JPS59168687A - 半導体レ−ザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ及びその製造方法Info
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- JPS59168687A JPS59168687A JP58042565A JP4256583A JPS59168687A JP S59168687 A JPS59168687 A JP S59168687A JP 58042565 A JP58042565 A JP 58042565A JP 4256583 A JP4256583 A JP 4256583A JP S59168687 A JPS59168687 A JP S59168687A
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- layer
- semiconductor
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ及びその製造方法に関するもので
ある。
ある。
近年、半導体レーザは光フアイバ通信用あるいは光デイ
スク用光源として注目されてきており、それに伴い優れ
た特性の半導体レーザが要求されてきている。特性的に
優れた半導体レーザを実現させるうえで、その電極構造
は一つの重要なポイントである。例えば、高効率、低し
きい値−流、良好な温度特性を得るためには、発光再結
合するストライプ状の活性層に効果的に電流を注入する
必要があり、そのためには電流をストライプ状に注入す
る電極構造が必要であった。あるいはその反対に、活性
層の一部に電流を注入しない、つまり電極に電流非注入
領域をあえて設けることにより双安定半導体レーザなる
ものが得られる。このように電極構造において、電流注
入領域と非注入領域上を選択的に設けることにより、更
（こ優れた、あるいは新規な特性を有する半導体レーザ
が得られる。一般ζこ、電極平面のある部分にのみ選択
的に電流注入するには、その部分でのみ金属電極と半導
体との良好なオーミックが取れ、他の部分では非オーミ
ツクとなることが必要であり、逆ｌこ、電流非注入とす
る場合ζこは、その部分でのみ非オーミツクとなり、他
の部分でオーミックが取れる必要がある。第１図にスト
ライプ状電流注入領域を設けた電極として従来公知の５
ｉｎ２ ストライプ電極を形成させた半導体レーザの一
例を示す。この半導体レーザはｎ型ＩｎＰ基板１上にｎ
型ＩｎＰバッファ層２、ノンドープ１ｎＧａＡｓＰ 活
性層３、ｐ型ＩｎＰ クラッド層４を順次エピタキシ
ャル結晶成長により積層させた多層膜半導体ウェハに、
活性、ＩＡ３よりも深い２本のエツチング溝１４ 、１
５と、それによって挾才れたストライプ状発光領域１２
を含むメサストライプ１３が形成され、更にその上にｐ
型Ｉｎ）？電流ブロック層５、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック
層６をいずれもメサストライプ１３の上面を除いて、ま
たｐ型ＩｎＰ埋込み１層７、金属電極とのオーミック性
に優れたｐ型Ｉ ｎ （）ａＡｓ Ｐオーミック層８を
全面にわたって液層エビクキシャル成長により積層させ
た構造となっており、発振波長１μｍ帯のダブルチャン
ネル埋込みへテロ型手導体レーザ（以下１）Ｃ−ＰＢｉ
（ＬＤと称する）と呼ばれる。各層の厚さはｎ型ＩｎＰ
基板１が約１００μｍ１ｎ型Ｉ ｎ Ｐバフフッ層２が
０．５μｍ１ノンド一プＩｎＧａＡｓＰ活性層３が０．
１μｍ、ｐ型ＩｎＰ クラッド層４が１μｍ１また平
担部におけるｐ型ＩｎＰ電流ブロック層５が１μｍ、ｎ
型ＩｎＰ電流ブロック層６が０．５μｍ、ｐ型ＩｎＰ埋
込み層７が２ ｔｔｍ 。
スク用光源として注目されてきており、それに伴い優れ
た特性の半導体レーザが要求されてきている。特性的に
優れた半導体レーザを実現させるうえで、その電極構造
は一つの重要なポイントである。例えば、高効率、低し
きい値−流、良好な温度特性を得るためには、発光再結
合するストライプ状の活性層に効果的に電流を注入する
必要があり、そのためには電流をストライプ状に注入す
る電極構造が必要であった。あるいはその反対に、活性
層の一部に電流を注入しない、つまり電極に電流非注入
領域をあえて設けることにより双安定半導体レーザなる
ものが得られる。このように電極構造において、電流注
