JPH03101285A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH03101285A JPH03101285A JP23891289A JP23891289A JPH03101285A JP H03101285 A JPH03101285 A JP H03101285A JP 23891289 A JP23891289 A JP 23891289A JP 23891289 A JP23891289 A JP 23891289A JP H03101285 A JPH03101285 A JP H03101285A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関するもの
である。
である。
第３図は半導体レーザ装置の一例を示す斜視図である。
この図において、１はｎ形基板、２はｎ形第１クラッド
層、３．は活性層、４はｐ形第２クラッド層、５はｐ形
キャップ層、６は口形電流ブロック層、１ｏはＺｎ拡散
領域、１１はｐ側電極、１２はｎ側電極、３０は活性領
域である。
層、３．は活性層、４はｐ形第２クラッド層、５はｐ形
キャップ層、６は口形電流ブロック層、１ｏはＺｎ拡散
領域、１１はｐ側電極、１２はｎ側電極、３０は活性領
域である。
次に動作について説明する。
上記半導体レーザ装置において、ｐ側電極１１に正（＋
）、ｎ側電極１２に負（−）の電圧を印加すると、電流
はＺｎ拡散領域１０を介してリッジ部のｐ形キャップ層
５ｐ ｐ形第２クラッド層４を通って活性層３，ｎ形第
１クラッド層２，ｎ形基板１へと流れる。ｐｎ接合は活
性層３内に形成されており、ここにｐ形第２クラッド層
４からホールが、ｎ形第１クラッド層２から電子がそれ
ぞれ注入される。したがって、電流を発振しきい値以上
に充分増加させることで、活性層３のリッジの下に位置
する部分を活性領域３ｏとしてレーザ発振が生じる。
）、ｎ側電極１２に負（−）の電圧を印加すると、電流
はＺｎ拡散領域１０を介してリッジ部のｐ形キャップ層
５ｐ ｐ形第２クラッド層４を通って活性層３，ｎ形第
１クラッド層２，ｎ形基板１へと流れる。ｐｎ接合は活
性層３内に形成されており、ここにｐ形第２クラッド層
４からホールが、ｎ形第１クラッド層２から電子がそれ
ぞれ注入される。したがって、電流を発振しきい値以上
に充分増加させることで、活性層３のリッジの下に位置
する部分を活性領域３ｏとしてレーザ発振が生じる。
次に、第３図に示した半導体レーザ装置の従来の製造方
法を第４図について説明する。
法を第４図について説明する。
第４図（ａ）〜（１）は、第３図に示した半導体レーザ
装置の従来の製造方法を示す工程断面図である。
装置の従来の製造方法を示す工程断面図である。
まず、第４図（ａ）に示すように、ｎ形基板１上にｎ形
第１クラッド層２．活性層ＳｙＰ形第２クラッド層ｄＰ
Ｐ形キャップ層５を順次エピタキシャル成長により形成
する。次に、第４図（ｂ）に示すように、通常の写真製
版とエツチングによりｐ形キャップ層５を貫通してｐ形
第２クラッド層４の途中に底を有するようなりッジを形
成する。
第１クラッド層２．活性層ＳｙＰ形第２クラッド層ｄＰ
Ｐ形キャップ層５を順次エピタキシャル成長により形成
する。次に、第４図（ｂ）に示すように、通常の写真製
版とエツチングによりｐ形キャップ層５を貫通してｐ形
第２クラッド層４の途中に底を有するようなりッジを形
成する。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、リッジを形成したウ
ェハ上にｎ形電流ブロック層６をエピタキシャル成長す
る。この時、ｎ形電流ブロック層６の形状はリッジの形
状を反映してリッジの上が凸となる。次に、第４図（ｄ
）に示すように、ｎ形電流ブロック層６の上に（Ｚ ｎ
Ｏ： Ｓ ｉ ０２ ）からなる固相拡散源８および
５ｔＯｉ９をスパッタ等の方法でウェハ全面に連続的に
形成する。次に、第４図（ｅ）に示すように、リッジ上
の凸部に写真製版によりフォトレジスト７′をスＩ・ラ
