。
ＡｔＧａＩｎＰ第１クラッド層、（Ｓ）はＧａＩｎＰ活
性層、（４）はＰ形ＡＪＧａＩｎＰ第２クラッド層、（
５）はＰ形ＧａＡｓキャップ層、（い）は（ＺｎＯ：
５ｉＯｚ ）から成る固相拡散源、（６ｂ）は埋込成長
用マスク、（ア）はｎ形ＧａＡｓ電流ブロックＪ―、（
９）はＺｎ拡散領域である。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- リッジの頂上以外を選択的に埋込成長する工程と、リッ
ジの頂上部分にＺｎ拡散領域を形成する工程を含む半導
体レーザ装置の製造方法において、選択埋込成長用マス
クである絶縁膜と半導体結晶との間にＺｎを含む固相拡
散源を設け、上記Ｚｎを含む固相拡散源と絶縁膜とをマ
スクにして埋込成長及びＺｎの固相拡散を同時に行うこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676288A JPH0245986A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676288A JPH0245986A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245986A true JPH0245986A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16363199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19676288A Pending JPH0245986A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152671A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| DE102015203379B4 (de) | 2014-02-27 | 2021-12-23 | Mando Corporation | Vertikale Ausrichtvorrichtung und Verfahren für Fahrzeugradar |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19676288A patent/JPH0245986A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152671A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| DE102015203379B4 (de) | 2014-02-27 | 2021-12-23 | Mando Corporation | Vertikale Ausrichtvorrichtung und Verfahren für Fahrzeugradar |
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