入領域と非注入領域上を選択的に設けることにより、更
（こ優れた、あるいは新規な特性を有する半導体レーザ
が得られる。一般ζこ、電極平面のある部分にのみ選択
的に電流注入するには、その部分でのみ金属電極と半導
体との良好なオーミックが取れ、他の部分では非オーミ
ツクとなることが必要であり、逆ｌこ、電流非注入とす
る場合ζこは、その部分でのみ非オーミツクとなり、他
の部分でオーミックが取れる必要がある。第１図にスト
ライプ状電流注入領域を設けた電極として従来公知の５
ｉｎ２ ストライプ電極を形成させた半導体レーザの一
例を示す。この半導体レーザはｎ型ＩｎＰ基板１上にｎ
型ＩｎＰバッファ層２、ノンドープ１ｎＧａＡｓＰ 活
性層３、ｐ型ＩｎＰ クラッド層４を順次エピタキシ
ャル結晶成長により積層させた多層膜半導体ウェハに、
活性、ＩＡ３よりも深い２本のエツチング溝１４ 、１
５と、それによって挾才れたストライプ状発光領域１２
を含むメサストライプ１３が形成され、更にその上にｐ
型Ｉｎ）？電流ブロック層５、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック
層６をいずれもメサストライプ１３の上面を除いて、ま
たｐ型ＩｎＰ埋込み１層７、金属電極とのオーミック性
に優れたｐ型Ｉ ｎ （）ａＡｓ Ｐオーミック層８を
全面にわたって液層エビクキシャル成長により積層させ
た構造となっており、発振波長１μｍ帯のダブルチャン
ネル埋込みへテロ型手導体レーザ（以下１）Ｃ−ＰＢｉ
（ＬＤと称する）と呼ばれる。各層の厚さはｎ型ＩｎＰ
基板１が約１００μｍ１ｎ型Ｉ ｎ Ｐバフフッ層２が
０．５μｍ１ノンド一プＩｎＧａＡｓＰ活性層３が０．
１μｍ、ｐ型ＩｎＰ クラッド層４が１μｍ１また平
担部におけるｐ型ＩｎＰ電流ブロック層５が１μｍ、ｎ
型ＩｎＰ電流ブロック層６が０．５μｍ、ｐ型ＩｎＰ埋
込み層７が２ ｔｔｍ 。
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰオーミック層８が１μｍ程度である
。ＳｉＯ□ ストライプ電極はストライプ状発光領域を
含むメサストライプ１３の上部のストライプ状領域１６
以外の面１７ 、１．８において、オーミック層８とｐ
細金属電極１０との間に絶縁膜であるＳ ｉｏ、膜９を
設けた構造をなしている。ｎ型電極１１はｎ型ＩｎＰ
基板１の下面全体に形成される。この半導体レーザにお
いて、金属電極とのオーミック性に優れたオーミック層
８はストライプ状領域１６でのみｐ細金属電極１０と接
触するため、電流はこのストライプ状噸域１６に限定さ
れで注入される。この８ｉ０． ストライプ電極形成方
法は、オーミック層８の上に全面にわたって５ｉｎｔ膜
９を形成した後、ホトリソグラフィ技術を用いた選択エ
ツチングによりストライプ状領域１６のみ８ｉ０２膜を
取り除き、その全面を覆うようにｐ細金属電極１０を形
成するプロセスよりなっている。しかしながら、このＳ
１０．ストライプ電極では絶縁膜であるＳｉｎ、膜を必
要とし、且つ、このＳｉｎ、膜はある種の金属）特にＡ
ｕなどとの密着性が悪いため金属電極とｓｉｏ、膜との
間で剥離しやすいという欠点があった。更に、このＳｉ
ｎ、 ストライプ電極形成のプロセスにおける選択エツ
チングは、ホトレジスト塗布、ホトマスクを用いた目合
わせ露光、現像処理、化学エツチング、残余のホトレジ
スト除去の工程からなり、少なからぬ工数を要した。従
来Ｓｉｎ。
。ＳｉＯ□ ストライプ電極はストライプ状発光領域を
含むメサストライプ１３の上部のストライプ状領域１６
以外の面１７ 、１．８において、オーミック層８とｐ
細金属電極１０との間に絶縁膜であるＳ ｉｏ、膜９を
設けた構造をなしている。ｎ型電極１１はｎ型ＩｎＰ
基板１の下面全体に形成される。この半導体レーザにお
いて、金属電極とのオーミック性に優れたオーミック層
８はストライプ状領域１６でのみｐ細金属電極１０と接
触するため、電流はこのストライプ状噸域１６に限定さ
れで注入される。この８ｉ０． ストライプ電極形成方
法は、オーミック層８の上に全面にわたって５ｉｎｔ膜
９を形成した後、ホトリソグラフィ技術を用いた選択エ
ツチングによりストライプ状領域１６のみ８ｉ０２膜を
取り除き、その全面を覆うようにｐ細金属電極１０を形
成するプロセスよりなっている。しかしながら、このＳ
１０．ストライプ電極では絶縁膜であるＳｉｎ、膜を必
要とし、且つ、このＳｉｎ、膜はある種の金属）特にＡ