イブ状に形成する。ここで、上記リッジの幅は通常２μ
ｍ以下なので、リッジ上の凸部の幅も高々数μｍである
。したがって、幅が数μｍの凸部の上に、それよりもさ
らに幅の狭いストライブ状のパターニングを行うのは極
めて困難である。次に、第４図（ｆ）に示すように、ス
トライブ状のフォトレジスト７ ９および固相拡散源８を、例えばフッ酸系エツチング液
等によりエツチングする。次に、第４図（ｇ）に示すよ
うに、ストライブ状のフォトレジスト７ 〜７５０℃に保持することによって、固相拡散源８から
Ｚｎを固相拡散させてＺｎ拡散領域１０を形成する。こ
の時、Ｚｎ拡散領域１ｏは、ｎ形電流ブロック層６を貫
通してｐ形キャップ層５またはｐ形第２クラッド層４ま
で到達させる。次に、第４図（ｈ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ□９および固相拡散源８を、例えばフッ酸系エツチン
グ液によるウェブ）・エツチング等により除去する。最
後に、第４図（りに示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電
極１２を形成して、第３図に示す半導体レーザ装置が完
成する。
ェハ上にｎ形電流ブロック層６をエピタキシャル成長す
る。この時、ｎ形電流ブロック層６の形状はリッジの形
状を反映してリッジの上が凸となる。次に、第４図（ｄ
）に示すように、ｎ形電流ブロック層６の上に（Ｚ ｎ
Ｏ： Ｓ ｉ ０２ ）からなる固相拡散源８および
５ｔＯｉ９をスパッタ等の方法でウェハ全面に連続的に
形成する。次に、第４図（ｅ）に示すように、リッジ上
の凸部に写真製版によりフォトレジスト７′をスＩ・ラ
イブ状に形成する。ここで、上記リッジの幅は通常２μ
ｍ以下なので、リッジ上の凸部の幅も高々数μｍである
。したがって、幅が数μｍの凸部の上に、それよりもさ
らに幅の狭いストライブ状のパターニングを行うのは極
めて困難である。次に、第４図（ｆ）に示すように、ス
トライブ状のフォトレジスト７ ９および固相拡散源８を、例えばフッ酸系エツチング液
等によりエツチングする。次に、第４図（ｇ）に示すよ
うに、ストライブ状のフォトレジスト７ 〜７５０℃に保持することによって、固相拡散源８から
Ｚｎを固相拡散させてＺｎ拡散領域１０を形成する。こ
の時、Ｚｎ拡散領域１ｏは、ｎ形電流ブロック層６を貫
通してｐ形キャップ層５またはｐ形第２クラッド層４ま
で到達させる。次に、第４図（ｈ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ□９および固相拡散源８を、例えばフッ酸系エツチン
グ液によるウェブ）・エツチング等により除去する。最
後に、第４図（りに示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電
極１２を形成して、第３図に示す半導体レーザ装置が完
成する。
上記のように、従来の半導体レーザ装置の製造方法では
、リッジ上の幅が数μｍの凸部の上で、この凸部よりも
さらに幅の狭いバターニングを行っている。このため、
Ｓｉ０，９および固相拡散源８をエツチングするための
マスクとなるストライブ状のフォトレジスト７′を上記
凸部と位置合わせして形成するのが極めて困難であった
。その結果、固相拡散源８がリッジ上の凸部からずれて
形成され、それに伴いＺｎ拡散領域１０がリッジ頂上の
ｐ形キャップ層５の位置からずれて形成され、これが原
因でしきい値電流が増すなど、レーザの特性に不良を生
じる原因となっていた。
、リッジ上の幅が数μｍの凸部の上で、この凸部よりも
さらに幅の狭いバターニングを行っている。このため、
Ｓｉ０，９および固相拡散源８をエツチングするための
マスクとなるストライブ状のフォトレジスト７′を上記
凸部と位置合わせして形成するのが極めて困難であった
。その結果、固相拡散源８がリッジ上の凸部からずれて
形成され、それに伴いＺｎ拡散領域１０がリッジ頂上の
ｐ形キャップ層５の位置からずれて形成され、これが原
因でしきい値電流が増すなど、レーザの特性に不良を生
