JPS58155857U - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58155857U JPS58155857U JP5239182U JP5239182U JPS58155857U JP S58155857 U JPS58155857 U JP S58155857U JP 5239182 U JP5239182 U JP 5239182U JP 5239182 U JP5239182 U JP 5239182U JP S58155857 U JPS58155857 U JP S58155857U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- grooves
- layer
- laminated
- oscillation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図、第２図は共に従来例を示す断面図、第３図は本
考案の一実施例を示す断面図、第４図は半導体レーザの
寿命特性を示す特性図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ（半導体）基板、２・・・
・・・発振層、２１・・・・・・キャップ層、２２・・
・・・・溝、２３・・・・・・絶縁膜。
考案の一実施例を示す断面図、第４図は半導体レーザの
寿命特性を示す特性図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ（半導体）基板、２・・・
・・・発振層、２１・・・・・・キャップ層、２２・・
・・・・溝、２３・・・・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板、該基板上に積層された発振層、該発振層上
に積層されたオーミック特性の良好なキャップ層、該キ
ャップ層より上記発振層に達し平行に延在して上記キャ
ップ層を３領域に分離する２つの溝、該溝により分離さ
れた上記３領域のうち中央に位置する領域を除く２領域
表面に形成された絶縁膜からなることを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239182U JPS58155857U (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239182U JPS58155857U (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155857U true JPS58155857U (ja) | 1983-10-18 |
Family
ID=30063100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5239182U Pending JPS58155857U (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155857U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106282A (en) * | 1976-03-03 | 1977-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser unit |
| JPS55108941A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Toshiba Corp | Optical pickup unit |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP5239182U patent/JPS58155857U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106282A (en) * | 1976-03-03 | 1977-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser unit |
| JPS55108941A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Toshiba Corp | Optical pickup unit |
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