ｕなどとの密着性が悪いため金属電極とｓｉｏ、膜との
間で剥離しやすいという欠点があった。更に、このＳｉ
ｎ、 ストライプ電極形成のプロセスにおける選択エツ
チングは、ホトレジスト塗布、ホトマスクを用いた目合
わせ露光、現像処理、化学エツチング、残余のホトレジ
スト除去の工程からなり、少なからぬ工数を要した。従
来Ｓｉｎ。
ストライプ電極に限らず、電極平面に電流注入領域を選
択的に設けた電極を形成するプロセスにおいて、このよ
うな選択エツチングという工程は必要不可欠であり、い
ずれも同様に工房ズを要するものであった。また、選択
エツチングの一工程である目合わせ露光の失敗により、
電流注入領域が所望の位置よりずれてしまうこともしば
しばあった。
択的に設けた電極を形成するプロセスにおいて、このよ
うな選択エツチングという工程は必要不可欠であり、い
ずれも同様に工房ズを要するものであった。また、選択
エツチングの一工程である目合わせ露光の失敗により、
電流注入領域が所望の位置よりずれてしまうこともしば
しばあった。
本発明の目的は半導体レーザに選択的電流注入を実現す
る電極構造を形成するにあたり、従来方法き異なりホト
リソグラフィ技術を必要とせず、しかも更に目合わせ精
度の高い選択的電流注入型電極を有する半導体レーザの
製造方法と、かかる方法により形成され、絶縁膜を必要
とせず、且つ、金属電極の密着性に優れた選択的電流注
入型・電極を有する半導体レーザを提供することにある
。
る電極構造を形成するにあたり、従来方法き異なりホト
リソグラフィ技術を必要とせず、しかも更に目合わせ精
度の高い選択的電流注入型電極を有する半導体レーザの
製造方法と、かかる方法により形成され、絶縁膜を必要
とせず、且つ、金属電極の密着性に優れた選択的電流注
入型・電極を有する半導体レーザを提供することにある
。
本発明による半導体レーザは表面に凹状の窪みプ旦
を有する第１の半導体層と、前記窪み部分を千苅に埋め
た前記第１の半導体−とは異なる組成の第２の半導体層
と、前記表面の全体を覆う金属電極とを有することを特
徴とする。才た、その製造方法は表面に凹状の窪みを有
する第１の半導体層の全面を覆って、前記第１の半導体
層とは異なる組成の第２の半導体層をエピタキシャル成
長させる工程と、前記窪み部分以外の第１の半導体層の
前記表面が露・出するまで前記第２の半導体層をエツチ
ングして、第２の半導体層を前記窪み部分のみに限定す
る工程と、その露出された前記第１の半導体層及び窪み
部分に限定された第２の半導体層の表面全体ζこ金属電
極を形成する工程とを特徴とする。
た前記第１の半導体−とは異なる組成の第２の半導体層
と、前記表面の全体を覆う金属電極とを有することを特
徴とする。才た、その製造方法は表面に凹状の窪みを有
する第１の半導体層の全面を覆って、前記第１の半導体
層とは異なる組成の第２の半導体層をエピタキシャル成
長させる工程と、前記窪み部分以外の第１の半導体層の
前記表面が露・出するまで前記第２の半導体層をエツチ
ングして、第２の半導体層を前記窪み部分のみに限定す
る工程と、その露出された前記第１の半導体層及び窪み
部分に限定された第２の半導体層の表面全体ζこ金属電
極を形成する工程とを特徴とする。
一般に表面に窪みを有する第１の半導体層の上に第２の
半導体層をエピタキシャル成長させた場合、第２の半導
体層は窪み部分において窪み以外班 の平、禎部よりも厚く成長する。従って全面エツチング
によりこの第２の半導体層を第１の半導体層Ｊ且 の平１部が露出するまで取り除いても、窪み部分には第
２の半導体層が残存する状態が得られる。
半導体層をエピタキシャル成長させた場合、第２の半導
体層は窪み部分において窪み以外班 の平、禎部よりも厚く成長する。従って全面エツチング
によりこの第２の半導体層を第１の半導体層Ｊ且 の平１部が露出するまで取り除いても、窪み部分には第
２の半導体層が残存する状態が得られる。
従って窪み部分にのみ残され、る第２の半導体層に電極
金属とのオーミック性に優れた半導体材料を、第１の半
導体層に電極金属と非オーミツク性の半導体材料を用い
て、その表面全体に金属電極を形成することにより、工
数のかかるホトリソグラフィ技術を用いることなく、窪
み部分でのみ電流注入される選択的電流注入型電極が形
成される◇また逆に、第１の半導体層にオーミック性に
優れた第２の半導体層に非オーミツク性の半導体材料を
用いることにより、窪み部分でのみ電流非注入となる電