じる原因となっていた。
この発明は、上記のような従来の問題点を解決するため
になされたもので、リッジ上の凸部とＳｉＯ□および固
相拡散源との位置合わせを凸部上でのマスク合わせによ
って行う必要がなく、セルファラインで位置合わせでき
る半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的と
している。
になされたもので、リッジ上の凸部とＳｉＯ□および固
相拡散源との位置合わせを凸部上でのマスク合わせによ
って行う必要がなく、セルファラインで位置合わせでき
る半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的と
している。
この発明に係る請求項（１）に記載の半導体レーザ装置
の製造方法は、リッジが形成されたウェハ表面を平坦に
なるようにフォトレジス！・で覆う工程と、フォトレジ
スト表面を全面アッシングしてリッジ頂で覆う工程と、
ウェハ上に固相拡散源を形成する工程と、フォトレジス
ト上に被前記ウェハ上に同相拡散源をリフトオフにより
除去してリッジ頂上のみに固相拡散源を残す工程を含む
リッジが形成されたウェハ表面を平坦になるようにフ第
１・レジストで覆う工程と、フォトレジスト全面アッシ
ングしてリッジ頂で覆う工程と、前記ウェハ上に固相拡
散源を形成する工程と、フォトレジスト オフにより除去してリッジ頂上のみに固相拡散源を残す
工程とからなるものである。
の製造方法は、リッジが形成されたウェハ表面を平坦に
なるようにフォトレジス！・で覆う工程と、フォトレジ
スト表面を全面アッシングしてリッジ頂で覆う工程と、
ウェハ上に固相拡散源を形成する工程と、フォトレジス
ト上に被前記ウェハ上に同相拡散源をリフトオフにより
除去してリッジ頂上のみに固相拡散源を残す工程を含む
リッジが形成されたウェハ表面を平坦になるようにフ第
１・レジストで覆う工程と、フォトレジスト全面アッシ
ングしてリッジ頂で覆う工程と、前記ウェハ上に固相拡
散源を形成する工程と、フォトレジスト オフにより除去してリッジ頂上のみに固相拡散源を残す
工程とからなるものである。
また、請求項（２）に記載の半導体レーザ装置の製造方
法は、リッジが形成されたウェハ表面に絶縁膜を成長さ
せながら同時にスパッタエッチを行うことによってリッ
ジ頂上を前記絶縁膜から露出させる工程と、ウェハ表面
に固相拡散源を形成する工程とからなるものである。
法は、リッジが形成されたウェハ表面に絶縁膜を成長さ
せながら同時にスパッタエッチを行うことによってリッ
ジ頂上を前記絶縁膜から露出させる工程と、ウェハ表面
に固相拡散源を形成する工程とからなるものである。
この発明の請求項（１）に記載の発明においては、リッ
ジ上の凸部を平坦部との高低差を利用して、リッジ上の
凸部のみが固相拡散源と接するようにしているので、幅
が数μｍの狭い凸部の上でマスク合わせを行う必要がな
く、セルファラインでリッジ上に固相拡散源が形成され
る。
ジ上の凸部を平坦部との高低差を利用して、リッジ上の
凸部のみが固相拡散源と接するようにしているので、幅
が数μｍの狭い凸部の上でマスク合わせを行う必要がな
く、セルファラインでリッジ上に固相拡散源が形成され
る。
また、請求項（２）に記載の発明においては、リッジ頂
上と面一となるように絶縁膜を埋め込んだことにより、
固相拡散源はセルファラインでリッジ頂上のみに接して
形成される。
上と面一となるように絶縁膜を埋め込んだことにより、
固相拡散源はセルファラインでリッジ頂上のみに接して
形成される。
以下、この発明の実施例を図面について説明する。
第１図（ａ）〜（ｉ）はこの発明の半導体レーザ装置の
製造方法の一実施例を示す工程断面図である。この図に
おいて、７はフォトレジストその他は第３図，第４図と
同じものを示す。
製造方法の一実施例を示す工程断面図である。この図に
おいて、７はフォトレジストその他は第３図，第４図と
同じものを示す。
まず、従来例と同様に、第１図（ａ）に示すように、ｎ
形基板１上にｎ形第１クラッド層２，活性層３ｐ ｐ形
