JPS6134761U - 半導体レ−ザ− - Google Patents

半導体レ−ザ−

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JPS6134761U
JPS6134761U JP12051384U JP12051384U JPS6134761U JP S6134761 U JPS6134761 U JP S6134761U JP 12051384 U JP12051384 U JP 12051384U JP 12051384 U JP12051384 U JP 12051384U JP S6134761 U JPS6134761 U JP S6134761U
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JP
Japan
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layer
optical confinement
semiconductor laser
conductivity type
semiconductor substrate
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JP12051384U
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JPH0234828Y2 (ja
Inventor
彰康 石谷
Original Assignee
ソニー株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る半導体レーザーをダブル・ヘテロ
接合レーザーに適用したー実施例を示す断面図、第２図
は従来のダブル・ヘテロ接合レーザーを示す断面図であ
る。 なお区面に用いられた符号において、１・・・・・・ｎ
型ＧａＡｓ基板（半導体基維）、２・・・・・・ｎ型Ａ
ＩＧａＡｓ層（第１の光閉じ込め層）、３・・・・・・
活性層、４・・・””ｐ、型ＡＩＧａＡｓ層（第２光閉
じ込め層）、５，６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層（電流
制限層）、７・・・・・・ｐ型ＧａＡＳ層（被覆層）、
Ｉ Ｑ， ｌ ｌ−−−−−−ＡｕＧｅ／Ｎｉ膜（導
電体層）、１２・・・・・・ＴｉＰｔＡｕ膜（導電体層
）、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板と、この半導体基板上に設けられている第１
    導電型の第１の光閉じ込め層と、この第１の光閉じ込め
    層上に設けられている活性層と、この活性層上に設けら
    れている第２導電型の第２の光閉じ込め層と、この第２
    の光閉じ込め層中に設けられている第１導電型の電流制
    限層と、上記第２の光閉じ込め層上に設けられている第
    ２導電型の被覆層とをそれぞれ具備する半導体レーザー
    において、上記電流制限層と上記被覆層とを導電体層に
    より接続したことを特徴とする半導体レーザー。
JP12051384U 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ− Granted JPS6134761U (ja)

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JP12051384U JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

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JP12051384U JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

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Publication Number Publication Date
JPS6134761U true JPS6134761U (ja) 1986-03-03
JPH0234828Y2 JPH0234828Y2 (ja) 1990-09-19

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ID=30679330

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JP12051384U Granted JPS6134761U (ja) 1984-08-04 1984-08-04 半導体レ−ザ−

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JPH0234828Y2 (ja) 1990-09-19

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