極が形成される。本発明は上述の原理に基づくものであ
る。
金属とのオーミック性に優れた半導体材料を、第１の半
導体層に電極金属と非オーミツク性の半導体材料を用い
て、その表面全体に金属電極を形成することにより、工
数のかかるホトリソグラフィ技術を用いることなく、窪
み部分でのみ電流注入される選択的電流注入型電極が形
成される◇また逆に、第１の半導体層にオーミック性に
優れた第２の半導体層に非オーミツク性の半導体材料を
用いることにより、窪み部分でのみ電流非注入となる電
極が形成される。本発明は上述の原理に基づくものであ
る。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例である半導体レーザの断面図
である。この半導体レーザは第１図同様ＤＣ−ＰＢＨＬ
Ｄ である。尚、各部の名称および符号は第１図のも
のと同じである。このＩ）Ｃ−ＰＢＨＬＤは２本の平行
なエツチング溝１．４ 、１．５及びそれ（こより挾ま
れたメサストライプ１３を形成する際、メサストライプ
１３の幅を２μｍ１エツチング溝１４ 、１５の幅を１
．０μｍ１深さを２μｍ程度とすることにより、その後
にエピタキシャル成長された第１の半導体層であるｐ型
ＩｎＰ埋込み層７の表面のメサストライプ１３の直上に
あたる部分１９に、メサストライプ１：（と平行に幅２
０μｍ１深さ２μＩｎ程度の溝が形成される。従って、
更にこの上にエピタキシャル成長させたｐ型Ｉｎ（）ａ
ＡｓＰオーミック層８は・９メサストライプ上部の溝部
分１９に他のポ 平担部２０ 、２１よりも約１．５μｍはど厚く形成さ
れる。このように形成されたｐ型ＩｎＧａＡｓＰオーミ
型ＩｎＰ埋込み層７の表面が露出するまで全面エツチン
グを施すと、メサストライプ上部の溝部分１９にのみｐ
″−型オーミック層８かストライプ状に残存する状態が
得られる。その後、このエツチングを廁した面全体にわ
たってｐ側金属電極１０としてＡｕ −Ｚｎ の合金
を蒸着によって形成したところ、電極金属とオーミック
性良好なｒ型Ｉｎ（）ａＡｓＰオーミック層８が残存す
るストライプ状領域］９でのみ良好なオーミックが取れ
、且つ、電極金属と非オーミツク性となるｐ型ＩｎＰ埋
込み層７が露出した平担部２０ 、２１ではオーミック
が取れない状態が実現できた。このような電極構造によ
り、電流は良好なオーミックの取れたメサストライプ上
部のストライプ状領域１９より効果的にストライブ状発
光領域１２に注入された。
である。この半導体レーザは第１図同様ＤＣ−ＰＢＨＬ
Ｄ である。尚、各部の名称および符号は第１図のも
のと同じである。このＩ）Ｃ−ＰＢＨＬＤは２本の平行
なエツチング溝１．４ 、１．５及びそれ（こより挾ま
れたメサストライプ１３を形成する際、メサストライプ
１３の幅を２μｍ１エツチング溝１４ 、１５の幅を１
．０μｍ１深さを２μｍ程度とすることにより、その後
にエピタキシャル成長された第１の半導体層であるｐ型
ＩｎＰ埋込み層７の表面のメサストライプ１３の直上に
あたる部分１９に、メサストライプ１：（と平行に幅２
０μｍ１深さ２μＩｎ程度の溝が形成される。従って、
更にこの上にエピタキシャル成長させたｐ型Ｉｎ（）ａ
ＡｓＰオーミック層８は・９メサストライプ上部の溝部
分１９に他のポ 平担部２０ 、２１よりも約１．５μｍはど厚く形成さ
れる。このように形成されたｐ型ＩｎＧａＡｓＰオーミ
型ＩｎＰ埋込み層７の表面が露出するまで全面エツチン
グを施すと、メサストライプ上部の溝部分１９にのみｐ
″−型オーミック層８かストライプ状に残存する状態が
得られる。その後、このエツチングを廁した面全体にわ
たってｐ側金属電極１０としてＡｕ −Ｚｎ の合金
を蒸着によって形成したところ、電極金属とオーミック
性良好なｒ型Ｉｎ（）ａＡｓＰオーミック層８が残存す
るストライプ状領域］９でのみ良好なオーミックが取れ
、且つ、電極金属と非オーミツク性となるｐ型ＩｎＰ埋
込み層７が露出した平担部２０ 、２１ではオーミック
が取れない状態が実現できた。このような電極構造によ
り、電流は良好なオーミックの取れたメサストライプ上
部のストライプ状領域１９より効果的にストライブ状発
光領域１２に注入された。
以上述べたように、本発明による半導体レーザ製造方法
を用いれば、従来のストライブ状電流注入型電極形成に
必要であったフォトリングラフィ工程や選択エツチング
の工程が省略でき、且つ、半導体表面に絶縁膜を形成す