第２クラッド層４，ｐ形キャップ層５を順次エピタキシ
ャル成長により形成する。次に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、通常の写真製版とエツチングにより、ｐ形キャッ
プ層５を貫通してｐ形第２クラッド層４の途中に底を有
するようなりッジを形成する。次に、第１図（Ｃ）に示
すように、リッジを形成したウェハ上にｎ形電流ブロッ
ク層６をエピタキシャル成長する。ここまでは従来の半
導体レーザ装置の製造方法と同様である。次に、第１図
（ｄ）に示すように、フォトレジスＩ− ７をウェハ全
面に塗布し、リッジ上の凸部をフォトレジスＩ− ７で
埋め込む。この時、フォトし・ジス１〜７の表面はなる
べく平坦になるようにし、リッジ上の凸部の上に塗布さ
れたフォトレジスト７されたフォトレジストアの厚さ（
ｈ２）の方が充分に厚くなるようにする（ｈ２＞＞ｈ，
）。次に、第１図（ｅ）に示すように、フォトレジスト
７を０２アツシングして凸部の頂上から数千＾（ｈ３）
下までフォトレジスト７ １図（Ｈに示すように、（ＺｎＯ： Ｓｉｎ，）から
なる固相拡散源８およびＳｉ０２９をウェハ全面に形成
する。この時、固相拡散源８とＳ１０２９の厚さの合計
（ｈ４）をフォトレジスト７部頂上から後退した距ｇＩ
（ｈ３）よりも薄＜（ｈ４くす，）なるようにｂ３ｐ
ｈ４を設定する。次に、第１図（ｇ）に示すように、凸
部頂上以外に付前記ウェハ上に固相拡散源８およびＳｉ
Ｏ□９をリフトオフにより除去する。次に、第１図（ｈ
）に示すように、ウェハを、例えば６５０〜７５０℃に
保持することにより、固相拡散源８からＺｎを固相拡散
させてＺｎ拡散領域１０を形成する。この時、Ｚｎ拡散
領域１０は、ｎ形電流ブロック層６を貫通して、ｐ形キ
ャップ層５またはｐ形第２クラッド層４まで到達させる
。次に、第１図（ｉ３に示すように、固相拡散源８およ
びＳｉＯ□９を、例えばフッ酸系エツチング液によるウ
エッ１、エツチング等により除去する。最後に、第１図
（ｊ）に示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２を形
成して第３図に示す半導体レーザ装置が完成する。
形基板１上にｎ形第１クラッド層２，活性層３ｐ ｐ形
第２クラッド層４，ｐ形キャップ層５を順次エピタキシ
ャル成長により形成する。次に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、通常の写真製版とエツチングにより、ｐ形キャッ
プ層５を貫通してｐ形第２クラッド層４の途中に底を有
するようなりッジを形成する。次に、第１図（Ｃ）に示
すように、リッジを形成したウェハ上にｎ形電流ブロッ
ク層６をエピタキシャル成長する。ここまでは従来の半
導体レーザ装置の製造方法と同様である。次に、第１図
（ｄ）に示すように、フォトレジスＩ− ７をウェハ全
面に塗布し、リッジ上の凸部をフォトレジスＩ− ７で
埋め込む。この時、フォトし・ジス１〜７の表面はなる
べく平坦になるようにし、リッジ上の凸部の上に塗布さ
れたフォトレジスト７されたフォトレジストアの厚さ（
ｈ２）の方が充分に厚くなるようにする（ｈ２＞＞ｈ，
）。次に、第１図（ｅ）に示すように、フォトレジスト
７を０２アツシングして凸部の頂上から数千＾（ｈ３）
下までフォトレジスト７ １図（Ｈに示すように、（ＺｎＯ： Ｓｉｎ，）から
なる固相拡散源８およびＳｉ０２９をウェハ全面に形成
する。この時、固相拡散源８とＳ１０２９の厚さの合計
（ｈ４）をフォトレジスト７部頂上から後退した距ｇＩ
（ｈ３）よりも薄＜（ｈ４くす，）なるようにｂ３ｐ
ｈ４を設定する。次に、第１図（ｇ）に示すように、凸
部頂上以外に付前記ウェハ上に固相拡散源８およびＳｉ
Ｏ□９をリフトオフにより除去する。次に、第１図（ｈ
）に示すように、ウェハを、例えば６５０〜７５０℃に
保持することにより、固相拡散源８からＺｎを固相拡散
させてＺｎ拡散領域１０を形成する。この時、Ｚｎ拡散
領域１０は、ｎ形電流ブロック層６を貫通して、ｐ形キ
ャップ層５またはｐ形第２クラッド層４まで到達させる
