JPS60172354U - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

Info

Publication number
JPS60172354U
JPS60172354U JP5874084U JP5874084U JPS60172354U JP S60172354 U JPS60172354 U JP S60172354U JP 5874084 U JP5874084 U JP 5874084U JP 5874084 U JP5874084 U JP 5874084U JP S60172354 U JPS60172354 U JP S60172354U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
cladding layer
semiconductor laser
cladding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5874084U
Other languages
English (en)
Inventor
克己 八木
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP5874084U priority Critical patent/JPS60172354U/ja
Publication of JPS60172354U publication Critical patent/JPS60172354U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案の実施例を示し、第1図、第2図、第4図は
断面図、第3図は特性図である。 1・・・基板、2・・・第1クラッド層、3・・・活性
層、4・・・第2クラッド層、5・・・キャップ層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一主面上にストライブ溝が形成された基板、該基板上に
    順次積層された第1クラッド層、活性層、第2クラッド
    層を備え、上記第1、第2クラッド層は上記活性層に比
    してバンドキャップが大でかつ光屈折率が小であると共
    に少なくとも上記第2クラッド層の表面形状は上記基板
    の一主面形状と略同−であり、また上記第2クラッド層
    表面の凹部内には金属とオーミックコンタクトが可能な
    キャップ層が積層されていることを特徴とする半導体レ
    ーザ。
JP5874084U 1984-04-20 1984-04-20 半導体レ−ザ Pending JPS60172354U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5874084U JPS60172354U (ja) 1984-04-20 1984-04-20 半導体レ−ザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5874084U JPS60172354U (ja) 1984-04-20 1984-04-20 半導体レ−ザ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60172354U true JPS60172354U (ja) 1985-11-15

Family

ID=30584528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5874084U Pending JPS60172354U (ja) 1984-04-20 1984-04-20 半導体レ−ザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60172354U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59168687A (ja) * 1983-03-15 1984-09-22 Nec Corp 半導体レ−ザ及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59168687A (ja) * 1983-03-15 1984-09-22 Nec Corp 半導体レ−ザ及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60172354U (ja) 半導体レ−ザ
JPS60146370U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6170957U (ja)
JPS6045452U (ja) 反射機能を備えた発光素子用基板
JPS58155857U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6034663U (ja) 光学式情報カ−ド
JPS60176563U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6090861U (ja) 半導体レ−ザ
JPS60181063U (ja) 半導体レ−ザ
JPS58142928U (ja) 厚膜コンデンサ
JPS6085841U (ja) サブマウント
JPS59107104U (ja) 固体膜抵抗素子
JPS58193654U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6054224U (ja) 案内溝を有する情報記録媒体
JPS6090722U (ja) 接点
JPS6020160U (ja) ZnSeモノリシツク型発光装置
JPS5935984U (ja) 薄膜elデイスプレイ
JPS62135461U (ja)
JPS5851455U (ja) 発光ダイオ−ド
JPS5920440U (ja) 光学式デイスク
JPS60124669U (ja) マスキングテ−プ
JPS60166155U (ja) 接合型コンデンサ
JPS6061746U (ja) ダイオ−ド
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS5984835U (ja) 半導体ペレツト