ることｆｊＬに、工程としては簡単な全面エツチングの
みで実効的なストライプ状電流注入型電極を形成するこ
々ができる。また、この方法によれば、ストライプ状電
流注入領域が必すストライプ状発光領域の直上部に形成
されるため、従来のものより目合わせ′＃度の高いスト
ライプ状電流注入型電極が形成できる。
を用いれば、従来のストライブ状電流注入型電極形成に
必要であったフォトリングラフィ工程や選択エツチング
の工程が省略でき、且つ、半導体表面に絶縁膜を形成す
ることｆｊＬに、工程としては簡単な全面エツチングの
みで実効的なストライプ状電流注入型電極を形成するこ
々ができる。また、この方法によれば、ストライプ状電
流注入領域が必すストライプ状発光領域の直上部に形成
されるため、従来のものより目合わせ′＃度の高いスト
ライプ状電流注入型電極が形成できる。
才た、本発明による製造方法を適用した半導体レーザ、
例えば前述のＤＣ−ＰＢＨＬＤ では、オーミック層
をエツチングしないで全面電極を形成したものに比べ、
発振しきい値電流が２０ｍＡから１５ｍＡ 、外部微分
量子効率が５０％から５５チに、特性温度Ｔ。が７ＯＫ
から８０Ｋに改善され、５ｉ０２ ストライプ電極を形
成したものと同程度の特性が得られた。
例えば前述のＤＣ−ＰＢＨＬＤ では、オーミック層
をエツチングしないで全面電極を形成したものに比べ、
発振しきい値電流が２０ｍＡから１５ｍＡ 、外部微分
量子効率が５０％から５５チに、特性温度Ｔ。が７ＯＫ
から８０Ｋに改善され、５ｉ０２ ストライプ電極を形
成したものと同程度の特性が得られた。
尚、本実施例ではＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓＰ活性層と
を有する一波長１μｍ帯の半導体レーザとしてＤＣ−Ｐ
ＢＨＬＤ を用いたが、半導体レーザとしてこれに限定
されるものでなく、他の構造、他の半導体材料よりなる
半導体レーザにも適用される。
を有する一波長１μｍ帯の半導体レーザとしてＤＣ−Ｐ
ＢＨＬＤ を用いたが、半導体レーザとしてこれに限定
されるものでなく、他の構造、他の半導体材料よりなる
半導体レーザにも適用される。
また、電極構造もストライブ状電流注入領域を有するも
のに限らず、例えば、円形の窪みを有する第１の半導体
層上に形成された円形状電流注入領域を持つ電極構造も
可能である。更に、第１の半導体層に電極金属とのオー
ミック性に優れた半導体材料を、第２の半導体層に電極
金属と非オーミツク性の半導体材料を用いることにより
、窪み部分に選択的に電流非注入領域を設けた電極構造
も可能である。
のに限らず、例えば、円形の窪みを有する第１の半導体
層上に形成された円形状電流注入領域を持つ電極構造も
可能である。更に、第１の半導体層に電極金属とのオー
ミック性に優れた半導体材料を、第２の半導体層に電極
金属と非オーミツク性の半導体材料を用いることにより
、窪み部分に選択的に電流非注入領域を設けた電極構造
も可能である。
第１図は従来のストライプ状電流注入型電極として代表
的な５ｉｎ２ ストライプ電極を形成した半導体レーザ
の斜視図であり、第２図は本発明による製造方法により
電極形成された半導体レーザの斜視図である。ＤＣ−Ｐ
ＢＨ−Ｉ、Ｄ、両図における名称、及び符号は同一のも
のである。 図において、１・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・ｎ型■
ｎＰバッファ層、３・−・ノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性層、４・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層、５・・・ｐ型
ＩｎＰ電流ブロック層、６・・・ｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層、７・・ｐ型ＩｎＰ埋込み層、訃・・１型ＩｎＧａ
ＡｓＰオーミック層、９・・・Ｓｉｎ、膜、ｊＯ・・・
ｐ側金属電極、１１・・・ｎ側金属電極、Ｊ２・・・ス
トライプ状発光領域、１３・・・メサストライプ、１４
．１５・・・エツチング溝、１６・・・メサストライプ
献上のストライブ状領域、１７ 、１８・・・ストライ
ブ状領域以外の面、１９・・・メサストライプ直上の溝
部分、２０ 、２１・・・メサストライプ直上のＪ旦 溝以外の平担部。 代理人弁理士 内厚 晋
的な５ｉｎ２ ストライプ電極を形成した半導体レーザ