。次に、第１図（ｉ３に示すように、固相拡散源８およ
びＳｉＯ□９を、例えばフッ酸系エツチング液によるウ
エッ１、エツチング等により除去する。最後に、第１図
（ｊ）に示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２を形
成して第３図に示す半導体レーザ装置が完成する。
以上のように、この発明によれば、リッジ上の凸部をフ
ォトレジストアで埋め込んだ後、フォトレジストア全体
を表面から０２アツシングして、フォトレジスト７の厚
みの薄いリッジ上の凸部のみをフォトレジストアから露
出させる。その後、ウェハ全面に固相拡散源８およびＳ
ｉ０２９を形成し、リッジ上の凸部以外に付前記ウェハ
上に固相拡散源８およびＳｉＯ２９はリフ１〜オフによ
り除去するという方法でリッジ上の凸部のみに固相拡散
源８およびＳ ｓ Ｏ２９を形成している。このため、
従来のように、幅が数μｍの狭い凸部の上でマスク合わ
せする必要がなく、セルファラインで凸部上に固相拡散
源８を形成することができる。
ォトレジストアで埋め込んだ後、フォトレジストア全体
を表面から０２アツシングして、フォトレジスト７の厚
みの薄いリッジ上の凸部のみをフォトレジストアから露
出させる。その後、ウェハ全面に固相拡散源８およびＳ
ｉ０２９を形成し、リッジ上の凸部以外に付前記ウェハ
上に固相拡散源８およびＳｉＯ２９はリフ１〜オフによ
り除去するという方法でリッジ上の凸部のみに固相拡散
源８およびＳ ｓ Ｏ２９を形成している。このため、
従来のように、幅が数μｍの狭い凸部の上でマスク合わ
せする必要がなく、セルファラインで凸部上に固相拡散
源８を形成することができる。
なお、上記実施例では、リッジ上の凸部をフォトレジス
ト リッジ上の凸部を埋め込む材料はフォトレジストでなく
てもよく、例えばＳｉＮまたは８１０２等の絶縁膜でも
よい。
ト リッジ上の凸部を埋め込む材料はフォトレジストでなく
てもよく、例えばＳｉＮまたは８１０２等の絶縁膜でも
よい。
上記ＳｉＮまたはＳ１０．等の絶縁膜でリッジ上の凸部
を埋め込む場合の実施例を第２図について説明する。
を埋め込む場合の実施例を第２図について説明する。
第２図（ａ）〜（ｉ）はこの発明による半導体レーザ装
置の製造方法の他の実施例を示す断面図である。第２図
において、第１図と同一符号は同一のものを示し、１３
はＳｉＮまたはＳｉｎｓ等の絶縁膜である。
置の製造方法の他の実施例を示す断面図である。第２図
において、第１図と同一符号は同一のものを示し、１３
はＳｉＮまたはＳｉｎｓ等の絶縁膜である。
まず、第２図（ａ）に示すように、ｎ形基板１上にｎ形
第１クラッド層２，活性層３ｐｐ形第２クラッド層’Ｌ
ｐＰ形キャップ層５を順次エピタキシャル成長により形
成する。次に、第２図（ｂ）に示すように、通常の写真
製版とエツチングによりｐ形キャップ層５を貫通してｐ
形第２クラッド層４の途中に底を有するようなりッジを
形成する。
第１クラッド層２，活性層３ｐｐ形第２クラッド層’Ｌ
ｐＰ形キャップ層５を順次エピタキシャル成長により形
成する。次に、第２図（ｂ）に示すように、通常の写真
製版とエツチングによりｐ形キャップ層５を貫通してｐ
形第２クラッド層４の途中に底を有するようなりッジを
形成する。
次に、第２図（ｅ）に示すように、リッジを形成したウ
ェハ上にｎ形電流ブロック層６をエピタキシャル成長す
る。ここまでは、第４図に示した従来の半導体レーザ装
置の製造方法および第１図に示したこの発明による半導
体レーザ装置の製造方法と同様である。次に、第２図（
ｄ）〜（ｆ）に示すように、ＳｉＮまたはＳｉｎｓ等の
絶縁膜１３をリッジ上の凸部と表面が面一となるように
形成する。ここで、ＳｉＮまたはＳｉＯ□等の絶縁膜１
３の形成にはバイアスＥＣＲ−ＣＶＤを用いる。ところ
で、ＥＣＲイオンビームには強い方向性があるため、第
２図（ｄ）に示すように、平坦部に水平に堆積した膜と
リッジの側壁部に斜面状に堆積した膜とでは膜質が異な
る。すなわち、平坦部に水平に堆積した膜に比べ、リッ
