JPS6134761U - 半導体レ−ザ− - Google Patents

半導体レ−ザ−

Info

Publication number
JPS6134761U
JPS6134761U JP12051384U JP12051384U JPS6134761U JP S6134761 U JPS6134761 U JP S6134761U JP 12051384 U JP12051384 U JP 12051384U JP 12051384 U JP12051384 U JP 12051384U JP S6134761 U JPS6134761 U JP S6134761U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
optical confinement
semiconductor laser
conductivity type
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12051384U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0234828Y2 (ja
Inventor
彰康 石谷
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP12051384U priority Critical patent/JPS6134761U/ja
Publication of JPS6134761U publication Critical patent/JPS6134761U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0234828Y2 publication Critical patent/JPH0234828Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る半導体レーザーをダブル・ヘテロ
接合レーザーに適用したー実施例を示す断面図、第２図
は従来のダブル・ヘテロ接合レーザーを示す断面図であ
る。 なお区面に用いられた符号において、１・・・・・・ｎ
型ＧａＡｓ基板（半導体基維）、２・・・・・・ｎ型Ａ
ＩＧａＡｓ層（第１の光閉じ込め層）、３・・・・・・
活性層、４・・・””ｐ、型ＡＩＧａＡｓ層（第２光閉
じ込め層）、５，６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層（電流
制限層）、７・・・・・・ｐ型ＧａＡＳ層（被覆層）、
Ｉ Ｑ， ｌ ｌ−−−−−−ＡｕＧｅ／Ｎｉ膜（導
電体層）、１２・・・・・・ＴｉＰｔＡｕ膜（導電体層
）、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板と、この半導体基板上に設けられている第１
    導電型の第１の光閉じ込め層と、この第１の光閉じ込め
    層上に設けられている活性層と、この活性層上に設けら
    れている第２導電型の第２の光閉じ込め層と、この第２
    の光閉じ込め層中に設けられている第１導電型の電流制
    限層と、上記第２の光閉じ込め層上に設けられている第
    ２導電型の被覆層とをそれぞれ具備する半導体レーザー
    において、上記電流制限層と上記被覆層とを導電体層に
    より接続したことを特徴とする半導体レーザー。
JP12051384U 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ− Granted JPS6134761U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12051384U JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12051384U JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6134761U true JPS6134761U (ja) 1986-03-03
JPH0234828Y2 JPH0234828Y2 (ja) 1990-09-19

Family

ID=30679330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12051384U Granted JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6134761U (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0234828Y2 (ja) 1990-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6134761U (ja) 半導体レ−ザ−
JPS58155857U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6144778U (ja) 接触子
JPS6054360U (ja) 半導体レ−ザ−
JPS5822760U (ja) 半導体装置
JPS59107163U (ja) 半導体レ−ザ・ダイオ−ド
JPS6117751U (ja) テ−プキヤリア半導体装置
JPS5892748U (ja) 半導体発光装置
JPS58116258U (ja) 半導体レ−ザ
JPS58120670U (ja) 半導体レ−ザ
JPS59145054U (ja) 半導体レ−ザ
JPS60153567U (ja) 接続用フレキシブル基板
JPS6138682U (ja) 貼着シ−ル
JPS5829850U (ja) 複合半導体装置
JPS60158755U (ja) ビ−ムリ−ド型シヨツトキダイオ−ド
JPS602859U (ja) 半導体レ−ザ
JPS6138956U (ja) サイリスタ
JPS60187550U (ja) 半導体レ−ザ
JPS59183017U (ja) ソ−スフオロワ回路
JPS5977222U (ja) 半導体素子
JPS5846444U (ja) 半導体装置
JPS60136165U (ja) 半導体レ−ザ素子のストライプ構造
JPS60158322U (ja) 端子構造
JPS60151154U (ja) トランジスタ
JPS60192468U (ja) 導波路付き半導体レ−ザ装置