の斜視図であり、第２図は本発明による製造方法により
電極形成された半導体レーザの斜視図である。ＤＣ−Ｐ
ＢＨ−Ｉ、Ｄ、両図における名称、及び符号は同一のも
のである。 図において、１・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・ｎ型■
ｎＰバッファ層、３・−・ノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性層、４・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層、５・・・ｐ型
ＩｎＰ電流ブロック層、６・・・ｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層、７・・ｐ型ＩｎＰ埋込み層、訃・・１型ＩｎＧａ
ＡｓＰオーミック層、９・・・Ｓｉｎ、膜、ｊＯ・・・
ｐ側金属電極、１１・・・ｎ側金属電極、Ｊ２・・・ス
トライプ状発光領域、１３・・・メサストライプ、１４
．１５・・・エツチング溝、１６・・・メサストライプ
献上のストライブ状領域、１７ 、１８・・・ストライ
ブ状領域以外の面、１９・・・メサストライプ直上の溝
部分、２０ 、２１・・・メサストライプ直上のＪ旦 溝以外の平担部。 代理人弁理士 内厚 晋
Claims (2)
- （１）発光領域を含む多層構造を備えた半導体レーザに
おいて、表面に窪みを有する第１の半導体層と、前記第
１の半導体層とは異なる組成を有し、前記窪みを平担に
埋めた第２の半導体層と、前記第１の半導体層と第２の
半導体層とで形成される平担な表面の全体を覆い、かつ
、前記第１の半導体層に対しては非オーミツク接触とな
り前記第２の半導体層に対してはオーミック接触となる
金属電極とを備えていることを特徴とする半導体レーザ
。 - （２）発光領域を含み、最上層に、その表面が窪んだ領
域を備えている第１の半導体層を有する多層構造を形成
する工程と、前記第１の半導体層とは異なる組成の第２
の半導体層を前記第１の半導体層全面を覆って、表面が
平和になるように形成する工程と、前記第１の半導体層
表面が局部的に露出するまで前記第２の半導体層を一様
（こエツチングする工程と、前記エツチング工程（こよ
り形成された表面全体に金属電極を形成する工程とを有
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042565A JPS59168687A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042565A JPS59168687A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168687A true JPS59168687A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12639573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042565A Pending JPS59168687A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172354U (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体レ−ザ |
| JP2009204288A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nishiyama Corp | 冷却装置 |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58042565A patent/JPS59168687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172354U (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体レ−ザ |
| JP2009204288A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nishiyama Corp | 冷却装置 |
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