ジの側壁部に斜面状に堆積した膜は粗な膜質になってい
る。そこで、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤでは、絶縁膜１３
を堆積させつつ、同時に絶縁膜１３のスパッタエッチを
行って、側壁の脆弱な膜を取り去りつつ平坦部の良好な
膜を第２図（ｅ）に示すように、全面に平坦に堆積させ
る。その後、第２図（ｆ）に示すように、同−工程中で
全面スパッタエッチを行い、リッジの頂上が露出したと
ころでスパッタエッチを止めることにより、リッジ頂上
をＳｉＮまたはＳｉｎ２等の絶縁膜１３の表面と面一に
することができる。
ェハ上にｎ形電流ブロック層６をエピタキシャル成長す
る。ここまでは、第４図に示した従来の半導体レーザ装
置の製造方法および第１図に示したこの発明による半導
体レーザ装置の製造方法と同様である。次に、第２図（
ｄ）〜（ｆ）に示すように、ＳｉＮまたはＳｉｎｓ等の
絶縁膜１３をリッジ上の凸部と表面が面一となるように
形成する。ここで、ＳｉＮまたはＳｉＯ□等の絶縁膜１
３の形成にはバイアスＥＣＲ−ＣＶＤを用いる。ところ
で、ＥＣＲイオンビームには強い方向性があるため、第
２図（ｄ）に示すように、平坦部に水平に堆積した膜と
リッジの側壁部に斜面状に堆積した膜とでは膜質が異な
る。すなわち、平坦部に水平に堆積した膜に比べ、リッ
ジの側壁部に斜面状に堆積した膜は粗な膜質になってい
る。そこで、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤでは、絶縁膜１３
を堆積させつつ、同時に絶縁膜１３のスパッタエッチを
行って、側壁の脆弱な膜を取り去りつつ平坦部の良好な
膜を第２図（ｅ）に示すように、全面に平坦に堆積させ
る。その後、第２図（ｆ）に示すように、同−工程中で
全面スパッタエッチを行い、リッジの頂上が露出したと
ころでスパッタエッチを止めることにより、リッジ頂上
をＳｉＮまたはＳｉｎ２等の絶縁膜１３の表面と面一に
することができる。
なお、絶縁膜１３を形成する場合の成長条件の一例とし
て、基板加熱なしで成長用ガスとしてＳｉＮの場合はＳ
ｉＨ４，ＮＨｓ、ＳｉＯ□の場合はＳｉ０４，０２を用
いることができる。また、スパッタエッチ用ガスとして
はＡｒを用いることができる。次に、第２図（ｇ）に示
すように、（ＺｎＯ：ＳｉＯ□）からなる固相拡散源８
およびＳ１０２９をウェハ全面に形成する。次に第２図
（ｈ）に示すように、ウェハを、例えば６５０〜７５０
℃に保持することにより、固相拡散源８からＺｎを固相
拡散させて、Ｚｎ拡散領域１０を形成する。
て、基板加熱なしで成長用ガスとしてＳｉＮの場合はＳ
ｉＨ４，ＮＨｓ、ＳｉＯ□の場合はＳｉ０４，０２を用
いることができる。また、スパッタエッチ用ガスとして
はＡｒを用いることができる。次に、第２図（ｇ）に示
すように、（ＺｎＯ：ＳｉＯ□）からなる固相拡散源８
およびＳ１０２９をウェハ全面に形成する。次に第２図
（ｈ）に示すように、ウェハを、例えば６５０〜７５０
℃に保持することにより、固相拡散源８からＺｎを固相
拡散させて、Ｚｎ拡散領域１０を形成する。
この時、Ｚｎ拡散領域１０は、ｎ形電流ブロック層６を
貫通して、ｐ形キャップ層５またはｐ形第２クラッド層
４まで到達させる。次に、第２図（ｉ）に示すように、
固相拡散源８およびＳｉＯ□９およびＳｉＮまたはＳｉ
０２等の絶縁膜１３を、例えばフッ酸系エツチング液に
よるウェットエツチング等により除去する。最後に、第
２図（ｉ）に示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２
を形成して、第３図に示す半導体レーザ装置が完成する
。
貫通して、ｐ形キャップ層５またはｐ形第２クラッド層
４まで到達させる。次に、第２図（ｉ）に示すように、
固相拡散源８およびＳｉＯ□９およびＳｉＮまたはＳｉ
０２等の絶縁膜１３を、例えばフッ酸系エツチング液に
よるウェットエツチング等により除去する。最後に、第
２図（ｉ）に示すように、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２
を形成して、第３図に示す半導体レーザ装置が完成する
。
以上のように、第２図の実施例によれば、リッジ上の凸
部を表面が面一となるようにＳｉＮまたはＳｉｎ２等の
絶縁膜１３で埋め込んだ後、ウェハ全面に固相拡散源８
を形成することにより、リッジ上の凸部に固相拡散源８
を被着させている。
部を表面が面一となるようにＳｉＮまたはＳｉｎ２等の
絶縁膜１３で埋め込んだ後、ウェハ全面に固相拡散源８
を形成することにより、リッジ上の凸部に固相拡散源８
を被着させている。
このため、従来のように幅が数μｍの狭い凸部の上でマ
スク合わせする必要がなく、セルファラインで凸部上の
みに固相拡散源８を被着させることができろ。
スク合わせする必要がなく、セルファラインで凸部上の
みに固相拡散源８を被着させることができろ。
なお、上記第１図および第２図で説明したこの発明の実
施例は、ｎ形第１クラッド層、ｐ形第２クラッド層がＡ
ＺＧａＩｎＰ、活性層がＧａＩｎＰで構成されたＡＪＩ
ＧａｌｎＰ系レーザについて説明したが、ｎ形第１クラ
ッド層２ｐ形第２クラッド層がＡＩＧｎＡｓ、活性層が
ＧａＡｓで構成されたＡｆＧａＡｓ系レーザ、あるいは
その他の、例えばｆ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系レーザ
でも同様の効果を奏する。
施例は、ｎ形第１クラッド層、ｐ形第２クラッド層がＡ
ＺＧａＩｎＰ、活性層がＧａＩｎＰで構成されたＡＪＩ
ＧａｌｎＰ系レーザについて説明したが、ｎ形第１クラ
ッド層２ｐ形第２クラッド層がＡＩＧｎＡｓ、活性層が
ＧａＡｓで構成されたＡｆＧａＡｓ系レーザ、あるいは
その他の、例えばｆ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系レーザ
でも同様の効果を奏する。
以上説明したように、請求項（１）に記載の発明は、リ
ッジ上の凸部と平坦部との高低差を利用してリッジ上の
凸部のみが固相拡散源と接するようにしているので、幅
数μの狭い凸部の上でマスク合わせをする必要がなく、
セルファラインでリッジをＺｎ拡散領域との位置合わせ
をすることができ、作業性が向上する。その結果、Ｚｎ
拡散領域がリッジ頂上のｐ形キャップ層の位置からずれ
て形成されることがなくなり、とのズレが原因で発生す
るしきい値電流の増加等、レーザの特性の不良が生じる
のを防ぐことができ、素子の信頼性を向上させることが
できる効果が得られる。
ッジ上の凸部と平坦部との高低差を利用してリッジ上の
凸部のみが固相拡散源と接するようにしているので、幅
数μの狭い凸部の上でマスク合わせをする必要がなく、
セルファラインでリッジをＺｎ拡散領域との位置合わせ
をすることができ、作業性が向上する。その結果、Ｚｎ
拡散領域がリッジ頂上のｐ形キャップ層の位置からずれ
て形成されることがなくなり、とのズレが原因で発生す
るしきい値電流の増加等、レーザの特性の不良が生じる
のを防ぐことができ、素子の信頼性を向上させることが
できる効果が得られる。
また、請求項（２）に記載の発明は、絶縁膜を成長させ
ながらスパッタエッチを行い、リッジ頂上を絶縁膜から
露出させるようにしたので、セルファラインでＺｎ拡散
領域との位置合わせをすることができ、しきい値電流の
低く、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる利点が
ある。
ながらスパッタエッチを行い、リッジ頂上を絶縁膜から
露出させるようにしたので、セルファラインでＺｎ拡散
領域との位置合わせをすることができ、しきい値電流の
低く、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる利点が
ある。
第１図はこの発明による半導体し・−ザ装置の製造方法
の一実施例を示す工程断面図、第２図はこの発明による
半導体レーザ装置の製造方法の他の実施例を示す工程断
面図、第３図はこの発明の半導体レーザ装置の一例を示
す斜視図、第４図は従来の半導体レーザ装置の製造方法
を示す工程断面図である。 図において、１はｎ形基板、２はｎ形第１クラッド層、
３は活性層、４はｐ形第２クラッド層、５はｐ形キャッ
プ層、６はｎ形電流ブロック層、７はフォトレジスト らなる固相拡散源、９はＳｉｎ，、１０はＺｎ拡散領域
、１１はｐ側電極、１２はｎ＠電極、１３は絶縁膜であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１ 図その１
の一実施例を示す工程断面図、第２図はこの発明による
半導体レーザ装置の製造方法の他の実施例を示す工程断
面図、第３図はこの発明の半導体レーザ装置の一例を示
す斜視図、第４図は従来の半導体レーザ装置の製造方法
を示す工程断面図である。 図において、１はｎ形基板、２はｎ形第１クラッド層、
３は活性層、４はｐ形第２クラッド層、５はｐ形キャッ
プ層、６はｎ形電流ブロック層、７はフォトレジスト らなる固相拡散源、９はＳｉｎ，、１０はＺｎ拡散領域
、１１はｐ側電極、１２はｎ＠電極、１３は絶縁膜であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１ 図その１
Claims (2)
- （１）リッジの頂上部分にＺｎ拡散領域を形成する工程
を含む半導体レーザ装置の製造方法において、前記リッ
ジが形成されたウェハ表面を平坦になるようにフォトレ
ジストで覆う工程と、前記フォトレジスト表面を全面ア
ッシングしてリッジ頂上を露出させる工程と、前記ウェ
ハ上に固相拡散源を形成する工程と、前記フォトレジス
ト上に被着した固相拡散源をリフトオフにより除去して
リッジ頂上のみに固相拡散源を残す工程を含むことを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - （２）リッジの頂上部分にＺｎ拡散領域を形成する工程
を含む半導体レーザ装置の製造方法において、前記リッ
ジが形成されたウェハ表面に絶縁膜を成長させながら同
時にスパッタエッチを行うことによって前記リッジ頂上
を前記絶縁膜から露出させる工程と、前記ウェハ表面に
固相拡散源を形成する工程を含むことを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23891289A JPH03101285A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23891289A JPH03101285A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101285A true JPH03101285A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17037119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23891289A Pending JPH03101285A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011083581A1 (de) * | 2011-09-28 | 2013-03-28 | Humboldt-Universität Zu Berlin | Verfahren zum herstellen eines lasers |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23891289A patent/JPH03101285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011083581A1 (de) * | 2011-09-28 | 2013-03-28 | Humboldt-Universität Zu Berlin | Verfahren zum herstellen eines lasers |
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